JP2012516046A - 化学機械的研磨後洗浄用組成物 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims description 20
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims abstract description 9
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N dimethyl sulfoxide Natural products CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 claims description 5
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N (2s)-2,6-diaminohexanoic acid;(2s)-2-hydroxybutanedioic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O.NCCCC[C@H](N)C(O)=O NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N 0.000 claims description 3
- IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N hydrazine monohydrate Substances O.NN IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 claims description 2
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 description 3
- 230000003588 decontaminative effect Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXIPVTKHYLBLMZ-UHFFFAOYSA-N Sodium azide Chemical compound [Na+].[N-]=[N+]=[N-] PXIPVTKHYLBLMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 229940113088 dimethylacetamide Drugs 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- DAWJJMYZJQJLPZ-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(S)=C DAWJJMYZJQJLPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000637 aluminium metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003857 carboxamides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- 229940042400 direct acting antivirals phosphonic acid derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- JUINSXZKUKVTMD-UHFFFAOYSA-N hydrogen azide Chemical compound N=[N+]=[N-] JUINSXZKUKVTMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 150000003007 phosphonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N sulfamic acid Chemical class NS(O)(=O)=O IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/263—Ethers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3281—Heterocyclic compounds
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
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- C11D7/5022—Organic solvents containing oxygen
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
- H01L21/02074—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a planarization of conductive layers
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
本発明は、少なくとも水溶性アミン、水溶性有機溶媒及び脱イオン水を含むCMP後洗浄用の組成物に直接的に関連する。本発明の組成物は、研磨後のウェーハの表面に残留する汚染物質を効果的に除去でき、効果のある時間内に、銅含有半導体ウェーハに接触した後、ウェーハの欠陥数が減少する。
本発明はまた、CMPの後のウェーハ上から残留汚染物質を除去する効果のある時間の持続中に、CMPに用いるウェーハと、少なくとも水溶性アミン、少なくとも水溶性有機溶媒、及び脱イオン水を含む組成物とを接触させる工程を有するCMP後洗浄方法を提供する。
【選択図】図1
本発明はまた、CMPの後のウェーハ上から残留汚染物質を除去する効果のある時間の持続中に、CMPに用いるウェーハと、少なくとも水溶性アミン、少なくとも水溶性有機溶媒、及び脱イオン水を含む組成物とを接触させる工程を有するCMP後洗浄方法を提供する。
【選択図】図1
Description
本発明は、化学機械的研磨(CMP)の後洗浄(PCC)用の組成物に関する。
半導体デバイスは、近年、線のピッチ寸法の減少及び集積密度の増加に向かって進化している。層の数の増加及び集積回路の線のピッチ寸法の減少に伴い、金属ワイヤの固有抵抗及び誘電層の寄生容量によって引き起こされるRC遅延が重大となっている。RC遅延の問題を除去し、信号の伝送速度を増加させるために、銅の金属化(銅ワイヤ)工程が従来のアルミニウム金属化(アルミニウムワイヤ)工程に置き換わりつつある。このように、金属ワイヤの固有抵抗が減少せしめられる。従って、銅の化学機械的研磨(銅CMP)の進化は、銅の加工を用いる発達したサブミクロン単位の半導体プロセスにおいて最も重要な技術となっている。最近の発達した半導体工程では、銅ワイヤ層の数は10となり、この数は、将来に亘って継続的に増加するものと予測されている。このことは、複数のCMP及びCMP後洗浄工程が製造工程に含まれ、これらの数は将来に亘って増加することを指摘している。
銅CMP工程では、ウェーハは銅イオン、CMPスラリー粒子、ウェーハの表面(銅層及び誘導層を含む)に残る銅及びシリカの集合によって汚染される。従って、汚染物質を除去するために、通常、CMP工程の後に洗浄工程が続く。
一般的に、CMP後洗浄はCMP工程の最終工程であり、その後の製造工程を容易にすべくウェーハの表面に清浄性をもたらすことに資する。
歩留まり損失を減らすために、CMP及びCMP後洗浄においては以下のことに留意すべきである。
(1)アゾール型腐食抑制剤が効率的に除去されていること
(2)工程圧力の蓄積が効果的に制御されること
(3)好適なlow−k材料が、CMP工程及びCMP後洗浄の要求に合うように選択されるべきであり、そして、
(4)スクラッチの問題が回避されるべきである。
(1)アゾール型腐食抑制剤が効率的に除去されていること
(2)工程圧力の蓄積が効果的に制御されること
(3)好適なlow−k材料が、CMP工程及びCMP後洗浄の要求に合うように選択されるべきであり、そして、
(4)スクラッチの問題が回避されるべきである。
CMP後洗浄工程に用いられる異なった組成物は、先行技術文献に開示されている。例えば、Wang氏による米国特許第6541434号には、カルボン酸、アミン含有混合物、ホスホン酸、及びCMP後の研磨用残留物だけでなく金属汚染物質を除去した水を含む洗浄用組成物が開示されている。Kneer氏による米国特許第6627546号には、ジカルボン酸及び/またはその塩分、ヒドロキシカルボン酸及び/またはその塩分、またはアミン族含有酸を含むフッ素を含まない水性の組成物が開示されている。アオヤマ氏による米国特許公開2005/0014667号には、フッ素含有混合物(界面活性剤)、水、アミド、エーテル溶媒、アミノスルホン酸、ホスホン酸、及び可溶性ホスホン酸誘導体またはこれらの結合物を含む希釈水溶性除去剤が開示されている。Misra氏による米国特許第7297670号には、洗浄剤、腐食抑制剤、メルカプトプロペン酸を含む組成物が開示されている。アベ氏による米国特許公開2004/0204329号には、特殊なエーテル有機溶媒を含む洗浄用液体組成物が開示されている。この洗浄用液体組成物は、疎水性基板に対して良好な湿潤性を有している。Zhang氏による米国特許7208409号には、CMP後処理に用いられる溶媒が開示されている。この溶媒は、アセチレンジオール誘導体の非イオン界面活性剤を含有している。
CMP後洗浄溶液の汚染除去率は、pH値及びゼータ電位に直接的に関連する。一般的に、低いゼータ電位は、良好な汚染除去率をもたらす。更に、アルカリ性の組成物は低いゼータ電位を有することから、CMP後洗浄組成物として用いることに、より適している。
更に、汚染除去率に加えて、優良なCMP後洗浄溶液は、以下の要求に応えられるものでなければならない。
(1)洗浄溶液は、金属(例えば金属の連結部分としての銅層)または金属窒化物(例えばバリア層としてのTaNまたはTiN)に破壊的な化学作用を及ぼしたり、または腐食したりするものではないこと、及び、
(2)洗浄溶液は、シリカ、高密度low−k材料または多孔性low−k材料といった誘電層に破壊的な化学作用を及ぼしたり、または腐食したりするものではないこと。
(1)洗浄溶液は、金属(例えば金属の連結部分としての銅層)または金属窒化物(例えばバリア層としてのTaNまたはTiN)に破壊的な化学作用を及ぼしたり、または腐食したりするものではないこと、及び、
(2)洗浄溶液は、シリカ、高密度low−k材料または多孔性low−k材料といった誘電層に破壊的な化学作用を及ぼしたり、または腐食したりするものではないこと。
従って、種々のCMP後洗浄溶液が、関連する先行技術で開示されているものの、本発明に係るCMP後洗浄用組成物は、ウェーハの表面に残る汚染物質を効率的に除去することができ、ウェーハの表面の欠陥数を減少し、基板の構造を破壊または腐食しないことが工業的に未だ要求されている。
本発明に係るCMP後洗浄用の組成物は、少なくとも水溶性アミン、少なくとも水溶性有機溶媒、及び脱イオン水を含有する。
本発明の洗浄用組成物は、汚染物質を除去、特に、アゾール型腐食抑制剤を、汚染物質をそれ自体に含む水溶性アミンの酸化還元反応によってウェーハの表面から除去する。アゾール型の腐食抑制剤は、一般的に、例えば、ベンゾトリアゾール(BTA)及び1,2,4−トリアゾールといったトリアゾール型の腐食抑制剤である。
本発明に係る洗浄用組成物内の水溶性アミンは、例えば、ヒドラジン、ヒドラジン水和物、アジ化水素酸、またはアジ化ナトリウムといったジアゾまたはアゾ混合物であってもよい。
本発明の実施の形態では、洗浄用組成物中の水溶性アミンは、ヒドラジン、ヒドラジン水和物、またはそれらの混合物から選択される。本発明の好ましい実施の形態では、洗浄用組成物中の水溶性アミンは、ヒドラジンである。
本発明の洗浄用組成物中の水溶性アミンは、組成物の総質量を基準として、1〜約30質量%、好ましくは約1〜約25質量%であり、より好ましくは約1〜約10質量%である。
本発明に係る洗浄用組成物は、水溶性有機溶媒を含んでいる。この水溶性有機溶媒は、洗浄用組成物の表面張力を減少させ、その結果、ウェーハの表面張力を増加させることとなる。
本発明に係る洗浄用組成物中の水溶性有機溶媒は、有機エーテル、有機アルコール、有機ケトン、または有機アミド、及び好ましくはジメチルスルホキシド(DMSO)、ジオール混合物、N−メチルピロリドン(NMP)、ジメチルアセトアミド(DMAC)、ジメチルフォルムアミド(DMF)またはその混合物である。ジオール混合物は、好ましくはジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG)、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールn−ブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、またはこれらの混合物である。
本発明に係る洗浄用組成物中の水溶性有機溶媒は、組成物の総質量を基準として、約10〜約59質量%、好ましくは約10〜約50質量%であり、より好ましくは約10〜約25質量%である。
本発明に係る洗浄用組成物は、脱イオン水を含む。脱イオン水は、組成物の総質量を基準として、約30〜約89質量%、好ましくは約50〜約85質量%であり、より好ましくは約65〜約85質量%である。
本発明に係るCMP後洗浄方法の実施には、公知のあらゆる適切な洗浄用工具を用いることができる。この洗浄用工具は、CMPまたは異なった方法を実施することができるものである。本発明に係る方法は、CMPの後のウェーハ上から残留汚染物質を除去する効果のある時間の持続中に、CMPに用いるウェーハと、少なくとも水溶性アミン、少なくとも水溶性有機溶媒、及び脱イオン水を含む組成物とを接触させる工程を有する。
以下の実施例を用いて、本発明を更に詳細に説明する。本発明の範囲は、この実施例に限定されることなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において、当業者であれば種々の改変や変形を容易に実現することができる。
(実施例1)
本発明に係る洗浄用組成物は、7質量%のヒドラジン、20質量%のBDG、及び73質量%の脱イオン水が調剤されている(ケミカルC)。ケミカルCの表面張力は、30.46mN/mと決められている。クエン酸を主成分とした商業的に入手可能な洗浄用組成物は、対照グループ(ケミカルA)として用いられている。化学機械的研磨の後の銅ウェーハ及びブランク状態のウェーハ上での洗浄試験はそれぞれ、ケミカルA及びケミカルCを用いて、Applied Material社のMesa装置によって20秒で実行される。洗浄用薬剤の流率は、2000ml/minである。クエン酸を主成分とした商業的に入手可能であって72mN/m(対照グループ、ケミカルA)の表面張力を有する洗浄用組成物は、同じ洗浄条件の下で試験される。
本発明に係る洗浄用組成物は、7質量%のヒドラジン、20質量%のBDG、及び73質量%の脱イオン水が調剤されている(ケミカルC)。ケミカルCの表面張力は、30.46mN/mと決められている。クエン酸を主成分とした商業的に入手可能な洗浄用組成物は、対照グループ(ケミカルA)として用いられている。化学機械的研磨の後の銅ウェーハ及びブランク状態のウェーハ上での洗浄試験はそれぞれ、ケミカルA及びケミカルCを用いて、Applied Material社のMesa装置によって20秒で実行される。洗浄用薬剤の流率は、2000ml/minである。クエン酸を主成分とした商業的に入手可能であって72mN/m(対照グループ、ケミカルA)の表面張力を有する洗浄用組成物は、同じ洗浄条件の下で試験される。
洗浄の後、試験ウェーハの表面上の欠陥数は、KLA−Tencor surfscan AITを用いて測定される。測定結果を、図1に示す。
測定結果は、本発明(ケミカルC)に係る洗浄用組成物の洗浄効果が洗浄用組成物A(ケミカルA)の洗浄効果よりも優れていることを示している。銅ウェーハ及びブランク状態のウェーハをケミカルCで洗浄することにより得られた測定結果は、欠陥数が、ケミカルAを用いた場合に比べて少ないことを示している。更に、ケミカルCを用いて洗浄された後の銅ウェーハ及びカンデラCS10を用いて洗浄された後のブランク状態のウェーハの測定結果は、洗浄の前後でウェーハの表面の厚さが変わらないことを示しており、すなわち、本発明に係るケミカルCは、ウェーハの表面を溶蝕することはない。
(実施例2及び3)
実施例1と同様の手法で、本発明に係る洗浄用組成物は、以下のように調剤され、試験された。
実施例1と同様の手法で、本発明に係る洗浄用組成物は、以下のように調剤され、試験された。
測定結果からは、上記の全ての組成物の洗浄効果は、商業的に入手可能な組成物の洗浄効果よりも優れていることが分かる。本発明に係る洗浄用組成物は、低い表面張力を有し、かつウェーハの表面の湿潤性が増大し、その結果、良好な洗浄効果をもたらす。
Claims (11)
- 化学機械的研磨後洗浄用の組成物であって、
該組成物の総質量を基準として、
1〜約30質量%の水溶性アミンと、約10〜約59質量%の水溶性有機溶液と、約30〜約89質量%の脱イオン水と、
を含むことを特徴とする組成物。 - 前記水溶性アミンは、
ヒドラジン、ヒドラジン水和物またはこれらの組み合わせから選択されることを特徴とする請求項1に記載の組成物。 - 前記水溶性有機溶媒は、
ジメチルスルホキシド(DMSO)、ジオール混合物、N−メチルピロリドン(NMP)、ジメチルアセトアミド(DMAC)、ジメチルフォルムアミド(DMF)またはこれらの混合物から選択されることを特徴とする請求項1に記載の組成物。 - 前記ジオール混合物は、
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG)、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールn−ブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、またはこれらの混合物から選択されることを特徴とする請求項1に記載の組成物。 - 前記水溶性アミンが、約1〜約25質量%の量で存在することを特徴とする請求項1に記載の組成物。
- 前記水溶性アミンが、約1〜約10質量%の量で存在することを特徴とする請求項5に記載の組成物。
- 前記水溶性有機溶媒が、約10〜約50質量%の量で存在することを特徴とする請求項1に記載の組成物。
- 前記水溶性有機溶媒が、約10〜約25質量%の量で存在することを特徴とする請求項7に記載の組成物。
- 前記脱イオン水が、約50〜約85質量%の量で存在することを特徴とする請求項1に記載の組成物。
- 前記脱イオン水が、約65〜約85質量%の量で存在することを特徴とする請求項9に記載の組成物。
- ウェーハ上から残留汚染物質を除去する効果のある時間の持続中に、CMP後洗浄に用いるウェーハと、請求項1〜10のいずれか1項に記載の組成物とを接触させる工程を備えることを特徴とするCMP後洗浄方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW098102676A TWI463009B (zh) | 2009-01-22 | 2009-01-22 | 用於化學機械拋光後清洗之組合物 |
CN200910005276.8 | 2009-01-22 | ||
TW098102676 | 2009-01-22 | ||
CN200910005276A CN101787335A (zh) | 2009-01-22 | 2009-01-22 | 用于化学机械抛光后清洗的组合物 |
PCT/EP2010/050078 WO2010084033A2 (en) | 2009-01-22 | 2010-01-06 | Composition for post chemical-mechanical polishing cleaning |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012516046A true JP2012516046A (ja) | 2012-07-12 |
Family
ID=42356259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011546731A Withdrawn JP2012516046A (ja) | 2009-01-22 | 2010-01-06 | 化学機械的研磨後洗浄用組成物 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120021961A1 (ja) |
EP (1) | EP2430499A2 (ja) |
JP (1) | JP2012516046A (ja) |
KR (1) | KR20110106880A (ja) |
IL (1) | IL214055A0 (ja) |
RU (1) | RU2011129239A (ja) |
SG (1) | SG172360A1 (ja) |
WO (1) | WO2010084033A2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014171355A1 (ja) | 2013-04-19 | 2014-10-23 | 関東化学株式会社 | 洗浄液組成物 |
KR20160055377A (ko) * | 2014-11-07 | 2016-05-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기막 연마 후 세정조성물 및 이를 이용한 세정방법 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102153113B1 (ko) | 2013-10-21 | 2020-09-08 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 표면 잔류물 제거용 세정 제형 |
JP6542766B2 (ja) * | 2013-10-23 | 2019-07-10 | ドンジン セミケム カンパニー リミテッドDongjin Semichem Co., Ltd. | 金属膜研磨スラリー組成物、及びこれを利用した金属膜研磨時に発生するスクラッチの減少方法 |
CN108485840B (zh) | 2013-12-06 | 2020-12-29 | 富士胶片电子材料美国有限公司 | 用于去除表面上的残余物的清洗调配物 |
US20160340620A1 (en) * | 2014-01-29 | 2016-11-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post chemical mechanical polishing formulations and method of use |
TWI663148B (zh) * | 2014-07-18 | 2019-06-21 | 卡博特微電子公司 | 使用二烷基羥胺對抗分解以穩定三(2-羥乙基)甲基氫氧化胺 |
US10752867B2 (en) | 2018-03-28 | 2020-08-25 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Cleaning compositions |
CN113506722A (zh) * | 2021-06-28 | 2021-10-15 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | 铜互连结构的清洗方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5279771A (en) * | 1990-11-05 | 1994-01-18 | Ekc Technology, Inc. | Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine |
US7135445B2 (en) * | 2001-12-04 | 2006-11-14 | Ekc Technology, Inc. | Process for the use of bis-choline and tris-choline in the cleaning of quartz-coated polysilicon and other materials |
US7456140B2 (en) * | 2000-07-10 | 2008-11-25 | Ekc Technology, Inc. | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices |
KR100569533B1 (ko) * | 2001-10-25 | 2006-04-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 세정용 조성물 |
KR101017738B1 (ko) * | 2002-03-12 | 2011-02-28 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 포토레지스트 박리제 조성물 및 세정 조성물 |
EP1913448B1 (en) * | 2005-08-13 | 2010-10-13 | Techno Semichem Co., Ltd. | Photoresist stripper composition for semiconductor manufacturing |
TW200734836A (en) * | 2006-03-13 | 2007-09-16 | Basf Electronic Materials Taiwan Ltd | Cleaning composition for removing post-dry-etch residues |
WO2009058288A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-07 | Ekc Technology, Inc. | Amidoxime compounds as chelating agents in semiconductor processes |
-
2010
- 2010-01-06 EP EP10703820A patent/EP2430499A2/en not_active Withdrawn
- 2010-01-06 WO PCT/EP2010/050078 patent/WO2010084033A2/en active Application Filing
- 2010-01-06 JP JP2011546731A patent/JP2012516046A/ja not_active Withdrawn
- 2010-01-06 US US13/145,257 patent/US20120021961A1/en not_active Abandoned
- 2010-01-06 RU RU2011129239/04A patent/RU2011129239A/ru not_active Application Discontinuation
- 2010-01-06 KR KR1020117016432A patent/KR20110106880A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-01-06 SG SG2011046331A patent/SG172360A1/en unknown
-
2011
- 2011-07-13 IL IL214055A patent/IL214055A0/en unknown
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014171355A1 (ja) | 2013-04-19 | 2014-10-23 | 関東化学株式会社 | 洗浄液組成物 |
KR20150144780A (ko) | 2013-04-19 | 2015-12-28 | 간또 가가꾸 가부시끼가이샤 | 세정액 조성물 |
KR20160055377A (ko) * | 2014-11-07 | 2016-05-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기막 연마 후 세정조성물 및 이를 이용한 세정방법 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IL214055A0 (en) | 2011-11-30 |
EP2430499A2 (en) | 2012-03-21 |
KR20110106880A (ko) | 2011-09-29 |
SG172360A1 (en) | 2011-08-29 |
RU2011129239A (ru) | 2013-01-20 |
WO2010084033A3 (en) | 2012-01-26 |
WO2010084033A2 (en) | 2010-07-29 |
US20120021961A1 (en) | 2012-01-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20121004 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121012 |