JP5655730B2 - 電界プローブ - Google Patents

Description

本発明は、電界プローブに関する。

近時、電子機器から発生する放射ノイズの問題が、ＥＭＣ（ElectroMagnetic Compatibility、電磁両立性）の観点より重要視されている。

電子機器の製品開発において、放射ノイズの発生源を突き止める際には、例えば電界プローブ等が用いられる。

具体的には、電界プローブ等の先端部を測定対象となる配線基板の各箇所に近接させ、電界プローブ等に測定ケーブルを介して接続されたスペクトラムアナライザ等によりノイズレベルが測定される。

特開２００９−２５７８５８号公報 特開２０１０−２２３９３４号公報 特開２００３−１２１４８３号公報

しかしながら、提案されている電界プローブは、必ずしも十分に高い空間分解能が得られない場合があり、また、構造が複雑で製造が容易でない場合があった。

本発明の目的は、高い空間分解能を有し、高周波特性が良好で、製造が容易な電界プローブを提供することにある。

実施形態の一観点によれば、センサ電極と、前記センサ電極に接続された信号線と、前記センサ電極及び前記信号線を挟む一対のグラウンド層と、前記一対のグラウンド層の一方と前記信号線との間の層に設けられ、前記一対のグラウンド層に電気的に接続されたシールドパターンとを有し、前記シールドパターンは、少なくとも前記センサ電極と対向し、前記信号線のうちの前記センサ電極の近傍の部分を除く部分に対向していないことを特徴とする電界プローブが提供される。

実施形態の他の観点によれば、第１のセンサ電極と、前記第１のセンサ電極と異なる層に設けられた第２のセンサ電極と、前記第１のセンサ電極に接続された第１の信号線と、前記第２のセンサ電極に接続され、前記第１の信号線と対向しないように形成された第２の信号線と、前記第１のセンサ電極、前記第２のセンサ電極、前記第１の信号線及び前記第２の信号線を挟む一対のグラウンド層と、前記第１のセンサ電極と前記第２のセンサ電極との間の層に設けられ、前記一対のグラウンド層に電気的に接続されたシールドパターンとを有し、前記シールドパターンは、少なくとも前記第１のセンサ電極及び前記第２のセンサ電極と対向し、前記第１の信号線のうちの前記第１のセンサ電極の近傍の部分を除く部分、及び、前記第２の信号線のうちの前記第２のセンサ電極の近傍の部分を除く部分に対向していないことを特徴とする電界プローブが提供される。

開示の電界プローブによれば、センサ電極が信号線とグラウンド層との間の層に設けられたシールドパターンによりシールドされている。センサ電極とシールドパターンとの間の距離が比較的小さいため、高い空間分解能を得ることができる。一方、信号線のうちのセンサ電極の近傍の部分を除く部分にはシールドパターンは対向しておらず、信号線のうちのセンサ電極の近傍の部分を除く部分に対向しているのはグラウンド層である。信号線とグラウンド層との間の距離は比較的大きいため、信号線の幅を極度に狭くすることなく、伝送線路の特性インピーダンスを所望の値に設定することができる。信号線の幅を極度に狭くすることを要しないため、製造ばらつきに起因する伝送線路の特定インピーダンスのばらつきを抑制することができる。伝送線路の特性インピーダンスのばらつきを抑制し得るため、特性インピーダンスのミスマッチングに起因して高周波特性が劣化するのを防止することができる。従って、高い空間分解能を有し、高周波特性が良好で、製造が容易な電界プローブを提供することができる。

図１は、第１実施形態による電界プローブを示す斜視図である。 図２は、第１実施形態による電界プローブの一部を示す平面図である。 図３は、第１実施形態による電界プローブの配線基板を示す断面図である。 図４は、第１実施形態による電界プローブの配線基板の各パターンを示す平面図である。 図５は、第２実施形態による電界プローブの一部を示す平面図である。 図６は、第２実施形態による電界プローブの配線基板を示す断面図である。 図７は、第２実施形態による電界プローブの配線基板を示す平面図である。 図８は、第３実施形態による電界プローブを示す斜視図である。 図９は、第３実施形態による電界プローブの一部を示す平面図である。 図１０は、第３実施形態による電界プローブの配線基板を示す断面図である。 図１１は、第３実施形態による電界プローブの配線基板の各パターンを示す平面図（その１）である。 図１２は、第３実施形態による電界プローブの配線基板の各パターンを示す平面図（その２）である。 図１３は、第４実施形態による電界プローブの一部を示す平面図である。 図１４は、第４実施形態による電界プローブの配線基板を示す断面図である。 図１５は、本実施形態による電界プローブの配線基板の各パターンを示す平面図（その１）である。 図１６は、本実施形態による電界プローブの配線基板の各パターンを示す平面図（その２）である。

参考例による電界プローブについて、説明する。

参考例による電界プローブでは、３層の導電層を有するプリント基板が用いられている。信号線を挟むように一対のグラウンド層が形成されており、信号線と一対のグラウンド層とにより伝送線路が形成されている。

このような電界プローブでは、各導電層の間に存在する絶縁層の厚さを薄くすることにより、シールドとして機能するグラウンド層と信号線との間の間隔を小さく設定すれば、空間分解能を向上することが可能と考えられる。

ところで、電界プローブが接続されるスペクトラムアナライザ等の信号入力端子の特性インピーダンスは、例えば５０Ωに設定されている。このため、電界プローブの伝送線路の特性インピーダンスは５０Ωとすることが好ましい。

しかしながら、空間分解能を向上すべくプリント基板の各導電層間の絶縁層の厚さを単に薄く設定した場合には、伝送線路の特性インピーダンスを５０Ωに設定しようとすると、信号線の幅が極度に狭くなってしまう。信号線の幅が極度に狭くなると、製造限界を超えてしまう虞がある。また、製造限界は超えなかったとしても、信号線幅の製造ばらつきに起因して、伝送線路の特性インピーダンスが大きくばらついてしまう。特性インピーダンスのミスマッチングは、電界プローブの高周波特性等の劣化を招くこととなる。

［第１実施形態］
第１実施形態による電界プローブを図１乃至図４を用いて説明する。図１は、本実施形態による電界プローブを示す斜視図である。図２は、本実施形態による電界プローブの一部を示す平面図である。図３は、本実施形態による電界プローブの配線基板を示す断面図である。図３（ａ）は図２のＡ−Ａ′線断面に対応しており、図３（ｂ）は図２のＢ−Ｂ′線断面に対応しており、図３（ｃ）は図２のＣ−Ｃ′線断面に対応している。図４は、本実施形態による電界プローブの配線基板の各パターンを示す平面図である。図４（ａ）は第５層目のパターンを示しており、図４（ｂ）は第４層目のパターンを示しており、図４（ｃ）は第３層目のパターンを示しており、図４（ｄ）は第２層目のパターンを示しており、図４（ｅ）は第１層目のパターンを示している。

本実施形態による電界プローブ２のケーシング（収納容器、外装）１０（図１参照）内には、配線基板（多層配線基板、プリント配線基板、プリント基板）１２（図２参照）が収納されている。図１における紙面下側の端部１４は、電界を測定する際に測定対象に近づけられる端部、即ち、電界プローブの先端部（受感部）である。

配線基板１２としては、５層の導電層を有する配線基板、即ち、５層基板が用いられている。配線基板１２は、例えばガラスエポキシ基板である。

図３に示すように、配線基板１２の第１層目の層１６は、グラウンド層となっている。配線基板１２の第２層目の層１８は、シールド層となっている。配線基板１２の第３層目の層２０は、信号層となっている。配線基板１２の第４層目の層２２は、シールド層となっている。配線基板１２の第５層目の層２４は、グラウンド層となっている。

各導電層１６，１８，２０，２２，２４の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）が用いられている。各導電層１６，１８，２０，２２，２４の厚さは、例えば１８μｍ程度とする。導電層１６，１８，２０，２２，２４間には、それぞれ絶縁層２６，２８，３０，３２が存在している。絶縁層２６，２８，３０，３２の材料としては、例えばガラスエポキシが用いられている。絶縁層２６，２８，３０，３２の厚さは、例えば６０μｍ程度である。

配線基板１２の長手方向における一方の端部（図２乃至図４における紙面上側の端部）は、プローブ先端部の反対側の端部（プローブ後端部）であり、後述する同軸コネクタ５０が取り付けられる側の端部である。配線基板１２の長手方向における他方の端部（図２乃至図４における紙面下側の端部）１４は、プローブ先端部である。配線基板１２の幅は、プローブ先端部１４の近傍を除く領域においては均一となっており、プローブ先端部１４の近傍においてはプローブ先端部１４に向かって徐々に狭くなっている。

信号層２０には、電界を検出するためのセンサ電極（検出電極、電界検出用電極）４４が形成されている。センサ電極４４は、プローブ先端部１４に位置している。センサ電極４４には、信号線（信号パターン）３８が接続されている。換言すれば、センサ電極４４は、信号線３８の先端部に形成されている。センサ電極４４は、信号線３８と一体に形成されている。センサ電極４４の幅、即ち、図２及び図４の紙面左右方向におけるセンサ電極４４の寸法は、信号線３８の幅より小さく設定されている。センサ電極４４の幅を比較的小さく設定しているのは、高い空間分解能で電界を検出するためである。センサ電極４４の幅は、例えば６０μｍ程度とする。センサ電極４４の長さ、即ち、図２及び図４の紙面上下方向におけるセンサ電極４４の寸法は、例えば１ｍｍ以下とする。ここでは、センサ電極４４の長さを、例えば２００μｍ程度とする。

センサ電極４４の先端（図２乃至図４における紙面下側の縁部）の位置は、配線基板１２の縁部（図２乃至図４における紙面下側の縁部）に対して後退している。即ち、センサ電極４４の先端は、配線基板１２の縁部から離間している。センサ電極４４の先端の位置を、配線基板１２の縁部に対して後退させているのは、センサ電極４４が被測定対象（図示せず）に電気的に接続されるのを防止するためである。センサ電極４４の先端の位置を、配線基板１２の縁部に対して過度に後退させた場合には、十分な検出感度が得られない。このため、センサ電極４４の先端と配線基板１２の縁部との間の距離ｄ１３は、比較的小さく設定されている。センサ電極４４の先端と配線基板１２の縁部との間の距離ｄ１３は、例えば３０μｍ程度とする。

信号線３８は、例えば、配線基板１２の長手方向の中心線に沿って形成されている。信号線３８の一方の端部（図２乃至図４における紙面上側の端部）は、配線基板１２の一方の端部（図２乃至図４における紙面上側の端部）の近傍に位置している。信号線３８の他方の端部（図２乃至図４における紙面下側の端部）は、配線基板１２の他方の端部（図２乃至図４における紙面下側の端部）の近傍に位置している。信号線３８の幅は、例えば１１０μｍ程度とする。信号線３８の長さは、例えば５０ｍｍ程度とする。

配線基板１２の第１層目の層１６には、後述する電極４６と信号線３８とを接続するビア４８が形成された箇所を除いて、配線基板１２のほぼ全面に、グラウンド層（グラウンドパターン）３４が形成されている（図３及び図４（ｅ）参照）。ビア４８とグラウンド層３４とは、電気的に分離されている。

配線基板１２の第５層目の層２４には、電極４６と、グラウンド層（グラウンドパターン）４２とが形成されている（図３及び図４（ａ）参照）。電極４６は、後述する同軸コネクタ５０の中心導体（芯線）５２を接続するためのものである。グラウンド層４２は、電極４６が形成された箇所を除いて、配線基板１２のほぼ全面に形成されている。電極４６とグラウンド層４２とは、電気的に分離されている。電極４６は、図３に示すように、ビア４８を介して、信号線３８の一方の端部（図２乃至図４における紙面上側の端部）に接続されている。

グラウンド層３４，４２の先端（図２乃至図４における紙面下側の縁部）の位置は、センサ電極４４の先端に対して後退している。即ち、グラウンド層３４，４２の先端と配線基板１２の縁部との間の距離ｄ１１，ｄ１５は、上述した距離ｄ１３より大きく設定されている（図４参照）。また、グラウンド層３４，４２の先端の位置は、後述するシールドパターン３６，４０の先端（図２乃至図４における紙面氏側の縁部）に対しても後退している。即ち、グラウンド層３４，４２の先端と配線基板１２の縁部との間の距離ｄ１１，ｄ１５は、後述する距離ｄ１２，ｄ１４より大きく設定されている。グラウンド層３４，４２の先端と配線基板１２の縁部との間の距離ｄ１１，ｄ１５は、例えば１００μｍ程度とする。グラウンド層３４，４２の先端の位置を十分に後退させているのは、接地導体と被測定対象（図示せず）との間の距離を十分に大きく確保し、接地導体が電界測定に及ぼす影響を低減するためである。

配線基板１２の長手方向における一方の端部（図２における紙面上側の端部）には、同軸コネクタ５０が取り付けられている。なお、図３及び図４においては、同軸コネクタ５０は図示を省略している。同軸コネクタ５０は、本実施形態による電界プローブ２を、同軸ケーブル（図示せず）等を用いて、スペクトラムアナライザ等の測定器（図示せず）に接続するためのものである。同軸コネクタ５０としては、例えばＳＭＡ型（Sub Miniature Type A）コネクタが用いられている。同軸コネクタ５０の中心導体（芯線）は、配線基板１２の第５層目の層２４に形成された電極４６に、例えば半田５４を用いて接続されている。同軸コネクタ５０の外部導体５６は、配線基板１２の第５層目の層２４に形成されたグラウンド層４２と、配線基板１２の第１層目の層１６に形成されたグラウンド層３４とに接続されている。

こうして、信号線３８と、信号線３８を挟む一対のグラウンド層３４，４２とにより、伝送線路（ストリップライン）５８が形成されている。

配線基板１２の第１層目の層１６に形成されたグラウンド層３４と配線基板１２の第５層目の層２４に形成されたグラウンド層４２とは、ビア６０を介して互いに電気的に接続されている。かかるビア６０は、信号線３８の長手方向に沿って、信号線３８の両側に所定の間隔で配されている。

配線基板１２の第２層目に位置するシールド層１８及び配線基板１２の第４層目に位置するシールド層２２には、それぞれシールドパターン３６，４０が形成されている（図３、図４（ｂ）及び図４（ｄ）参照）。シールドパターン３６，４０は、少なくともセンサ電極４４と対向するように、即ち、センサ電極４４と重なりあうように形成されている。シールドパターン３６，４０は、信号線３８のうちのセンサ電極４４の近傍の部分を除く部分には対向していない。換言すれば、シールドパターン３６，４０は、信号線３８の先端部を除く部分には対向していない。シールドパターン３６，４０は、信号線３８と対向しないように、即ち、信号線３８と重なり合わないように、信号線３８が形成されている箇所を避けて、センサ電極４４から遠ざかる方向に延在している。具体的には、シールドパターン３６，４０は、配線基板１２の縁部に沿って、図２乃至図４における紙面上側に向かって延在している。また、シールドパターン３６，４０は、ビア６２を介してグラウンド層３４，４２に電気的に接続されている。かかるビア６２は、シールド線３６，４０の長手方向に沿って、所定の間隔で配されている。ビア６２は、第１層目の層１６に形成されたグラウンド層３４と、第２層目の層１８に形成されたシールドパターン３６と、第４層目の層２２に形成されたシールドパターン４０と、第５層目の層２４に形成されたグラウンド層４２とを接続している。シールドパターン３６，４０とグラウンド層３４，４２とがビア６２により電気的に接続されているため、シールドパターン３６，４０の電位は、グラウンド層３４，４２の電位と等しい電位、即ち、接地電位（グラウンド）に接続される。このため、シールドパターン３４，４０は、グラウンド層３４，４２と同様に、接地導体となる。

シールドパターン３６，４０の先端（図２乃至図４における紙面下側の縁部）の位置は、配線基板１２の縁部（図２乃至図４における紙面下側の縁部）に対して後退している。即ち、シールドパターン３６，４０の先端部は、配線基板１２の縁部から離間している。シールドパターン３６，４０の先端部の位置を、配線基板１２の縁部に対して後退させているのは、シールドパターン３６，４０が被測定対象（図示せず）に接触するのを防止するためである。シールドパターン３６，４０の先端と配線基板１２の縁部との間の距離ｄ１２，ｄ１４は、例えば、上述した距離ｄ１３と同等とする。距離ｄ１２，ｄ１４と距離ｄ１３とを等しく設定しているのは、センサ電極４４をシールドパターン３６，４０により十分にシールドするためである。

上述したように、信号線３８のうちのセンサ電極４４の近傍の部分を除く部分は、シールドパターン３６，４０と対向していない。信号線３８のうちのセンサ電極４４の近傍の部分を除く部分をシールドパターン３６，４０に対向させていないのは、信号線３８と接地導体との間の距離を十分に大きく確保するためである。信号線３８のうちのセンサ電極４４の近傍の部分を除く部分と接地導体との距離が十分に大きく確保されているため、信号線３８の幅を過度に狭くすることなく、伝送線路５８の特性インピーダンスを所望の値、より具体的には５０Ωに設定することができる。信号線３８の幅を過度に狭くすることを要しないため、本実施形態によれば、製造ばらつきに起因する伝送線路５８の特定インピーダンスのばらつきを抑制することができる。伝送線路５８の特性インピーダンスのばらつきを抑制し得るため、本実施形態によれば、特性インピーダンスのミスマッチングに起因して高周波特性が劣化するのを防止することができる。従って、本実施形態によれば、高周波特性を損なうことなく、空間分解能の高い電界プローブを提供することができる。

絶縁層２６，２８，３０，３２の比誘電率は例えば４．２程度であり、絶縁層２６，２８，３０，３２の厚さは例えば６０μｍ程度であり、センサ電極４４の幅は例えば６０μｍ程度であり、センサ電極４４の長さは例えば２００μｍ程度である。この場合、センサ電極４４とシールドパターン３６，４０との間の静電容量は１５ｆＦ程度となる。１ＧＨｚ程度の周波数の電界に着目した場合、当該周波数におけるセンサ電極４４とシールドパターン３６，４０との間の静電容量を集中定数素子とみなした時のインピーダンスの絶対値は約１０ｋΩとなる。センサ電極４４とシールドパターン３６，４０との間におけるインピーダンスの絶対値が１０ｋΩと、伝送線路５８の特性インピーダンス５０Ωに比べて十分大きいため、センサ電極４４とシールドパターン３６，４０との間の静電容量が伝送線路５８の特性インピーダンスに及ぼす影響は小さい。従って、センサ電極４４とシールドパターン３６，４０とを対向させても、即ち、センサ電極４４とシールドパターン３６，４０とを重なりあわせても特段の問題は生じない。

なお、このような配線基板１２は、汎用的なプリント基板の製造プロセスを用いることにより製造し得る。

こうして、本実施形態による電界プローブ２が形成されている。

このように、本実施形態によれば、センサ電極４４が、信号線３８とグラウンド層３４，４２との間の層１８，２２に設けられたシールドパターン３６，４０によりシールドされている。センサ電極４４とシールドパターン３６，４０との間の距離が比較的小さいため、高い空間分解能を得ることができる。一方、信号線３８のうちのセンサ電極４４の近傍の部分を除く部分にはシールドパターン３６，４０は対向しておらず、信号線３８のうちのセンサ電極４４の近傍の部分を除く部分に対向しているのはグラウンド層３４，４２である。信号線３８とグラウンド層３４，４２との間の距離は比較的大きいため、本実施形態によれば、信号線３８の幅を極度に狭くすることなく、伝送線路５８の特性インピーダンスを所望の値に設定することができる。信号線３８の幅を極度に狭くすることを要しないため、本実施形態によれば、製造ばらつきに起因する伝送線路５８の特定インピーダンスのばらつきを抑制することができる。伝送線路５８の特性インピーダンスのばらつきを抑制し得るため、本実施形態によれば、特性インピーダンスのミスマッチングに起因して高周波特性が劣化するのを防止することができる。従って、本実施形態によれば、高周波特性を損なうことなく、空間分解能の高い電界プローブ２を提供することができる。

しかも、本実施形態によれば、配線基板１２を用いて伝送線路５８が形成されているため、簡便な構成となっており、複雑な組み立て作業が不要である。従って、本実施形態によれば、信頼性の向上や低コスト化等に寄与することができる。

［第２実施形態］
第２実施形態による電界プローブを図５乃至図７を用いて説明する。図５は、本実施形態による電界プローブの一部を示す平面図である。図６は、本実施形態による電界プローブの配線基板を示す断面図である。図６（ａ）は図５のＡ−Ａ′線断面に対応しており、図６（ｂ）は図５のＢ−Ｂ′線断面に対応しており、図６（ｃ）は図５のＣ−Ｃ′線断面に対応している。図７は、本実施形態による電界プローブの配線基板を示す平面図である。図７（ａ）は第４層目のパターンを示しており、図７（ｂ）は第３層目のパターンを示しており、図７（ｃ）は第２層目のパターンを示しており、図７（ｄ）は第１層目のパターンを示している。図１乃至図４に示す第１実施形態による電界プローブと同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

本実施形態による電界プローブは、４層の導電層を有する配線基板１２ａ、即ち、４層基板を用いたものである。

本実施形態による電界プローブの斜視図は、図１を用いて上述した第１実施形態による電界プローブの斜視図と同様である。

配線基板１２ａとしては、４層基板が用いられている。

図６に示すように、配線基板１２ａの第１層目の層１６ａは、グラウンド層となっている。配線基板１２ａの第２層目の層１８ａは、信号層となっている。配線基板１２ａの第３層目の層２０ａは、シールド層となっている。配線基板１２ａの第４層目の層２２ａは、グラウンド層となっている。

信号層１８ａには、第１実施形態による電界プローブと同様に、センサ電極４４が形成されている。センサ電極４４には、第１実施形態による電界プローブと同様に、信号線３８が形成されている（図６及び図７（ｃ）参照）。センサ電極４４の先端（図５乃至図７における紙面下側の縁部）の位置は、第１実施形態による電界プローブと同様に、配線基板１２ａの縁部（図５乃至図７における紙面下側の縁部）に対して後退している。センサ電極４４の先端と配線基板１２ａの縁部との間の距離ｄ２２は、第１実施形態による電界プローブにおける距離ｄ１３と同様に、例えば３０μｍ程度とする。

配線基板１２ａの第１層目の層１６ａには、電極４６と信号線３８とを接続するビア４８が形成された箇所を除いて、配線基板１２ａのほぼ全面に、グラウンド層（グラウンドパターン）３４ａが形成されている（図６及び図７（ｄ）参照）。ビア４８とグラウンド層３４ａとは、電気的に分離されている。

グラウンド層３４ａの先端（図５乃至図７における紙面下側の縁部）の位置は、配線基板１２の縁部（図５乃至図７における紙面下側の縁部）に対して後退している。グラウンド層３４ａの先端と配線基板１２ａの縁部との間の距離ｄ２１は、例えば、上述した距離ｄ２２と同等とする。距離ｄ２１と距離ｄ２２とを等しく設定しているのは、第１層目に位置しているグラウンド層３４ａをセンサ電極４４と対向させ、グラウンド層３４ａをシールドパターンとしても用いるためである。

配線基板１２ａの第４層目の層２２ａには、電極４６とグラウンド層（グラウンドパターン）４２とが形成されている（図６及び図７（ａ）参照）。

グラウンド層４２の先端（図５乃至図７における紙面下側の縁部）の位置は、第１実施形態による電界プローブと同様に、センサ電極４４の先端（図５乃至図７における紙面下側の縁部）に対して後退している。グラウンド層４２の先端と配線基板１２ａの縁部との間の距離ｄ２４は、上述した距離ｄ２１，ｄ２２より大きく設定されている。グラウンド層４２の先端と配線基板１２ａの縁部との間の距離ｄ２４は、例えば１００μｍ程度とする。グラウンド層４２のプローブ先端部１４側の縁部の位置を十分に後退させているのは、上述したように、接地導体と被測定対象（図示せず）との間の距離を十分に大きく確保し、接地導体が電界測定に及ぼす影響を低減するためである。

信号線３８とグラウンド層３４ａ，４２とにより、伝送線路５８ａが形成されている。

配線基板１２ａの第１層目の層１６ａに形成されたグラウンド層３４ａと配線基板１２ａの第４層目の層２２ａに形成されたグラウンド層４２とは、ビア６０を介して互いに電気的に接続されている。かかるビア６０は、信号線３８の長手方向に沿って、信号線３８の両側に所定の間隔で配されている。

配線基板１２ａの第３層目に位置するシールド層２０ａには、シールドパターン４０が形成されている（図６及び図７（ｂ）参照）。

シールドパターン４０の先端（図５乃至図７における紙面下側の縁部）の位置は、第１実施形態による電界プローブと同様に、配線基板１２ａの縁部（図５乃至図７における紙面下側の縁部）に対して後退している。シールドパターン４０の先端と配線基板１２ａの縁部との間の距離ｄ２３は、例えば、上述した距離ｄ２１，ｄ２２と同等とする。距離ｄ２３と距離ｄ２１，ｄ２２とを等しく設定しているのは、第１実施形態による電界プローブと同様に、シールドパターン４０をセンサ電極４４と対向させ、シールドパターン４０によりセンサ電極４４をシールドするためである。

また、シールドパターン４０は、ビア６２を介してグラウンド層３４ａ，４２に電気的に接続されている。かかるビア６２は、シールドパターン５０の長手方向に沿って、所定の間隔で配されている。ビア６２は、第１層目の層１６ａに形成されたグラウンド層３４ａと、第３層目の層２０ａに形成されたシールドパターン４０と、第４層目の層２２ａに形成されたグラウンド層４２とを接続している。シールドパターン４０とグラウンド層３４ａ，４２とがビア６２により電気的に接続されているため、シールドパターン４０の電位は、グラウンド層３４ａ，４２の電位と等しい電位、即ち、接地電位に接続される。このため、シールドパターン４０は、グラウンド層３４ａ，４２と同様に、接地導体となる。

こうして本実施形態による電界プローブが形成されている。

このように、本実施形態では、センサ電極４４が、第１層目の層１６ａに位置しているグラウンド層３４ａと第３層目の層２０ａに位置しているシールドパターン４０とによりシールドされている。センサ電極４４とパターン３４ａ、４０との距離が比較的小さいため、高い空間分解能を得ることができる。本実施形態では、一方のグラウンド層３４ａが第１層目の層１６ａに形成されており、信号線３８が第２層目の層１８ａに形成されているため、一方のグラウンド層３４ａと信号線３８との間の距離は比較的小さい。しかし、他方のグラウンド層４２は第４層目の層２２ａに形成されているため、信号線１８と他方のグラウンド層４２との間の距離は比較的大きい。このため、本実施形態においても、信号線３８の幅を過度に狭くすることなく、伝送線路５８ａの特性インピーダンスを所望の値、より具体的には、５０Ωに設定することができる。従って、本実施形態においても、高周波特性を損なうことなく、高い空間分解能を有する電界プローブを提供することができる。

［第３実施形態］
第３実施形態による電界プローブを図８乃至図１２を用いて説明する。図８は、本実施形態による電界プローブを示す斜視図である。図９は、本実施形態による電界プローブの一部を示す平面図である。図１０は、本実施形態による電界プローブの配線基板を示す断面図である。図１０（ａ）は図９のＤ−Ｄ′線断面に対応しており、図１０（ｂ）は図９のＥ−Ｅ′線断面に対応しており、図１０（ｃ）は図９のＦ−Ｆ′線断面に対応しており、図１０（ｄ）は図９のＧ−Ｇ′線断面に対応している。図１１及び図１２は、本実施形態による電界プローブの配線基板の各パターンを示す平面図である。図１１（ａ）は第５層目のパターンを示しており、図１１（ｂ）は第４層目のパターンを示しており、図１１（ｃ）は第３層目のパターンを示している。図１２（ａ）は第２層目のパターンを示しており、図１２（ｂ）は第１層目のパターンを示している。図１乃至図７に示す第１又は第２実施形態による電界プローブと同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

本実施形態による電界プローブは、２系統の入出力が設けられているものである。

本実施形態による電界プローブ２ａ（図８参照）のケーシング１０ａ（図８参照）内には、配線基板１２ｂ（図９参照）が収納されている。

配線基板１２ｂとしては、５層基板が用いられている。

図１０に示すように、配線基板１２ｂの第１層目の層１６ｂは、グラウンド層となっている。配線基板１２ｂの第２層目の層１８ｂは、信号層となっている。配線基板１２ｂの第３層目の層２０ｂは、シールド層となっている。配線基板１２ｂの第４層目の層２２ｂは、信号層となっている。配線基板１２ｂの第５層目の層２４ｂは、グラウンド層となっている。

配線基板１２ｂの第２層目に位置する信号層１８ｂには、センサ電極４４ａが形成されている。センサ電極４４ａは、信号線３８ａに接続されている（図１０及び図１２（ａ）参照）。センサ電極４４ａの先端（図９乃至図１２における紙面下側の縁部）の位置は、第１実施形態による電界プローブと同様に、配線基板１２ｂの縁部（図９乃至図１２における紙面下側の縁部）に対して後退している。センサ電極４４ａの先端と配線基板１２ｂの縁部との間の距離ｄ３２は、第１実施形態による電界プローブにおける距離ｄ１３と同様に、例えば３０μｍ程度とする。

配線基板１２ｂの第４層目に位置する信号層２２ｂには、センサ電極６６が形成されている。センサ電極６６は、信号線６４に接続されている（図１０及び図１１（ｂ）参照）。信号線６４と信号線３８ａとは、センサ電極６６，４４ａの近傍の部分を除く領域において、互いに対向しないように、即ち、互いに重なり合わないように、配されている。

センサ電極６６の先端（図９乃至図１２における紙面下側の縁部）の位置は、センサ電極４４ａと同様に、配線基板１２ｂの縁部（図９乃至図１２における紙面下側の縁部）に対して後退している。センサ電極６６の先端と配線基板１２ｂの縁部との間の距離ｄ３４は、センサ電極４４ａの先端の縁部と配線基板１２ｂの縁部との間の距離ｄ３２と同等とする。

配線基板１２ｂの第１層目の層１６ｂには、電極４６ａ、４６ｂと信号線３８ａ、６４とを接続するビア４８ａ、４８ｂが形成された箇所を除き、配線基板１２ａのほぼ全面に、グラウンド層（グラウンドパターン）３４ｂが形成されている（図１０及び図１２（ｂ）参照）。ビア４８ａ、４８ｂとグラウンド層３４ｂとは、電気的に分離されている。

グラウンド層３４ｂの先端（図９乃至図１２における紙面下側の縁部）の位置は、配線基板１２ｂの縁部（図９乃至図１２における紙面下側の縁部）に対して後退している。グラウンド層３４ｂの先端と配線基板１２ｂの縁部との間の距離ｄ３１は、上述した距離ｄ３２と同等とする。距離ｄ３１と距離ｄ３２とを等しく設定しているのは、第１層目に位置しているグラウンド層３４ｂをセンサ電極４４ａと対向させ、グラウンド層３４ｂをシールドパターンとしても用いるためである。

配線基板１２ｂの第５層目の層２４ｂには、電極４６ａ、４６ｂとグラウンド層（グラウンドパターン）４２ａとが形成されている（図１０及び図１１（ａ）参照）。

グラウンド層４２ａの先端（図９乃至図１２における紙面下側の縁部）の位置は、配線基板１２ｂの縁部（図９乃至図１２における紙面下側の縁部）に対して後退している。グラウンド層４２ａの先端と配線基板１２ａの縁部との間の距離ｄ３５は、上述した距離ｄ３４と同等とする。距離ｄ３５と距離ｄ３４とを等しく設定しているのは、第５層目に位置しているグラウンド層４２ａをセンサ電極６６と対向させ、グラウンド層４２ａをシールドパターンとしても用いるためである。

配線基板１２ｂの第３層目に位置するシールド層２０ｂには、シールドパターン４０ａが形成されている（図１０、図１１（ｃ）参照）。シールドパターン４０ａは、少なくともセンサ電極４４ａ，６６と対向するように形成されている。シールドパターン４０ａは、信号線３８ａ，６４のうちの先端部（図９乃至図１２における紙面下側の端部）、即ち、信号線３８ａ，６４のうちのセンサ電極４４ａ、６６の近傍の部分を除く部分には対向していない。シールドパターン４０ａは、信号線３８ａ，６４と対向しないように、即ち、重なり合わないように、信号線３８ａ，６４が形成されている箇所を避けて、センサ電極４４ａ、６６から遠ざかる方向に延在している。具体的には、シールドパターン４０ａは、配線基板１２ｂの縁部に沿って、図９乃至図１１における紙面上側に向かって延在している。また、シールドパターン４０ａは、ビア６２を介してグラウンド層３４ｂ，４２ａに電気的に接続されている。かかるビア６２は、シールドパターン４０ａの長手方向に沿って、所定の間隔で配されている。ビア６２は、第１層目の層１６ｂに形成されたグラウンド層３４ｂと、第３層目の層２０ｂに形成されたシールドパターン４０ａと、第５層目の層２４ｂに形成されたグラウンド層４２ａとを接続している。

シールドパターン４０ａの先端（図９乃至図１２における紙面下側の縁部）の位置は、第１実施形態による電界プローブと同様に、配線基板１２ｂの縁部（図９乃至図１２における紙面下側の縁部）に対して後退している。シールドパターン４０ａの先端と配線基板１２ｂの縁部との間の距離ｄ３３は、例えば、上述した距離ｄ３２，ｄ３４と同等とする。距離ｄ３２，ｄ３４と距離ｄ３３とを等しく設定しているのは、センサ電極４４ａ，６６をシールドパターン４０ａにより十分にシールドするためである。

配線基板の長手方向における一方の端部（図９における紙面上側の端部）には、２つの同軸コネクタ５０ａ、５０ｂが取り付けられている。同軸コネクタ５０ａ，５０ｂとしては、第１実施形態において上述した同軸コネクタ５０と同様に、例えばＳＭＡ型コネクタが用いられている。同軸コネクタ５０ａ，５０ｂの中心導体５２は、配線基板１２ｂの第５層目の層２４ｂに形成された電極４６ａ、４６ｂに、例えば半田５４を用いてそれぞれ接続されている。同軸コネクタ５０ａ，５０ｂの外部導体５６は、配線基板１２ｂの第５層目の層２４ｂに形成されたグラウンド層４２ａと、配線基板１２ｂの第１層目の層１６ｂに形成されたグラウンド層３４ｂとにそれぞれ接続されている。

第２層目の層１８ｂに位置する信号線３８ａと、第１層目の層１６ｂ及び第５層目の層２４ｂに位置するグラウンド層３４ｂ，４２ａとにより、伝送線路５８ｂが形成されている。

また、第４層目の層２２ｂに位置する信号線６４と、第１層目の層１６ｂ及び第５層目の層２４ｂに位置するグラウンド層３４ｂ，４２ａとにより、伝送線路５８ｃが形成されている。

配線基板１２ｂの第１層目の層１６ｂに形成されたグラウンド層３４ｂと配線基板１２ｂの第５層目の層２４ｂに形成されたグラウンド層４２ａとは、ビア６０を介して互いに電気的に接続されている。かかるビア６０は、信号線３８ａ，６４の長手方向に沿って、信号線３８ａ，６４の両側に所定の間隔で配されている。また、ビア６０は、配線基板１２ｂの長手方向の中心線に沿って、所定の間隔で配されている。

第１層目の層１６ｂに位置するグラウンド層３４ｂは、第２層目の層１８ｂに位置するセンサ電極４４ａに対してシールドパターンとしても機能し得る。

また、第５層目の層２４ｂに位置するグラウンド層４２ａは、第４層目の層２２ｂに位置するセンサ電極６６に対してシールドパターンとしても機能し得る。

こうして本実施形態による電界プローブ２ａが形成されている。

本実施形態では、信号線３８ａが第２層目の層１８ｂに形成されているため、信号線３８ａと第１層目の層１６ｂに位置するグラウンド層３４ｂとの距離は比較的小さい。しかし、信号線３８ａが第２層目の層１８ｂに形成されているため、信号線３８ａと第５層目の層２４ｂに位置するグラウンド層４２ａとの距離は比較的大きい。このため、本実施形態においても、信号線３８ａの幅を極度に狭くすることなく、伝送線路５６ｂの特性インピーダンスを所望の値、より具体的には、５０Ωに設定し得る。また、本実施形態では、信号線６４が第４層目の層２２ｂに形成されているため、信号線６４と第５層目の層２４ｂに位置するグラウンド層４２ａとの距離は比較的小さい。しかし、信号線６４が第４層目の層２２ｂに形成されているため、信号線６４と第１層目の層１６ｂに位置するグラウンド層３４ｂとの距離は比較的大きい。このため、信号線６４の幅を極度に狭くすることなく、伝送線路５７ｃの特性インピーダンスを所望の値、より具体的には、５０Ωに設定し得る。信号線３８ａ、６４の幅を過度に狭く設定することを要しないため、高周波特性を損なうことなく、高い空間分解能を有する電界プローブを提供することができる。しかも、本実施形態によれば、入出力が２系統設けられているため、電界測定の効率化を図ることができる。

［第４実施形態］
第４実施形態による電界プローブを図１３乃至図１６を用いて説明する。図１３は、本実施形態による電界プローブの一部を示す平面図である。図１４は、本実施形態による電界プローブの配線基板を示す断面図である。図１４（ａ）は図１３のＨ−Ｈ′線断面に対応しており、図１４（ｂ）は図１３のＩ−Ｉ′線断面に対応しており、図１４（ｃ）は図１３のＪ−Ｊ′線断面に対応しており、図１４（ｄ）は図１３のＫ−Ｋ′線断面に対応している。図１５及び図１６は、本実施形態による電界プローブの配線基板の各パターンを示す平面図である。図１５（ａ）は第５層目のパターンを示しており、図１５（ｂ）は第４層目のパターンを示しており、図１５（ｃ）は第３層目のパターンを示している。図１６（ａ）は第２層目のパターンを示しており、図１６（ｂ）は第１層目のパターンを示している。図１乃至図１２に示す第１乃至第３実施形態による電界プローブと同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

本実施形態による電界プローブは、複数のセンサ電極４４ｂ、４４ｃ及び信号線３８ｂ、３８ｃが同じ層２０ｃに形成されているものである。

配線基板１２ｃとしては、５層基板が用いられている。

図１４に示すように、配線基板１２ｃの第１層目の層１６ｃは、グラウンド層となっている。配線基板１２ｃの第２層目の層１８ｃは、シールド層となっている。配線基板１２ｃの第３層目の層２０ｃは、信号層となっている。配線基板１２ｃの第４層目の層２２ｃは、シールド層となっている。配線基板１２ｃの第５層目の層２４ｃは、グラウンド層となっている。

配線基板１２ｃの第３層目に位置する信号層２０ｃには、センサ電極４４ｂ，４４ｃが形成されている。センサ電極４４ｂとセンサ電極４４ｃとは、互いに離間した位置に形成されている。センサ電極４４ｂ，４４ｃは、それぞれ信号線３８ｂ，３８ｃに接続されている。換言すれば、信号線３８ｂ，３８ｃの先端部には、それぞれセンサ電極４４ｂ，４４ｃが形成されている（図１３及び図１４（ａ）及び図１４（ｂ）参照）。信号線３８ｂと信号線３８ｃとは、互いに対向しないように、即ち、互いに重なり合わないように形成されている。センサ電極４４ｂ，４４ｃの先端（図１３乃至図１６における紙面下側の縁部）の位置は、第１実施形態による電界プローブと同様に、配線基板１２ｃの縁部（図１３乃至図１６における紙面下側の縁部）に対して後退している。センサ電極４４ｂ、４４ｃの先端と配線基板１２ｃの縁部との間の距離ｄ４３は、第１実施形態による電界プローブにおける距離ｄ１３と同様に、例えば３０μｍ程度とする。

配線基板１２ｃの第１層目の層１６ｃには、電極４６ａ、４６ｂと信号線３８ｂ、３８ｃとを接続するビア４８ａ、４８ｂが形成された箇所を除き、配線基板１２ａのほぼ全面にグラウンド層（グラウンドパターン）３４ｃが形成されている（図１４及び図１６（ｂ）参照）。ビア４８ａ、４８ｂとグラウンド層３４ｃとは、電気的に分離されている。

グラウンド層３４ｃの先端（図１３乃至図１６における紙面下側の縁部）の位置は、配線基板１２ｃの縁部（図１３乃至図１６における紙面下側の縁部）に対して後退している。グラウンド層３４ｃの先端と配線基板１２ｃの縁部との間の距離ｄ４１は、上述した距離ｄ４３より大きく設定されている。グラウンド層３４ｃの先端と配線基板１２ｃの縁部との間の距離ｄ４１は、第１実施形態による電界プローブにおける距離ｄ１１と同様に、例えば１００μｍ程度とする。

配線基板１２ｃの第５層目の層２４ｂには、電極４６ａ、４６ｂとグラウンド層（グラウンドパターン）４２ｂとが形成されている（図１４及び図１５（ａ）参照）。

グラウンド層４２ｂの先端（図１３乃至図１６における紙面下側の縁部）の位置は、配線基板１２ｃの縁部（図１３乃至図１６における紙面下側の縁部）に対して後退している。グラウンド層４２ｂの先端と配線基板１２ｃの縁部との間の距離ｄ４５は、上述した距離ｄ４１と同等とする。

配線基板１２ｃの第２層目及び第４層目に位置するシールド層１８ｃ，２２ｃには、シールドパターン３６ａ、４０ｂが形成されている（図１４、図１５（ｂ）、図１５（ａ）参照）。シールドパターン３６ａ、４０ｂは、少なくともセンサ電極４４ｂ，４４ｃと対向するように形成されている。シールドパターン３６ａ、４０ｂは、信号線３８ｂ，３８ｃのうちの先端部（図１３乃至図１６における紙面下側の端部）、即ち、信号線３８ｂ，３８ｃのうちのセンサ電極４４ｂ，４４ｃの近傍の部分を除く部分には対向していない。シールドパターン３６ａ，４０ｂは、信号線３８ｂ，３８ｃと対向しないように、信号線３８ｂ，３８ｃが形成されている箇所を避けて、センサ電極４４ｂ、４４ｃから遠ざかる方向に延在している。具体的には、シールドパターン３６ａ，４０ｂは、配線基板１２ｃの縁部と中心線とに沿って、図１３乃至図１６における紙面上側に向かって延在している。また、シールドパターン３６ａ，４０ｂは、ビア６２を介してグラウンド層３４ｃ，４２ｂに電気的に接続されている。かかるビア６２は、シールドパターン３６ａ，４０ｂの長手方向に沿って、所定の間隔で配されている。ビア６２は、第１層目の層１６ｃに形成されたグラウンド層３４ｃと、第２層目の層１８ｃ及び第４層目の層２２ｃに形成されたシールドパターン３６ａ，４０ｂと、第５層目の層２４ｃに形成されたグラウンド層４２ｂとを接続している。

シールドパターン３６ａ，４０ｂの先端（図１３乃至図１６における紙面下側の縁部）の位置は、第１実施形態による電界プローブと同様に、配線基板１２ｃの縁部（図１３乃至図１６における紙面下側の縁部）に対して後退している。シールドパターン３６ａ，４０ｂの先端と配線基板１２ｃの縁部との間の距離ｄ４２，４４は、例えば、上述した距離ｄ４３と同等とする。距離ｄ４２，ｄ４４と距離ｄ４３とを等しく設定しているのは、センサ電極４４ｂ，４４ｃをシールドパターン３６ａ，４０ｂにより十分にシールドするためである。

配線基板の長手方向における一方の端部（図１３における紙面上側の端部）には、２つの同軸コネクタ５０ａ、５０ｂが取り付けられている。同軸コネクタ５０ａ，５０ｂの中心導体５２は、第３実施形態による電界プローブと同様に、配線基板１２ｂの第５層目の層２４ｃに形成された電極４６ａ、４６ｂに、例えば半田５４を用いてそれぞれ接続されている。

第３層目の層２０ｃに位置する信号線３８ｂと、第１層目の層１６ｃ及び第５層目の層２４ｃに位置するグラウンド層３４ｃ，４２ｂとにより、伝送線路５８ｄが形成されている。

また、第３層目の層２０ｃに位置する信号線３８ｃと、第１層目の層１６ｃ及び第５層目の層２４ｃに位置するグラウンド層３４ｃ，４２ｃとにより、伝送線路５８ｅが形成されている。

配線基板１２ｃの第１層目の層１６ｃに形成されたグラウンド層３４ｃと配線基板１２ｃの第５層目の層２４ｃに形成されたグラウンド層４２ｂとは、ビア６０を介して互いに電気的に接続されている。かかるビア６０は、信号線３８ｂ，３８ｃの長手方向に沿って、信号線３８ｂ，３８ｃの両側に所定の間隔で配されている。

こうして本実施形態による電界プローブが形成されている。

このように、複数のセンサ電極４４ｂ、４４ｃ及び信号線３８ｂ，３８ｃを同じ層２０ｃに形成するようにしてもよい。本実施形態においても、入出力が２系統設けられているため、効率的に電界測定を行うことができる。

［変形実施形態］
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。

例えば、上記実施形態では、配線基板の縁部に沿って、センサ電極から遠ざかる方向に向かってシールドパターンを延在させる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。シールドパターンをセンサ電極から遠ざかる方向に向かって延在させなくてもよい。即ち、少なくともセンサ電極の近傍にシールドパターンを形成すればよい。

また、第２実施形態では、第２層目の層１８ａに信号線３８及びセンサ電極４４を形成し、第３層目の層２０ａにシールドパターン４０を形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、第２層目の層１８ａにシールドパターン４０を形成し、第３層目の層２０ａに信号線３８及びセンサ電極４４を形成してもよい。

また、第３実施形態では、入出力が２系統設けられている場合を例に説明したが、これに限定されるものではなく、入出力の系統の数を更に多く設定してもよい。

また、第４実施形態では、入出力が２系統設けられている場合を例に説明したが、これに限定されるものではなく、入出力の系統の数を更に多く設定してもよい。

また、第２実施形態では、入出力が１系統の場合を例に説明したが、これに限定されるものではなく、入出力の系統の数を複数に設定してもよい。

上記実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。

（付記１）
センサ電極と、
前記センサ電極に接続された信号線と、
前記センサ電極及び前記信号線を挟む一対のグラウンド層と、
前記一対のグラウンド層の一方と前記信号線との間の層に設けられ、前記一対のグラウンド層に電気的に接続されたシールドパターンとを有し、
前記シールドパターンは、少なくとも前記センサ電極と対向し、前記信号線のうちの前記センサ電極の近傍の部分を除く部分に対向していない
ことを特徴とする電界プローブ。

（付記２）
付記１記載の電界プローブにおいて、
前記一対のグラウンド層の他方と前記信号線との間の層に設けられ、前記一対のグラウンド層に電気的に接続された他のシールドパターンを更に有し、
前記他のシールドパターンは、少なくとも前記センサ電極と対向し、前記信号線のうちの前記センサ電極の近傍の部分を除く部分に対向していない
ことを特徴とする電界プローブ。

（付記３）
第１のセンサ電極と、
前記第１のセンサ電極と異なる層に設けられた第２のセンサ電極と、
前記第１のセンサ電極に接続された第１の信号線と、
前記第２のセンサ電極に接続され、前記第１の信号線と対向しないように形成された第２の信号線と、
前記第１のセンサ電極、前記第２のセンサ電極、前記第１の信号線及び前記第２の信号線を挟む一対のグラウンド層と、
前記第１のセンサ電極と前記第２のセンサ電極との間の層に設けられ、前記一対のグラウンド層に電気的に接続されたシールドパターンとを有し、
前記シールドパターンは、少なくとも前記第１のセンサ電極及び前記第２のセンサ電極と対向し、前記第１の信号線のうちの前記第１のセンサ電極の近傍の部分を除く部分、及び、前記第２の信号線のうちの前記第２のセンサ電極の近傍の部分を除く部分に対向していない
ことを特徴とする電界プローブ。

（付記４）
付記１記載の電界プローブにおいて、
前記一対のグラウンド層の前記一方の先端の位置は、前記シールドパターンの先端の位置に対して後退している
ことを特徴とする電界プローブ。

（付記５）
付記２記載の電界プローブにおいて、
前記一対のグラウンド層の前記他方の先端の位置は、前記他のシールドパターンの先端の位置に対して後退している
ことを特徴とする電界プローブ。

（付記６）
付記１、２又は４記載の電界プローブにおいて、
前記シールドパターンは、前記信号線のうちの前記センサ電極の近傍の部分を除く部分と対向しないように、前記センサ電極から遠ざかる方向に延在している
ことを特徴とする電界プローブ。

（付記７）
付記３記載の電界プローブにおいて、
前記シールドパターンは、前記第１の信号線のうちの前記第１のセンサ電極の近傍の部分を除く部分及び前記第２の信号線のうちの前記第２のセンサ電極の近傍の部分を除く部分と対向しないように、前記第１のセンサ電極及び前記第２のセンサ電極から遠ざかる方向に延在している
ことを特徴とする電界プローブ。

（付記８）
付記１又は２記載の電界プローブにおいて、
前記信号線及び前記センサ電極が、それぞれ複数形成されている
ことを特徴とする電界プローブ。

（付記９）
付記１、２、４、５、６、８のいずれかに記載の電界プローブにおいて、
前記信号線と前記一対のグラウンド層とを含む伝送線路の特性インピーダンスは、５０Ωである
ことを特徴とする電界プローブ。

（付記１０）
付記３又は７記載の電界プローブにおいて、
前記第１の信号線と前記一対のグラウンド層とを含む第１の伝送線路の特性インピーダンスは、５０Ωであり、
前記第２の信号線と前記一対のグラウンド層とを含む第２の伝送線路の特性インピーダンスは、５０Ωである
ことを特徴とする電界プローブ。

２，２ａ…電界プローブ
１０…ケーシング
１２、１２ａ〜１２ｃ…配線基板
１４…プローブ先端部
１６、１６ａ〜１６ｃ…第１層目の層
１８、１８ａ〜１８ｃ…第２層目の層
２０、２０ａ〜２０ｃ…第３層目の層
２２、２２ａ〜２２ｃ…第４層目の層
２４、２４ｂ、２４ｃ…第５層目の層
２６…絶縁層
２８…絶縁層
３０…絶縁層
３２…絶縁層
３４、３４ａ〜３４ｃ…グラウンド層
３６、３６ａ…シールドパターン
３８、３８ａ〜３８ｃ…信号線
４０、４０ａ、４０ｂ…シールドパターン
４２、４２ａ、４２ｂ…グラウンド層
４４、４４ａ〜４４ｃ…センサ電極
４６、４６ａ、４６ｂ…電極
４８、４８ａ、４８ｂ…ビア
５０、５０ａ、５０ｂ…同軸コネクタ
５２…中心導体
５４…半田
５６…外部導体
５８、５８ａ〜５８ｅ…伝送線路
６０…ビア
６２…ビア
６４…信号線
６６…センサ電極

Claims (5)

1. センサ電極と、
   前記センサ電極に接続された信号線と、
   前記センサ電極及び前記信号線を挟む一対のグラウンド層と、
   前記一対のグラウンド層の一方と前記信号線との間の層に設けられ、前記一対のグラウンド層に電気的に接続されたシールドパターンとを有し、
   前記シールドパターンは、少なくとも前記センサ電極と対向し、前記信号線のうちの前記センサ電極の近傍の部分を除く部分に対向していない
   ことを特徴とする電界プローブ。
2. 請求項１記載の電界プローブにおいて、
   前記一対のグラウンド層の他方と前記信号線との間の層に設けられ、前記一対のグラウンド層に電気的に接続された他のシールドパターンを更に有し、
   前記他のシールドパターンは、少なくとも前記センサ電極と対向し、前記信号線のうちの前記センサ電極の近傍の部分を除く部分に対向していない
   ことを特徴とする電界プローブ。
3. 第１のセンサ電極と、
   前記第１のセンサ電極と異なる層に設けられた第２のセンサ電極と、
   前記第１のセンサ電極に接続された第１の信号線と、
   前記第２のセンサ電極に接続され、前記第１の信号線と対向しないように形成された第２の信号線と、
   前記第１のセンサ電極、前記第２のセンサ電極、前記第１の信号線及び前記第２の信号線を挟む一対のグラウンド層と、
   前記第１のセンサ電極と前記第２のセンサ電極との間の層に設けられ、前記一対のグラウンド層に電気的に接続されたシールドパターンとを有し、
   前記シールドパターンは、少なくとも前記第１のセンサ電極及び前記第２のセンサ電極と対向し、前記第１の信号線のうちの前記第１のセンサ電極の近傍の部分を除く部分、及び、前記第２の信号線のうちの前記第２のセンサ電極の近傍の部分を除く部分に対向していない
   ことを特徴とする電界プローブ。
4. 請求項１記載の電界プローブにおいて、
   前記一対のグラウンド層の前記一方の先端の位置は、前記シールドパターンの先端の位置に対して後退している
   ことを特徴とする電界プローブ。
5. 請求項２記載の電界プローブにおいて、
   前記一対のグラウンド層の前記他方の先端の位置は、前記他のシールドパターンの先端の位置に対して後退している
   ことを特徴とする電界プローブ。

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