JP2013003031A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 基板上に第１の膜を形成する工程と、
   前記第１の膜の上方に第２の膜を形成する工程と、
   前記第２の膜に貫通孔を形成する工程と、
   前記第１の膜をエッチングする工程と、
   前記貫通孔を封止する工程と、
   前記基板の前記第１の膜がエッチングされた領域の上方に位置する前記第２の膜の上方
   に、歪みセンサー膜を形成する工程と、
   を含む圧力センサーの製造方法。
2. 前記第１の膜を形成する工程よりも前に、前記基板の上に第３の膜を形成し、前記第３の膜の一部を除去する工程をさらに含み、
   前記第１の膜を形成する工程は、前記基板を熱処理して前記基板の前記第３の膜が除去された領域を酸化させることにより、前記第１の膜を形成する工程である請求項１に記載の圧力センサーの製造方法。
3. 前記封止する工程は、前記第２の膜をエピタキシャル成長させることにより、前記貫通孔を封止する請求項１又は請求項２に記載の圧力センサーの製造方法。
4. 前記封止する工程は、前記第２の膜を気相成長させることにより、前記貫通孔を封止する請求項１又は請求項２に圧力センサーの製造方法。
5. 前記封止する工程は、前記第２の膜を熱処理して前記第２の膜の一部を酸化させることにより、前記貫通孔を封止する請求項１又は請求項２に圧力センサーの製造方法。
6. 請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の方法を用いて圧力センサーを製造するとと
   もに、前記基板に半導体素子を形成することにより圧力センサーデバイスを製造する方法であって、
   前記第１の膜を形成する工程は、酸化膜を形成する工程であり、
   前記酸化膜によって囲まれた領域に、半導体素子を形成する工程をさらに含む圧力センサーデバイスの製造方法。
7. 請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の方法を用いて圧力センサーを製造するとと
   もに、前記基板に半導体素子を形成することにより圧力センサーデバイスを製造する方法であって、
   前記基板上の前記第２の膜が形成される領域とは異なる領域に前記半導体素子を形成する工程と、
   前記複数の半導体素子の上方と前記第２の膜の上方とにまたがる絶縁膜を形成する工程
   と、
   前記第１の膜がエッチングされた領域の上方に位置する前記絶縁膜を除去する工程と、
   をさらに含む圧力センサーデバイスの製造方法。
8. 基板と、
   前記基板の上方に配置されていて、前記基板との間に空隙を有する第１の部分と、前記基板の厚み方向からの平面視において前記空隙を囲み、前記基板の一つの面に固定されている第２の部分と、を有するダイアフラムと、
   前記第１の部分の上方に配置されている歪みセンサーと、
   前記基板に配置されている半導体素子と、
   前記半導体素子の上方と、前記第２の部分の上方とにまたがって配置されている絶縁膜と、
   を備えている圧力センサーデバイス。
9. 基板と、
   前記基板の上方に配置されていて、前記基板との間に空隙を有する第１の部分と、前記基板の厚み方向からの平面視において前記空隙を囲み、前記基板の一つの面に固定された第２の部分と、を有するダイアフラムと、
   前記第１の部分の上方に位置する歪みセンサーと、
   前記基板の前記一つの面の前記ダイアフラム膜が位置する領域とは異なる領域の上方と
   、前記第２の部分の上方とにまたがって配置されている絶縁膜と、
   を備えている圧力センサー。