JP2012510568A - トップダウン式の材料堆積用システム及び方法 - Google Patents
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Abstract
基板上に薄膜を堆積するための方法及びシステムは、基板上方に位置付けた蒸気供給流源からの蒸発可能材料を導入することを含む。蒸発可能材料は蒸発され、蒸気供給流源から蒸気供給流として基板から離れる方向に向けられる。蒸気供給流は、リディレクタから基板の方へ向きなおされて、基板上に薄膜として堆積される。
Description
(関連出願に対する相互参照)
本出願は、2008年12月3日に出願した米国仮出願61/119,610号の優先権を主張し、これは参照により本願明細書に援用されるものとする。
本出願は、2008年12月3日に出願した米国仮出願61/119,610号の優先権を主張し、これは参照により本願明細書に援用されるものとする。
本発明は、光起電装置の生産に関する。
光起電装置の製造に当たっては、半導体材料を基板上に堆積する。これは、半導体を蒸発させ、蒸発させた半導体を基板表面の方へ向け、蒸発した半導体が凝縮して基板上に堆積されて、固体の半導体薄膜を形成するようにして達成することができる。
材料堆積システムは、蒸気供給流源と、基板位置の方向に向けた蒸気供給オリフィスと、蒸気供給流を蒸気供給オリフィスの方へ向けるように構成したリディレクタ(redirector)とを含むことができる。このようなディストリビュータアセンブリ(材料堆積システム)は、蒸気供給流を基板位置から隔離するように位置付けた下方のリディレクタと、蒸気供給流源及びリディレクタを収容するチャンバ壁とを含むことができる。
リディレクタは、非対称断面を有し、供給蒸発流が蒸気供給流源から離れる方向に向けられるようにすることができる。リディレクタは、蒸気供給流源の近くに電気的接続部を有し、供給蒸発流がその電気的接続部から離れる方向に向けられるようにすることができる。低速のフラックス測定におけるような、システムを観察するのに用いる1つ以上の観察孔をリディレクタに形成することができる。システムは電子機器を用いて観察することができる。電子機器は、電子衝撃放射の分光機器及び水晶振動子マイクロバランス機器を含む、任意の既知の機器を含むことができる。
蒸気供給流源は蒸気ボート(vapor boat)とすることができる。蒸気供給流源は長方形又は円筒形とすることができる。蒸気供給流源は複数個とすることができ、これらは蒸気供給流をリディレクタの方へ向けるように整列させることができる。複数の蒸気供給流源は独立して制御可能とすることができ、且つ堆積処理の均一制御を改善するように独立して構成することができる。第2の蒸気供給流源の蒸気供給オリフィスからの距離は、第1の蒸気供給流源と蒸気供給オリフィスとの間の距離とは相違させることができる。材料堆積システムがリディレクタ及び下方のリディレクタを含む場合には、第2の蒸気供給流源を、蒸気供給流源とノズルとの間の距離とは異なる、リディレクタと下方のリディレクタとによって形成されるノズルからの距離のところに位置付けることができる。第2の蒸気供給流源は、第1の蒸気供給流源の下方に位置付けて、材料堆積システムが基板上に複数の堆積をもたらすことができるようにすることができる。
蒸気供給流源は、液体又は固体を含むことができる蒸発可能材料を収容できる。材料堆積システムは、蒸発可能材料を電子ビーム蒸発させる電子ビーム源、又は蒸発可能材料を熱蒸発させるヒータを含むことができる。蒸気供給流源は、ワイヤフィードのような、連続供給源に接続することができる。リディレクタは、湾曲させることができ、複数の平坦な区分を含むことができる。リディレクタは、蒸気供給流を1つ以上の蒸気プルームにすることができ、各プルームの中心角は基板位置の方向に広げることができる。中心角は基板位置に対してほぼ垂直とすることができる。
リディレクタは加熱することができ、それは、直接的又は間接的に加熱することができる。リディレクタは、炭化ケイ素、熱分解窒化ホウ素、グラファイト、及び熱分解窒化ホウ素被覆グラファイトのような、金属又はセラミックを含むことができる。リディレクタは、その幅方向にセグメント化することができ、これらのセグメントを画定するリブを含むことができる。
基板上に薄膜を堆積するシステムは、基板の上方に位置付けられ、蒸気供給流を基板位置から離れた方向に向ける蒸気供給流源と、蒸気供給流を基板位置の方へ向けるように構成したリディレクタとを有する、材料堆積システムを含む。基板上に薄膜を堆積するシステムは、基板をディストリビュータアセンブリに十分近い基板位置に移送して、蒸気供給流を基板上に薄膜として堆積できるようにするコンベヤも含む。基板上に薄膜を堆積するシステムは、蒸気供給流を基板位置から隔離し、リディレクタの方へ位置付けた下方のリディレクタと、蒸気供給流源及びリディレクタを収容するチャンバ壁とを含むことができる。蒸気供給流源は蒸気ボートとすることができる。蒸気供給流源は長方形又は円筒形とすることができる。蒸気供給流源は複数個とすることができ、これらはそれぞれの蒸気供給流を基板位置から離して、リディレクタの方へ向けるように整列させることができる。蒸気供給流源は、液体又は固体を含むことができる、蒸発可能材料を収容することができる。
ディストリビュータアセンブリは、蒸発可能材料を電子ビーム蒸発させる電子ビーム源、又は蒸発可能材料を熱蒸発させるヒータを含むことができる。蒸気供給流源は、ワイヤフィードのような、連続供給源に接続することができる。リディレクタは、湾曲させることができ、複数の平坦な区分を含むことができる。リディレクタは、蒸気供給流を1つ以上の蒸気プルームにすることができ、各プルームの中心角は基板位置の方向に広げることができる。中心角は基板位置に対してほぼ垂直とすることができる。
リディレクタは加熱することができ、それは、直接的又は間接的に加熱することができる。リディレクタは、炭化ケイ素、熱分解窒化ホウ素、グラファイト、及び熱分解窒化ホウ素被覆グラファイトのような、金属又はセラミックを含むことができる。リディレクタは、その幅方向にセグメント化することができ、これらのセグメントを画定するリブを含むことができる。
基板上に材料を堆積する方法は、基板を基板位置に移送するステップと、蒸発可能材料の少なくとも一部を蒸気に蒸発させるステップと、蒸気供給流源からの蒸気を蒸気供給流として基板から離れた方向でリディレクタの方へと向けるステップと、リディレクタからの蒸気供給流の一部を蒸気プルームとして基板の方へ方向転換させて、蒸気プルームにおける材料が基板上に薄膜として堆積されるようにするステップとを含む。蒸気供給流源からの蒸気の向きを変えるステップは、蒸気をリディレクタと下方のリディレクタとの間の空所内に向けるステップを含むことができる。薄膜は、例えば、銅インジウムガリウムセレン化物又はテルル化カドミウムを含むことができる。
前記基板上に材料を堆積する方法は、リディレクタを直接又は間接的に加熱するステップを含むことができる。蒸発可能材料を蒸発させるステップは、例えば、その材料を電子ビーム蒸発させるか、又は熱蒸発させるステップを含むことができる。リディレクタからの蒸気供給流を蒸気プルームとして方向転換させるステップは、基板に対してほぼ垂直な中心角度にそのプルームを向けるステップを含むことができる。リディレクタからの蒸気供給流を蒸気プルームとして方向転換させるステップは、その蒸気プルームを基板のほぼ全幅にわたって基板の方へ向けるステップを含むことができる。前記基板に材料を堆積する方法は、蒸気プルームを基板の方向に広げるステップをさらに含むことができる。蒸気プルームを基板の方向に広げるステップは、基板のほぼ全長をカバーするようにプルームを広げるステップを含むことができる。蒸発可能材料を蒸気供給流源に導入するステップは、その蒸発可能材料を蒸気供給流源に連続的に供給するステップを含むことができる。基板上に材料を堆積する方法は、リディレクタからの蒸気供給流の第2部分を第2の蒸気プルームとして基板の方へ方向転換させて、蒸気プルームにおける材料が基板上に薄膜として堆積されるようにするステップをさらに含むことができる。このような方法は、蒸気供給流を測定する更なるステップを含むことができる。
ガラス基板上に半導体薄膜を堆積する装置及び方法については、例えば、米国特許第3,970,820号、同第4,401,052号、同第5、182,567号、同第6,037,241号、同第6,367,414号、同第6、562,405号及び同第5,216,742号に記載されており、これらは参照により本明細書に含まれるものとする。
固体半導体粉末のような蒸発可能材料を蒸気供給流源に導入することができる。蒸気供給流源は、蒸発可能材料を導入し、蒸発させて蒸気供給流を形成する容器とすることができる。蒸気供給流源は、薄膜堆積チャンバ内で、基板位置の上方に取り付けることができる。蒸気供給流は、容器内の開口部を経て、下方の基板位置にある基板から離れる方向に向けられる。そして、蒸気供給流は、開口部に隣接するリディレクタによって基板の方にプルーム(plume)として方向を変えられる。蒸発可能材料は基板上に薄膜として堆積される。
図1を参照するに、基板処理システム10はコンベヤ12を含み、これは基板14を、薄膜堆積チャンバ16を経てコンベヤ12に沿って移送する。薄膜堆積チャンバ16は、薄膜堆積チャンバ壁18によって包囲されている。基板14はガラス基板とすることができ、これはソーダ石灰ガラスを含むことができる。基板14は或る材料で被覆することができる。
図2には、薄膜堆積チャンバ16と、そのチャンバ壁18内に含まれるディストリビュータアセンブリとの断面図を示してある。基板14は、薄膜堆積チャンバ16内の基板位置に設け、その基板位置に固定させるか、又は基板位置を経て進行方向15に連続的に走行させることができる。供給ワイヤ20は蒸発可能材料21を蒸気供給流源22の中に導入し、蒸気供給流源22は、薄膜堆積チャンバ16内で、基板14の上方に取り付けた容器とすることができる。蒸発可能材料21は、他の任意の既知の方法によって蒸気供給流源22の中に導入することもでき、また、連続的又はバッチ法にて導入することができる。蒸発可能材料21は、液体又は固体とすることができる。蒸発可能材料21は、銅インジウムガリウムセレン化物(CIGS)又はカドミウムテルル化物(CdTe)のような半導体粉末とすることができる。次に、蒸発可能材料21を蒸発させる。蒸発可能材料21は、電子銃を用いる電子ビーム蒸発(e‐ビーム蒸発)によって蒸発させることができる。蒸発可能材料21は、熱蒸発によって蒸発させることもできる。熱蒸発は、蒸気供給流源22にもっとも近いヒータ23を用いて行うことができる。ヒータ23は、蒸気供給流源22の壁に隣接して位置付けることができる。ヒータ23は、供給ワイヤ20が蒸発可能材料21を蒸気供給流源22の中に導入する時に、供給ワイヤ20に隣接して位置付けることもできる。ヒータ23は、蒸発可能材料21の少なくとも一部を蒸発させるのに十分な温度に蒸発可能材料21を加熱する。
引き続き図2を参照するに、蒸発可能材料21は、蒸発すると、蒸気供給流源22から方向付けられる。蒸気供給流源22は、蒸気供給流25を方向付ける開口部24を備えている容器とすることができる。蒸気供給流25は、概して基板14から離れて下方に方向付けられる。蒸気供給流25はリディレクタ26の方へ向けられる。リディレクタ26は、多量の蒸気供給流25が薄膜堆積チャンバ16内の異なる方向又は異なる位置に転送又は転移されるように、蒸気供給流25の向きを変えたり、偏向させたり、及び/又は反射させたりすることによって蒸気供給流25の向きを変える。リディレクタ26は基板14の上方で、少なくとも一部を開口部24の上方に位置させる。リディレクタ26は、蒸気供給流源22に接続することができ、蒸気供給流25を方向付ける空所を薄膜堆積チャンバ16内に画定する。リディレクタ26は、薄膜堆積チャンバ16内に蒸気供給流25を方向付ける空所を画定するために凹んだ湾曲形状にすることができる。リディレクタ26は、薄膜堆積チャンバ16内に蒸気供給流25を方向付ける凹形空所を画定するために平坦なリディレクタ区分27を含むこともできる。蒸気供給流25は、リディレクタ26上の第1の位置に第1の角度で入射することができる。リディレクタ26は、蒸気供給流25を第2の角度で基板14の方へ、又はリディレクタ26上の第2位置の方へ向け直すように構成することができる。蒸気供給流25をリディレクタ26上の第2位置の方へ向け直す場合には、その蒸気供給流25を第3の角度にて向け直すことができる。最終的に、蒸気供給流25は、最終角度で基板14の方へ向けられる。蒸気供給流25用の角度通路を作るようにリディレクタ26を構成することによって、蒸気供給流25を基板の方へ高い制御及び精度で向けることができる。
リディレクタ26によってもたらされる蒸気供給流25の方向転換は、適切な湾曲面を作ることによって(湾曲リディレクタ26の場合)、又は適切な大きさの平坦なリディレクタ区分27を適切な角度で接合して組み合わせることによって設計することができる。リディレクタ26は、リディレクタ26の端部間に位置する各軸線に非対称にして、基板の移送方向に対して垂直に整列させることができる。リディレクタ26は、2つとして同じ寸法のものがない多数の平坦なリディレクタ区分27を有することができる。例えば、各々が基板14の移送方向に沿って均一の長さの平坦なリディレクタ区分27を有しているリディレクタ26は非対称になる。リディレクタ26は、それが同じ寸法の多数の平坦なリディレクタ区分27を有する場合でも非対称にすることもできる。例えば、4つの平坦なリディレクタ区分27を含むリディレクタ26は、第1及び第2の平坦なリディレクタ区分27が同じ第1の長さを有し、第3の平坦なリディレクタ区分27が第1の長さとは異なる第2の長さを有し、第4の平坦なリディレクタ区分27が第1及び第2の長さとは異なる第3の長さを有する場合には、非対称になる。
リディレクタ26は、1つの平坦なリディレクタ区分27の入射角を次の平坦なリディレクタ区分27の入射角に対して変えることにより非対称に構成することもできる。リディレクタ26が、3つ以上の平坦なリディレクタ区分27を含み、平坦なリディレクタ区分27間に2つとして同じ入射角のものがなければ、リディレクタ26は非対称になる。リディレクタ26は、それが同じ入射角度の多数の平坦なリディレクタ区分27を含む場合でも、非対称にすることもできる。例えば、4つの平坦なリディレクタ区分27を含むリディレクタ26は、第1の平坦なリディレクタ区分27と第2の平坦なリディレクタ区分27との間の入射角を、第2の平坦なリディレクタ区分27と第3の平坦なリディレクタ区分27との間の入射角と同じとし、第3の平坦なリディレクタ区分27と第4の平坦なリディレクタ区分27との間の入射角を他の共通な入射角とは相違させれば、(平坦なリディレクタ区分27の大きさに無関係に)非対称になる。
平坦なリディレクタ区分27間の入射角が様々で、大きさも様々な平坦なリディレクタ区分27を用いることによって、リディレクタ26の設計の柔軟性が増し、蒸気供給流25を方向転換させる角度を制御する能力度を高めることができる。そして、リディレクタ26の柔軟性によって、蒸気供給流25を基板14上の正確な位置の方へ正確な角度で方向転換させることもできる。
薄膜堆積チャンバ16内に収容される材料堆積システムは蒸気供給流源22の近くに電気的接続部を含むことができる。従って、リディレクタ26は、蒸気供給流を蒸気供給流源22及びその近くの電気的接続部の双方から離れるように向けることができる。リディレクタ26は金属を含むことができる。リディレクタ26は、炭化ケイ素、熱分解窒化ホウ素、グラファイト、又は熱分解窒化ホウ素被覆グラファイトのようなセラミックを含むことができる。リディレクタ26は直接、又は間接的に加熱して、蒸気供給流25を蒸気
形態に維持して、それがリディレクタ26の表面に堆積しないようにすることができる。
形態に維持して、それがリディレクタ26の表面に堆積しないようにすることができる。
図2に示すリディレクタ26は、その表面に形成される1つ以上の観察孔を含むことができる。観察孔は、観察者が測定を望む薄膜堆積処理の任意の様相を観察するのに適切な大きさ、形状、又は位置に形成することができる。このような測定の例には、低速のフラックス測定、及び電子衝撃放射の分光機器(EIES)及び水晶振動子マイクロバランス(QCM)機器のような電子機器を用いる測定が含まれる。このような電子機器は、リディレクタ26の表面に形成した観察孔の内部か、近くか、又は隣接して位置させることができる。蒸気供給流25は、光学窓と同じように、視覚的に観察することができる。観察結果に応えて、蒸発可能材料21の供給速度、ヒータ23及び蒸気供給流源の温度、及び基板14の進行方向15に沿う基板の速度、といったような変数を変えることができる。
さらに図2を参照するに、リディレクタ26は蒸気供給流25を、蒸気供給オリフィス30を経て基板14の露出面に向け下方に向け直す。リディレクタ26は、蒸気供給流25が蒸気供給オリフィス30を経て基板14の方向に進むように、狭い蒸気流から広い蒸気流に広がる蒸気プルーム28となるように整形し直すこともできる。蒸気プルーム28は、進行方向15における基板14のほぼ全長をカバーできる広いプルームに広がることができる。蒸気プルーム28は、2点、即ち、蒸気供給流25がリディレクタ26に出くわす蒸気供給流25の境界線間の中間の第1点と、蒸気プルーム28が基板14を含んでいる平面に出くわす蒸気プルーム28の境界線間の中間の第2の点と2点によって規定される線により特徴付けられる中心角をもつことができる。その中心角は基板14に対してほぼ垂直とすることができる。他の態様では、1つ以上の蒸気供給流25の向きを直し、多数の蒸気プルーム28が基板上の異なる位置に向くように方向転換し、整形し直すことができる。蒸発プルームが基板14に接触すると、それは基板14の表面上に薄膜を形成する。
図3には、薄膜堆積チャンバ16及びチャンバ壁内に収容されるディストリビュータアセンブリの他の実施形態の断面図を示してある。図2と同様に、図3には蒸気供給流源22内に収容された蒸発可能材料21及びこの蒸発可能材料21を蒸発させるヒータ23を示してある。蒸気供給流源22は、蒸発可能材料21を蒸発させた後に、蒸気供給流として通す開口部24を有することができる。図2に示すように、蒸気供給流25は、リディレクタ26によって一部画定される空所内に向けられる。図3に示すように、この空所は下方のリディレクタ29によって画定することもできる。下方のリディレクタ29は、リディレクタ26と同様に基板14の上方に位置させる。下方のリディレクタ29は一部を開口部24の上に位置させることができる。下方のリディレクタ29は、リディレクタ26を接続する開口部24の部分とは反対側の開口部24の部分に接続することができる。リディレクタ26と一緒に、下方のリディレクタ29は、薄膜堆積チャンバ16内に、蒸気供給流25を方向付ける空所を画定する。下方のリディレクタ29は湾曲形状にすることができ、これは蒸気供給流25によって占められる空所に対してほぼ凸状にして、下方のリディレクタ29が凹状のリディレクタ26内に部分的に“入れ子”となるようにすることができる。下方のリディレクタ29は、薄膜堆積チャンバ16内に蒸気供給流を方向付ける空所の凸境界部を画定する平坦なリディレクタ区分を含むこともできる。下方のリディレクタ29は、基板14に対して垂直の線に沿った軸線に対して非対称とすることができる。下方のリディレクタ29は金属を含むことができる。下方のリディレクタ29は、炭化ケイ素、熱分解窒化ホウ素、グラファイト、又は熱分解窒化ホウ素被覆グラファイトのようなセラミックを含むことができる。下方のリディレクタ29は直接、又は間接的に加熱して、蒸気供給流25を蒸気形態に維持して、それがリディレクタ26の表面に堆積されないようにすることができる。
下方のリディレクタ29は、蒸気供給オリフィスを形成するようにリディレクタ26に対して位置付けることができる。蒸気供給オリフィス30の断面は、蒸気供給流の向きを変えて、蒸気プルーム31として形を変えられるようにノズル状にすることができる。図3に示すように、蒸気供給オリフィス30は、蒸気プルーム31が図2に示した蒸気プルーム28よりも狭くなり、蒸気プルーム31が基板14の方向に進む際に、この蒸気プルーム31の拡大をより正確に制御して限定するように、リディレクタ26と下方のリディレクタ29とによって形成することができる。結果的に、より狭い蒸気プルーム31によって、基板14の表面の小さな部分の上に薄膜を堆積するのを調整することができる。
図4は、ディストリビュータアセンブリの一部の部分的正面斜視図を示している。基板14は、蒸気供給流源22及びリディレクタ26の下を進行方向15の方向に進む。蒸気供給流源22は、図4に示すように、ほぼ長方形又はボート状にすることができる。蒸気供給流源22は、基板14の進行方向15に対して垂直に、基板14のほぼ全幅に絶えずまたがることができる。結果的に、蒸気供給流25をリディレクタ26によって方向付けて、基板14のほぼ全幅に沿って薄膜を堆積することができる。
図5を参照するに、蒸気供給流源22はほぼ円筒状にすることができる。リディレクタ26はセグメント化することができる。例えば、リディレクタ26はリム50によってセグメント化することができる。蒸気供給流源22の幅は、基板14の全幅の数分の1とすることができる。追加の蒸気供給流源42,43,及び44を設け、これらを蒸気供給流源22と整列させることができる。個別の蒸気供給流源22,42,43及び44は、それらの各蒸気供給流25をリディレクタ26の方へ向け、蒸気供給流25を方向転換させて、基板のほぼ全幅をカバーするのに十分な幅にして、基板14の表面上に薄膜を堆積することができる。蒸気供給流源22,42,43及び44は、堆積処理の均一制御を改善するために、独立制御とすることができる、また流速も独立に制御することができる。例えば、蒸気供給流源22,42,43及び44が蒸気供給流25を方向付ける方向は、独立に制御することができる。蒸気供給流源22,42,43及び44における他の既知の変数を独立に制御して、堆積処理を最適化することができる。
蒸気供給流源42は、材料堆積システム内の任意の適切な位置に位置付けることができる。蒸気供給流源42は、薄膜堆積システムが基板14上に多数の薄膜を堆積し得るように、蒸気供給流源22の下方に位置させることができる。図2及び図3を参照するに、第2の蒸気供給流源42(図示せず)は、リディレクタ26の、蒸気供給流源22とは反対側で、蒸気供給流25を蒸気供給オリフィス30から方向付ける箇所の近くに設置することができる。従って、蒸気供給流源42の蒸気供給オリフィス30からの距離は、蒸気供給流源22を蒸気供給オリフィス30から位置させる距離とは異なる距離とすることができる。
上述した実施形態はいずれも例示的なものに過ぎず、本発明の請求の範囲内で種々の変更を加え得ることは理解されるべきである。本発明を上記好適実施形態につき説明したが、他の実施形態も本発明の範疇にあることは明らかである。
Claims (101)
- 蒸気供給流源、
基板位置の方へ向けた蒸気供給オリフィス、及び
蒸気供給流を前記蒸気供給オリフィスの方へ向けるように構成したリディレクタ、
を備えている、材料堆積システム。 - 前記蒸気供給流を前記基板位置から分離するように位置付けた下方のリディレクタをさらに備えている、請求項1に記載の材料堆積システム。
- 前記蒸気供給流源及び前記リディレクタを収容するチャンバ壁をさらに備えている、請求項1に記載の材料堆積システム。
- 前記蒸気供給流源は、蒸気ボートである、請求項1に記載の材料堆積システム。
- 前記蒸気供給流源は長方形である、請求項1に記載の材料堆積システム。
- 前記蒸気供給流源は円筒状である、請求項1に記載の材料堆積システム。
- 第2の蒸気供給流源をさらに備えている、請求項1に記載の材料堆積システム。
- 前記蒸気供給流源は、蒸発可能材料を収容するように構成されている、請求項1に記載の材料堆積システム。
- 前記蒸発可能材料は液体を含む、請求項8に記載の材料堆積システム。
- 前記蒸発可能材料は固体を含む、請求項8に記載の材料堆積システム。
- 前記蒸発可能材料を蒸発させて、前記蒸気供給流を形成するように構成した電子ビーム源をさらに備えている、請求項8に記載の材料堆積システム。
- 前記蒸発可能材料を熱蒸発させて、前記蒸気供給流を形成し得るヒータをさらに備えている、請求項8に記載の材料堆積システム。
- 前記蒸気供給流源は、材料連続供給源に接続されている、請求項1に記載の材料堆積システム。
- 前記材料連続供給源は、供給ワイヤである、請求項10に記載の材料堆積システム。
- 前記リディレクタは湾曲している、請求項1に記載の材料堆積システム。
- 前記リディレクタは複数の平坦区分を備えている、請求項1に記載の材料堆積システム。
- 前記リディレクタは、前記蒸気供給流を、中心角を有する蒸気プルームに整形し、該蒸気プルームが前記基板位置の方向に広がるようにした、請求項1に記載の材料堆積システム。
- 前記中心角は前記基板位置に対してほぼ垂直である、請求項17に記載の材料堆積システム。
- 前記リディレクタは、前記蒸気供給流を、前記基板位置における複数の各位置の方へ向けられる複数の蒸気プルームに向けるように構成される、請求項1に記載の材料堆積システム。
- 前記リディレクタは加熱される、請求項1に記載の材料堆積システム。
- 前記リディレクタは直接加熱される、請求項20に記載の材料堆積システム。
- 前記リディレクタは間接的に加熱される、請求項20に記載の材料堆積システム。
- 前記リディレクタは金属から成る、請求項1に記載の材料堆積システム。
- 前記リディレクタはセラミックから成る、請求項1に記載の材料堆積システム。
- 前記セラミックは、炭化ケイ素、熱分解窒化ホウ素、グラファイト、及び熱分解窒化ホウ素被覆グラファイトからなる群から選択される、請求項24に記載の材料堆積システム。
- 前記リディレクタは、その幅方向にセグメント化される、請求項1に記載の材料堆積システム。
- 前記リディレクタをその幅方向にセグメント化するリブをさらに備えている、請求項26に記載の材料堆積システム。
- 前記リディレクタは非対称の断面を備えて、前記蒸気供給流が前記蒸気供給流源から離れる方向に向けられるようにした、請求項1に記載の材料堆積システム。
- 前記蒸気供給流源の近接位置に電気的接続部をさらに備え、前記蒸気供給流を前記電気的接続部から離す方向に向けるようにした、請求項28に記載の材料堆積システム。
- 前記リディレクタ内に形成され、前記材料堆積システムを観察するのに用いる観察孔をさらに備えている、請求項1に記載の材料堆積システム。
- 前記観察孔は、低速のフラックス測定用に用いられる、請求項30に記載の材料堆積システム。
- 前記材料堆積システムを観察するのに用いる電子機器をさらに備えている、請求項30に記載の材料堆積システム。
- 前記電子機器は、電子衝撃放射の分光機器を備えている、請求項32に記載の材料堆積システム。
- 前記電子機器は、水晶振動子マイクロバランス機器を備えている、請求項33に記載の材料堆積システム。
- 前記蒸気供給流源及び前記第2の蒸気供給流源は、独立して制御可能である、請求項7に記載の材料堆積システム。
- 前記第2の蒸気供給流源は、前記蒸気供給オリフィスから、前記蒸気供給流源と前記蒸気供給オリフィスとの間の距離とは異なる距離のところにある、請求項7に記載の材料堆積システム。
- 第2の蒸気供給流源をさらに備えている、請求項2に記載の材料堆積システム。
- 前記第2の蒸気供給流源は、前記リディレクタ及び前記下方のリディレクタから、前記蒸気供給流源と前記ノズルとの間の距離とは異なる距離のところにある、請求項37に記載の材料堆積システム。
- 前記第2の蒸気供給流源は、前記蒸気供給流源の下方に位置付けられ、前記堆積システムが複数の薄膜を基板上に堆積できる、請求項7に記載の材料堆積システム。
- 薄膜を基板上に堆積するシステムであって、
基板位置の上に位置付けられ、蒸気供給流を前記基板位置から離れる方向に向ける蒸気供給流源、及び前記蒸気供給流を前記基板位置の方へ向けるように構成したリディレクタを備えている材料堆積システムと、
前記蒸気供給流を薄膜として前記基板上に堆積し得るように、前記材料堆積システムに十分近くの前記基板位置内に基板を移送するためのコンベヤと
を備えている、薄膜堆積用システム。 - 前記蒸気供給流を前記基板位置から隔離し、且つ前記リディレクタの方へ位置付けられる下方のリディレクタを備えている、請求項40に記載のシステム。
- 前記蒸気供給流源及び前記リディレクタを収容するチャンバ壁をさらに備えている、請求項40に記載のシステム。
- 前記蒸気供給流源は蒸気ボートである、請求項40に記載のシステム。
- 前記蒸気供給流源は長方形である、請求項40に記載のシステム。
- 前記蒸気供給流源は円筒状である、請求項40に記載のシステム。
- 第2の蒸気供給流源をさらに備えている、請求項40に記載のシステム。
- 前記蒸気供給流源は、蒸発可能材料を収容するように構成されている、請求項40に記載のシステム。
- 前記蒸発可能材料は液体を含む、請求項47に記載のシステム。
- 前記蒸発可能材料は固体を含む、請求項47に記載のシステム。
- 前記蒸発可能材料を蒸発させて、前記蒸気供給流を形成するように構成した電子ビーム源をさらに備えている、請求項47に記載のシステム。
- 前記蒸発可能材料を熱蒸発させて、前記蒸気供給物流を形成し得るヒータをさらに備えている、請求項47に記載のシステム。
- 前記蒸気供給流源は、材料連続供給源に接続されている、請求項40に記載のシステム。
- 前記材料連続供給源は、供給ワイヤである、請求項52に記載のシステム。
- 前記リディレクタは湾曲している、請求項40に記載のシステム。
- 前記リディレクタは、複数の平坦区分を備えている、請求項40に記載のシステム。
- 前記リディレクタは、前記蒸気供給流を、中心角を有する蒸気プルームに整形し、該蒸気プルームが前記基板位置の方向に広がるようにした、請求項40に記載のシステム。
- 前記中心角は前記基板位置に対してほぼ垂直である、請求項56に記載のシステム。
- 前記リディレクタは、前記蒸気供給流を、前記基板位置における複数の各位置の方へ向けられる複数の蒸気プルームに向けられるように構成される、請求項40に記載のシステム。
- 前記リディレクタは加熱される、請求項40に記載のシステム。
- 前記リディレクタは直接加熱される、請求項59に記載のシステム。
- 前記リディレクタは間接的に加熱される、請求項59に記載のシステム。
- 前記リディレクタは金属から成る、請求項40に記載のシステム。
- 前記リディレクタはセラミックから成る、請求項40に記載のシステム。
- 前記セラミックは、炭化ケイ素、熱分解窒化ホウ素、グラファイト、及び熱分解窒化ホウ素被覆グラファイトから成る群から選択される、請求項63に記載のシステム。
- 前記リディレクタは、その幅方向にセグメント化される、請求項40に記載のシステム。
- 前記リディレクタをその幅方向にセグメント化するリブをさらに備えている、請求項65に記載のシステム。
- 前記リディレクタは非対称断面を備えて、前記蒸気供給流が前記蒸気供給流源から離れる方向に向けられるようにした、請求項40に記載の材料堆積システム。
- 前記蒸気供給流源の近接位置に電気的接続部をさらに備え、前記蒸気供給流を前記電気的接続部から離す方向に向けるようにした、請求項67に記載の材料堆積システム。
- 前記リディレクタ内に形成され、前記材料堆積システムを観察するのに用いる観察孔をさらに備えている、 請求項40に記載の材料堆積システム。
- 前記観察孔は低速のフラックス測定用に用いられる、請求項69に記載の材料堆積システム。
- 前記材料堆積システムを観察するのに用いるための電子機器をさらに備えている、請求項69に記載の材料堆積システム。
- 前記電子機器は、電子衝撃放射の分光機器を備えている、請求項71に記載の材料堆積システム。
- 前記電子機器は、水晶振動子マイクロバランス機器を備えている、請求項72に記載の材料堆積システム。
- 前記蒸気供給流源及び前記第2の蒸気供給流源は、独立して制御可能である、請求項46に記載の材料堆積システム。
- 前記第2の蒸気供給流源は、前記蒸気供給オリフィスから、前記蒸気供給流源と前記蒸気供給オリフィスとの間の距離とは異なる距離のところにある、請求項46に記載の材料堆積システム。
- 第2の蒸気供給流源をさらに備えている、請求項41に記載の材料堆積システム。
- 前記第2の蒸気供給流源は、前記リディレクタ及び前記下方のリディレクタから、前記蒸気供給流源と前記ノズルとの間の距離とは異なる距離のところにある、請求項76に記載の材料堆積システム。
- 前記第2の蒸気供給流源は、前記蒸気供給流源の下方に位置付けられ、前記堆積システムが基板上に複数の薄膜を堆積できるようにした、請求項46に記載の材料堆積システム。
- 基板上に材料を堆積するための方法であって、
基板位置に基板を移送するステップと、
蒸発可能材料の少なくとも一部を蒸気に蒸発させるステップと、
蒸気供給流源からの蒸気を蒸気供給流として、前記基板から離してリディレクタの方へ向けるステップと、
前記リディレクタからの前記蒸気供給流の一部を、蒸気プルームとして前記基板の方へ向け直して、前記基板上に薄膜を堆積するステップと
を含む、基板上への材料堆積方法。 - 前記蒸気供給流源における開口部から前記蒸気をリディレクタの方へ向ける前記ステップは、前記リディレクタと下方のリディレクタとの間の空間に前記蒸気を向けるステップを含む、請求項79に記載の方法。
- 前記薄膜は、セレン化銅インジウムガリウムから成る、請求項79に記載の方法。
- 前記薄膜は、テルル化カドミウムから成る、請求項79に記載の方法。
- 前記リディレクタを加熱するステップをさらに含む、請求項79に記載の方法。
- 前記リディレクタは直接加熱される、請求項83に記載の方法。
- 前記リディレクタは間接的に加熱される、請求項83に記載の方法。
- 前記材料を蒸発させるステップは、前記材料を電子ビーム蒸発させるステップを含む、請求項79に記載の方法。
- 前記材料を蒸発させるステップは、前記材料を熱蒸発させるステップを含む、請求項79に記載の方法。
- 前記リディレクタからの蒸気供給流を蒸気プルームとして向け直す前記ステップは、前記蒸気プルームを、前記基板に対してほぼ垂直の中心角で向けるステップを含む、請求項79に記載の方法。
- 前記リディレクタからの前記蒸気供給流を蒸気プルームとして向け直す前記ステップは、前記蒸気プルームを前記基板のほぼ全幅にわたって、前記基板の方へ向けるステップを含む、請求項79に記載の方法。
- 前記基板の方向に前記蒸気プルームを広げるステップを含む、請求項79に記載の方法。
- 前記基板の方向に前記プルームを広げるステップは、前記基板のほぼ全長を覆うように前記プルームを広げるステップを含む、請求項90に記載の方法。
- 蒸発可能材料を蒸気供給流源に導入するステップは、前記材料を前記蒸気供給流源に連続的に供給するステップを含む、請求項79に記載の方法。
- 前記リディレクタからの前記蒸気供給流の第2部分を第2の蒸気プルームとして前記基板の方へ向け直すステップをさらに含み、前記第2の蒸気プルーム中の前記材料が前記基板上に薄膜として堆積されるようにする、請求項79に記載の方法。
- 前記システムを観察するステップをさらに含む、請求項79の方法。
- 前記システムを観察するステップは、前記リディレクタに形成した観察孔を介して観察するステップを含む、請求項94に記載の方法。
- 前記システムを観察するステップは、低速のフラックス測定を含む、請求項94に記載の方法。
- 前記システムを観察するステップは、電子機器で計測するステップを含む、請求項94に記載の方法。
- 前記システムを観察するステップは、電子衝撃放射の分光機器を使用するステップを含む、請求項97に記載の方法。
- 前記システムを観察するステップは、水晶発振子マイクロバランス機器を使用するステップを含む、請求項97に記載の方法。
- 第2の蒸気供給流源からの、第2の蒸気を方向付けるステップをさらに含む、請求項79に記載の方法。
- 蒸気供給流源と、
基板位置の方へ向けられた蒸気供給オリフィスと、
前記蒸気供給流を前記蒸気供給オリフィスの方へ向けるように構成したリディレクタとを備えている材料堆積システムであって、前記リディレクタは非対称の断面を備えて、前記蒸気供給流が前記蒸気供給流源から離れる方向に向けられるようにした、材料堆積システム。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8628617B2 (en) * | 2008-12-03 | 2014-01-14 | First Solar, Inc. | System and method for top-down material deposition |
US20110139073A1 (en) * | 2009-12-15 | 2011-06-16 | Primestar Solar, Inc. | Conveyor assembly for a vapor deposition apparatus |
US9692039B2 (en) | 2012-07-24 | 2017-06-27 | Quantumscape Corporation | Nanostructured materials for electrochemical conversion reactions |
KR101397451B1 (ko) * | 2013-01-16 | 2014-05-21 | 한국과학기술연구원 | Cu(In,Ga)Se2 나노로드 또는 나노와이어의 제조방법 및 이를 포함하는 재료 |
WO2014197751A1 (en) | 2013-06-06 | 2014-12-11 | Quantumscape Corporation | Flash evaporation of solid state battery component |
WO2015130831A1 (en) | 2014-02-25 | 2015-09-03 | Quantumscape Corporation | Hybrid electrodes with both intercalation and conversion materials |
WO2016021112A1 (en) | 2014-08-07 | 2016-02-11 | Okinawa Institute Of Science And Technology School Corporation | System and method based on multi-source deposition for fabricating perovskite film |
WO2016025866A1 (en) | 2014-08-15 | 2016-02-18 | Quantumscape Corporation | Doped conversion materials for secondary battery cathodes |
GB2574401B (en) * | 2018-06-04 | 2022-11-23 | Dyson Technology Ltd | A Device |
GB2574400B (en) | 2018-06-04 | 2022-11-23 | Dyson Technology Ltd | A Device |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58224167A (ja) * | 1982-06-22 | 1983-12-26 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空蒸着装置 |
JPS6021379A (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空蒸着装置 |
JPS62228465A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-07 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空蒸着装置の金属蒸気付着量制御装置 |
JPH02196008A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-02 | Hitachi Ltd | 多源蒸着装置 |
JPH04136169A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-11 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空蒸着装置 |
JP2003129231A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 真空蒸着装置及び真空蒸着方法 |
JP2003129230A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 真空蒸着装置及び真空蒸着方法 |
JP2009197336A (ja) * | 2005-03-07 | 2009-09-03 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 蒸発源アセンブリ及びそれを用いた蒸着装置 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3970820A (en) | 1975-02-03 | 1976-07-20 | Cha Industries | Wire fed flash evaporation source |
US4401052A (en) | 1979-05-29 | 1983-08-30 | The University Of Delaware | Apparatus for continuous deposition by vacuum evaporation |
US4526840A (en) | 1983-02-11 | 1985-07-02 | Gte Products Corporation | Bar evaporation source having improved wettability |
JPS6353259A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成方法 |
US5182567A (en) | 1990-10-12 | 1993-01-26 | Custom Metallizing Services, Inc. | Retrofittable vapor source for vacuum metallizing utilizing spatter reduction means |
DE4204938C1 (ja) | 1992-02-19 | 1993-06-24 | Leybold Ag, 6450 Hanau, De | |
AU3708495A (en) | 1994-08-01 | 1996-03-04 | Franz Hehmann | Selected processing for non-equilibrium light alloys and products |
US5534314A (en) | 1994-08-31 | 1996-07-09 | University Of Virginia Patent Foundation | Directed vapor deposition of electron beam evaporant |
US6037241A (en) | 1998-02-19 | 2000-03-14 | First Solar, Llc | Apparatus and method for depositing a semiconductor material |
US5945163A (en) | 1998-02-19 | 1999-08-31 | First Solar, Llc | Apparatus and method for depositing a material on a substrate |
US6202591B1 (en) | 1998-11-12 | 2001-03-20 | Flex Products, Inc. | Linear aperture deposition apparatus and coating process |
US6058740A (en) | 1999-02-23 | 2000-05-09 | First Solar, Llc | Glass substrate deposition system having lateral alignment mechanism |
US6206976B1 (en) * | 1999-08-27 | 2001-03-27 | Lucent Technologies Inc. | Deposition apparatus and related method with controllable edge exclusion |
US7194197B1 (en) | 2000-03-16 | 2007-03-20 | Global Solar Energy, Inc. | Nozzle-based, vapor-phase, plume delivery structure for use in production of thin-film deposition layer |
US6338775B1 (en) * | 2000-08-07 | 2002-01-15 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Apparatus and method for uniformly depositing thin films over substrates |
WO2003025245A1 (en) | 2001-09-14 | 2003-03-27 | University Of Delaware | Multiple-nozzle thermal evaporation source |
GB2403671B (en) * | 2002-03-01 | 2005-09-14 | Ngimat Co | Fuel cell membranes and catalytic layers |
US20040086639A1 (en) * | 2002-09-24 | 2004-05-06 | Grantham Daniel Harrison | Patterned thin-film deposition using collimating heated mask asembly |
US20050249873A1 (en) * | 2004-05-05 | 2005-11-10 | Demetrius Sarigiannis | Apparatuses and methods for producing chemically reactive vapors used in manufacturing microelectronic devices |
US7335398B2 (en) * | 2004-07-26 | 2008-02-26 | Asml Holding N.V. | Method to modify the spatial response of a pattern generator |
US7780787B2 (en) | 2004-08-11 | 2010-08-24 | First Solar, Inc. | Apparatus and method for depositing a material on a substrate |
MX2007013335A (es) | 2005-04-26 | 2008-03-24 | First Solar Inc | Sistema y metodo para depositar un material sobre un sustrato. |
DE102005054609B4 (de) * | 2005-11-09 | 2010-10-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung von Licht emittierenden Elementen mit organischen Verbindungen |
US20070207266A1 (en) * | 2006-02-15 | 2007-09-06 | Lemke Harald K | Method and apparatus for coating particulates utilizing physical vapor deposition |
US7951421B2 (en) * | 2006-04-20 | 2011-05-31 | Global Oled Technology Llc | Vapor deposition of a layer |
US8603250B2 (en) | 2006-06-27 | 2013-12-10 | First Solar, Inc. | System and method for deposition of a material on a substrate |
US20080057195A1 (en) * | 2006-08-31 | 2008-03-06 | United Technologies Corporation | Non-line of sight coating technique |
CN101861639B (zh) | 2008-01-15 | 2013-07-17 | 第一太阳能有限公司 | 在基底上沉积材料的系统和方法 |
US8709160B2 (en) * | 2008-08-22 | 2014-04-29 | United Technologies Corporation | Deposition apparatus having thermal hood |
US8628617B2 (en) * | 2008-12-03 | 2014-01-14 | First Solar, Inc. | System and method for top-down material deposition |
US20100189929A1 (en) * | 2009-01-28 | 2010-07-29 | Neal James W | Coating device and deposition apparatus |
US20100247809A1 (en) * | 2009-03-31 | 2010-09-30 | Neal James W | Electron beam vapor deposition apparatus for depositing multi-layer coating |
US8926806B2 (en) * | 2012-01-23 | 2015-01-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Shielding design for metal gap fill |
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2009
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58224167A (ja) * | 1982-06-22 | 1983-12-26 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空蒸着装置 |
JPS6021379A (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空蒸着装置 |
JPS62228465A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-07 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空蒸着装置の金属蒸気付着量制御装置 |
JPH02196008A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-02 | Hitachi Ltd | 多源蒸着装置 |
JPH04136169A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-11 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空蒸着装置 |
JP2003129231A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 真空蒸着装置及び真空蒸着方法 |
JP2003129230A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 真空蒸着装置及び真空蒸着方法 |
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