JP2013004787A - 光モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リード端子2a,2bに電気的に接続されたLD素子5は、ステム1のステムマウント1cに搭載される。誘電体基板10aでは、表面に形成した配線パタン10b,10cがリード端子2a,2bに電気的に接続され、裏面全面に施したメタライズを介してステムマウント1cに電気的に接続される。このような誘電体基板10aにより容量が付加され、伝送線路103a,103bの特性インピーダンスを下げ、伝送線路102a,102b−103a,103bの界面での反射を防止して高周波特性を向上している。
【選択図】図1(a)
Description
図10(a),(b)には、それぞれ従来のキャン型LDパッケージの側面図と上面図が記載されている。また、図示はしないが通常、LDパッケージは、LD出射光の取り出し用窓またはレンズを具備するキャップにより封止される。つまり、ステム1のステム上面1a及びステム上面1a側に配置されている各部材(LD素子5やモニタPD7やステムマウント1cやリード端子2a,2b,2cのうちステム上面1aから突出した部分など)が、キャップにより封止される。
導電材からなると共にグランドに接続されるステムと、
前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁されたリード端子と、
前記ステムの一部であるステムマウントに搭載されると共に、前記リード端子に電気的に接続された光素子を備えた光モジュールにおいて、
表面は前記リード端子に対向し、裏面は前記ステムマウントに電気的に接続されている誘電体基板を備えたことを特徴とする。
導電材からなると共にグランドに接続されるステムと、
前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁された第1のリード端子と、
前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁された第2のリード端子と、
前記ステムの一部であるステムマウントに搭載されると共に、前記第1のリード端子及び前記第2のリード端子に電気的に接続された光素子を備えた光モジュールにおいて、
表面は前記第1のリード端子及び第2のリード端子に対向し、裏面は前記ステムマウントに電気的に接続されている誘電体基板を備えたことを特徴とする。
前記誘電体基板は、第1のリード端子に対向している部分と、第2のリード端子に対向している部分とに分割されていることを特徴とする。
前記誘電体基板の裏面の全面にメタライズ処理がされていることを特徴とする。
前記誘電体基板の裏面のうち、前記リード端子に対向する位置には、前記リード端子の軸方向に沿い、メタライズ処理がされた部分とメタライズ処理がされずに前記裏面が露出している部分が交互に形成されていることを特徴とする。
前記誘電体基板の表面のうち前記リード端子に対向する部分に配線パタンが形成されていることを特徴とする。
前記誘電体基板の表面のうち前記リード端子に対向する部分に配線パタンが形成され、前記配線パタンが前記リード端子に電気的に接続されていることを特徴とする。
前記光素子がレーザダイオードであることを特徴とする。
前記誘電体基板は、前記ステムマウントに対向する箇所と、前記リード端子に対向する箇所とで、厚みが異なることを特徴とする。
前記誘電体基板は、前記ステムマウントに対向する箇所と、前記リード端子に対向する箇所との間に、溝状のスリットを具備することを特徴とする。
前記光素子、前記ステムマウント、前記誘電体基板、前記リード端子のうち前記光素子が配置されている側に突出している部分、前記ステムの面のうち前記ステムマウントが形成されている側の面が、キャップにより封止されていることを特徴とする。
以下、図1に基づいて本発明の第1実施形態である光モジュールについて詳細に説明する。図1(a),図1(b)はそれぞれ、第1実施形態の光モジュールの側面図、上面図である。図1において、表面に配線パタン10b,10cが形成された誘電体基板10aを導入した以外は、図10に示した従来の光モジュールと同様の構成となっている(図10及び図1において同一の部材には、図10と図1で共通の番号を振っている)。そのため、配線パタン10b,10cを有する誘電体基板10aの追加を行っただけであり、用いているパッケージは従来からの安価なキャン型LDパッケージと同一である。
また、誘電体基板10aのx軸方向の幅が、リード端子2aとリード端子2bの間隔よりも大きくなっており、配線パタン10b,10cは、リード端子2a,2bの直下に位置している(リード端子2a,2bと対向する位置に配置されている)。
このように駆動電気信号(N信号、P信号)の反射を抑制することができるため、高周波特性を向上することができる。
以下、図4に基づいて本発明の第2実施形態である光モジュールについて詳細に説明する。図4(a),図4(b)はそれぞれ、第2実施形態の光モジュールの側面図、上面図である。図4において、ステムマウント1c搭載面に面する部分と、リード端子2a,2bと対向する部分とで異なった厚みを有する誘電体基板10a及び前記誘電体基板10aの表面に形成された配線パタン10b,10c及びステム上面1aから垂直方向(z軸方向)に配置される溝状のスリット10h,10iを導入した以外は、図10に示した従来の光モジュールと同様の構成となっている(図10及び図4において同一の部材には、図10と図4で共通の番号を振っている)。そのため、配線パタン10b,10cを有しかつ異なった厚みを有する誘電体基板10aの追加及び前記誘電体基板10aの一部にスリット10h,10iの追加を行っただけであり、用いているパッケージは従来からの安価なキャン型LDパッケージと同一である。
また、誘電体基板10aのx軸方向の幅が、リード端子2aとリード端子2bの間隔よりも大きくなっており、配線パタン10b,10cは、リード端子2a,2bの直下に位置している(リード端子2a,2bと対向する位置に配置されている)。
このように駆動電気信号(N信号、P信号)の反射を抑制することができるため、高周波特性を向上することができる。
なお、厚み調整部10e,10fの厚さは、基準厚み部10gより厚い形態のみに限定されることなく、薄い形態であっても構わない。この場合、付加容量値を効果的に増大できる効果がある。
以下、図7に基づいて本発明の第3実施形態の光モジュールについて詳細に説明する。
図7(a),図7(b)はそれぞれ、第3実施形態の光モジュールの側面図、上面図であり、図7(c)は、第3実施形態の光モジュールに導入される誘電体基板の裏面図である。図7において、誘電体基板10a及び前記誘電体基板10aの裏面にメタライズパタン部11a,11bが形成されていること以外は図10に示した従来の光モジュールと同様の構成となっている(図10及び図7において同一の部材には、図10と図7で共通の番号を振っている)。そのため、誘電体基板10aの追加を行っただけであり、用いているパッケージは従来からの安価なキャン型LDパッケージと同一である。
誘電体基板10aの裏面に形成されたメタライズパタン部11a,11bは、誘電体基板10aを間にして、リード端子2a,2bと対向する位置に配置されている。
メタライズパタン部11aでは、リード端子2aの軸方向(z軸方向)に沿い、メタライズ処理がされている面積部分であるパタン12a,14a,16aと、メタライズ処理がされておらず誘電体基板10aの裏面が露出している面積部分であるパタン13a,15aとが、交互に(周期的に)形成されている。
同様にメタライズパタン部11bでは、リード端子2bの軸方向(z軸方向)に沿い、メタライズ処理がされている面積部分であるパタン12b,14b,16bと、メタライズ処理がされておらず誘電体基板10aの裏面が露出している面積部分であるパタン13b,15bとが、交互に(周期的に)形成されている。
なお、本実施の形態では、誘電体基板10aの表面にはメタライズ部は形成しておらずリード端子2a,2bと誘電体基板10aの表面とは物理的に離間している。
なお,疑似分布定数線路効果を最大にするためには、メタライズパタン部11a,11bにおいて,パタン12a,14a,16a及びパタン12b,14b,16bがそれぞれ等間隔に配置することが好適であるが、等間隔でなくても一定の効果を奏するため、必ずしもこれに限定されるものではない。
更に、誘電体基板の表面にのみ、メタライズパタン部を具備することも可能である。
1a ステム上面
1b ステム下面
1c ステムマウント
1d ステム凹部
2a〜2d リード端子
3a〜3c 貫通孔
3d 絶縁体
4a,4b ワイヤ
5 LD素子
6a ヒートシンク
6b 配線パタン
7 モニタPD
8 PDキャリア
9a,9b ワイヤ
10a,10d 誘電体基板
10b,10c 配線パタン
10h,10i スリット
11a,11b メタライズパタン部
101a〜103a,101b〜103b 伝送線路
Claims (11)
- 導電材からなると共にグランドに接続されるステムと、
前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁されたリード端子と、
前記ステムの一部であるステムマウントに搭載されると共に、前記リード端子に電気的に接続された光素子を備えた光モジュールにおいて、
表面は前記リード端子に対向し、裏面は前記ステムマウントに電気的に接続されている誘電体基板を備えたことを特徴とする光モジュール。 - 導電材からなると共にグランドに接続されるステムと、
前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁された第1のリード端子と、
前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁された第2のリード端子と、
前記ステムの一部であるステムマウントに搭載されると共に、前記第1のリード端子及び前記第2のリード端子に電気的に接続された光素子を備えた光モジュールにおいて、
表面は前記第1のリード端子及び第2のリード端子に対向し、裏面は前記ステムマウントに電気的に接続されている誘電体基板を備えたことを特徴とする光モジュール。 - 請求項2に記載の光モジュールにおいて、
前記誘電体基板は、第1のリード端子に対向している部分と、第2のリード端子に対向している部分とに分割されていることを特徴とする光モジュール。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の光モジュールにおいて、
前記誘電体基板の裏面の全面にメタライズ処理がされていることを特徴とする光モジュール。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の光モジュールにおいて、
前記誘電体基板の裏面のうち、前記リード端子に対向する位置には、前記リード端子の軸方向に沿い、メタライズ処理がされた部分とメタライズ処理がされずに前記裏面が露出している部分が交互に形成されていることを特徴とする光モジュール。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の光モジュールにおいて、
前記誘電体基板の表面のうち前記リード端子に対向する部分に配線パタンが形成されていることを特徴とする光モジュール。 - 請求項6に記載の光モジュールにおいて、
前記誘電体基板の表面のうち前記リード端子に対向する部分に配線パタンが形成され、前記配線パタンが前記リード端子に電気的に接続されていることを特徴とする光モジュール。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の光モジュールにおいて、
前記光素子がレーザダイオードであることを特徴とする光モジュール。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の光モジュールにおいて、
前記誘電体基板は、前記ステムマウントに対向する箇所と、前記リード端子に対向する箇所とで、厚みが異なることを特徴とする光モジュール。 - 請求項9に記載の光モジュールにおいて、
前記誘電体基板は、前記ステムマウントに対向する箇所と、前記リード端子に対向する箇所との間に、溝状のスリットを具備することを特徴とする光モジュール。 - 請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載の光モジュールにおいて、
前記光素子、前記ステムマウント、前記誘電体基板、前記リード端子のうち前記光素子が配置されている側に突出している部分、前記ステムの面のうち前記ステムマウントが形成されている側の面が、キャップにより封止されていることを特徴とする光モジュール。
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