JP2016121071A - 単結晶引き上げ方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1に示す構成による単結晶引き上げ装置10を用いて、直径300mmφのシリコン単結晶の引き上げを行った。引き上げには直径800mmの石英ルツボを用い、これに多結晶シリコン330kgを装填した。
引き上げ開始から融液の残量が220kgに達するまでの第1の期間での参照値の係数を0.75とし、残量が220kg以下となる第2の期間での参照値の係数を0.9とした点以外は実施例1と同一条件下でシリコン単結晶の引き上げを行った。図9に融液の液面位置の測定結果を示す。
2 単結晶
3 融液の液面
3m メニスカス部
4 フュージョンリング
10 単結晶引き上げ装置
11 チャンバ
11a 覗き窓
12 ルツボ
13 石英ルツボ
14 グラファイトサセプタ
15 ヒータ
16 熱遮蔽体
18 CCDカメラ
20 断熱材
21 シャフト
22 シャフト駆動機構
23 シードチャック
24 ワイヤ
25 ワイヤ巻き取り機構
30 制御部
C0 単結晶の中心位置
C1,C1' 測定ラインL1とフュージョンリングとの交点
C2,C2' 測定ラインL2とフュージョンリングとの交点
K1,K2 参照値の係数
L0 基準ライン
L1,L2 測定ライン
r 矢印
TH1,TH2 参照値ライン
ΔG 液面位置(ギャップ)
Claims (5)
- ルツボ内の原料を前記ルツボの周囲に設けられたヒータで加熱して原料融液を生成し、前記融液から単結晶を引き上げるチョクラルスキー法による単結晶引き上げ方法であって、
前記単結晶と前記融液との境界を形成するメニスカス部の画像を撮像し、前記画像の輝度分布に基づき前記メニスカス部に表れるフュージョンリングを検出する工程を含み、
前記フュージョンリングを検出する工程は、
前記ヒータからの光が前記メニスカス部に映り込む第1の期間中に第1の参照値を用いて前記フュージョンリングを検出するステップと、
前記ヒータからの光が前記メニスカス部に映り込まない第2の期間中に前記第1の参照値よりも大きな第2の参照値を用いて前記フュージョンリングを検出するステップとを含むことを特徴とする単結晶引き上げ方法。 - 前記第1の参照値は、前記単結晶の周囲を囲繞するように前記ルツボの上方に配置した筒状の熱遮蔽体の下面からの光が前記メニスカス部に映り込むときの輝度範囲内に設定し、
前記第2の参照値は、前記融液の液面よりも上方に突出する前記ルツボの側壁部からの光が前記メニスカス部に映り込むときの輝度範囲内に設定する、請求項1に記載の単結晶引き上げ方法。 - 前記第1の期間および前記第2の期間中は、前記液面位置よりも上方に突出する前記ルツボの側壁部からの光が前記メニスカス部に映り込むときの検出輝度の最大値に対して前記第1の参照値および前記第2の参照値を設定する、請求項2に記載の単結晶引き上げ方法。
- 前記第1の参照値の係数は0.6以上0.8未満であり、
前記第2の参照値の係数は0.8以上0.95以下である、請求項3に記載の単結晶引き上げ方法。 - 前記単結晶の引き上げ中に監視する当該単結晶の長さ、前記ルツボ内の融液の残量および前記ルツボの高さ方向の位置の少なくとも一つの値から前記第1の期間か前記第2の期間かを判断する、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の単結晶引き上げ方法。
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