KR20110134394A - 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장의 측정 장치 및 방법 - Google Patents

증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장의 측정 장치 및 방법 Download PDF

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폴마르 빌프리트
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센트로테에름 시텍 게엠베하
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Abstract

본 발명은 실리콘 증착 반응기의 외부에 위치되는 고온계에 의해 실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장을 측정하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장을 충분히 정확하게 연속적으로 측정하는 장치를 제공하는 것이다. 이러한 목적은 이러한 온도 측정을 위해 제공되는 무접촉 작동식 온도 측정 장치(4)가 관측창(2)의 전방에 상기 실리콘 증착 반응기 외부에 배치되며, 상기 온도 측정 장치(4)는 회전 드라이브(9)에 의해 피봇 축선(5)을 중심으로 수평으로 피봇 이동가능하고, 상기 피봇 축선(5)이 상기 실리콘 로드(1)의 종축선과 평행하게 뻗어 있고, 상기 온도 측정 장치의 중심 축선(6)이 상기 피봇 축선(5)을 통해 뻗어 있는 구성을 통해 달성된다.

Description

증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장의 측정 장치 및 방법 {ARRANGEMENT AND METHOD FOR MEASUREMENT OF THE TEMPERATURE AND OF THE THICKNESS GROWTH OF SILICON RODS IN A DEPOSITION REACTOR}
본 발명은 실리콘 증착 반응기 외부에 위치되는 온도 측정 장치에 의해 실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장을 측정하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
다결정질 실리콘 제조 프로세스는 얇은 실리콘 로드가 원재료로서 미리 배치되어 약 1100℃의 온도로 전기적으로 가열되어 있는 진공 반응기 안으로 수소와 함께 가스상 트리클로로실란(trichlorosilane)이 통과되는 방법에 기초한다. 이러한 방법은 소위 지멘스(SIEMENS) 방법으로 알려져 있다. 이 경우, 실리콘의 용융 온도에 도달하지 않도록 엄격한 주의가 요구된다. 이 경우, 실리콘이 실리콘 로드 상에 증착되며, 이 실리콘은 트리클로로실란에서 화학 반응으로 생성된다. 이러한 방법으로 형성되는 폴리실리콘의 필라(pillar)는 이후 추가의 프로세스에 이용가능하다.
이들 필라는 광발전 산업용의 비교적 작은 덩어리로 다시 한 번 쪼개어 지고, 석영 도가니 내에서 용융되며, 필요하다면, 단결정 또는 다결정 블록으로 재형상화되고, 이때 이러한 단결정 또는 다결정 블록으로 솔라 모듈용 블랭크(blank)가 제조된다.
이러한 프로세스에서 한 가지 임계적인 요인은 코팅 프로세스 동안 실리콘 증착 반응기 내의 얇은 실리콘 로드의 온도 제어이며, 이 코팅 프로세스 동안 약 1100℃의 미리정해진 온도로 온도가 유지되고, 온도가 초과되면 이러한 프로세스를 중단시키는 것이 절대적으로 필수적이며, 이러한 온도 초과는 실리콘 로드의 균열을 야기하며 증착 프로세스의 중단을 초래하고, 지나치게 낮은 온도의 경우에는 실리콘의 최적의 증착이 불가능할 것이다.
이들 조건을 부합하기 위한 한 가지 가능한 방법은 계속해서 수동으로 시각적인 검사를 수행하는 것인데, 이것은 극도로 복잡하며 적어도 프로세스의 처음 몇 시간 동안 수행되어야 한다.
이를 위해 실리콘 증착 반응기 내에 하나 이상의 관측창이 위치되어, 수동적인 관측과 개인적인 추정에 의해 대략적인 값으로 관찰이 가능하다. 이것은 항상 실시되어야 하며, 물론, 재생산가능한 충분히 신뢰할만한 결과에 이르지는 못 한다. 이것은 공칭 온도가 간단히 초과되는 결정적인 결과가 초래되기 때문이다.
본 발명의 목적은 전체 증착 프로세스에 걸쳐 두께 성장과 온도를 충분히 정확하게 연속적으로 측정하기 위해 실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장을 측정하기 위한 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
이러한 본 발명의 목적은 온도 측정을 위해 제공되는 무접촉 작동식 온도 측정 장치가 관측창의 전방에 상기 실리콘 증착 반응기 외부에 배치되며, 온도 측정 장치는 회전 드라이브에 의해 피봇 축선을 중심으로 수평으로 피봇 이동가능하고, 피봇 축선이 실리콘 로드의 종축선과 평행하게 뻗어 있고, 온도 측정 장치의 중심 축선이 상기 피봇 축선을 통해 뻗어 있다는 점에서 달성된다. 실리콘 로드로부터 발현되는 열 방사가 이 프로세스 동안 측정된다.
본 발명의 일 개량예에서, 상기 피봇 축선은 상기 관측창의 전방에 상기 실리콘 증착 반응기의 반응기 벽 외부에 배치된다.
본 발명의 일 변형예에서, 상기 피봇 축선은 상기 관측창 뒤에 상기 실리콘 증착 반응기 내부에 배치되어, 실리콘 증착 반응기 내에서 보다 넓은 피봇이동 범위를 기록할 수 있다.
또한, 상기 관측창은 액체 냉각물이 제공됨으로써 냉각된다. 이에 기인한 온도 측정의 오차는 순전히 계산에 의해 보정될 수 있다.
하나의 특별한 개선예에서, 상기 온도 측정 장치와 상기 관측창 사이에, 또는 적어도 온도 측정 장치의 전방에 회전식 편광 필터가 배치된다. 이로써, 실리콘 증착 반응기의 내벽 상의 상(reflections)을 가리거나(masking out) 최소화할 수 있다. 이는 부정확한 측정이 방지되어 측정 정확성을 향상시킨다.
본 발명의 추가의 개선에서, 상기 온도 측정 장치는 고온계이며, 상기 고온계의 데이터는 다른 프로세싱을 위해 저장되어 모니터 상에 표시되고, 상기 모니터 상에 표시되는 데이터 상에는 보다 양호한 배향을 위해 그리드(grid)가 겹쳐 있다.
상기 온도 측정 장치는 피봇 이동가능하거나 고정식일 수도 있는 열 이미지 카메라일 수도 있으며, 측정 데이타, 즉 일정 시간에 걸친 온도 프로파일 및 일정 각도에 걸친 온도 프로파일 모든 경우에 전자적으로 평가된다.
또한, 상기 온도 측정 장치는 상기 피봇 축선을 위치시키도록 사이트 글래스(sight glass) 후방으로 회전 드라이브에 연결되며, 상기 사이트 글래스 아래에 상기 회전 드라이브가 위치되고, 상기 사이트 글래스는 상기 반응기 벽 상에 위치되는 관형 연결 터브 내에 배치된다.
본 발명에 따른 장치는 증착 반응기 또는 다른 열 코팅 프로세스에 유리하게 사용될 수 있다.
본 발명의 목적은 실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장 측정 방법에 의해 달성되는, 이 방법은,
상기 실리콘 증착 반응기 내에 얇은 실리콘 로드를 배치시키고, 상기 실리콘 증착 반응기 내의 산소를 제거하며, 전기 회로 내에 상기 얇은 실리콘 로드를 통합함으로써 증착 프로세스를 개시하고, 트리클로로실란을 도입하는 단계와;
상기 실리콘 증착 반응기 외부에 위치되는 온도 측정 장치에 의해 상기 얇은 실리콘 로드를 스캐닝하고, 상기 얇은 실리콘 로드 중 하나를 선택하여 상기 선택된 얇은 실리콘 로드 상에 온도 측정 장치를 초점을 맞추는 단계와;
일정 시간에 걸쳐 플로팅되는 온도 곡선을 기록하고, 갑작스러운 밝은/어두운 변화가 확인될 때 까지 상기 온도 측정 장치를 수평으로 피봇 이동시키고 추가의 갑작스러운 밝은/어두운 변화가 확인될 때 까지 반대 피봇 이동 방향으로 상기 온도 측정 장치를 피봇 이동시킴으로써 상기 두께 성장을 동시적에 측정하는 단계와;
상기 피봇 축선과 상기 실리콘 로드 사이의 거리와 상기 피봇각으로부터 상기 코팅된 얇은 실리콘 로드의 직경을 계산하는 단계와;
미리정해진 간격으로 상기 두께 성장의 측정을 반복하고, 상기 코팅된 얇은 실리콘 로드가 미리정해진 두께에 도달한 후 상기 증착 프로세스를 종료하는 단계를 포함한다.
이 경우, 상기 간격은 제로(0)일 수 있는데, 즉 어떠한 중단없이 측정이 수행될 수 있거나 이들 측정이 개별 값을 취할 수 있어서, 정해진 간격으로 측정이 수행될 수 있게 한다.
전기 회로 내에 통합된 후에, 관측창에 가장 근접하게 위치되는 얇은 실리콘 로드가 바람직하게 선택된다.
본 발명의 하나의 특정한 개선예에서, 스캐닝 프로세스의 개시 이전에 실리콘 증착 반응기의 내벽에 존재할 수 있는 임의의 상(reflections)이 편광 필터에 의해 가려지며(masking out), 이러한 편광 필터는 상이 사라질 때 까지 또는 적어도 감소될 때 까지 회전된다.
본 발명에 따른 장치는 열 의존 층 성장(thermally dependent layer growth)을 갖는 증착 반응기에 대해 유리하게 사용될 수 있다.
본 발명의 다른 장점은 코팅 프로세스가 자동 온도 검출 및 두께 측정으로 개시되어 수행될 수 있어서 프로세스가 중단되게 되는 과온도를 방지할 수 있다는 점이다. 또한, 이로 인해 최적이 아닌 층 증착을 야기하는 지나치게 낮은 온도를 방지할 수 있다.
또한, 코팅 프로세스는 실리콘 로드가 공칭 두께에 도달할 때 종료될 수 있다는 점에서 최적화된다. 또한, 균일한 두께 성장에 대해, 실리콘 로드의 두께가 증가함에 따라 대응하여 추가의 트리클로로실란이 공급되어야 하기 때문에, 가스 프로세스가 형성되는 로드 직경에 의해 자동으로 제어될 수 있다는 점에서 매체(media)의 사용이 최적화된다.
본 발명에 따른 장치에 의해, 어떠한 문제 없이 일정 시간에 걸쳐 증착 두께 및 층 두께 증가를 결정할 수 있어서 실리콘 로드의 외부 환경에 대한 상당한 갑작스러운 온도 변화를 이용하여 정밀성을 갖게 된다.
아래에, 예시적인 일 실시예에 관하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
도 1은 실리콘 로드의 온도 측정을 위한 본 발명에 따른 장치의 개략적인 평면도이며,
도 2는 온도 측정 장치의 피벗 축선이 사이트 글래스 뒤에 위치하는, 도 1에 도시된 장치의 변형예의 개략적인 평면도이고,
도 3은 편광 필터가 추가된, 도 2에 도시된 변형예의 개략적인 평면도이다.
도 1에 따르면, 반응기 벽(3) 내의 관측창(viewing window; 2)을 통한 실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드(silicon rod; 1)의 온도 측정 장치는 피벗 축선(pivoting axis; 5)을 중심으로 피벗 운동(pivoting)할 수 있는 무접촉 작동식 온도 측정 장치(4)를 포함한다. 피벗 축선(5)은 실리콘 로드(1)의 종축선(6)과 평행하게 뻗어 있다. 또한, 온도 측정 장치(4)의 종축선(6)은 피 벗축선(5)을 통해 뻗어 있다.
도 1은 2가지 상태, 구체적으로 얇은 실리콘 로드(1a)와 프로세스의 종료 후의 실리콘 로드(1b)로 실리콘 로드(1)를 보여준다.
도 1에 도시된 변형예에서, 피벗 축선(5)은 관측창(2)의 전방에서 실리콘 증착 반응기의 반응기 벽(3)의 외부에 위치되며, 이 관측창(2)은 반응기 벽(3)에서 돌출하는 관형 연결 스터브(stub; 8) 내에 수용된다.
온도 측정 장치(4)의 피벗운동 구동을 위해 회전 드라이브(9) 형태의 모터 조정부가 제공된다.
본 발명에 따른 장치에 의해, 온도 및 두께 성장을 정밀하게 결정하기 위해 증착 프로세스 동안 간단한 방법으로 영구적으로 또는 시간 간격으로 실리콘 로드(1)가 스캐닝될 수 있다. 실리콘 로드(1)의 폭에 걸친 스캐닝이 가능하므로, 실리콘 로드(1)의 측면 에지(edge)에서의 갑작스러운 온도 변화에 따른 증착 프로세스 동안의 실리콘 로드(1)의 두께 성장이 연속적으로 체크될 수 있다.
또한, 균일한 두께 성장으로 실리콘 로드의 두께가 증가함에 따라 대응하여 추가의 트리클로로실란이 공급되어야 하므로, 생성된 실리콘 로드 직경에 가스 프로세스가 자동으로 맞추어질 수 있다는 점에서, 본 발명에 의해 매체의 사용을 최적화할 수 있다. 따라서, 이 가스 프로세스는 최소로 필요한 양의 트리클로로실란으로 시작될 수 있으며, 이 경우, 최소로 필요한 양은 실리콘 로드의 증가된 직경에 맞추어질 수 있다.
생성된 두께는 피봇 축선(5)과 실리콘 로드(1) 사이의 거리와 결정된 피봇각(pivoting angle)으로 계산될 수 있다.
도 2는 본 발명의 변형예의 개략적인 평면도이며, 피봇 축선(5)이 관측창(2) 뒤, 즉 실리콘 증착 반응기 내부에 위치되어 보다 큰 피봇각을 이루는 것이 가능하다.
사이트 글래스 뒤에 피봇 축선(5)을 위치시키기 위해, 온도 측정 장치(4)는 사이트 글래스 아래에 위치되는 회전 드라이브(9)에 연결된다.
측정 데이터가 저장되어 모니터 상에 표시될 수 있는 고온계가 특히 온도 측정 장치(4)로서 사용하기에 적합하며, 표시된 데이터와 제한값을 보다 잘 도해하기 위해 그리드(grid)가 그 위에 겹쳐 놓여질 수 있다.
고온계 대신, 열 이미지 카메라가 사용될 수도 있는데, 이 열 이미지 카메라는 적절하게 프로그래밍된다면 고정되도록 배치될 수도 있다.
또한, 고온계와 관측창(2) 사이에는 회전식 편광 필터(2.1)가 배치될 수 있어서, 실리콘 증착 반응기의 내벽 상의 교란 상(disturbing reflection)이 사라지거나 최소화될 때 까지 편광 필터(2.1)를 적절하게 회전시킴으로써 교란 상을 가릴 수 있거나, 또는 교란 상을 적어도 최소화할 수 있다(도 3). 이로써 특히 높은 측정 정확성을 달성할 수 있다.
본 발명에 따른 장치에 의해 실리콘 증착 반응기 내의 얇은 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장을 자동으로 측정하는 방법이 구현된다.
이를 위해, 무엇보다도 실리콘 증착 반응기 내에 얇은 실리콘 로드(1.1)가 배치되며, 실리콘 증착 반응기에서 산소가 제거된다. 이 후, 전기 회로에 얇은 실리콘 로드(1.1)를 통합하고 트리클로로실란을 도입함으로써 증착 프로세스가 개시될 수 있다. 얇은 실리콘 로드(1.1)는 약 1100℃의 온도, 즉 증착 온도까지 전기적으로 가열된다.
이 후, 실리콘 증착 반응기 외부에 위치되는 예컨대 고온계와 같은 온도 측정 장치(4)에 의해 얇은 실리콘 로드(1.1)가 스캐닝되고, 얇은 실리콘 로드(1.1) 중 하나가 선택되며, 이러한 얇은 실리콘 로드(1.1) 상에 고온계가 초점이 맞추어진다.
그리고 나서, 일정 시간에 걸쳐 온도 곡선이 기록되고, 갑작스러운 밝은/어두운 변화가 확인될 때 까지 온도 측정 장치(4)를 수평으로 피봇 이동시킴으로써, 그리고 추가의 갑작스러운 밝은/어두운 변화가 확인될 때 까지 반대 피봇 이동 방향으로 온도 측정 장치(4)를 피봇 이동시킴으로써, 얇은 실리콘 로드(1.1)의 두께 성장의 동시적 또는 연속적인 측정이 수행된다. 이 후, 피봇 축선과 실리콘 로드 사이의 거리와 측정된 피봇각으로부터 코팅된 얇은 실리콘 로드(1.1)의 직경이 용이하게 계산될 수 있다.
측정 프로세스의 정확도를 향상시키기 위해, 스캐닝 프로세스의 개시 이전에 실리콘 증착 반응기의 내벽 상의 상(reflections)이 가려져야 하며, 이것은 상이 사라지거나 적어도 감소될 때 까지 편광 필터를 회전시킴으로써 편광 필터에 의해 수행될 수 있다.
균일한 시간 간격 또는 연속적으로 두께 성장이 측정되어, 코팅된 얇은 실리콘 로드(1.2)가 소정의 두께에 일단 도달하면 실리콘 증착 프로세스가 종료된다.
원리 상, 물론, 시간에 맞춰 시차를 두고 복수의 얇은 실리콘 로드(1.1)를 측정할 수도 있다.
이러한 방법은 한편으로는 임계 온도가 결코 초과되지 않음을 보장하며, 다른 한편으로는 실리콘 로드가 공칭 두께에 도달할 때 증착 프로세스를 중지하는 성능에 의해 증착 프로세스를 최적화함을 보장한다.
원리 상, 바람직하게 관측창 뒤에 위치되는 회전 축선을 중심으로 온도 측정 장치(4)를 피봇 이동할 수도 있다. 이로써, 온도 측정 장치(4)를 다소 아래로 또는 위로 피봇 이동시킴으로써 대향하는 반응기 벽으로부터 상을 가릴 수 있다.
1: 실리콘 로드
1.1: 얇은 실리콘 로드
1.2: 증착 종료 후의 실리콘 로드
2: 관측창
2.1: 편광 필터
3: 반응기 벽
4: 온도 측정 장치
5: 피봇 축선
6: 종축선
7: 회전각
8: 관형 연결 스터브
9: 회전 장치

Claims (17)

  1. 관측창을 통한 실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장의 측정 장치에 있어서,
    상기 온도 측정을 위해 제공되는 무접촉 작동식 온도 측정 장치(4)가 관측창(2)의 전방에 상기 실리콘 증착 반응기 외부에 배치되며,
    상기 온도 측정 장치(4)는 회전 드라이브(9)에 의해 피봇 축선(5)을 중심으로 수평으로 피봇 이동가능하고,
    상기 피봇 축선(5)이 상기 실리콘 로드(1)의 종축선과 평행하게 뻗어 있고, 상기 온도 측정 장치의 중심 축선(6)이 상기 피봇 축선(5)을 통해 뻗어 있는 것을 특징으로 하는,
    관측창을 통한 실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장 측정 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 피봇 축선(5)은 상기 관측창(2)의 전방에 상기 실리콘 증착 반응기의 반응기 벽(3) 외부에 배치되는 것을 특징으로 하는,
    실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장 측정 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 피봇 축선(5)은 상기 관측창(2) 뒤에 상기 실리콘 증착 반응기 내부에 배치되는 것을 특징으로 하는,
    실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장 측정 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 관측창(2)이 냉각되는 것을 특징으로 하는,
    실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장 측정 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 관측창(2)에 액체 냉각물이 제공되는 것을 특징으로 하는,
    실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장 측정 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 온도 측정 장치(4)와 상기 관측창(2) 사이에 회전식 편광 필터(2.1)가 배치되는 것을 특징으로 하는,
    실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장 측정 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 온도 측정 장치(4)가 고온계인 것을 특징으로 하는,
    실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장 측정 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 고온계의 측정치가 메모리로 저장되어 모니터 상에 표시되는 것을 특징으로 하는,
    실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장 측정 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 모니터 상에 표시되는 데이터 상에 그리드가 겹쳐 있는 것을 특징으로 하는,
    실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장 측정 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 온도 측정 장치(4)이 열 이미지 카메라인 것을 특징으로 하는,
    실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장 측정 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 열 이미지 카메라가 고정식인 것을 특징으로 하는,
    실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장 측정 장치.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 온도 측정 장치(4)는 상기 피봇 축선(5)을 위치시키도록 사이트 글래스(2) 후방으로 회전 드라이브(9)에 연결되며, 상기 사이트 글래스(2) 아래에 상기 회전 드라이브(9)가 위치되고, 상기 사이트 글래스(2)는 상기 반응기 벽(3) 상에 위치되는 관형 연결 터브(8) 내에 배치되는 것을 특징으로 하는,
    실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장 측정 장치.
  13. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장 측정 장치가 증착 반응기 또는 다른 열 코팅 프로세스에 사용되는 것을 특징으로 하는,
    실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장 측정 장치.
  14. 실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장 측정 방법에 있어서,
    상기 실리콘 증착 반응기 내에 얇은 실리콘 로드를 배치시키고, 상기 실리콘 증착 반응기 내의 산소를 제거하며, 전기 회로 내에 상기 얇은 실리콘 로드(1.1)를 통합함으로써 증착 프로세스를 개시하고, 트리클로로실란을 도입하는 단계와;
    상기 실리콘 증착 반응기 외부에 위치되는 온도 측정 장치(4)에 의해 상기 얇은 실리콘 로드(1.1)를 스캐닝하고, 상기 얇은 실리콘 로드(1.1) 중 하나를 선택하여 상기 선택된 얇은 실리콘 로드(1.1) 상에 온도 측정 장치를 초점을 맞추는 단계와;
    일정 시간에 걸쳐 플로팅되는 온도 곡선을 기록하고, 갑작스러운 밝은/어두운 변화가 확인될 때 까지 상기 온도 측정 장치(4)를 수평으로 피봇 이동시키고 추가의 갑작스러운 밝은/어두운 변화가 확인될 때 까지 반대 피봇 이동 방향으로 상기 온도 측정 장치(4)를 피봇 이동시킴으로써 상기 두께 성장을 동시적에 측정하는 단계와;
    상기 피봇 축선(5)과 상기 실리콘 로드(1) 사이의 거리와 상기 피봇각으로부터 상기 코팅된 얇은 실리콘 로드의 직경을 계산하는 단계와;
    미리정해진 간격으로 상기 두께 성장의 측정을 반복하고, 상기 코팅된 얇은 실리콘 로드(1.2)가 미리정해진 두께에 도달한 후 상기 증착 프로세스를 종료하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장 측정 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 간격이 제로(0) 이상인 것을 특징으로 하는,
    실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장 측정 방법.
  16. 제 14 항 및 제 15 항에 있어서,
    시간에 맞춰 시차를 두고 복수의 얇은 실리콘 로드(1.1)가 선택되어 측정되는 것을 특징으로 하는,
    실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장 측정 방법.
  17. 제 14 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스캐닝하는 단계 이전에 상기 실리콘 증착 반응기의 내벽 상의 상(reflections)이 편광 필터에 의해 가려지는 것을 특징으로 하는,
    실리콘 증착 반응기 내의 실리콘 로드의 온도 및 두께 성장 측정 방법.
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