JP2012514821A - 磁気トンネル接合素子に対してデータを読み書きするシステム及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
102 MTJ素子
104 トランジスタ
106 第一のゲート
108 第二のゲート
110 自由磁気層
112 トンネル障壁
114 ピンド磁気層
120 ワードライン
122 書き込み有効化ライン
124 ソースライン
126 ビットライン
Claims (25)
- スピン移動トルク磁気トンネル接合(STT‐MTJ)素子と、
前記STT‐MTJ素子に結合されたトランジスタと、を備えたデバイスであって、
前記トランジスタが第一のゲート及び第二のゲートを含む、デバイス。 - 前記STT‐MTJ素子が、
自由磁気層と、
トンネル障壁と、
ピンド磁気層と、を備え、
前記STT‐MTJ素子に記憶されたデータ値が、前記トンネル障壁を介する書き込み電流の方向によって決められる、請求項1に記載のデバイス。 - 前記第一のゲート及び前記第二のゲートが独立的にバイアス可能である、請求項2に記載のデバイス。
- 前記STT‐MTJ素子がメモリアレイ内のメモリセル内に存在していて、前記第一のゲートが前記メモリアレイのワードラインに結合されている、請求項3に記載のデバイス。
- 前記第二のゲートが前記メモリアレイの書き込み有効化ラインに結合されている、請求項4に記載のデバイス。
- 前記トランジスタが、前記STT‐MTJ素子用の読み出し経路及び書き込み経路を定め、前記読み出し経路及び前記書き込み経路が、前記第一のゲート及び前記第二のゲートによって分離される、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第二のゲートが、前記メモリアレイの一つの列の複数のメモリセルのゲートに結合されている、請求項6に記載のデバイス。
- 前記第二のゲートに印加される第一の信号が、前記STT‐MTJ素子のデータ書き込みを有効化し、前記第二のゲートに印加される第二の信号が、前記STT‐MTJ素子のデータ書き込みを無効化する、請求項7に記載のデバイス。
- 前記第一のゲートが反転チャネルを有し、前記読み出し経路が前記反転チャネルを含む、請求項8に記載のデバイス。
- 前記第一のゲートが、前記STT‐MTJ素子の臨界的なディスターブ電流値を超えないように最大電流を制限する、請求項9に記載のデバイス。
- 前記第一のゲートの第一の閾値電圧が、前記第二のゲートの第二の閾値電圧と異なる、請求項10に記載のデバイス。
- 前記トランジスタが独立ゲートフィン電界効果トランジスタ(IG‐フィンFET)である、請求項11に記載のデバイス。
- メモリセルのアレイを備えたメモリであって、
前記アレイが複数の列を含み、前記メモリセルのアレイ内の各メモリセルが、二重ゲートトランジスタに結合された磁気トンネル接合(MTJ)デバイスを含み、前記二重ゲートトランジスタが、複数のワードラインのうち一つのワードラインに結合された第一のゲートと、複数の書き込み有効化ラインのうち一つの書き込み有効化ラインに結合された第二のゲートとを有し、
前記複数の列のうち少なくとも一つの列が、書き込み動作中に前記書き込み有効化ラインによって制御可能である、メモリ。 - 前記アレイが複数の行を含み、前記複数の行のうち少なくとも一つの行が、読み出し動作中に前記ワードラインによって制御可能である、請求項13に記載のメモリ。
- 前記アレイが複数の行を含み、前記アレイの特定の行が、特定のワードラインを介してアドレス可能である、請求項13に記載のメモリ。
- 読み出し動作が、前記書き込み有効化ライン及び前記ワードラインをバイアスして、前記MTJデバイスを介する読み出し電流を有効化し且つ書き込み電流を無効化することによって、行われる、請求項13に記載のメモリ。
- 前記アレイ内の前記複数のワードラインのうち少なくとも一つの選択されていないワードラインが、書き込み動作中に負の値に設定される、請求項13に記載のメモリ。
- データを読み出すために、前記第一のゲートが高い論理レベルにバイアスされ、前記第二のゲートが低い論理レベルにバイアスされる、請求項13に記載のメモリ。
- 磁気トンネル接合(MTJ)素子と、
前記MTJ素子に結合されたトランジスタを含む読み出しデータ経路/書き込みデータ経路の共通部分と、を備えたデバイスであって、
前記トランジスタが第一のゲート及び第二のゲートを含む、デバイス。 - 読み出し動作中に前記第一のゲートがアクティブであり、書き込み動作中に前記第一のゲート及び前記第二のゲートの両方がアクティブである、請求項19に記載のデバイス。
- スピントルク移動磁気抵抗ランダムアクセルメモリ(STT‐MRAM)にデータを記憶する方法であって、
磁気トンネル接合(MTJ)素子にデータを書き込む段階と、
前記MTJ素子からデータを読み出す段階と、を備え、
前記MTJ素子が、第一のゲート及び第二のゲートを含むトランジスタに結合されている、方法。 - 前記MTJ素子にデータを書き込む段階がデータ書き込み経路を用い、前記MTJ素子からデータを読み出す段階がデータ読み出し経路を用い、前記データ書き込み経路及び前記データ読み出し経路が異なる経路である、請求項21に記載の方法。
- 前記トランジスタの前記第一のゲート及び前記トランジスタの前記第二のゲートが、前記データ書き込み経路及び前記データ読み出し経路を分離する、請求項22に記載の方法。
- 前記第二のゲートをバイアスして、データ読み出し動作中に書き込み電流を無効化する、請求項23に記載に方法。
- 前記第二のゲートをバイアスして、データ書き込み動作中に書き込み電流を有効化する、請求項24に記載の方法。
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