JP6256284B2 - 遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法及びシリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
L1={(A−A’)/(B−B’)}×L2 ・・・ 式(1)
で求めることができる。
L1’=(A−A’)/(B−B’)×L2’ ・・・ 式(1)’
で求められることを意味している。
図2に示すシリコン単結晶製造装置30を用い、まず遮熱部材11の下端に基準反射体14を取り付けた。基準反射体14には、先端に白色石英を貼り付けた透明石英棒を使用した。次に、図1の(a)と同様に、引き上げチャンバー2に、高さ方向の位置変更が可能な鏡製の仮想原料融液面22を持ち、該仮想原料融液面22から遮熱部材11の下端面までの距離を測定するデプスゲージ23を備えた治具21を取り付けた。
L1=4×L2
で表される。従って、例えば、実際のシリコン単結晶引き上げ時の遮熱部材11の下端面と原料融液面との間の距離L1’を30mmに設定するには、定点測定機で測定した基準反射体14と原料融液面に反射した基準反射体14の鏡像との間の距離L2’を7.5mmに設定して制御すれば良いと算出された。
図4に示すシリコン単結晶製造装置130を用いたシリコン単結晶の引上げにおいて、従来のDPMの測定方法を使用した。まず、遮熱部材111の下端に突起物119と基準反射体114を取り付けた。図4のシリコン単結晶の製造装置130は、従来のDPMの測定方法を使用するために、図2のシリコン単結晶製造装置30に、突起物119が原料融液104の表面と接触したことを電気的に感知する実測機120と、シリコン単結晶製造装置の遮熱部材111から突起部119及び原料融液104及びルツボ軸112を経て実測機120に至る電気回路を構成する部分を他の部分と絶縁するための改造をシリコン単結晶の製造装置のチャンバーに行ったものである。なお、基準反射体114としては、先端に白色石英を貼り付けた透明石英棒を使用した。また突起物119には、シリコン単結晶を円錐状に切り出し、表面を鏡面状にエッチング・洗浄処理したものを使用した。また、突起物119は、シリコン単結晶103を引き上げ中の遮熱部材111の下端面と原料融液面との間の設定距離よりも短く、かつ基準反射体114よりも長く設定してあり、該突起物119の遮熱部材111の下端面から突き出した部分の長さを実測した結果、20mmであった。
4…原料融液、 5…石英ルツボ、 6…黒鉛ルツボ、
7…ヒーター、 8…断熱材、 9…種結晶、
10…ガス整流筒、 11…遮熱部材、 12…ルツボ軸、
13…磁石、 14…基準反射体、 15…定点測定機、
16…測定演算装置、 17…ルツボ位置の制御装置、 18…引き上げワイヤー、
21…治具、 22…仮想原料融液面、 23…デプスゲージ、
24…定点測定機で得られる基準反射体の実像の画像、
25…定点測定機で得られる基準反射体の鏡像の画像、
30…シリコン単結晶製造装置
A…遮熱部材下端面と仮想原料融液面の実測距離、
A’…仮想原料融液面の高さ変更後の遮熱部材下端面と仮想原料融液面の実測距離、
B…基準反射体の実像と鏡像の距離、
B’…仮想原料融液面の高さ変更後の基準反射体の実像と鏡像の距離
Claims (6)
- チョクラルスキー法によりルツボ内の原料融液からシリコン単結晶を引き上げる際に、原料融液面上方に位置する遮熱部材の下端に基準反射体を設け、前記遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離を測定する方法であって、
前記シリコン単結晶の引上げを開始する前に、前記基準反射体の鏡像を映すことができる仮想原料融液面を備えた治具を該仮想原料融液面が前記遮熱部材の下方に位置するように設け、
前記仮想原料融液面に映る前記基準反射体の鏡像の位置を定点測定機で測定し、該測定した前記基準反射体の鏡像の位置から、前記基準反射体の鏡像と前記基準反射体との間の距離を算出し、
該基準反射体の鏡像と前記基準反射体との間の距離と、前記遮熱部材下端面と前記仮想原料融液面との間の距離との関係を求めておき、
前記シリコン単結晶の引上げ中の前記遮熱部材下端面と前記原料融液面との間の距離の測定において、前記定点測定機で、前記原料融液面に映る前記基準反射体の鏡像の位置を測定し、
前記求めておいた該基準反射体の鏡像と前記基準反射体との間の距離と前記遮熱部材下端面と前記仮想原料融液面との間の距離との関係に基づいて、前記原料融液面に映る前記基準反射体の鏡像の位置から、前記遮熱部材下端面と前記原料融液面との間の距離を算出することを特徴とする遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法。 - 前記仮想原料融液面を備えた治具として、前記仮想原料融液面と前記遮熱部材下端面との間の距離を測定するための測定器を備えるものを用い、該測定器により前記遮熱部材下端面と前記仮想原料融液面との間の距離を実測することを特徴とする請求項1に記載の遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法。
- 前記仮想原料融液面として、鏡を使用することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法。
- 前記基準反射体として、高純度の石英、シリコン、及び炭素のいずれかからなるものを使用することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法。
- 前記基準反射体の鏡像と前記基準反射体との間の距離と前記遮熱部材下端面と前記仮想原料融液面との間の距離との関係は、異なる2水準の高さの前記仮想原料融液面において、前記基準反射体の鏡像の位置を測定することによって求めることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法。
- 請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の方法により測定された前記遮熱部材下端面と前記原料融液面との間の距離に基づいて、前記遮熱部材下端面と前記原料融液面との間の距離を制御しながら、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
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