JP2013008918A

JP2013008918A - サーミスタ素子およびその製造方法、温度センサ装置

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Publication number: JP2013008918A
Application number: JP2011141864A
Authority: JP
Inventors: Naofumi Matsudate; 直史松舘; Yutaka Niki; 裕仁木
Original assignee: Semitec Corp
Current assignee: Semitec Corp
Priority date: 2011-06-27
Filing date: 2011-06-27
Publication date: 2013-01-10

Abstract

【課題】表面実装用としてランドに接合して用いられるに当たって、応力に対して高い信頼性を維持することができるサーミスタ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に備えた感熱層および前記感熱層に接続した一対の引き出し電極を覆うガラス保護層を備え、前記ガラス保護層の周縁部の適宜位置に、前記引き出し電極にそれぞれ接続するように一対の接続用電極を備えたサーミスタ素子であって、前記ガラス保護層は、前記感熱層および前記感熱層の周囲であって前記基板の外周縁付近まで覆うように備えられ、前記引き出し電極と前記接続用電極を接続するための一対の穴を有した構成となっている。
【選択図】図１

Description

この発明は、表面実装用の温度計測に用いられるサーミスタ素子およびサーミスタ素子の製造方法、温度センサ装置に関する。

従来より、表面実装用の温度計測に用いられるサーミスタ素子が知られている。

図８は、従来の表面実装用の温度計測に用いられるサーミスタ素子の構造を示し、（a）は、平面図であり、（b）は、（a）におけるA-A断面図である。

図８（a）、（b）に示すように、従来のサーミスタ素子１は、アルミナ、石英、ムライト、ステアタイト等の絶縁基板３上の中央部に形成されたSiO2、Si3O4等からなる第１の絶縁層５と、第１の絶縁層５の両側に形成されたTi、Pt、Cr、Mo、Al等からなる一対の第１の電極層７a、７bと、第１の絶縁層５と第１の電極層７a、７bとの上に、絶縁基板３の中央部に所定の間隔を持つように形成されたPt等からなる一対の第２の電極層９a、９bと、第２の電極層９a、９bに接続されるように絶縁基板３の中央部における第２の電極層９a、９b上にまたがって形成された感熱層１１と、絶縁基板３の中央部において感熱層１１を覆うように形成されたSiO2、Si3O4等からなる第２の絶縁層１３と、絶縁基板３の中央部において第２の絶縁層１３を覆うように形成されたガラス等からなる保護層１５と、保護層１５の両側における第２の電極層９a、９b上に形成されたAg等からなる一対の第３の電極層１７a、１７bとを有している。

なお、第２の電極層９a、９bは、感熱層１１の引き出し電極となっており、第３の電極層１７a、１７bは、図９に示す実装基板２３のランド２１ａと２１ｂに接続するための接続用電極となっている。

上記のような構成のサーミスタ素子１は、表面実装用として用いられるに当たって、図９に示すように、ガラエポやアルミナなどの絶縁基板１９上に、サーミスタ素子１の第３の電極層１７a、１７bにそれぞれ対応した位置に形成された銅箔からなるランド２１a、２１bに、はんだ等の接合材２５a、２５bによって接合されて使用される。

図９は、図８に示す従来のサーミスタ素子１をランド２１ａ、２１ｂに接合した状態を示す説明図である。また、図１０は、図８に示す従来のサーミスタ素子１をランド２１ａ、２１ｂに接合した状態において絶縁基板３の表面にかかる主応力を示すグラフ図である。

ここで、図９および図１０に示すように、絶縁基板３の表面にかかる主応力は、各第３の電極層１７a、１７bの端部１７a_１、１７a_２、１７b_１、１７b_２で最も強い応力となり、各第３の電極層１７a、１７bの中央部１７a_３、１７b_３で低くなるものであった。なお、ここでの主応力とは、サーミスタ素子１を加熱して融解したはんだ等の接合材２５a、２５bによってランド２１ａ、２１ｂに接合し、冷却によりはんだ等の接合材２５a、２５bが凝固する際に生ずる応力と、温度サイクル等の温度変化によってはんだ等の接合材２５a、２５bや絶縁基板１９の膨張・収縮を繰り返すことによって主に生じる応力である。

特開平５−１３６０１２号公報

しかしながら、上記図８に示したような従来のサーミスタ素子１では、図９および図１０を用いて説明したように、サーミスタ素子１とランド２１ａ、２１ｂとを接合した状態で、各第３の電極層１７a、１７bの端部１７a_１、１７a_２、１７b_１、１７b_２に最も強い応力が加わるので、最も強い応力が加わる各第３の電極層１７a、１７bの端部１７a_１、１７a_２、１７b_１、１７b_２の周辺における第２の電極層９a、９bが、第１の絶縁層５および第１の電極層７a、７bから剥離してしまったり、切断されてしまったりし、それにより電気的接合が損なわれる問題点が生ずるものであった。

すなわち、第２の電極層９a、９bが各第３の電極層１７a、１７bの端部１７a_２、１７b_２の周辺で第１の絶縁層５および第１の電極層７a、７bから剥離してしまった場合、サーミスタ素子１の抵抗値が著しく上昇してしまいサーミスタ素子１が機能しなくなる。

特に、第２の電極層９a、９bが各第３の電極層１７a、１７bの端部１７a_２、１７b_２の周辺で切断されてしまった場合、サーミスタ素子１は全く機能しなくなるものであった。

この発明は、上記したような不都合を解消するためになされたもので、その課題は、表面実装用としてランドに接合して用いられるに当たって、応力に対しても高い信頼性を維持することができるサーミスタ素子およびサーミスタ素子の製造方法を提供することにある。

本発明の特徴は、基板上に備えた感熱層および前記感熱層に接続した一対の引き出し電極を覆うガラス保護層を備え、前記ガラス保護層の周縁部の適宜位置に、前記引き出し電極にそれぞれ接続するように一対の接続用電極を備えたサーミスタ素子であって、前記ガラス保護層が、前記感熱層および前記感熱層の周囲であって前記基板の外周縁付近まで覆うように備えられ、前記引き出し電極と前記接続用電極を接続するための接続用部位を有していることである。

本発明の他の特徴は、基板上に備えた感熱層および前記感熱層に接続した一対の引き出し電極を覆うガラス保護層を備え、前記ガラス保護層の周縁部の適宜位置に、前記引き出し電極にそれぞれ接続するように一対の接続用電極を備え、前記ガラス保護層は、前記感熱層および前記感熱層の周囲であって前記基板の外周縁付近まで覆うように備えられ、前記引き出し電極と前記接続用電極を接続するための一対の穴を有しているサーミスタ素子が、所定の基板上において前記接続用電極にそれぞれ対応した位置に形成されたランドに接合材によって接合されて形成された温度センサ装置であって、前記ガラス保護層上の前記接続用電極と前記接合材とが接続されることである。

本発明の他の特徴は、サーミスタ素子の製造方法であって、基板上に感熱層および前記感熱層に接続した一対の引き出し電極を形成する工程と、前記基板上に前記感熱層および前記引き出し電極を覆うガラス保護層を形成する工程と、前記ガラス保護層の周縁部の適宜位置に、前記引き出し電極にそれぞれ接続するように一対の接続用電極を形成する工程と、を備え、前記ガラス保護層が、前記引き出し電極と前記接続用電極を接続するための一対の穴を有し、前記感熱層および前記感熱層の周囲であって前記基板の外周縁付近まで覆うようにフォトエッチングにより形成されていることである。

以上のように、本発明によるサーミスタ素子およびその製造方法によれば、表面実装用としてランドに接合して用いられるに当たって、熱ストレスや機械的ストレスに対しても高い信頼性を維持することができるようになる。

また、本発明によるサーミスタ素子およびその製造方法によれば、サーミスタ素子とランドとを接合した状態で、サーミスタ素子の各第３の電極層の端部に最も強い応力が加わっても、第２の電極層による電気的接合が損なわれることが無く、第２の電極層による電気的接合を良好に保つことができるようになる。

また、本発明によるサーミスタ素子の製造方法によれば、ガラス保護膜の所望の形状の穴を確実かつ正確に形成できるようになる。

この発明の一実施形態である表面実装用の温度計測に用いられるサーミスタ素子の構造を示し、（a）は、平面図であり、（b）は、（a）におけるA-A断面図である。図１に示すサーミスタ素子３０をランド２１ａ、２１ｂに接合した状態を示す説明図である。（a）〜（d）は、図１に示すサーミスタ素子３０の製造工程図である。（e）〜（i）は、図１に示すサーミスタ素子３０の製造工程図である。（a）〜（c）は、この発明の他の実施形態であるサーミスタ素子の構造を示す断面図である。この発明の他の実施形態であるサーミスタ素子の構造を示し、（a）は、平面図であり、（b）は、（a）におけるA-A断面図である。この発明の実施形態であるサーミスタ素子のガラス保護層３１の製造過程で用いられる所定形状のフォトマスク３９の平面図であり、（a）は、図３（ｄ）に示す製造過程で用いられるフォトマスク３９を示し、（b）は、変形例を示す。従来の表面実装用の温度計測に用いられるサーミスタ素子の構造を示し、（a）は、平面図であり、（b）は、（a）におけるA-A断面図である。図８に示す従来のサーミスタ素子１をランド２１ａ、２１ｂに接合した状態を示す説明図である。図８に示す従来のサーミスタ素子１をランド２１ａ、２１ｂに接合した状態において絶縁基板３の表面にかかる主応力を示すグラフ図である。

この発明の実施形態に係わるサーミスタ素子について、図面を参照して説明する。

図１は、この発明の一実施形態である表面実装用の温度計測に用いられるサーミスタ素子の構造を示し、（a）は、平面図であり、（b）は、（a）におけるA-A断面図である。

図１（a）、（b）に示すように、このサーミスタ素子３０は、アルミナ、石英、ムライト、ステアタイト等からなる絶縁基板３の表面上の中央部に形成されたSiO2、Si3O4等からなる第１の絶縁層５’と、同じく絶縁基板３の表面における第１の絶縁層５’の両側に下地電極として形成されたTi、Si、Mo、Cr、Al等少なくとも1種類以上からなる一対の第１の電極層７a’、７b’と、第１の絶縁層５’および第１の電極層７a’、７b’上に、絶縁基板３の中央部に所定の間隔を持つように形成されたPt等からなる一対の第２の電極層９a’、９b’と、第２の電極層９a’、９b’に接続するように絶縁基板３の中央部における第２の電極層９a’、９b’上にまたがって形成された感熱層１１’と、絶縁基板３の中央部において感熱層１１’を覆うように形成されたSiO2、Si3O4等からなる第２の絶縁層１３’と、第２の電極層９a’、９b’と後述する第３の電極層３３a、３３bとを接続させるための一対の穴３１a、３１bを有し感熱層１１’および第２の絶縁層１３’を覆って絶縁基板３の外周縁付近まで覆うように形成されたガラスからなる保護層３１と、ガラス保護層３１の穴３１a、３１bにめり込んだ構成でもって第２の電極層９a’、９b’上に接続されたAg、Cu、Ni、Au、Pt等からなる一対の第３の電極層３３a、３３bとを有している。また、第３の電極層３３ａ、３３ｂの表面には、第３の電極層３３ａ、３３ｂのはんだ喰われを防止するためにNi、Sn等のめっきを施しても良い。

なお、第２の電極層９a’、９b’は、感熱層１１’の引き出し電極となっており、第３の電極層３３a、３３bは、図２に示すランド２１ａ、２１ｂに接続するための接続用電極となっている。

このガラス保護層３１によって、第２の絶縁層１３’および穴３１a、３１bを除く第２の電極層９a’、９b’が覆われている。

そして、この第３の電極層３３a、３３bは、ガラス保護層３１上において穴３１a、３１bの周縁からガラス保護層３１の平面部３１cへ所定の距離Ｄ１だけ放射方向に拡張されている。

上記のような構成のサーミスタ素子３０は、表面実装用として用いられるに当たって、図２に示すように、ガラエポやアルミナ等の絶縁基板１９上において、サーミスタ素子３０の第３の電極層３３a、３３bにそれぞれ対応した位置に形成されたランド２１a、２１bに、はんだ等の接合材２５a、２５bによって接合されて温度センサ装置として使用される。

図２は、図１に示すこの発明の一実施形態であるサーミスタ素子３０をランド２１ａ、２１ｂに接合した温度センサ装置を示す説明図である。

ここで、サーミスタ素子３０とランド２１ａ、２１ｂとを接合した状態では、各第３の電極層３３a、３３bの端部３３a_１、３３a_２、３３b_１、３３b_２に最も強い応力が加わる。

すなわち、ここでの主応力とは、サーミスタ素子３０をランド２１ａ、２１ｂに接合する際に生ずる応力と、温度サイクルにおいて生ずる応力とからなっており、前者の応力は、はんだ等の接合材２５a、２５bが冷却凝固することによって生ずるはんだ等の接合材２５ａ、２５ｂの応力であり、後者の応力は、温度サイクル等の温度変化によってはんだ等の接合材２５a、２５bや絶縁基板の膨張・収縮を繰り返すことによって主に生じる応力である。

しかしながら、この第３の電極層３３a、３３bは、ガラス保護層３１上において穴３１a、３１bの周縁からガラス保護層３１の平面部３１cへ放射方向に所定の距離Ｄ１だけ拡張されているので、各第３の電極層３３a、３３bの端部３３a_１、３３a_２、３３b_１、３３b_２は、その全周にわたってガラス保護層３１上（図２の場合ガラス保護層３１の下となる）に位置することとなる。すなわち、各第３の電極層３３a、３３bと接合材２５a、２５bとの接続部の周縁が、ガラス保護層３１の穴３１a、３１bよりも外側であり、ガラス保護層３１の平面部３１c上となっている。

そのため、このガラス保護層３１によって各第３の電極層３３a、３３bの端部３３a_１、３３a_２、３３b_１、３３b_２に加わる最も強い応力がガラス保護層３１に伝わって分散されるので、各第３の電極層３３a、３３bの端部３３a_１、３３a_２、３３b_１、３３b_２の周辺における第２の電極層９a’、９b’が、第１の絶縁層５’および第１の電極層７a’、７b’から剥離してしまったり、切断されてしまったりすることを防止できる。

従って、サーミスタ素子３０とランド２１ａ、２１ｂとを接合した状態で、サーミスタ素子３０の各第３の電極層３３a、３３bの端部３３a_１、３３a_２、３３b_１、３３b_２に最も強い応力が加わっても、第２の電極層９a’、９b’による電気的接合が損なわれることが無く、第２の電極層９a’、９b’による電気的接合が良好に保たれる。

なお、上述した所定の距離Ｄ１は、各第３の電極層３３a、３３bの幅Ｄ２を０.３mmとした時に、各第３の電極層３３a、３３bの端部３３a_１、３３a_２、３３b_１、３３b_２から２５μm内側から応力が低くなるので（図１１参照）、１００μm＞Ｄ１＞２５μmが適切な値となる。

また、ガラス保護層３１の穴３１aの寸法と、穴３１bの寸法とは同じであり、第３の電極層３３aの寸法と、第３の電極層３３bの寸法とは同じである。

次に、図１に示したサーミスタ素子３０の製造方法について、図３および図４を参照して説明する。

図３（ａ）〜（ｄ）および図４（ｅ）〜（ｉ）は、図１に示したサーミスタ素子３０の製造工程を示す図１（a）におけるA-A断面図である。

なお、説明の都合上、製造途中のものと、最終構成部分とは、同一符号を用いて説明する。

まず、図３（ａ）に示すように、１個のサーミスタ素子３０をなすアルミナ、石英、ムライト、ステアタイト等からなる絶縁基板３が用意され、その絶縁基板３の表面の中央に、SiO2、Si3O4等からなる第１の絶縁層５’が形成され、同じく絶縁基板３の表面における第１の絶縁層５’の両側にTi、Si、Mo、Cr、Al等の少なくとも１種類以上からなる第１の電極層７a’、７b’が形成される。

なお、通常は、１つの絶縁基板３上に複数のサーミスタ素子が形成され、後で分割されるようになっているが、ここでは、１つのサーミスタ素子として説明する。

次に、図３（ｂ）に示すように、絶縁基板３の中央部における第１の絶縁層５’および第１の電極層７a’、７b’上に、所定の間隔を持つようにPt等からなる第２の電極層９a’、９b’が形成され、絶縁基板３の中央部における第２の電極層９a’、９b’上に感熱層１１’が形成され、絶縁基板３の中央部において感熱層１１’を覆うようにSiO2、Si304等からなる第２の絶縁層１３’が形成される。

次に、図３（ｃ）に示すように、絶縁基板３および第２の電極層９a’、９b’および第２の絶縁層１３’上に、ガラスペーストを全面印刷、あるいはガラスペーストをスピンコートでコーティング（塗布）により形成し、その後、コンベア炉等によってガラスペーストを焼成し、ガラス層３１を形成し、ガラス層３１上に感光性樹脂等からなるレジストを塗布しレジスト膜３７を形成する。

次に、図３（ｄ）に示すように、所定形状のフォトマスク３９を用いて、レジスト膜３７に紫外線照射Ｌを行って露光し、ガラス層３１上に、図４（ｅ）に示すような所望形状のレジスト４１を形成する。

ここで、所定形状のフォトマスク３９は、図７（a）に示す形状となっており、このフォトマスク３９に設けられた窓４０ａ_１、４０ｂ_１によって、絶縁基板３の外周付近まで覆うようなガラス保護層３１が形成される。

これにより、後述するように、この第３の電極層３３a、３３bは、ガラス保護層３１上において穴３１a、３１bの周縁からガラス保護層３１の平面部３１cへ放射方向に所定の距離Ｄ１だけ拡張されて形成される構造となる。

次に、図４（ｆ）に示すように、レジスト４１をマスクとしてフッ酸等の薬液でガラス層３１にエッチングを施し、ガラス層３１の不要部分を溶解除去し、レジスト４１を取り除けば、図４（ｇ）に示すような、所定形状の穴３１a、３１bを有し絶縁基板３の外周付近まで覆うようなガラス保護層３１が形成される。このガラス保護層３１によって、第２の絶縁層１３’および穴３１a、３１bを除く第２の電極層９a’、９b’が覆われる。

すなわち、上述のようなフォトエッチングによる製造方法で、ガラス保護膜３１を形成すれば、ガラス保護膜３１の所望の形状の穴３１a、３１bを確実かつ正確に形成できる。従って、より確実に、各第３の電極層３３a、３３bの端部３３a_１、３３a_２、３３b_１、３３b_２に加わる応力を分散するガラス保護層３１を形成できるようになる。

そして、図４（ｈ）に示すように、熱処理を行ってガラス保護膜３１の角にアール（Ｒ）を付ける。これは、図４（ｆ）に示すエッチングにより、ガラス保護膜３１の角にエッジが立ち、チップ化したときにチップ同士でエッジを傷つける恐れがあるため、ガラス保護膜３１の角にアール（Ｒ）を付けて上記問題が起らないようにしているものである。

そして、図４（ｉ）に示すように、Ti、Pt、Ag、Cu、Ni、Au等からなる第３の電極層３３a、３３bが、ガラス保護層３１の穴３１a、３１bにめり込んだ構成でもって第２の電極層９a’、９b’上に接続するように形成され、この状態で、第３の電極層３３a、３３bが、ガラス保護層３１上において穴３１a、３１bの周縁からガラス保護層３１の平面部３１cへ放射方向に所定の距離Ｄ１だけ拡張されて形成される。

すなわち、上述のような製造方法で、サーミスタ素子３０を形成すれば、第３の電極層３３a、３３bが、ガラス保護層３１上において穴３１a、３１bの周縁からガラス保護層３１の平面部３１cへ放射方向に所定の距離Ｄ１だけ拡張されるので、各第３の電極層３３a、３３bの端部３３a_１、３３a_２、３３b_１、３３b_２は、その全周にわたってガラス保護層３１上（図２の場合ガラス保護層３１の下となる）に位置することとなる。

そのため、サーミスタ素子３０とランド２３とを接合した状態で、このガラス保護層３１によって各第３の電極層３３a、３３bの端部３３a_１、３３a_２、３３b_１、３３b_２に加わる応力がガラス保護層３１に伝わって分散され、最も強い応力が加わる各第３の電極層３３a、３３bの端部３３a_１、３３a_２、３３b_１、３３b_２の周辺における第２の電極層９a’、９b’が、第１の絶縁層５’および第１の電極層７a’、７b’から剥離してしまったり、切断されてしまったりすることを防止することが出来る。

この発明は上述の発明の実施形態に限定されることなく、以下のように、適宜な変更を行うことにより、その他の態様で実施し得るものである。

図５の（a）〜（c）は、この発明の他の実施形態であるサーミスタ素子の構造を示す断面図である。

図５（a）に示すように、この他の実施形態であるサーミスタ素子では、図１に示された実施形態における絶縁基板３の表面における第１の絶縁層５の両側に下地電極として形成された第１の電極層７a’、７b’が無く、その替わりに第１の絶縁層４３が伸延されており、それにより、両側の電極部４２a、４２bの構成が、絶縁基板３上に、SiO2、Si3O4等からなる第１の絶縁層４３と、Pt等からなる第２の電極層９a’、９b’と、第３の電極層３３a、３３bと重なって形成される。他の構成は、図１に示された実施形態と同様である。

図５（b）に示すように、この他の実施形態であるサーミスタ素子では、図５（a）に示された実施形態における両側の電極部４２a、４２bにおいて第１の絶縁層４３がとり除かれた構造となっており、両側の電極部４２a、４２bの構成が、絶縁基板３上に、Pt等からなる第２の電極層９a’、９b’と、第３の電極層３３a、３３bとが重なって形成される。他の構成は、図１に示された実施形態と同様である。

図５（c）に示すように、この他の実施形態であるサーミスタ素子では、図５（b）に示された実施形態における両側の電極部４２a、４２bにおいて、さらにPt等からなる第２の電極層９a’、９b’がとり除かれた構造となっており、両側の電極部４２a、４２bの構成が、絶縁基板３上に直接第３の電極層３３a、３３bとが重なって形成される。他の構成は、図１に示された実施形態と同様である。

図６は、他の実施形態であるサーミスタ素子の構造を示し、（a）は、平面図であり、（b）は、（a）におけるA-A断面図である。

図６（a）、（b）に示すように、この他の実施形態であるサーミスタ素子では、サーミスタ素子３０とランド２１ａ、２１ｂとを接合した状態で、このガラス保護層３１’が、各第３の電極層３３a、３３bの内側の端部３３a_２、３３b_２に加わる応力を分散させるような形状となっている。

ここで、各第３の電極層３３a、３３bにおいては、内側の端部３３a_２、３３b_２の角に特に大きな応力がかかるようになっている。

すなわち、図６（a）、（ｂ）に示すように、このガラス保護層３１’は、各第３の電極層３３a、３３bの内側の端部３３a_２、３３b_２が、ガラス保護層３１’の端部からガラス保護層３１’の平面部３１cへ所定の距離だけ拡張されるようになっている。

この実施形態によっても、各第３の電極層３３a、３３bの内側の端部３３a_２、３３b_２に加わる応力がガラス保護層３１’に伝わって分散されるので、最も強い応力が加わる各第３の電極層３３a、３３bの内側の端部３３a_２、３３b_２の周辺における第２の電極層９a’、９b’が、第１の絶縁層５’および第１の電極層７a’、７b’から剥離してしまったり、切断されてしまったりすることが無い効果が得られる。

図７は、この発明の実施形態であるサーミスタ素子のガラス保護層３１の製造過程で用いられる所定形状のフォトマスク３９の平面図であり、（a）は、図３（ｄ）に示す製造過程で用いられるフォトマスク３９を示し、（b）は、その変形例を示す。

１、３０…サーミスタ素子、３…絶縁基板、５…第１の絶縁層、７…第１の電極層、
９…第２の電極層、１１…感熱層、１３…第２の絶縁層、１５…保護層、
１７、３３…第３の電極層、１９…絶縁基板、２０…レジスト、２１…銅箔、
２３…実装基板、２５…接合材、３１…ガラス保護層、３１a、３１b…ガラス保護層の穴、３７…レジスト膜、３９…フォトマスク、４０…フォトマスクの窓

Claims

基板上に備えた感熱層および前記感熱層に接続した一対の引き出し電極を覆うガラス保護層を備え、前記ガラス保護層の周縁部の適宜位置に、前記引き出し電極にそれぞれ接続するように一対の接続用電極を備えたサーミスタ素子であって、
前記ガラス保護層は、前記感熱層および前記感熱層の周囲であって前記基板の外周縁付近まで覆うように備えられ、前記引き出し電極と前記接続用電極を接続するための接続用部位を有していることを特徴とするサーミスタ素子。
前記ガラス保護層が、前記引き出し電極と前記接続用電極を接続するための接続用部位として一対の穴を有しており、前記引き出し電極と前記接続用電極とが、それぞれ前記ガラス保護層の穴を介して接続されていることを特徴とする請求項１に記載のサーミスタ素子。
前記接続用電極が、前記ガラス保護層の穴にめり込んだ構成でもって前記引き出し電極と接続されていることを特徴とする請求項２に記載のサーミスタ素子。
前記接続用電極が、前記ガラス保護層における前記感熱層の反対側の平面へ放射方向に拡張して設けられていることを特徴とする請求項１あるいは２に記載のサーミスタ素子。
基板上に備えた感熱層および前記感熱層に接続した一対の引き出し電極を覆うガラス保護層を備え、前記ガラス保護層の周縁部の適宜位置に、前記引き出し電極にそれぞれ接続するように一対の接続用電極を備え、前記ガラス保護層は、前記感熱層および前記感熱層の周囲であって前記基板の外周縁付近まで覆うように備えられ、前記引き出し電極と前記接続用電極を接続するための一対の穴を有しているサーミスタ素子が、所定の基板上において前記接続用電極にそれぞれ対応した位置に形成されたランドに接合材によって接合されて形成された温度センサ装置であって、
前記ガラス保護層上の前記接続用電極と前記接合材とが接続されることを特徴とする温度センサ装置。
前記接続用電極と前記接合材との接続部の周縁が、前記ガラス保護層の穴よりも外側であり、前記ガラス保護層の平面部上であることを特徴とする請求項５に記載の温度センサ装置。
前記引き出し電極と前記接続用電極とが、それぞれ前記ガラス保護層の穴を介して接続されていることを特徴とする請求項５記載の温度センサ装置。
前記接続用電極が、前記ガラス保護層の穴にめり込んだ構成でもって前記引き出し電極と接続されていることを特徴とする請求項７記載の温度センサ装置。
前記接続用電極が、前記ガラス保護層における前記感熱層の反対側の表面へ放射方向に拡張して設けられていることを特徴とする請求項５あるいは７に記載の温度センサ装置。
サーミスタ素子の製造方法であって、
基板上に感熱層および前記感熱層に接続した一対の引き出し電極を形成する工程と、
前記基板上に前記感熱層および前記引き出し電極を覆うガラス保護層を形成する工程と、
前記ガラス保護層の周縁部の適宜位置に、前記引き出し電極にそれぞれ接続するように一対の接続用電極を形成する工程と、を備え、
前記ガラス保護層が、前記引き出し電極と前記接続用電極を接続するための一対の穴を有し、前記感熱層および前記感熱層の周囲であって前記基板の外周縁付近まで覆うようにフォトエッチングにより形成されていることを特徴とするサーミスタ素子の製造方法。
前記フォトエッチングによる前記ガラス保護層の形成工程が、
前記基板上における前記感熱層および前記引き出し電極上に、ガラスペーストを全面に形成する工程と、
前記ガラスペーストを焼成し、ガラス層を形成する工程と、
前記ガラス層上にレジストを塗布しレジスト膜を形成する工程と、
所定形状のフォトマスクを用いて、前記レジスト膜に紫外線照射を行って露光し、前記ガラス層上に、所望形状のレジストを形成する工程と、
前記レジストをマスクとして薬液で前記ガラス層にエッチングを施し、前記ガラス層の不要部分を溶解除去し、前記レジストを取り除く工程とからなることを特徴とする請求項１０記載のサーミスタ素子の製造方法。