JP2012522646A - レーザエネルギによって半導体材料表面を照射する方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図3
Description
− 半導体材料層表面の領域を選択するステップであって、当該領域が領域サイズを有するステップと、
− ビームスポットサイズを有するエキシマレーザで半導体材料層表面の領域を照射するステップと、−ビームスポットサイズを調整するステップとを含み、
ビームスポットサイズを調整するステップがビームスポットサイズを選択領域サイズに可変的に一致させるステップを含む。
− 半導体層表面の選択領域を照射するエキシマレーザであって、選択領域が有する領域サイズに一致させるレーザビームスポットサイズを有するエキシマレーザと、
− レーザビームスポットサイズを調整する手段とを具え、
レーザビームスポットサイズを調整する手段がレーザビームスポットサイズを選択領域サイズに可変的に一致させるよう適合されている。
− 半導体材料層表面の領域を選択するステップであって、当該領域が領域サイズを有するステップと、
− ビームスポットサイズを有するエキシマレーザで半導体材料層表面の領域を照射するステップと、
− ビームスポットサイズを調整するステップとを含み、
ビームスポットサイズを調整するステップがビームスポットサイズを選択領域サイズに可変的に一致させるステップを含む。
半導体層表面の選択領域を照射するエキシマレーザであって、選択領域が有する領域サイズに一致させるレーザビームスポットサイズを有するエキシマレーザと、
レーザビームスポットサイズを調整する手段とを具え、
レーザビームスポットサイズを調整する手段がレーザビームスポットサイズを選択領域サイズに可変的に一致させるよう適合されている。
ステップ0:ビームスポットに対してウェハを装填し、概略的にウェハを配置する。
照射パラメータは、
− 特定のウェハ基板(例えば2J/cm2)に必要なエネルギー密度と、
− ウェハ(例えば18×12mm)の処理領域の寸法(XW×YW)と、
− 基準位置に対するウェハの照射すべきダイの座標((Xi,Yi)i=1〜N、Nは照射するダイの数)とに基づいて選択される。
− 光学系の倍率(G)を演算し、ウェハの所望の寸法(XW×YW)に最も近いウェハスポットサイズを生成する一方で、絞りのブレードを全開放位置(X開口=96mm,Y開口=76mm)にする。この実施例では、G=X開口/XW=96/18=5,33である。
− 遅延線の位置は(前の較正によって測定した)プリセット位置に調整され、所望の倍率に対応し、96/5.33×72/5.33=18×13.5mmのウェハスポットサイズをもたらす。対物レンズ群の焦点の微調整も必要である。
− 絞りブレードの位置を調整して必要なビームサイズを得る。この実施例では、2つの垂直ブレード(Xの調整)が開放位置に残り、2つの水平ブレードはY=12mmに到達するように調整され、名目上18×12mmのウェハスポットサイズをもたらす。
− 絞りブレードの位置を微調整する。
− パターン認識ステップは、ウェハステージ座標系に対するウェハの3つの位置合わせマークの正確な位置を検出する。
− ウェハステージはレーザスポットの位置を当該処理すべき第1のダイの位置に重ねるよう移動する。
− 必要なエネルギ密度で第1のダイをレーザ照射する。レーザ充電電圧を調節し、ビーム経路の可変減衰器を用いることによって照射エネルギが制御される。
− ウェハステージが次のダイの位置(Xi,Yi)に移動する。
− 照射とウェハステージの移動は、当該処理すべき全てのダイが照射されるまで繰り返される。
Claims (14)
- 半導体材料を照射する方法において、
半導体材料層表面の領域を選択するステップであって、前記領域が領域サイズを有するステップと、
ビームスポットサイズを有するエキシマレーザで前記半導体材料層表面の領域を照射するステップと、
前記ビームスポットサイズを調整するステップとを含み、
前記ビームスポットサイズを調整するステップが前記ビームスポットサイズを前記選択領域サイズに可変的に一致させるステップを含むことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、前記ビームスポットサイズを一致させるステップが可変絞りのサイズと形状を変更することによって行われ、その画像が前記材料層表面に形成されることを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記ビームスポットサイズを一致させるステップが可変画像倍率を有する光学系の倍率を変更することによって行われることを特徴とする方法。
- 請求項1または3に記載の方法がさらに、前記ビームスポットをXYZ方向で前記選択領域に位置合わせするステップを含むことを特徴とする方法。
- 請求項1〜4の何れか1項に記載の方法において、前記選択領域が少なくとも1つのダイ全体であることを特徴とする方法。
- 請求項1または5に記載の方法がさらに、前記ビームスポットサイズを前記選択領域サイズに一致させる前に前記レーザビームを均質化するステップを含むことを特徴とする方法。
- 半導体材料を照射する装置において、
半導体材料層表面の選択領域を照射するエキシマレーザであって、前記選択領域が有する領域サイズに一致させるレーザビームスポットサイズを有するエキシマレーザと、
前記レーザビームスポットサイズを調整する手段とを具え、
前記レーザビームスポットサイズを調整する手段が前記レーザビームスポットサイズを前記選択領域サイズに可変的に一致させるよう適合されていることを特徴とする装置。 - 請求項7に記載の装置において、前記エキシマレーザが1〜10J/cm2のエネルギ密度でレーザビームを生成するよう適合されていることを特徴とする装置。
- 請求項7または8に記載の装置において、前記レーザビームスポットサイズに一致させる手段が可変絞りを具え、その画像が前記材料層表面に形成されることを特徴とする装置。
- 請求項7〜9の何れか1項に記載の装置において、前記レーザビームスポットサイズを一致させる手段が可変画像倍率を有する光学系を具えることを特徴とする装置。
- 請求項7〜10の何れか1項に記載の装置がさらに、前記ビームスポットをXYZ方向で前記選択領域に位置合わせする手段を具えることを特徴とする装置。
- 請求項7〜11の何れか1項に記載の装置において、前記ビームスポットサイズが少なくとも1つのダイ全体に一致することを特徴とする装置。
- 請求項7〜12の何れか1項に記載の装置がさらに、ビームホモジナイザを具え、前記レーザビームスポットサイズを調整する手段の前に配置されていることを特徴とする装置。
- 半導体材料を作製するための請求項7〜13の何れか1項に記載の装置の使用。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2021510925A (ja) * | 2018-01-18 | 2021-04-30 | レイザー システムズ アンド ソリューションズ オブ ヨーロッパLaser Systems And Solutions Of Europe | パターン化された半導体デバイスのレーザ照射方法 |
Families Citing this family (10)
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CN102466963A (zh) * | 2010-11-12 | 2012-05-23 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种掩膜版及一种掩膜曝光的方法 |
CN104603954B (zh) | 2011-11-23 | 2017-10-13 | 艾柯西柯集团股份有限公司 | 用于形成金属硅化物层的方法 |
EP2770544A1 (en) | 2013-02-21 | 2014-08-27 | Excico Group | Method for forming metal silicide layers |
EP2804218A1 (en) * | 2013-05-15 | 2014-11-19 | Excico Group NV | Method for forming metal silicide layers |
KR20170037633A (ko) * | 2014-07-21 | 2017-04-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 스캐닝형 펄스 어닐링 장치 및 방법 |
CN107092166B (zh) * | 2016-02-18 | 2019-01-29 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 曝光系统、曝光装置及曝光方法 |
CN108681214B (zh) * | 2018-05-21 | 2019-08-13 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 通过改变扩束比例实现跨尺度光刻或多分辨率成像的方法 |
JP7307001B2 (ja) * | 2019-06-17 | 2023-07-11 | 東レエンジニアリング株式会社 | レーザ加工装置および方法、チップ転写装置および方法 |
US11929334B2 (en) * | 2020-03-17 | 2024-03-12 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Die-beam alignment for laser-assisted bonding |
US11909091B2 (en) | 2020-05-19 | 2024-02-20 | Kymeta Corporation | Expansion compensation structure for an antenna |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0823105A (ja) * | 1994-05-02 | 1996-01-23 | Sony Corp | 表示用半導体チップの製造方法 |
JP2000208769A (ja) * | 1999-01-08 | 2000-07-28 | Sony Corp | 薄膜半導体装置の製造方法及びレ―ザ照射装置 |
JP2000306859A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-11-02 | Sony Corp | 半導体薄膜の結晶化方法及びレーザ照射装置 |
JP2001093854A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Sony Corp | 多結晶膜の製造方法および半導体装置の製造方法 |
JP2005191560A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 結晶化装備及びこれを用いた結晶化方法 |
JP2005259981A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 結晶化方法及び結晶化装置 |
JP2006310802A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光学素子および光照射装置 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61152069A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
EP0251280A3 (en) * | 1986-06-30 | 1989-11-23 | Nec Corporation | Method of gettering semiconductor wafers with a laser beam |
JPH03253035A (ja) * | 1990-03-02 | 1991-11-12 | Nec Corp | 半導体ウェハーの裏面歪場形成装置 |
JPH04356393A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-10 | Hitachi Ltd | レーザ加工光学系及びレーザ加工方法 |
JPH0536840A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-12 | Hitachi Ltd | Lsi配線の修正方法及びその装置 |
US6559465B1 (en) * | 1996-08-02 | 2003-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface position detecting method having a detection timing determination |
US5868950A (en) * | 1996-11-08 | 1999-02-09 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Method to correct astigmatism of fourth yag to enable formation of sub 25 micron micro-vias using masking techniques |
JP2000091604A (ja) * | 1998-09-10 | 2000-03-31 | Showa Denko Kk | 多結晶半導体膜、光電変換素子及びこれらの製造法 |
TW457553B (en) * | 1999-01-08 | 2001-10-01 | Sony Corp | Process for producing thin film semiconductor device and laser irradiation apparatus |
JP2001044133A (ja) * | 1999-08-02 | 2001-02-16 | Sharp Corp | レーザ照射方法及び半導体装置の製造方法 |
US6366308B1 (en) | 2000-02-16 | 2002-04-02 | Ultratech Stepper, Inc. | Laser thermal processing apparatus and method |
JP2002231619A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-08-16 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
JP4744700B2 (ja) * | 2001-01-29 | 2011-08-10 | 株式会社日立製作所 | 薄膜半導体装置及び薄膜半導体装置を含む画像表示装置 |
US6809023B2 (en) * | 2001-04-06 | 2004-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device having uniform crystal grains in a crystalline semiconductor film |
JP3903761B2 (ja) * | 2001-10-10 | 2007-04-11 | 株式会社日立製作所 | レ−ザアニ−ル方法およびレ−ザアニ−ル装置 |
TWI289896B (en) * | 2001-11-09 | 2007-11-11 | Semiconductor Energy Lab | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing a semiconductor device |
JP2003197526A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-11 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法、半導体装置、表示装置、および電子機器 |
JP2005294630A (ja) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、電気光学装置、集積回路及び電子機器 |
US8525075B2 (en) * | 2004-05-06 | 2013-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus |
JP2005340466A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、電気光学装置、集積回路及び電子機器 |
US7425471B2 (en) * | 2004-06-18 | 2008-09-16 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis with cross-axis offset |
KR101097915B1 (ko) | 2005-02-07 | 2011-12-23 | 삼성전자주식회사 | 레이저 장치 및 이를 이용한 박막트랜지스터의 제조방법 |
JP4713185B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2011-06-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 異物欠陥検査方法及びその装置 |
US7209216B2 (en) * | 2005-03-25 | 2007-04-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing dynamic correction for magnification and position in maskless lithography |
US7433568B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Optical element and light irradiation apparatus |
JP5252877B2 (ja) * | 2006-11-07 | 2013-07-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8148663B2 (en) * | 2007-07-31 | 2012-04-03 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of improving beam shaping and beam homogenization |
US7800081B2 (en) * | 2007-11-08 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Pulse train annealing method and apparatus |
-
2009
- 2009-04-07 EP EP09305290A patent/EP2239084A1/en not_active Withdrawn
-
2010
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-
2015
- 2015-07-22 JP JP2015144630A patent/JP6312636B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0823105A (ja) * | 1994-05-02 | 1996-01-23 | Sony Corp | 表示用半導体チップの製造方法 |
JP2000208769A (ja) * | 1999-01-08 | 2000-07-28 | Sony Corp | 薄膜半導体装置の製造方法及びレ―ザ照射装置 |
JP2000306859A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-11-02 | Sony Corp | 半導体薄膜の結晶化方法及びレーザ照射装置 |
JP2001093854A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Sony Corp | 多結晶膜の製造方法および半導体装置の製造方法 |
JP2005191560A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 結晶化装備及びこれを用いた結晶化方法 |
JP2005259981A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 結晶化方法及び結晶化装置 |
JP2006310802A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光学素子および光照射装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021510925A (ja) * | 2018-01-18 | 2021-04-30 | レイザー システムズ アンド ソリューションズ オブ ヨーロッパLaser Systems And Solutions Of Europe | パターン化された半導体デバイスのレーザ照射方法 |
JP7257402B2 (ja) | 2018-01-18 | 2023-04-13 | レイザー システムズ アンド ソリューションズ オブ ヨーロッパ | パターン化された半導体デバイスのレーザ照射方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102413986A (zh) | 2012-04-11 |
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US20120171876A1 (en) | 2012-07-05 |
WO2010115763A1 (en) | 2010-10-14 |
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