AT222184B - Verfahren zum Herstellen von Halbleiterstäben - Google Patents

Description

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  Verfahren zum Herstellen von Halbleiterstäben 
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 ein starker hell-dunkel Kontrast. Eine sich in der Kamera 8 befindliche in der Bildebene angebrachte Photozelle 10 wird nach dem Aufheizen des Trägers auf die gewünschte Temperatur so nahe an das Lichtstrahlenbündel herangebracht, dass gerade kein Photostrom fliesst. Das Relais 11 ist dann geöffnet. Die Photozelle 10 ist über einen Läufer 12 beweglich auf einer Spindel 13 angeordnet. Nun wird das zu zersetzende Reaktionsgas in das Reaktionsgefäss eingeleitet und das freie Silizium auf dem erhitzten Träger- 
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Licht erzeugt einen Photostrom, der das Relais 11 schliesst und damit den Motor 14 einschaltet. Durch den
Motor wird die Spindel 13 so gedreht, dass die Photozelle aus dem Lichtstrahlenbündel herausbewegt wird. 



  Der Motor läuft so lange, bis die Photozelle nicht mehr vom Licht getroffen wird, dann wird er durch das Öffnen des Relais 11 abgeschaltet. Durch die Drehung der Spindel 13 während des Bewegens der Photozelle wird eine nicht unbedingt runde Drehscheibe 15, die in die Spindel eingreift und die mit einem Schaltelement zur   Stromregulierung   gekoppelt ist, in Drehung versetzt. Diese Drehung wird z. B. auf einen, in den Heizkreis des Halbleiterstabes geschalteten, veränderlichen Widerstand übertragen. Durch Verminerung des Widerstandswertes wird der Strom im Heizkreis in einem solchen Masse erhöht, dass der Halbleiterstab wieder die gewünschte Temperatur hat. Die Drehung der Drehscheibe kann auch auf einen Drehtransformator übertragen werden, der die Heizspannung und damit den im Halbleiterstab fliessenden Strom in der gewünschten Weise erhöht.

   Es ist auf diese Weise möglich, ein ungestörtes Aufwachsen der Halbleiterschicht zu erzielen und somit hochreine, einkristalline Halbleiterstäbe herzustellen. 



   Da der Stab sich längs seines Umfanges praktisch gleichmässig verdickt, genügt aus Symmetriegründen zur Durchführung des Verfahrens eine Photozelle. Während des erfindungsgemässen Verfahrens betragen die Temperaturschwankungen des Halbleiterstabes bei der Siliziumabscheidung in polykristalliner Form etwa   300C   und bei der Siliziumabscheidung in einkristalliner Form, infolge der dabei gegebenen scharfen Begrenzungsflächen des Stabes und der dadurch gewährleisteten scharfen Abbildung, etwa   10 C.   Diese Genauigkeit hat sich als ausreichend erwiesen.

   Ist es erwünscht, die Temperaturschwankungen während des Verfahrens noch geringer zu halten, so empfiehlt es sich, eine weitere Photozelle in der Bildebene an der andern Begrenzung des Lichtstrahlenbündels anzuordnen, die ebenfalls eine Einrichtung steuert, die den Strom im Heizkreis zu ändern in der Lage ist.

Claims (1)

1. PATENTANSPRUCH : Verfahren zum Herstellen von hochreinen, insbesondere aus Silizium bestehenden Halbleiterstäben durch thermische Zersetzung einer gasförmigen Verbindung des zu gewinnenden Halbleiterstoffes und Abscheiden dieses Stoffes auf einem erhitzten Trägerkörper des gleichen Materials, dadurch gekennzeichnet, dass ein von dem glühenden Halbleiterstab durch ein optisches System erzeugtes Bild, dessen Durchmesser sich mit dem Durchmesser des sich während des Aufwachsens verdickenden Stabes ändert, mittels einer beweglichen Photozelle abgetastet und der in der Bildebene an der Grenze des vom Halbleiterstab ausgehenden Lichtstrahlenbündels auftretende Kontrast hell-dunkel zur Steuerung einer Einrichtung verwendet wird, die die Photozelle aus dem Strahlenbündel herausbewegt und gleichzeitig den Strom im Heizkreis in einem solchen Masse erhöht,

   dass die Temperatur des Halbleiterstabes auf einem gewünschten, insbesondere konstanten Wert gehalten wird.