JP2012522895A - エッチャント組成物および方法 - Google Patents
エッチャント組成物および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012522895A JP2012522895A JP2012503735A JP2012503735A JP2012522895A JP 2012522895 A JP2012522895 A JP 2012522895A JP 2012503735 A JP2012503735 A JP 2012503735A JP 2012503735 A JP2012503735 A JP 2012503735A JP 2012522895 A JP2012522895 A JP 2012522895A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- salt
- etchant
- etchant composition
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 95
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 48
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 37
- 239000012425 OXONE® Substances 0.000 claims abstract description 22
- HJKYXKSLRZKNSI-UHFFFAOYSA-I pentapotassium;hydrogen sulfate;oxido sulfate;sulfuric acid Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[K+].OS([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.OS(=O)(=O)O[O-].OS(=O)(=O)O[O-] HJKYXKSLRZKNSI-UHFFFAOYSA-I 0.000 claims abstract description 22
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- -1 alkali metal salt Chemical class 0.000 claims abstract description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 125000003831 tetrazolyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 10
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O phosphonium Chemical compound [PH4+] XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims abstract description 9
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 47
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 38
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 34
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 29
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 19
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 18
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 15
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 15
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 15
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 15
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 claims description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- SDGNNLQZAPXALR-UHFFFAOYSA-N 3-sulfophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1C(O)=O SDGNNLQZAPXALR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 7H-purine Chemical compound N1=CNC2=NC=NC2=C1 KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N Acrylic acid Chemical compound OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 claims description 4
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 claims description 4
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ULUAUXLGCMPNKK-UHFFFAOYSA-N Sulfobutanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)S(O)(=O)=O ULUAUXLGCMPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000003628 tricarboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N -2,3-Dihydroxypropanoic acid Natural products OCC(O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WXHLLJAMBQLULT-UHFFFAOYSA-N 2-[[6-[4-(2-hydroxyethyl)piperazin-1-yl]-2-methylpyrimidin-4-yl]amino]-n-(2-methyl-6-sulfanylphenyl)-1,3-thiazole-5-carboxamide;hydrate Chemical compound O.C=1C(N2CCN(CCO)CC2)=NC(C)=NC=1NC(S1)=NC=C1C(=O)NC1=C(C)C=CC=C1S WXHLLJAMBQLULT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RSEBUVRVKCANEP-UHFFFAOYSA-N 2-pyrroline Chemical compound C1CC=CN1 RSEBUVRVKCANEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZMPRRFPMMJQXPP-UHFFFAOYSA-N 2-sulfobenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O ZMPRRFPMMJQXPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N D-glyceric acid Chemical compound OC[C@@H](O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N 0.000 claims description 2
- ODBLHEXUDAPZAU-ZAFYKAAXSA-N D-threo-isocitric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](C(O)=O)CC(O)=O ODBLHEXUDAPZAU-ZAFYKAAXSA-N 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 2
- ODBLHEXUDAPZAU-FONMRSAGSA-N Isocitric acid Natural products OC(=O)[C@@H](O)[C@H](C(O)=O)CC(O)=O ODBLHEXUDAPZAU-FONMRSAGSA-N 0.000 claims description 2
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZVJHJDDKYZXRJI-UHFFFAOYSA-N pyrroline Natural products C1CC=NC1 ZVJHJDDKYZXRJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- ODBLHEXUDAPZAU-UHFFFAOYSA-N threo-D-isocitric acid Natural products OC(=O)C(O)C(C(O)=O)CC(O)=O ODBLHEXUDAPZAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LEZXRONTDCOFQC-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triphenylpyrrole Chemical class C1=CN(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 LEZXRONTDCOFQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 claims 1
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 claims 1
- RZKCCIUMQSCXLV-UHFFFAOYSA-N tetraphenylphosphanium;2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC=1N=NNN=1.C1=CC=CC=C1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RZKCCIUMQSCXLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract description 4
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 54
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 35
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 6
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- USFPINLPPFWTJW-UHFFFAOYSA-N tetraphenylphosphonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 USFPINLPPFWTJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L disodium hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].OP([O-])([O-])=O BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910000397 disodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000019800 disodium phosphate Nutrition 0.000 description 3
- 238000000157 electrochemical-induced impedance spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- LNOBZXNCABUBKK-UHFFFAOYSA-N 2,3,5-triphenyltetrazolium Chemical compound C1=CC=CC=C1C(N=[N+]1C=2C=CC=CC=2)=NN1C1=CC=CC=C1 LNOBZXNCABUBKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical group CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M Butyrate Chemical compound CCCC([O-])=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-M D-gluconate Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-M 0.000 description 1
- 241000588724 Escherichia coli Species 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M Formate Chemical compound [O-]C=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-M Glycolate Chemical compound OCC([O-])=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-L Malonate Chemical compound [O-]C(=O)CC([O-])=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 description 1
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 description 1
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 159000000021 acetate salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000006177 alkyl benzyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000840 electrochemical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229940050410 gluconate Drugs 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006316 polyvinylpyrrolidine Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OKBMCNHOEMXPTM-UHFFFAOYSA-M potassium peroxymonosulfate Chemical compound [K+].OOS([O-])(=O)=O OKBMCNHOEMXPTM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- HGKLFYLYWZXWPO-UHFFFAOYSA-N sulfo benzoate Chemical compound OS(=O)(=O)OC(=O)C1=CC=CC=C1 HGKLFYLYWZXWPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAGFXJQAIZNSEQ-UHFFFAOYSA-M tetraphenylphosphonium chloride Chemical compound [Cl-].C1=CC=CC=C1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WAGFXJQAIZNSEQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/067—Etchants
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
A)約0.025重量%〜約0.8重量%の活性酸素を提供する高濃度モノ過硫酸カリウム;
B)組成物の約0.01重量%〜約30重量%のB1)有機酸、有機酸のアルカリ金属塩、有機酸のアンモニウム塩、もしくは有機酸のホモポリマー、またはB2)ホスホニウム、テトラゾリウム、もしくはベンゾリウムのハロゲンもしくは硝酸塩、またはB3)成分B1)とB2)との混合物;および
C)組成物の約0重量%〜約97.49重量%の水
を含んでなるエッチャント組成物;ならびに前記組成物を使用する基材のエッチング方法を提供する。
Description
A)約0.025重量%〜約0.8重量%の活性酸素を提供する高濃度モノ過硫酸カリウム;
B)組成物の約0.01重量%〜約30重量%のB1)有機酸、有機酸のアルカリ金属塩、有機酸のアンモニウム塩、もしくは有機酸のホモポリマー、またはB2)ホスホニウム、テトラゾリウム、もしくはベンゾリウムのハロゲンもしくは硝酸塩、またはB3)成分B1)とB2)との混合物;および
C)組成物の約0重量%〜約97.49重量%の水
を含んでなるエッチャント組成物を含んでなる。
A)約0.025重量%〜約0.8重量%の活性酸素を提供する高濃度モノ過硫酸カリウム;
B)組成物の約0.01重量%〜約30重量%のB1)有機酸、有機酸のアルカリ金属塩、有機酸のアンモニウム塩、もしくは有機酸のホモポリマー、またはB2)ホスホニウム、テトラゾリウム、もしくはベンゾリウムのハロゲンもしくは硝酸塩、またはB3)成分B1)とB2)との混合物;および
C)組成物の約0重量%〜約97.49重量%の水
を含んでなる。
試験方法1−電気化学的試験方法
抑制剤のアノード特性およびエッチャント組成物の溶液速度に対する抑制剤の応答を評価するために電気化学的方法が用いられた。用いられた計装は、EIS 300、およびDC 105ソフトウェアを実行する、Gamry MultEchem 8であった。ポテンシオスタット系は、銅作用電極、白金対電極、およびLuggin型塩橋のSCE付きの3電極系であった。回転電極は、PineモデルAGMSRCEであった。試料エッチャント組成物のアノード特性は、DC分極曲線を用いて測定され、エッチング速度は、AC電気化学的インピーダンス分光法(Electrochemical Impedance Spectroscopy)(EIS)を用いて測定された。測定は、固定電極および回転ディスク電極の両方で行われた。
試験クーポンは、Corning Incorporated(Corning,NY)製のガラス基材表面上への直流スパッタリングを用いて厚さ100〜500オングストロームのモリブデンの膜を先ず堆積することによって調製した。これに、直流スパッタリングを用いるモリブデン膜上の厚さ1000〜5000オングストロームの銅膜の形成が続いた。クーポンを次にフォトマスクプロセスによってパターン化した。ポジ型フォトレジスト(Dongwoo Fine−Chem Company Ltd.(Seoul,S.Korea)から入手可能なDWD−520)を銅膜上へスピンコートしてマスクを形成した。クーポンを次に、リソグラフを通過する光にさらし、レジスト中の光開始剤がフォトレジストの露光部分を重合させた。これに、2.4重量%の水酸化テトラメチルアンモニウムの溶液と接触させることによる現像が続いてフォトレジストの非露光非重合部分を除去し、それによってクーポン上にパターンを残した。
エッチャント液を、次表1に記載される重量パーセントに従って成分を混合することによって調製した。実施例1〜3の方法を用いて試験クーポンをエッチングした。生じたエッチングされたクーポンを、実施例1〜3のように走査電子顕微鏡を用いて評価した。得られたデータを表2に示す。
第2酸化剤を含有するエッチャント液を、次表3に記載される重量パーセントに従って成分を混合することによって調製した。実施例1〜3の方法を用いて試験クーポンをエッチングした。生じたエッチングされたクーポンを、実施例1〜3のように走査電子顕微鏡を用いて評価した。得られたデータを表3に示す。
エッチャント液を、次表4に記載される重量パーセントに従って成分を混合することによって調製した。実施例1〜3の方法を用いて試験クーポンをエッチングした。生じたエッチングされたクーポンを、実施例1〜3のように走査電子顕微鏡を用いて評価した。得られたデータを表4に示す。
エッチャント液を、次表5に記載される重量パーセントに従って成分を混合することによって調製した。実施例1〜3の方法を用いて試験クーポンをエッチングした。生じたエッチングされたクーポンを、実施例1〜3のように走査電子顕微鏡を用いて評価した。得られたデータを表5に示す。
エッチャント液を、次表6に記載される重量パーセントに従って成分を混合することによって調製した。実施例1〜3の方法を用いて試験クーポンをエッチングした。生じたエッチングされたクーポンを、実施例1〜3のように走査電子顕微鏡を用いて評価した。得られたデータを表6に示す。
エッチャント液を、次表7に記載される重量パーセントに従って成分を混合することによって調製した。実施例1〜3の方法を用いて試験クーポンをエッチングした。生じたエッチングされたクーポンを、実施例1〜3のように走査電子顕微鏡を用いて評価した。得られたデータを表7に示す。
異方性エッチング剤を含有するエッチャント液を、次表8にリストされる重量パーセントで成分を混合することによって調製した。これらの溶液を、試験方法1に従って、異方性エッチング剤のアノード特性、および溶液粘度に対する試剤の応答について評価した。得られたデータを表8に示す。
任意選択の銅腐食抑制剤、任意選択の第2酸化剤、および任意選択のpH調整剤を含有するエッチャント液を、次表9Aにリストされる重量パーセントで成分を混合することによって調製した。これらの溶液を、試験方法1に従って、異方性エッチング剤のアノード特性、および溶液粘度に対する試剤の応答について評価した。得られたデータを表9Bに示す。
異方性エッチング剤を含有するエッチャント液を、次表10にリストされる重量パーセントで成分を混合することによって調製した。これらの溶液を、試験方法1に従って、異方性エッチング剤のアノード特性、および溶液粘度に対する試剤の応答について評価した。得られたデータを表10に示す。
異方性エッチング剤を含有するエッチャント液を、次表11にリストされる重量パーセントで成分を混合することによって調製した。これらの溶液を、試験方法1に従って、異方性エッチング剤のアノード特性、および溶液粘度に対する試剤の応答について評価した。得られたデータを表11に示す。
Claims (12)
- A)約0.025重量%〜約0.8重量%の活性酸素を提供する高濃度モノ過硫酸カリウム;
B)組成物の約0.01重量%〜約30重量%のB1)有機酸、有機酸のアルカリ金属塩、有機酸のアンモニウム塩、もしくは有機酸のホモポリマー、またはB2)ホスホニウム、テトラゾリウム、もしくはベンゾリウムのハロゲンもしくは硝酸塩、またはB3)成分B1)とB2)との混合物;および
C)組成物の約0重量%〜約97.49重量%の水
を含んでなるエッチャント組成物。 - 前記高濃度モノ過硫酸カリウムが組成物の約2.5重量%〜約80重量%で存在する請求項1に記載のエッチャント組成物。
- 前記有機酸が水溶性カルボン酸、水溶性ジカルボン酸、または水溶性トリカルボン酸である請求項1に記載のエッチャント組成物。
- 前記有機酸が、酢酸、ブタン酸、クエン酸、ギ酸、グルコン酸、グリコール酸、マロン酸、シュウ酸、ペンタン酸、スルホ安息香酸、スルホコハク酸、スルホフタル酸、サリチル酸、スルホサリチル酸、安息香酸、乳酸、グリセリン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸、イソクエン酸、およびプロペン酸からなる群から選択される、請求項1に記載のエッチャント組成物。
- 第二鉄塩、第二銅塩、過酸化水素、および硝酸からなる群から選択される任意選択の第2酸化剤をさらに含んでなる請求項1に記載のエッチャント組成物。
- 前記任意選択の第2酸化剤が、Fe(NO3)3、Fe2(SO4)3、NH4Fe(SO4)2、FePO4、および前述のもののそれぞれの水和物からなる群から選択されるFe3+を含有する第二鉄塩化合物であるか、またはCu(NO3)2、CuSO4、NH4CuPO4、および前述のもののそれぞれの水和物からなる群から選択される第二銅塩である請求項5に記載のエッチャント組成物。
- ピロリジン、ピロリン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾール、ピリミジン、プリン、ピリジン、およびアミノテトラゾールテトラフェニルホスホニウム塩、置換ホスホニウム塩、トリフェニルアゾリウム塩、置換テトラゾリウム塩、および置換ベンゾリウム塩からなる群から選択される異方性エッチング剤をさらに含んでなる請求項1に記載のエッチャント組成物。
- 有機酸、それのアルカリ金属塩、または異方性エッチング剤である腐食抑制剤をさらに含んでなる請求項1に記載のエッチャント組成物。
- 界面活性剤、金属イオン遮断剤、腐食防止剤、およびpH調整剤からなる群から選択される1つ以上の成分をさらに含んでなる、請求項1に記載のエッチャント組成物。
- 1)基材の表面上に形成された第1金属膜、前記第1金属膜上に形成された第2金属膜、前記第2金属膜上に形成された任意選択の追加の金属膜を有する基材を提供する工程と、2)前記基材を請求項1〜9のいずれか一項に記載のエッチャント組成物と接触させる工程とを含んでなる基材のエッチング方法。
- 前記第1金属膜がモリブデンまたはチタンを含んでなり、前記第2金属膜が銅を含んでなり、そして前記基材がシリコン、ガラス、ステンレススチール、プラスチック、または石英である請求項10に記載の方法。
- 工程1)の後および工程2)の前に、フォトレジストマスクを前記第2膜上へ層状にする工程と、前記マスクを選択的に露光する工程と、前記基材を焼き付ける工程と、現像液と接触させることによって現像してフォトレジストパターンを形成する工程とをさらに含んでなる請求項10に記載の方法。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16627309P | 2009-04-03 | 2009-04-03 | |
US16626709P | 2009-04-03 | 2009-04-03 | |
US61/166,273 | 2009-04-03 | ||
US61/166,267 | 2009-04-03 | ||
US12/721,903 US20100252530A1 (en) | 2009-04-03 | 2010-03-11 | Etchant composition and method |
US12/721,903 | 2010-03-11 | ||
PCT/US2010/029741 WO2010115075A1 (en) | 2009-04-03 | 2010-04-02 | Etchant composition and method |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012522895A true JP2012522895A (ja) | 2012-09-27 |
JP2012522895A5 JP2012522895A5 (ja) | 2013-05-02 |
JP5687685B2 JP5687685B2 (ja) | 2015-03-18 |
Family
ID=42173851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012503735A Active JP5687685B2 (ja) | 2009-04-03 | 2010-04-02 | エッチャント組成物および方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5687685B2 (ja) |
CN (1) | CN102395708B (ja) |
TW (1) | TWI480360B (ja) |
WO (1) | WO2010115075A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014171034A1 (ja) * | 2013-04-15 | 2014-10-23 | メック株式会社 | エッチング液、補給液及び銅配線の形成方法 |
JP2015002284A (ja) * | 2013-06-17 | 2015-01-05 | 株式会社Adeka | エッチング液組成物及びエッチング方法 |
WO2017090386A1 (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 三井金属鉱業株式会社 | 配線パターン付樹脂積層体の製造方法 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5971246B2 (ja) | 2011-07-04 | 2016-08-17 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 銅または銅を主成分とする化合物のエッチング液 |
CN103764874B (zh) * | 2011-08-31 | 2016-07-27 | 东友精细化工有限公司 | 用于包括铜和钛的金属层的蚀刻液组合物 |
JP5799791B2 (ja) * | 2011-12-16 | 2015-10-28 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 銅及びモリブデンを含む多層膜用エッチング液 |
JP6135999B2 (ja) * | 2012-04-10 | 2017-05-31 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 銅およびモリブデンを含む多層膜のエッチングに使用される液体組成物、およびそれを用いたエッチング方法 |
KR101394133B1 (ko) * | 2012-08-22 | 2014-05-15 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 몰리브덴 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물 |
CN102923963A (zh) * | 2012-11-15 | 2013-02-13 | 杭州格林达化学有限公司 | 一种玻璃减薄刻蚀液补充液 |
CN103924242B (zh) * | 2013-01-14 | 2016-05-11 | 易安爱富科技有限公司 | 铜/钼膜或铜/钼合金膜的蚀刻液组合物 |
CN104233302B (zh) * | 2014-09-15 | 2016-09-14 | 南通万德科技有限公司 | 一种蚀刻液及其应用 |
JP6736088B2 (ja) * | 2017-05-22 | 2020-08-05 | メック株式会社 | エッチング液、補給液および銅配線の形成方法 |
CN108930037B (zh) * | 2017-05-22 | 2021-02-26 | 东友精细化工有限公司 | 金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法 |
KR102457165B1 (ko) * | 2017-08-11 | 2022-10-19 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
KR102433304B1 (ko) * | 2017-08-11 | 2022-08-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
CN109423647B (zh) * | 2017-08-28 | 2021-01-15 | 东友精细化工有限公司 | 金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法 |
KR102457174B1 (ko) * | 2017-08-28 | 2022-10-19 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
CN108004598A (zh) * | 2017-12-01 | 2018-05-08 | 绍兴拓邦电子科技有限公司 | 一种晶体硅边缘刻蚀添加剂及其使用方法 |
EP3761766A1 (en) * | 2019-07-03 | 2021-01-06 | AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Anisotropic etching using additives |
CN110938822A (zh) * | 2019-11-14 | 2020-03-31 | 浙江工业大学 | 一种钼/铜复合金属层的蚀刻液、蚀刻方法与应用 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001059191A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-03-06 | Furontekku:Kk | エッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法と電子機器 |
JP2002241968A (ja) * | 2000-11-01 | 2002-08-28 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | エッチング剤及びこのエッチング剤を用いた電子機器用基板の製造方法 |
JP2005029853A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 銅および銅合金のエッチング液 |
JP2006522003A (ja) * | 2003-03-31 | 2006-09-28 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | ペルオキシモノ硫酸水素カリウム溶液 |
WO2007143127A1 (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Potassium monopersulfate solutions |
JP2008227508A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Dongjin Semichem Co Ltd | 薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング液組成物 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100302671B1 (ko) * | 1996-07-25 | 2001-09-22 | 피. 제리 코더 | 화학기계적연마용조성물및화학기계적연마방법 |
US5855805A (en) * | 1996-08-08 | 1999-01-05 | Fmc Corporation | Microetching and cleaning of printed wiring boards |
KR100456373B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2004-11-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 구리 또는 구리/티타늄 식각액 |
US20050045852A1 (en) * | 2003-08-29 | 2005-03-03 | Ameen Joseph G. | Particle-free polishing fluid for nickel-based coating planarization |
US7090820B2 (en) * | 2003-09-23 | 2006-08-15 | Truox, Inc. | Potassium monopersulfate triple salt with increased active oxygen content and substantially no K2S2O8 |
CN101245462A (zh) * | 2007-02-13 | 2008-08-20 | 峻科技有限公司 | 蚀刻液组合物与蚀刻方法 |
SG166102A1 (en) * | 2007-03-31 | 2010-11-29 | Advanced Tech Materials | Methods for stripping material for wafer reclamation |
-
2010
- 2010-03-23 TW TW099108561A patent/TWI480360B/zh active
- 2010-04-02 CN CN201080016265.0A patent/CN102395708B/zh active Active
- 2010-04-02 JP JP2012503735A patent/JP5687685B2/ja active Active
- 2010-04-02 WO PCT/US2010/029741 patent/WO2010115075A1/en active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001059191A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-03-06 | Furontekku:Kk | エッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法と電子機器 |
JP2002241968A (ja) * | 2000-11-01 | 2002-08-28 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | エッチング剤及びこのエッチング剤を用いた電子機器用基板の製造方法 |
JP2006522003A (ja) * | 2003-03-31 | 2006-09-28 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | ペルオキシモノ硫酸水素カリウム溶液 |
JP2005029853A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 銅および銅合金のエッチング液 |
WO2007143127A1 (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Potassium monopersulfate solutions |
JP2008227508A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Dongjin Semichem Co Ltd | 薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング液組成物 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014171034A1 (ja) * | 2013-04-15 | 2014-10-23 | メック株式会社 | エッチング液、補給液及び銅配線の形成方法 |
CN104955985A (zh) * | 2013-04-15 | 2015-09-30 | Mec股份有限公司 | 蚀刻液、补给液及铜配线的形成方法 |
JP2015002284A (ja) * | 2013-06-17 | 2015-01-05 | 株式会社Adeka | エッチング液組成物及びエッチング方法 |
WO2017090386A1 (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 三井金属鉱業株式会社 | 配線パターン付樹脂積層体の製造方法 |
JPWO2017090386A1 (ja) * | 2015-11-27 | 2018-09-13 | 三井金属鉱業株式会社 | 配線パターン付樹脂積層体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI480360B (zh) | 2015-04-11 |
TW201105780A (en) | 2011-02-16 |
WO2010115075A1 (en) | 2010-10-07 |
CN102395708A (zh) | 2012-03-28 |
CN102395708B (zh) | 2016-10-26 |
JP5687685B2 (ja) | 2015-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5687685B2 (ja) | エッチャント組成物および方法 | |
KR101897273B1 (ko) | 식각액 조성물 및 방법 | |
KR101348751B1 (ko) | 인듐 산화막의 식각액 조성물 | |
US9365934B2 (en) | Liquid composition used in etching copper- and titanium-containing multilayer film, etching method in which said composition is used, method for manufacturing multilayer-film wiring, and substrate | |
JP5713485B2 (ja) | 金属配線用エッチング液組成物 | |
US9580818B2 (en) | Etching liquid for film of multilayer structure containing copper layer and molybdenum layer | |
KR101243847B1 (ko) | 식각액의 식각 용량이 증대된 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 방법 | |
WO2020062590A1 (zh) | 一种铜钼合金膜的化学蚀刻用组合物 | |
KR20030079740A (ko) | 알루미늄(또는 알루미늄 합금)층을 함유한 다층막 및단일막 식각액 조성물 | |
KR101339316B1 (ko) | 유리 손상이 없는 구리 / 몰리브데늄막 또는 몰리브데늄 / 구리 / 몰리브데늄 3중 막의 식각 조성물 | |
JP5971246B2 (ja) | 銅または銅を主成分とする化合物のエッチング液 | |
KR101173901B1 (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시장치용 식각조성물 | |
TWI596235B (zh) | 用於銅基金屬層的蝕刻劑組合物及用其製造顯示設備的陣列基板的方法 | |
JP6485587B1 (ja) | エッチング液 | |
KR20150143409A (ko) | 구리 및 몰리브덴을 포함하는 다층막의 에칭에 사용되는 액체 조성물, 및 그 액체 조성물을 이용한 기판의 제조방법, 그리고 그 제조방법에 의해 제조되는 기판 | |
JP6458913B1 (ja) | エッチング液 | |
KR20130120652A (ko) | 비과산화수소형 구리 에칭제 | |
KR20110113534A (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시장치용 식각조성물 | |
KR20050066395A (ko) | 인듐 산화막의 식각액 조성물 및 그를 이용한 식각 방법 | |
KR20090095408A (ko) | 금속 배선 형성을 위한 식각액 조성물 | |
JP2003193272A (ja) | モリブデンを主成分とする膜のエッチング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130313 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130313 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140520 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140729 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141024 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141224 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150122 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5687685 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |