JP2013004661A - 半導体素子、半導体素子の製造方法、発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、光電変換素子、太陽電池、照明装置、バックライトおよび表示装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 734
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 71
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 104
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 41
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 40
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 34
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 24
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 20
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 19
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 301
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 118
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 75
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 47
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 46
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 44
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 27
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 26
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 17
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 4
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Mg+2].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
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- H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
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Abstract
【解決手段】第1導電型の半導体コア11を覆うように第1導電型の半導体シェル12を形成する。また、第1導電型の半導体シェル12を覆うように第2導電型の半導体シェル13を形成する。
【選択図】図1
Description
棒状のコアと、
上記コアの外周面の少なくとも一部を覆うように配置された第1導電型の半導体シェルと、
上記第1導電型の半導体シェルの外周面の少なくとも一部を覆うように配置された第2導電型の半導体シェルと
を備えることを特徴としている。
上記コアは、第1導電型の半導体コアであり、
上記半導体コアに導電性を与える不純物の濃度は、上記第1導電型の半導体シェルに導電性を与える不純物の濃度よりも大きくなっている。
上記コアは、第1導電型の半導体コアであり、
上記半導体コアの抵抗率は、上記第1導電型の半導体シェルの抵抗率よりも小さくなっている。
上記第1導電型の半導体シェルは、上記コアと異なる材質からなり、
上記第1導電型の半導体シェルの結晶欠陥密度が、上記コアの結晶欠陥密度よりも小さい。
本発明の半導体素子を備えることを特徴としている。
上記第1導電型の半導体シェルと、上記第2導電型の半導体シェルとの間に発光層を備える。
上記コアを構成する物質のバンドギャップは、上記発光層を構成する物質のバンドギャップよりも大きくなっている。
基板と、
上記基板上に配置された複数の上記半導体素子と、
上記半導体素子を電気的に接続する配線と
を備えている。
本発明の半導体素子を備えることを特徴としている。
基板上に棒状のコアを形成するコア形成工程と、
上記棒状のコアの外周面の少なくとも一部を第1導電型の半導体シェルで覆う第1のシェル形成工程と、
上記第1導電型のシェルの外周面の少なくとも一部を第2導電型の半導体シェルで覆う第2のシェル形成工程と
を備えることを特徴としている。
上記コア形成工程は、基板上に形成されたコアを構成する物質の一部をエッチングすることを含む。
上記コア工程の後、かつ、上記第1のシェル形成工程の前に、アニール処理を行なう。
上記コア形成工程の後であって、上記第1のシェル形成工程の前に、上記コア形成工程で形成されたコアの一部をウェットエッチングにより除去する。
上記コア形成工程は、基板上に棒状のコアを成長させる。
上記コア形成工程の後であって、上記第1のシェル形成工程の前に、上記コアを形成する温度よりも高温のアニール処理を行なう。
第1の基板上に複数の棒状のコアを形成するコア形成工程と、
上記複数の棒状のコアの外周面の少なくとも一部を、第1導電型の半導体シェルで覆う第1のシェル形成工程と、
上記第1導電型の半導体シェルの外周面の少なくとも一部を、第2導電型の半導体シェルで覆う第2のシェル形成工程と、
上記各棒状のコアと、その各コアを覆っている上記第1導電型の半導体シェルと、その各コアを覆っている上記第1導電型の半導体シェルを覆っている上記第2導電型の半導体シェルとの一体構造を、上記棒状のコア毎に上記第1の基板から切り離して、複数の半導体素子を取り出す半導体素子切り離し工程と、
複数の上記半導体素子を第2の基板上に配置する半導体素子配列工程と
を備えることを特徴としている。
図1は、本発明の第1実施形態の細長い棒状の形状を有する半導体素子10の中心軸を含む長手方向の断面図であり、図2は、その半導体素子10の径方向の断面図である。
図3は、本発明の第2実施形態の半導体素子20の長手方向の断面図である。
図4は、本発明の第3実施形態の半導体素子30の長手方向の断面図である。
図5は、本発明の第4実施形態の半導体素子40の長手方向の断面図である。
図18は、本発明の第5実施形態の半導体素子50の長手方向の断面図である。
図24は、本発明の第6実施形態の太陽電池の断面図である。
図29は、本発明の第7実施形態の発光ダイオードの断面図である。
図30は、本発明の第8実施形態の発光ダイオードの模式断面図である。
図40は、本発明の第9実施形態の照明装置の側面図である。また、図41は、上記照明装置に内蔵される発光装置を横から見た図であり、図42は、上記発光装置を上から見た図である。
図43は、本発明の第10実施形態のバックライトの平面図である。
図44は、本発明の第11実施形態の表示装置(LEDディスプレイ)の1画素の回路図である。
11,21,41,51,64,74,84,104,204,304 第1導電型の半導体コア
12,22,32,42,52,65,75,85,105,205,305 第1導電型の半導体シェル
13,23,33,43,53,67,87,106,206,306 第2導電型の半導体シェル
31 棒状のコア
44,54,66,86,210,310 発光層
61,71,81,101,201 サファイア基板
72 シリコン酸化膜
82,202 n型GaN層
100 太陽電池
102 n型シリコン層
103,203 シリコン酸化膜
107,207 透明電極
109 金属電極
170 ITO層
200,300,406,502 発光ダイオード
209 金属電極
311 ガラス基板
312 第1の電極
313 第2の電極
314 層間絶縁膜
315,316 金属配線
317 フォトレジスト
350 発光ダイオード素子
350A,350B 発光ダイオード素子
400 照明装置
404 発光装置
500 バックライト
Claims (20)
- 棒状のコアと、
上記コアの外周面の少なくとも一部を覆うように配置された第1導電型の半導体シェルと、
上記第1導電型の半導体シェルの外周面の少なくとも一部を覆うように配置された第2導電型の半導体シェルと
を備えることを特徴とする半導体素子。 - 請求項1に記載の半導体素子において、
上記コアは、第1導電型の半導体コアであり、
上記半導体コアに導電性を与える不純物の濃度は、上記第1導電型の半導体シェルに導電性を与える不純物の濃度よりも大きいことを特徴とする半導体素子。 - 請求項1または2に記載の半導体素子において、
上記コアは、第1導電型の半導体コアであり、
上記半導体コアの抵抗率は、上記第1導電型の半導体シェルの抵抗率よりも小さいことを特徴とする半導体素子。 - 請求項1から3までのいずれか一項に記載の半導体素子において、
上記第1導電型の半導体シェルは、上記コアと異なる材質からなり、
上記第1導電型の半導体シェルの結晶欠陥密度が、上記コアの結晶欠陥密度よりも小さいことを特徴とする半導体素子。 - 請求項1から4までのいずれか一項に記載の半導体素子を備えることを特徴とする発光ダイオード。
- 請求項5に記載の発光ダイオードにおいて、
上記第1導電型の半導体シェルと、上記第2導電型の半導体シェルとの間に発光層を備えることを特徴とする発光ダイオード。 - 請求項6に記載の発光ダイオードにおいて、
上記コアを構成する物質のバンドギャップは、上記発光層を構成する物質のバンドギャップよりも大きいことを特徴とする発光ダイオード。 - 請求項5から7までのいずれか一項に記載の発光ダイオードにおいて、
基板と、
上記基板上に配置された複数の上記半導体素子と、
上記半導体素子を電気的に接続する配線と
を備えることを特徴とする発光ダイオード。 - 請求項1から4までのいずれか一項に記載の半導体素子を備えることを特徴とする光電変換素子。
- 基板上に棒状のコアを形成するコア形成工程と、
上記棒状のコアの外周面の少なくとも一部を第1導電型の半導体シェルで覆う第1のシェル形成工程と、
上記第1導電型のシェルの外周面の少なくとも一部を第2導電型の半導体シェルで覆う第2のシェル形成工程と
を備えることを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 請求項10に記載の半導体素子の製造方法において、
上記コア形成工程は、基板上に形成されたコアを構成する物質の一部をエッチングすることを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 請求項10または11に記載の半導体素子の製造方法において、
上記コア形成工程の後、かつ、上記第1のシェル形成工程の前に、アニール処理を行なうことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 請求項10から12までのいずれか一項に記載の半導体素子の製造方法において、
上記コア形成工程の後であって、上記第1のシェル形成工程の前に、上記コア形成工程で形成されたコアの一部をウェットエッチングにより除去することを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 請求項10から13までのいずれか一項に記載の半導体素子の製造方法において、
上記コア形成工程は、基板上に棒状のコアを成長させることを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 請求項10から14までのいずれか一項に記載の半導体素子の製造方法において、
上記コア形成工程の後であって、上記第1のシェル形成工程の前に、上記コアを形成する温度よりも高温のアニール処理を行なうことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 第1の基板上に複数の棒状のコアを形成するコア形成工程と、
上記複数の棒状のコアの外周面の少なくとも一部を、第1導電型の半導体シェルで覆う第1のシェル形成工程と、
上記第1導電型の半導体シェルの外周面の少なくとも一部を、第2導電型の半導体シェルで覆う第2のシェル形成工程と、
上記各棒状のコアと、その各コアを覆っている上記第1導電型の半導体シェルと、その各コアを覆っている上記第1導電型の半導体シェルを覆っている上記第2導電型の半導体シェルとの一体構造を、上記棒状のコア毎に上記第1の基板から切り離して、複数の半導体素子を取り出す半導体素子切り離し工程と、
複数の上記半導体素子を第2の基板上に配置する半導体素子配列工程と
を備えることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。 - 請求項9に記載の光電変換素子を備えることを特徴とする太陽電池。
- 請求項5から8までのいずれか一項に記載の発光ダイオードを備えることを特徴とする照明装置。
- 請求項5から8までのいずれか一項に記載の発光ダイオードを備えることを特徴とするバックライト。
- 請求項5から8までのいずれか一項に記載の発光ダイオードを備えることを特徴とする表示装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011133148A JP5409707B2 (ja) | 2011-06-15 | 2011-06-15 | 半導体素子、半導体素子の製造方法、発光ダイオード、光電変換素子、太陽電池、照明装置、バックライトおよび表示装置 |
PCT/JP2012/064088 WO2012172986A1 (ja) | 2011-06-15 | 2012-05-31 | 半導体素子、半導体素子の製造方法、発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、光電変換素子、太陽電池、照明装置、バックライトおよび表示装置 |
TW101120785A TW201308654A (zh) | 2011-06-15 | 2012-06-08 | 半導體元件、半導體元件之製造方法、發光二極體、發光二極體之製造方法、光電轉換元件、太陽能電池、照明裝置、背光及顯示裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011133148A JP5409707B2 (ja) | 2011-06-15 | 2011-06-15 | 半導体素子、半導体素子の製造方法、発光ダイオード、光電変換素子、太陽電池、照明装置、バックライトおよび表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013004661A true JP2013004661A (ja) | 2013-01-07 |
JP5409707B2 JP5409707B2 (ja) | 2014-02-05 |
Family
ID=47356977
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011133148A Active JP5409707B2 (ja) | 2011-06-15 | 2011-06-15 | 半導体素子、半導体素子の製造方法、発光ダイオード、光電変換素子、太陽電池、照明装置、バックライトおよび表示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5409707B2 (ja) |
TW (1) | TW201308654A (ja) |
WO (1) | WO2012172986A1 (ja) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP5409707B2 (ja) | 2014-02-05 |
TW201308654A (zh) | 2013-02-16 |
WO2012172986A1 (ja) | 2012-12-20 |
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