JP5577873B2 - 遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法、遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の制御方法、シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
しかしながら、従来までの方法では、DPMを精度よく所定の距離になるように制御することは困難であった。
さらに、特許文献4には、基準反射体の鏡像の安定性を得るためにルツボ回転による原料融液の湾曲を考慮する方法が示されている。
また、特許文献5では、磁場を印加することで反射像が明瞭に写るようにして位置誤検知を改善する方法が示されている。
そして、基準反射体と融液面との相対距離の測定結果が不正確であると、融液面と遮熱部材との間隔を精度よく所定の間隔になるように制御することができない。その結果、所望品質のシリコン単結晶を生産性良く製造できなくなる。
尚、ここで、本発明における「基準反射体」とは、原料融液面に鏡像を反射させるものであり、この鏡像を観測することで、遮熱部材下端面と原料融液面との距離を算出し、原料融液面の位置を制御できる。
前述のように、従来、CZ炉内に基準反射体を配置し、該基準反射体の実像と融液面に反射した基準反射体の鏡像の相対距離を測定することにより、基準反射体と融液面の距離を測定することが行われている。この測定は、基準反射体の実像と基準反射体の鏡像の画像を光学式カメラなどの検出手段で捉え、該捉えた基準反射体の実像と鏡像の明暗を、一定の閾値(2値化レベルの閾値)を決めて2つの出力値に量子化(2値化処理)することにより行われている。
その結果、遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離をより安定してより正確に測定するためには、シリコン単結晶の引き上げを、磁場を印加しながら行い、かつ、湯飛び等の外乱による2値化処理による検出値の変動を抑制するために、基準反射体の周囲に凹部を設け、基準反射体とその背景部の陰影を明瞭化すれば良いことに想到し、本発明を完成させた。
図1は、本発明の遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法を説明する図であり、図1(a)は原料融液面の移動と各部材の位置関係を示す図、図1(b)は定点観測機で得られる画像の概略図である。また、図2は、本発明の遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法で、シリコン単結晶を引き上げる際に用いる単結晶製造装置の概略図である。
さらに、シリコン単結晶3の引き上げを、磁場を印加しながら行うことにより、原料融液2の対流が抑制され、原料融液2の表面の波立ちが抑えられるため、シリコン単結晶引き上げ中でも融液面が鏡面状となり、基準反射体5の鏡像を観測し易くなる。さらに、凹状の遮熱部材下端面として、その内側に基板反射体を配置することで、反射体とそうでない位置の明暗が従来に比べて明確になり、さながら誤検出抑制機構のごとく働き、基準反射体5とその背景部の陰影が明瞭となり、2値化処理による検出値の変動が抑制されるため、遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離をより安定して正確に測定することができる。
このように、基準反射体5の下端部を、遮熱部材4の下端面よりも高い位置に配置することにより、外部への基準反射体5の突出部分をなくし、遮熱部材4の取り付け・取り外しなどのハンドリング時に基準反射体と外部が接触することを防ぐことができるため、基準反射体5の破損防止効果が得られる。
同様に、石英製の筒状管を用いて原料を追加する際の原料衝突による破損も抑制する事ができる。さらに、ルツボ1を上昇させるなどの操作中に、誤って基準反射体5に原料融液2が付着する恐れがない。なお、このような配置は凹状の誤検出抑制機構があって初めて可能であり、凹状の誤検出抑制機構がない場合には、基準反射体先端が遮熱部材下端面の影にかかってしまい、2値化により反射体先端を定点観測することができない。
これに対し、凹状の誤検出抑制機構部は、凹部4bに湯飛びを生じても重力により凹部4bから下方に湯飛びが垂れて除去されるため、遮熱部材4の使用時間が長い場合においても凹部4bに湯飛びは残らず、常に鏡像の視認性を高く保つことができ、鏡像の観測がより安定かつ正確となるため、高純度で、高品質のシリコン単結晶3を安定して育成することができる。
図3のように種結晶7を使用して、遮熱部材4の下端面と原料融液2の表面との間の距離Aを実測する場合について説明する。原料融液2の上方に配置されてある基準位置検出器8で、シリコン単結晶3を成長させるための種結晶7の下端を検出し、その位置を基準位置とし、その後、種結晶7の下端の高さ位置を、基準反射体5の下端と原料融液2の表面との間の高さ位置まで下降させる。このとき、種結晶7の下端は、後にルツボ1を上昇させ原料融液2と接触させた時に原料融液面の位置が所望のDPMとなる位置で停止させる。そして、ルツボ1を上昇させて種結晶7の下端と原料融液2を接触させる。この接触位置から基準位置の距離と、予め距離のわかっている遮熱部材下端面から基準位置の距離によって遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離Aを実測することができる。
B=2Csinθ
となり、定点観測機6によって得られた鏡像の移動距離Bから原料融液の移動距離Cを求めることができ、鏡像がR2の位置にあるときのDPMは、実測値Aに原料融液の移動距離Cを加えて求めることができる。
このとき、θ≧30°であれば、C≦Bとなるので、原料融液の微妙な移動を鏡像の移動により大きく拡大して測定することができる。
シリコン単結晶の製造装置として、図2のシリコン単結晶の製造装置20を用いた。まず、遮熱部材4は使用時間が長い湯飛びが付着したものを使用し、遮熱部材下端面4aに凹部4bを設け、その内側に基準反射体5を配置した。基準反射体5は、硬い透明石英棒の先端に白色の石英を貼り付けたものを使用した。そして、先ず、口径800mmの石英ルツボ1a(直径300mmのシリコン単結晶引き上げ用)にシリコン多結晶原料を340kg充填した。そして、シリコン多結晶原料をヒーター14で溶解後、磁石19により、中心磁場強度が4000Gの水平磁場を印加した。
上記のような設定が済んだ状態でシリコン単結晶3の引き上げを行い、DPMを測定した。また、このときDPMの制御は行わなかった。
実施例1で使用した遮熱部材4に設けた凹状の誤検出抑制機構部4bをなくし、長時間使用した以外は実施例1と同じ条件で、シリコン単結晶の引き上げを行い、DPMを測定した。
尚、比較例1のDPM測定方法で用いた遮熱部材及び基準反射体の概略図を図4(a)に、実施例1のDPM測定方法で用いた誤検出抑制機構を備えた遮熱部材及び基準反射体の概略図を図4(b)に示す。
尚、比較例1と実施例1のDPM測定値を図5に示す。図5に示されるように、比較例1ではDPMが非常に暴れたのに対し、実施例1では安定していた。
DPMの制御をすること以外は実施例1と同じ条件で、シリコン単結晶3の引き上げを行った。先に述べたように、引き上げたシリコン単結晶に無欠陥結晶領域が多くできるようにするためには、結晶製造中に随時DPMを変化させることが好ましい。そこで、実施例1と同条件で、最も好ましいと思われるパターンにDPMがなるようにルツボ位置制御装置16によりルツボ位置を制御してシリコン単結晶3を引き上げた。
DPMの制御をすること以外は比較例1と同じ条件で、シリコン単結晶3の引き上げを行った。先に述べたように、引き上げたシリコン単結晶に無欠陥結晶領域が多くできるようにするためには、結晶製造中に随時DPMを変化させることが好ましい。そこで、比較例1と同条件で、最も好ましいと思われるパターンにDPMがなるようにルツボ位置制御装置16によりルツボ位置を制御してシリコン単結晶3を引き上げた。
新品の遮熱部材を使用する以外は実施例1と同じ条件で、シリコン単結晶3の引き上げを行い、DPMを測定した。
新品の遮熱部材を使用する以外は比較例1と同じ条件で、シリコン単結晶3の引き上げを行い、DPMを測定した。
Claims (5)
- チョクラルスキー法によりルツボ内の原料融液に磁場を印加しながらシリコン単結晶を引き上げる際に、原料融液面上方に位置する遮熱部材に基準反射体を備え、遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離を測定する方法であって、
前記基準反射体を、前記遮熱部材下端面に設けられた凹部の内側に備え、
前記遮熱部材下端面と前記原料融液面との間の距離を実測し、前記基準反射体の前記原料融液面に反射した鏡像の位置を定点観測機で観測した後、
前記シリコン単結晶引き上げ中に、前記鏡像の移動距離を前記定点観測機で測定し、前記実測値と前記鏡像の移動距離から遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離を算出する遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法であり、
前記基準反射体下端部を、前記遮熱部材下端面よりも高い位置に配置し、
前記遮熱部材下端面と前記原料融液面との間の距離を実測する際、前記原料融液の上方に配置されてある基準位置検出器で、前記シリコン単結晶を成長させるための種結晶の下端を検出して基準位置とし、その後、前記種結晶の下端を、前記基準反射体下端と前記原料融液面との間に下降させ、前記ルツボを上昇させて前記種結晶下端と前記原料融液面を接触させて、該接触位置から前記基準位置の距離と前記遮熱部材下端面から前記基準位置の距離によって前記遮熱部材下端面と前記原料融液面との間の距離を実測することを特徴とする遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法。 - 前記基準反射体として、高純度の白色石英、又は、高純度透明石英を白色化したものを使用することを特徴とする請求項1に記載の遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法。
- 前記印加する磁場の中心磁場強度を、300G〜7000Gの水平磁場とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法により測定した遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離を、前記シリコン単結晶の引き上げ中にフィードバックし、前記遮熱部材下端面と前記原料融液面との間の距離が設定値となるように前記ルツボ又は前記遮熱部材を移動させることを特徴とする遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の制御方法。
- 請求項4に記載の遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の制御方法により、前記遮熱部材下端面と前記原料融液面との距離を制御し、シリコン単結晶を製造することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220167762A (ko) | 2021-06-14 | 2022-12-21 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 단결정 인상장치 |
US12000060B2 (en) | 2019-04-29 | 2024-06-04 | Zing Semiconductor Corporation | Semiconductor crystal growth method and device |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101516586B1 (ko) * | 2013-09-16 | 2015-05-04 | 주식회사 엘지실트론 | 열차폐재 및 이를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳 제조장치 |
JP6256284B2 (ja) * | 2014-10-08 | 2018-01-10 | 信越半導体株式会社 | 遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法及びシリコン単結晶の製造方法 |
JPWO2016059788A1 (ja) * | 2014-10-17 | 2017-06-29 | 新日鐵住金株式会社 | SiC単結晶の製造方法及びSiC単結晶の製造装置 |
JP6465008B2 (ja) * | 2015-12-07 | 2019-02-06 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法 |
JP6812931B2 (ja) * | 2017-09-06 | 2021-01-13 | 株式会社Sumco | 液面レベル検出装置の調整用治具および調整方法 |
CN111926379A (zh) * | 2020-07-01 | 2020-11-13 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种热屏障装置及熔炼炉 |
JP7342822B2 (ja) * | 2020-09-03 | 2023-09-12 | 株式会社Sumco | 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 |
CN112323141A (zh) * | 2020-11-03 | 2021-02-05 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 单晶生长方法及单晶生长设备 |
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Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2521007B2 (ja) | 1992-06-30 | 1996-07-31 | 九州電子金属株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
DE4231162C2 (de) | 1992-09-17 | 1996-03-14 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Regelung der Schmelzenhöhe während des Ziehens von Einkristallen |
IT1280041B1 (it) | 1993-12-16 | 1997-12-29 | Wacker Chemitronic | Procedimento per il tiraggio di un monocristallo di silicio |
TW546423B (en) * | 2000-05-01 | 2003-08-11 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | Method and apparatus for measuring melt level |
JP2001342097A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-11 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | シリコン単結晶引上げ装置及び引上げ方法 |
JP3528758B2 (ja) | 2000-05-31 | 2004-05-24 | 三菱住友シリコン株式会社 | 単結晶引き上げ装置 |
JP2006045007A (ja) | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | シリコン単結晶の品質評価方法 |
JP2006256898A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Sumco Corp | シリコン単結晶引上装置 |
JP4929817B2 (ja) * | 2006-04-25 | 2012-05-09 | 信越半導体株式会社 | 基準反射体と融液面との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びにシリコン単結晶の製造装置 |
JP5167651B2 (ja) | 2007-02-08 | 2013-03-21 | 信越半導体株式会社 | 遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法、及びその距離の制御方法 |
JP5181178B2 (ja) | 2007-09-12 | 2013-04-10 | Sumco Techxiv株式会社 | 半導体単結晶製造装置における位置計測装置および位置計測方法 |
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Cited By (2)
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