JP2012516276A - シリコン堆積炉内のシリコンロッドの温度及び厚さの成長を測定する装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は、シリコン堆積炉の外側に設置されているパイロメーターによってこのシリコン堆積炉内のシリコンロッドの温度及び厚さの成長を測定する装置に関する。本発明の課題は、全ての堆積工程を通じて当該温度及び当該層の厚さの連続する測定を十分な精度で可能にする装置を提供することにある。
【解決手段】
この課題は、非接触式に動作する温度測定装置4が温度測定のために設けられていて且つ前記シリコン堆積炉の外側でのぞき窓2の前方に配置されていること及び前記温度測定装置4が回転駆動装置9によって旋回軸線5周りに水平に旋回され得、この旋回軸線5が前記シリコンロッド1の長手軸線に対して平行に移動し、前記温度測定装置のこの長手軸線6が前記旋回軸線5を通過することによって解決される。
Description
−複数の細いシリコンロッドをシリコン堆積炉内に配置し、酸素を除去し、これらの細いシリコンロッドを電気回路内に組み込むことによって堆積工程を開始し、トリクロロシランを前記シリコン堆積炉内に導入し、
−前記シリコン堆積炉の外側に設置されている温度測定装置によってこれらの細いシリコンロッドを走査し、これらの細いシリコンロッドのうちの1つの細いシリコンロッドを選択し、パイロメーターを当該選択された細いシリコンロッドに焦点合わせし、
−突然の明暗の変化が確認されるまで、前記パイロメーターを水平に旋回させることによって、及び、さらなる突然の明暗の変化が確認されるまで、前記パイロメーターを反対の旋回方向に旋回させることによって、時間に対してプロットされた温度曲線を記録すると同時に厚さの成長を測定し、
−当該被覆された細いシリコンロッドの直径をその旋回角度から計算し、
−当該厚さの成長の測定を間隔をおいて繰り返し、当該被覆されたシリコンロッドが、所定の厚さに達した後に前記堆積工程を終了することによっても解決される。
1.1 細いシリコンロッド
1.2 堆積の終了後のシリコンロッド
2 のぞき窓
2.1 偏光フィルタ
3 炉壁
4 温度測定装置
5 旋回軸線
6 長手軸線
7 回転角度
8 管状連結スタブ
9 回転駆動装置
Claims (17)
- のぞき窓越しにシリコン堆積炉内のシリコンロッドの温度及び厚さの成長を測定する装置において、
非接触式に動作する温度測定装置(4)が、温度測定のために設けられていて且つ前記シリコン堆積炉の外側でのぞき窓(2)の前方に配置されていること、及び、前記温度測定装置(4)が、回転駆動装置(9)によって旋回軸線(5)周りに水平に旋回され得、この旋回軸線(5)が、前記シリコンロッド(1)の長手軸線に対して平行に移動し、前記温度測定装置のこの長手軸線(6)が、前記旋回軸線(5)を通過することを特徴とする装置。 - 前記旋回軸線(5)は、前記シリコン堆積炉の炉壁(3)の外側で前記のぞき窓(2)の前方に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記旋回軸線(5)は、前記シリコン堆積炉の内部で前記のぞき窓(2)の後方に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記のぞき窓(2)は、冷却されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の装置。
- 前記のぞき窓(2)は、液体冷却が施されていることを特徴とする請求項4に記載の装置。
- 回転可能な偏光フィルタ(2.1)が、前記温度測定装置(4)と前記のぞき窓(2)との間に配置されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の装置。
- 前記温度測定装置(4)は、パイロメーターであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の装置。
- 前記パイロメーターの測定データが、記憶装置内に記憶され、モニター上に表示されることを特徴とする請求項7に記載の装置。
- 測定点が、前記モニター上に表示されたデータ上に合成表示されることを特徴とする請求項8に記載の装置。
- 前記測定装置(4)は、赤外線カメラであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の装置。
- 前記赤外線カメラは、固定されていることを特徴とする請求項10に記載の装置。
- 前記旋回軸線(5)を位置決めするため、前記温度測定装置(4)は、前記のぞき窓(2)の後方の回転駆動装置(9)に連結されていて、この回転駆動装置(9)は、前記のぞき窓(2)の下に設置されていて、こののぞき窓(2)は、前記炉壁(3)上に設置された管状連結スラブ(8)内に配置されていることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の装置。
- 前記装置は、堆積炉用に又はその他の熱被覆工程のために使用される請求項1〜10のいずれか1項に記載の当該装置。
- シリコン堆積炉内の細いシリコンロッドの温度及び厚さの成長を測定する方法において、
複数の細いシリコンロッドをシリコン堆積炉内に配置し、酸素を除去し、これらの細いシリコンロッド(1.1)を電気回路内に組み込むことによって堆積工程を開始し、トリクロロシランを導入し、
前記シリコン堆積炉の外側に設置されている温度測定装置(4)によってこれらの細いシリコンロッド(1.1)を走査し、これらの細いシリコンロッド(1.1)のうちの1つの細いシリコンロッドを選択し、前記温度測定装置を当該選択された細いシリコンロッド(1.1)に焦点合わせし、
突然の明暗の変化が確認されるまで、前記温度測定装置(4)を水平に旋回させることによって、及び、さらなる突然の明暗の変化が確認されるまで、前記温度測定装置(4)を反対の旋回方向に旋回させることによって、時間に対してプロットされた温度曲線を記録すると同時に厚さの成長を測定し、
当該被覆された細いシリコンロッドの直径を、その旋回角度及び前記旋回軸線(5)と前記シリコンロッド(1)との間の距離から計算し、
当該厚さの成長の測定を間隔をおいて繰り返し、当該被覆されたシリコンロッド(1.2)が、所定の厚さに達した後に前記堆積工程を終了することを特徴とする方法。 - 前記間隔は、零以上であることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 複数の細いシリコンロッド(1.1)が、選択されて一定のサイクルで互い違いに測定されることを特徴とする請求項14又は15に記載の方法。
- 走査工程の開始前の前記シリコン堆積炉の内壁上の反射が、偏光フィルタによって遮蔽されることを特徴とする請求項14〜16のいずれか1項に記載の方法。
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