JP2013019858A - 電界プローブ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】センサ電極44と、センサ電極に接続された信号線38と、センサ電極及び信号線を挟む一対のグラウンド層34,38と、一対のグラウンド層の一方と信号線との間の層に設けられ、一対のグラウンド層に電気的に接続されたシールドパターン36,40とを有し、シールドパターンは、少なくともセンサ電極と対向し、信号線のうちのセンサ電極の近傍の部分を除く部分に対向していない。
【選択図】図3
Description
第1実施形態による電界プローブを図1乃至図4を用いて説明する。図1は、本実施形態による電界プローブを示す斜視図である。図2は、本実施形態による電界プローブの一部を示す平面図である。図3は、本実施形態による電界プローブの配線基板を示す断面図である。図3(a)は図2のA−A′線断面に対応しており、図3(b)は図2のB−B′線断面に対応しており、図3(c)は図2のC−C′線断面に対応している。図4は、本実施形態による電界プローブの配線基板の各パターンを示す平面図である。図4(a)は第5層目のパターンを示しており、図4(b)は第4層目のパターンを示しており、図4(c)は第3層目のパターンを示しており、図4(d)は第2層目のパターンを示しており、図4(e)は第1層目のパターンを示している。
第2実施形態による電界プローブを図5乃至図7を用いて説明する。図5は、本実施形態による電界プローブの一部を示す平面図である。図6は、本実施形態による電界プローブの配線基板を示す断面図である。図6(a)は図5のA−A′線断面に対応しており、図6(b)は図5のB−B′線断面に対応しており、図6(c)は図5のC−C′線断面に対応している。図7は、本実施形態による電界プローブの配線基板を示す平面図である。図7(a)は第4層目のパターンを示しており、図7(b)は第3層目のパターンを示しており、図7(c)は第2層目のパターンを示しており、図7(d)は第1層目のパターンを示している。図1乃至図4に示す第1実施形態による電界プローブと同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
第3実施形態による電界プローブを図8乃至図12を用いて説明する。図8は、本実施形態による電界プローブを示す斜視図である。図9は、本実施形態による電界プローブの一部を示す平面図である。図10は、本実施形態による電界プローブの配線基板を示す断面図である。図10(a)は図9のD−D′線断面に対応しており、図10(b)は図9のE−E′線断面に対応しており、図10(c)は図9のF−F′線断面に対応しており、図10(d)は図9のG−G′線断面に対応している。図11及び図12は、本実施形態による電界プローブの配線基板の各パターンを示す平面図である。図11(a)は第5層目のパターンを示しており、図11(b)は第4層目のパターンを示しており、図11(c)は第3層目のパターンを示している。図12(a)は第2層目のパターンを示しており、図12(b)は第1層目のパターンを示している。図1乃至図7に示す第1又は第2実施形態による電界プローブと同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
第4実施形態による電界プローブを図13乃至図16を用いて説明する。図13は、本実施形態による電界プローブの一部を示す平面図である。図14は、本実施形態による電界プローブの配線基板を示す断面図である。図14(a)は図13のH−H′線断面に対応しており、図14(b)は図13のI−I′線断面に対応しており、図14(c)は図13のJ−J′線断面に対応しており、図14(d)は図13のK−K′線断面に対応している。図15及び図16は、本実施形態による電界プローブの配線基板の各パターンを示す平面図である。図15(a)は第5層目のパターンを示しており、図15(b)は第4層目のパターンを示しており、図15(c)は第3層目のパターンを示している。図16(a)は第2層目のパターンを示しており、図16(b)は第1層目のパターンを示している。図1乃至図12に示す第1乃至第3実施形態による電界プローブと同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
センサ電極と、
前記センサ電極に接続された信号線と、
前記センサ電極及び前記信号線を挟む一対のグラウンド層と、
前記一対のグラウンド層の一方と前記信号線との間の層に設けられ、前記一対のグラウンド層に電気的に接続されたシールドパターンとを有し、
前記シールドパターンは、少なくとも前記センサ電極と対向し、前記信号線のうちの前記センサ電極の近傍の部分を除く部分に対向していない
ことを特徴とする電界プローブ。
付記1記載の電界プローブにおいて、
前記一対のグラウンド層の他方と前記信号線との間の層に設けられ、前記一対のグラウンド層に電気的に接続された他のシールドパターンを更に有し、
前記他のシールドパターンは、少なくとも前記センサ電極と対向し、前記信号線のうちの前記センサ電極の近傍の部分を除く部分に対向していない
ことを特徴とする電界プローブ。
第1のセンサ電極と、
前記第1のセンサ電極と異なる層に設けられた第2のセンサ電極と、
前記第1のセンサ電極に接続された第1の信号線と、
前記第2のセンサ電極に接続され、前記第1の信号線と対向しないように形成された第2の信号線と、
前記第1のセンサ電極、前記第2のセンサ電極、前記第1の信号線及び前記第2の信号線を挟む一対のグラウンド層と、
前記第1のセンサ電極と前記第2のセンサ電極との間の層に設けられ、前記一対のグラウンド層に電気的に接続されたシールドパターンとを有し、
前記シールドパターンは、少なくとも前記第1のセンサ電極及び前記第2のセンサ電極と対向し、前記第1の信号線のうちの前記第1のセンサ電極の近傍の部分を除く部分、及び、前記第2の信号線のうちの前記第2のセンサ電極の近傍の部分を除く部分に対向していない
ことを特徴とする電界プローブ。
付記1記載の電界プローブにおいて、
前記一対のグラウンド層の前記一方の先端の位置は、前記シールドパターンの先端の位置に対して後退している
ことを特徴とする電界プローブ。
付記2記載の電界プローブにおいて、
前記一対のグラウンド層の前記他方の先端の位置は、前記他のシールドパターンの先端の位置に対して後退している
ことを特徴とする電界プローブ。
付記1、2又は4記載の電界プローブにおいて、
前記シールドパターンは、前記信号線のうちの前記センサ電極の近傍の部分を除く部分と対向しないように、前記センサ電極から遠ざかる方向に延在している
ことを特徴とする電界プローブ。
付記3記載の電界プローブにおいて、
前記シールドパターンは、前記第1の信号線のうちの前記第1のセンサ電極の近傍の部分を除く部分及び前記第2の信号線のうちの前記第2のセンサ電極の近傍の部分を除く部分と対向しないように、前記第1のセンサ電極及び前記第2のセンサ電極から遠ざかる方向に延在している
ことを特徴とする電界プローブ。
付記1又は2記載の電界プローブにおいて、
前記信号線及び前記センサ電極が、それぞれ複数形成されている
ことを特徴とする電界プローブ。
付記1、2、4、5、6、8のいずれかに記載の電界プローブにおいて、
前記信号線と前記一対のグラウンド層とを含む伝送線路の特性インピーダンスは、50Ωである
ことを特徴とする電界プローブ。
付記3又は7記載の電界プローブにおいて、
前記第1の信号線と前記一対のグラウンド層とを含む第1の伝送線路の特性インピーダンスは、50Ωであり、
前記第2の信号線と前記一対のグラウンド層とを含む第2の伝送線路の特性インピーダンスは、50Ωである
ことを特徴とする電界プローブ。
10…ケーシング
12、12a〜12c…配線基板
14…プローブ先端部
16、16a〜16c…第1層目の層
18、18a〜18c…第2層目の層
20、20a〜20c…第3層目の層
22、22a〜22c…第4層目の層
24、24b、24c…第5層目の層
26…絶縁層
28…絶縁層
30…絶縁層
32…絶縁層
34、34a〜34c…グラウンド層
36、36a…シールドパターン
38、38a〜38c…信号線
40、40a、40b…シールドパターン
42、42a、42b…グラウンド層
44、44a〜44c…センサ電極
46、46a、46b…電極
48、48a、48b…ビア
50、50a、50b…同軸コネクタ
52…中心導体
54…半田
56…外部導体
58、58a〜58e…伝送線路
60…ビア
62…ビア
64…信号線
66…センサ電極
Claims (5)
- センサ電極と、
前記センサ電極に接続された信号線と、
前記センサ電極及び前記信号線を挟む一対のグラウンド層と、
前記一対のグラウンド層の一方と前記信号線との間の層に設けられ、前記一対のグラウンド層に電気的に接続されたシールドパターンとを有し、
前記シールドパターンは、少なくとも前記センサ電極と対向し、前記信号線のうちの前記センサ電極の近傍の部分を除く部分に対向していない
ことを特徴とする電界プローブ。 - 請求項1記載の電界プローブにおいて、
前記一対のグラウンド層の他方と前記信号線との間の層に設けられ、前記一対のグラウンド層に電気的に接続された他のシールドパターンを更に有し、
前記他のシールドパターンは、少なくとも前記センサ電極と対向し、前記信号線のうちの前記センサ電極の近傍の部分を除く部分に対向していない
ことを特徴とする電界プローブ。 - 第1のセンサ電極と、
前記第1のセンサ電極と異なる層に設けられた第2のセンサ電極と、
前記第1のセンサ電極に接続された第1の信号線と、
前記第2のセンサ電極に接続され、前記第1の信号線と対向しないように形成された第2の信号線と、
前記第1のセンサ電極、前記第2のセンサ電極、前記第1の信号線及び前記第2の信号線を挟む一対のグラウンド層と、
前記第1のセンサ電極と前記第2のセンサ電極との間の層に設けられ、前記一対のグラウンド層に電気的に接続されたシールドパターンとを有し、
前記シールドパターンは、少なくとも前記第1のセンサ電極及び前記第2のセンサ電極と対向し、前記第1の信号線のうちの前記第1のセンサ電極の近傍の部分を除く部分、及び、前記第2の信号線のうちの前記第2のセンサ電極の近傍の部分を除く部分に対向していない
ことを特徴とする電界プローブ。 - 請求項1記載の電界プローブにおいて、
前記一対のグラウンド層の前記一方の先端の位置は、前記シールドパターンの先端の位置に対して後退している
ことを特徴とする電界プローブ。 - 請求項2記載の電界プローブにおいて、
前記一対のグラウンド層の前記他方の先端の位置は、前記他のシールドパターンの先端の位置に対して後退している
ことを特徴とする電界プローブ。
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