JP2013045899A - 素子内蔵配線基板、及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決方法】相対向して配置される一対の第1の配線層及び第2の配線層、並びにこれらの配線層間に配設された第1の絶縁層を有する両面配線基板と、両面基板の、第1の配線層と対向するようにして設けられた第3の配線層と、第1の配線層及び第3の配線層間に配設された第2の絶縁層と、第2の絶縁層内に配設されるとともに、第1の配線層に実装されてなるチップ状の電気素子と、第1の絶縁層内又は第2の絶縁層内において、第1の配線層と電気的に接続されるとともに、電気素子と相対向するようにして配設され、電気素子より外方に露出したトリミング領域を有する膜素子と、を具える。
【選択図】図1
Description
相対向して配置される一対の第1の配線層及び第2の配線層、並びにこれらの配線層間に配設された第1の絶縁層を有する両面配線基板と、
前記両面配線基板の、前記第1の配線層と対向するようにして設けられた第3の配線層と、
前記第1の配線層及び前記第3の配線層間に配設された第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層内に配設されるとともに、前記第1の配線層に実装されたチップ状の電気素子と、
前記両面配線基板の、前記第1の絶縁層上又は前記第1の絶縁層内において、前記第1の配線層と電気的に接続されるとともに、前記電気素子と相対向するようにして配設された膜素子とを具え、
前記両面配線基板には、前記膜素子の少なくとも一部が露出するようにしてトリミング用の開口部が形成されてなることを特徴とする、素子内蔵配線基板に関する。
相対向して配置される一対の第1の配線層及び第2の配線層、並びにこれらの配線層間に配設された第1の絶縁層を有する両面配線基板を形成する工程と、
前記両面配線基板の前記第1の絶縁層上又は前記第1の絶縁層内に膜素子を配設する工程と、
前記両面配線基板において、前記膜素子の少なくとも一部が露出するようにして第1の開口部を形成する工程と、
前記両面配線基板の、前記第1の配線層にチップ状の電気素子を前記膜素子と相対向するようにして実装する工程と、
前記電気素子を収容する第2の開口部が形成されてなる絶縁層部材上に第3の配線層が形成されてなる配線基板を形成する工程と、
前記両面配線基板と前記配線基板とを、前記電気素子が前記第2の開口部内に収容されるようにして積層する工程と、
積層された前記第両面配線基板及び前記配線基板を加熱下加圧することにより、前記絶縁層部材を流動化させ、少なくとも前記電気素子を前記絶縁層部材が流動固化してなる絶縁層中に埋設する工程と、
前記膜素子を、前記第1の開口部を介してトリミングし、前記膜素子の特性値を調整する工程と、
を具えることを特徴とする、素子内蔵配線基板の製造方法に関する。
相対向して配置される一対の第1の配線層及び第2の配線層、並びにこれらの配線層間に配設された第1の絶縁層を有する両面配線基板を形成する工程と、
前記両面配線基板の前記第1の絶縁層上又は前記第1の絶縁層内に膜素子を配設する工程と、
前記両面配線基板の、前記第1の配線層にチップ状の電気素子を前記膜素子と相対向するようにして実装する工程と、
前記電気素子を収容する第1の開口部が形成されてなる絶縁層部材上に第3の配線層が形成されてなる配線基板を形成する工程と、
前記両面配線基板と前記配線基板とを、前記電気素子が前記第2の開口部内に収容されるようにして積層する工程と、
積層された前記第両面配線基板及び前記配線基板を加熱下加圧することにより、前記絶縁層部材を流動化させ、少なくとも前記電気素子を前記絶縁層部材が流動固化してなる絶縁層中に埋設する工程と、
前記両面配線基板において、前記膜素子の少なくとも一部が露出するようにして第2の開口部を形成する工程と、
前記膜素子を、前記第2の開口部を介してトリミングし、前記膜素子の特性値を調整する工程と、
を具えることを特徴とする、素子内蔵配線基板の製造方法に関する。
図1は、本実施形態の素子内蔵配線基板の概略構成を示す断面図であり、図2は、図1に示す素子内蔵配線基板の第1の配線層の近傍を拡大して示す図である。なお、図2においては、素子内蔵配線基板に内蔵されたチップ状の電気素子及び膜素子の電気的な接続状態を示すべく、絶縁層や層間接続体等については記載を省略している。
図7は、本実施形態の素子内蔵配線基板の概略構成を示す断面図である。なお、本実施形態は、図1及び図2に示す素子内蔵配線基板10と、膜素子である抵抗素子42の、電気素子41の反対側において、絶縁膜71を介してメッシュ状の配線層からなる電磁波シールド層72が形成されている点を除き、同様に構成されている。
図8〜図16は、本実施形態の製造方法における工程図を示す図である。なお、本実施形態では、一例として図1及び図2に示す膜素子としての抵抗素子42を有する素子内蔵配線基板10の製造方法について説明する。
11 第1の配線層
12 第2の配線層
13 第3の配線層
14 第4の配線層
15 第5の配線層
16 第6の配線層
17 第7の配線層
21 第1の絶縁層
22 第2の絶縁層
23 第3の絶縁層
31 第1の層間接続体
32 第2の層間接続体
33 第3の層間接続体
34 第4の層間接続体
35 第5の層間接続体
36 第6の層間接続体
41 チップ状の電気素子
42 抵抗素子
421 絶縁膜
422 抵抗体膜
42A (抵抗素子の)トリミング領域
42B 抵抗素子の溝部
52 インダクタ
52A (インダクタの)トリミング領域
52B インダクタの切断部
53 絶縁膜
62 コンデンサ
621 絶縁膜
622 金属膜
623 誘電体膜
624 金属膜
62A (コンデンサの)トリミング領域
62B コンデンサの溝部
71 絶縁膜
72 電磁波シールド層
Claims (5)
- 相対向して配置される一対の第1の配線層及び第2の配線層、並びにこれらの配線層間に配設された第1の絶縁層を有する両面配線基板と、
前記両面配線基板の、前記第1の配線層と対向するようにして設けられた第3の配線層と、
前記第1の配線層及び前記第3の配線層間に配設された第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層内に配設されるとともに、前記第1の配線層に実装されたチップ状の電気素子と、
前記両面配線基板の、前記第1の絶縁層上又は前記第1の絶縁層内において、前記第1の配線層と電気的に接続されるとともに、前記電気素子と相対向するようにして配設された膜素子とを具え、
前記両面配線基板には、前記膜素子の少なくとも一部が露出するようにしてトリミング用の開口部が形成されてなることを特徴とする、素子内蔵配線基板。 - 前記膜素子の、前記電気素子の反対側に配設された電磁波シールド層を具えることを特徴とする、請求項1に記載の素子内蔵配線基板。
- 前記膜素子の、前記電気素子の反対側に配設された電磁波吸収層を具えることを特徴とする、請求項1に記載の素子内蔵配線基板。
- 相対向して配置される一対の第1の配線層及び第2の配線層、並びにこれらの配線層間に配設された第1の絶縁層を有する両面配線基板を形成する工程と、
前記両面配線基板の前記第1の絶縁層上又は前記第1の絶縁層内に膜素子を配設する工程と、
前記両面配線基板において、前記膜素子の少なくとも一部が露出するようにして第1の開口部を形成する工程と、
前記両面配線基板の、前記第1の配線層にチップ状の電気素子を前記膜素子と相対向するようにして実装する工程と、
前記電気素子を収容する第2の開口部が形成されてなる絶縁層部材上に第3の配線層が形成されてなる配線基板を形成する工程と、
前記両面配線基板と前記配線基板とを、前記電気素子が前記第2の開口部内に収容されるようにして積層する工程と、
積層された前記第両面配線基板及び前記配線基板を加熱下加圧することにより、前記絶縁層部材を流動化させ、少なくとも前記電気素子を前記絶縁層部材が流動固化してなる絶縁層中に埋設する工程と、
前記膜素子を、前記第1の開口部を介してトリミングし、前記膜素子の特性値を調整する工程と、
を具えることを特徴とする、素子内蔵配線基板の製造方法。 - 相対向して配置される一対の第1の配線層及び第2の配線層、並びにこれらの配線層間に配設された第1の絶縁層を有する両面配線基板を形成する工程と、
前記両面配線基板の前記第1の絶縁層上又は前記第1の絶縁層内に膜素子を配設する工程と、
前記両面配線基板の、前記第1の配線層にチップ状の電気素子を前記膜素子と相対向するようにして実装する工程と、
前記電気素子を収容する第1の開口部が形成されてなる絶縁層部材上に第3の配線層が形成されてなる配線基板を形成する工程と、
前記両面配線基板と前記配線基板とを、前記電気素子が前記第2の開口部内に収容されるようにして積層する工程と、
積層された前記第両面配線基板及び前記配線基板を加熱下加圧することにより、前記絶縁層部材を流動化させ、少なくとも前記電気素子を前記絶縁層部材が流動固化してなる絶縁層中に埋設する工程と、
前記両面配線基板において、前記膜素子の少なくとも一部が露出するようにして第2の開口部を形成する工程と、
前記膜素子を、前記第2の開口部を介してトリミングし、前記膜素子の特性値を調整する工程と、
を具えることを特徴とする、素子内蔵配線基板の製造方法。
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