CN102239528A - 上-下材料沉积的系统和方法 - Google Patents

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Abstract

一种在基底上沉积膜的方法和设备包括从位于基底上方的源引入可蒸发材料。使可蒸发材料被蒸发并将其引导为从源离开基底的蒸气供给流。蒸气供给流从再引导器被再引导为朝向基底的柱，并在基底上沉积为膜。

Description

上-下材料沉积的系统和方法
要求优先权
本申请要求于2008年12月3日提交的第61/119,610号美国临时专利申请的优先权，该美国临时专利申请通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明涉及光伏器件的生产。
背景技术
在光伏器件的制造中，将半导体材料沉积到基底上。这可如下地实现：通过使半导体蒸发并将蒸发的半导体朝基底表面引导，使得蒸发的半导体凝结并沉积在基底上，形成固态半导体膜。
发明内容
一种材料沉积系统可包括：蒸气供给流的源；朝基底位置引导的蒸气供应孔；再引导器，被构造为将蒸气供给流朝蒸气供应孔引导。分布器组件可包括：下再引导器，被定位成使蒸气供给流与基底位置隔离；室壁，容纳所述源和再引导器。
再引导器可包括非对称剖面，使得蒸气供给流被引导离开所述源。再引导器可包括靠近源的电连接件，使得蒸气供给流被引导离开电连接件。一个或多个观察孔可形成在再引导器中，以用于观察系统，例如，用于低速率流测量。可以用电子仪器观察系统。电子仪器可包括任何已知的仪器，已知的仪器包括电子碰撞发射光谱仪器和石英晶体微天平仪器。
源可以是蒸气船。源可以是矩形或圆柱形。可以有多个源，所述多个源可对齐以将各个蒸气供给流朝再引导器引导。多个源可独立地可控，并可独立地构造为改善沉积工艺的均匀性控制。第二源与蒸气供应孔的距离可以不等于第一源与蒸气供应孔的距离。当材料沉积系统包括再引导器和下再引导器时，蒸气供给流的第二源可被设置为使蒸气供给流的第二源与由再引导器和下再引导器形成的喷嘴之间的距离不同于蒸气供给流的所述源与所述喷嘴之间的距离。蒸气供给流的第二源可位于蒸气供给流的所述源下方，使得所述系统可以在基底上形成多层膜。
源可容纳可蒸发材料，可蒸发材料可以呈液态或固态。材料沉积系统可包括电子束源以使可蒸发材料电子束蒸发，或者可包括加热器，以使可蒸发材料热蒸发。源可连接到连续的供给源，例如供给线。再引导器可以弯曲并可包括多个平面部分。再引导器可使蒸气供给流成形为一个或更多个蒸气柱，每个蒸气柱具有中心角，蒸气柱可沿基底位置的方向扩展。中心角可大致垂直于基底位置。
再引导器可被加热。再引导器可被直接或间接加热。再引导器可包括金属或陶瓷，例如碳化硅、热解氮化硼、石墨和涂覆有热解氮化硼的石墨。再引导器可在其宽度上分段，并可包括限定这些段的肋。
一种在基底上沉积膜的系统包括材料沉积系统，材料沉积系统包括位于基底位置上方并将蒸气供给流引导离开基底位置的蒸气供给流源以及将蒸气供给流朝基底位置引导的再引导器。在基底上沉积膜的系统还包括输送器，将基底传输至足够靠近分布器组件的基底位置中，使得蒸气供给流可在基底上沉积为膜。在基底上沉积膜的系统可包括：下再引导器，被定位成使蒸气供给流与基底位置隔离并朝向再引导器；室壁，容纳源和再引导器。源可以是蒸气船。源可以是矩形或圆柱形的。可以有多个源并且所述多个源可以对齐以将各个蒸气供给流引导离开基底位置并朝向再引导器。源可容纳可蒸发材料，可蒸发材料可以呈液态或固态。
分布器组件可包括电子束蒸发可蒸发材料的电子束源，或包括热蒸发可蒸发材料的加热器。源可连接到连续供给源，例如供给线。再引导器可以弯曲并可包括多个平面部分。再引导器可使蒸气供给流成形为一个或多个蒸气柱，每个蒸气柱具有中心角，蒸气柱可沿基底位置的方向扩展。中心角可大致垂直于基底位置。
再引导器可被加热。再引导器可被直接或间接加热。再引导器可包括金属或陶瓷，例如碳化硅、热解氮化硼、石墨和涂覆有热解氮化硼的石墨。再引导器可在其宽度上分段，并可包括限定这些段的肋。
一种在基底上沉积材料的方法包括：将基底传输到基底位置中；使可蒸发材料的至少一部分蒸发为蒸气；将蒸气从蒸气供给流源作为蒸气供给流引导离开基底并朝向再引导器；从再引导器将蒸气供给流的一部分再引导为朝向基底的蒸气柱，从而将蒸气柱中的材料在基底上沉积为膜。从源引导蒸气的步骤可包括将蒸气引导到再引导器和下再引导器之间的空间中。膜可包括例如铜铟镓硒或碲化镉。
该方法可包括直接或间接加热再引导器的步骤。使所述材料蒸发的步骤可包括例如电子束蒸发所述材料或热蒸发所述材料。从再引导器将蒸气供给流再引导为蒸气柱的步骤可包括以基本垂直于基底的中心角引导蒸气柱。从再引导器将蒸气供给流再引导为蒸气柱的步骤可包括基本跨过基底的整个宽度朝着基底引导蒸气柱。所述方法还可包括使蒸气柱沿基底的方向扩展。使蒸气柱沿基底的方向扩展的步骤可包括使蒸气柱扩展为基本覆盖基底的整个长度。将可蒸发材料引入到源中的步骤可包括将所述材料连续地供给到源中。所述方法还可包括从再引导器将蒸气供给流的第二部分再引导为朝向基底的第二蒸气柱的步骤，使得在第二蒸气柱中的材料在基底上沉积为膜。所述方法还可包括测量蒸气供给流的步骤。
附图说明
图1是描绘基底处理系统的一部分的图。
图2是描绘膜沉积室的实施例的剖视图的图。
图3是描绘膜沉积室的另外的实施例的剖视图的图。
图4是描绘分布器组件的实施例的局部前透视图的图。
图5是描绘分布器组件的另外的实施例的前透视图的图。
具体实施方式
例如在第3,970,820号美国专利、第4,401,052号美国专利、第4,526,840号美国专利、第5,182,567号美国专利、第6,037,241号美国专利、第6,367,414号美国专利、第6,562,405号美国专利和第5,216,742号美国专利中描述了在玻璃基底上沉积半导体膜的设备和方法，这些专利的公开通过引用全部包含于此。
可将可蒸发材料(例如固态半导体粉)引入到蒸气供给流源中。蒸气供给流源可以是容器，将可蒸发材料引入到该容器中并使其蒸发以形成蒸气供给流。该源可安装在膜沉积室中，在基底位置的上方。通过容器中的开口来引导供给流离开位于下方的基底位置处的基底。然后通过邻近开口的再引导器将供给流以柱(plume)的形式朝基底再引导。材料沉积在基底上成为膜。
参照附图中的图1，基底处理系统10包括输送器12，输送器12将基底14沿输送器12穿过膜沉积室16输送。膜沉积室16由膜沉积室壁18围绕。基底14可以是玻璃基底并可包括碱石灰玻璃。基底14可涂覆有材料。
参照图2，描绘了膜沉积室16和容纳在室壁18内的分布器组件的剖视图。基底14可被提供在膜沉积室16中的基底位置处，并且可以固定在基底位置处或者可以沿行进方向15连续地行进穿过基底位置。供给线20将可蒸发材料21引入到蒸气供给流源22中，蒸气供给流源22可以是安装在膜沉积室16中且在基底14上方的容器。可蒸发材料21也可通过任何已知的其它合适的方式引入到蒸气供给流源22中，并且可以以连续或间歇的方式引入。可蒸发材料21可以是液态或固态。可蒸发材料21可以是半导体粉，例如铜铟镓硒(CIGS)或碲化镉(CdTe)。然后使可蒸发材料21蒸发。可使用电子枪通过电子束蒸发(e-束蒸发)来使可蒸发材料21蒸发。也可通过热蒸发来使可蒸发材料21蒸发。可使用靠近蒸气供给流源22的加热器23来执行热蒸发。加热器23可被定位为邻近蒸气供给流源22的壁。由于供给线20将可蒸发材料21引入到蒸气供给流源22中，所以加热器23也可被定位为邻近供给线20。加热器23将可蒸发材料21加热至足以使可蒸发材料21的至少一部分蒸发的温度。
继续参照图2，当可蒸发材料21蒸发时，从蒸气供给流源22引导可蒸发材料21。蒸气供给流源22可以是包括开口24的容器，通过开口24引导蒸气供给流25。以大体上远离下方的基底14的方式引导蒸气供给流25。朝向再引导器26引导蒸气供给流25。再引导器26这样再引导蒸气供给流25，即，通过对蒸气供给流25再引导、转向和/或反射来使大多数蒸气供给流25在膜沉积室16中传输至不同的位置或者沿不同的方向传输。再引导器26在基底14上方并至少部分地在开口24上方。再引导器26可连接到蒸气供给流源22并在膜沉积室16中限定引导蒸气供给流25的空间。再引导器26可具有凹入的以在膜沉积室16中限定引导蒸气供给流25的空间的弯曲形式。再引导器26还可包括平面再引导部分27，以在膜沉积室16中限定引导蒸气供给流25的空间。蒸气供给流25可以以第一角度入射到再引导器26的第一位置上。再引导器26可被构造为以第二角度朝基底14或朝再引导器26上的第二位置再引导蒸气供给流25。如果蒸气供给流25被朝向再引导器26上的第二位置再引导，则蒸气供给流25随后可以以第三角度被再引导。最后，以最终朝着基底14的角度再引导蒸气供给流25。通过将再引导器26构造成产生蒸气供给流25的有角度的路径，可以以提高了的控制性和精确度朝着基底引导蒸气供给流25。
可通过提供适当的曲率(在弯曲的再引导器26的情况下)或者通过提供以适当的角度结合的、适当大小的平面再引导器部分27的组合来设计由再引导器26引起的对蒸气供给流25的再引导。再引导器26可在位于再引导器26的端部之间并且排列成与基底14的传输方向垂直的每个轴上是不对称的。再引导器26可包括多个平面再引导器部分27，其中，没有两个再引导器部分27具有相同的尺寸。例如，具有平面再引导器部分27的再引导器26将是非对称的，其中，平面再引导器部分27沿基底14的传输方向各自具有独特的长度。即使再引导器26包括尺寸相同的多个平面再引导器部分27，再引导器26也可以是非对称的。例如，如果第一和第二平面再引导器部分27具有相同的第一长度，第三平面再引导器部分27具有不同的第二长度，并且第四平面再引导器部分27具有与第一长度和第二长度不同的第三长度，则包括这四个平面再引导器部分27的再引导器26将是非对称的。
也可以通过改变一个平面再引导器部分27相对于下一个平面再引导器部分27的角度来非对称地构造再引导器26。在再引导器26包括三个或更多个平面再引导器部分27，并且平面再引导器部分27之间的角度没有两个相同的情况下，再引导器26将是非对称的。即使再引导器26包括具有相同入射角度的多个平面再引导器部分27，再引导器26也可以是非对称的。例如，如果第一平面再引导器部分27和第二平面再引导器部分27之间的入射角度与第二平面再引导器部分27和第三平面再引导器部分27之间的入射角度相同，并且如果第三平面再引导器部分27和第四平面再引导器部分27之间的入射角度与其它共同的入射角度不同，则包括这四个平面再引导器部分27的再引导器26将是非对称的(而与平面再引导器部分27的尺寸无关)。
利用之间具有不同入射角度的不同尺寸的平面再引导器部分27在设计再引导器26方面提供了很大的柔性，并使控制蒸气供给流25被再引导的角度的能力高。因此，再引导器26能够引导蒸气供给流25离开蒸气供给流源22。另外，再引导器26的柔性使得蒸气供给流25以精确的角度朝基底14上的精确位置再引导。
膜沉积室16中容纳的材料沉积系统可包括靠近蒸气供给流源22的电连接件。因此，再引导器26能够将蒸气供给流25引导离开蒸气供给流源22和附近的电连接件。再引导器26可包括金属。再引导器26可以包括陶瓷，例如碳化硅、热解氮化硼、石墨或涂覆有热解氮化硼的石墨。再引导器26可被直接或间接地加热，以使蒸气供给流25保持为蒸气形式并防止蒸气供给流25沉积在再引导器26的表面上。
在图2中示出的再引导器26可包括形成在再引导器26的表面中的一个或更多个观察孔。观察孔可以是任何合适的尺寸、形状或位置，以观察观察者想要测量的膜沉积工艺的任意方面。这种测量的示例包括低速率流测量和使用电子仪器(例如，电子碰撞发射光谱(EIES)和石英晶体微天平(QCM)仪器)的测量。仪器可被定位为靠近形成在再引导器26的表面中的观察孔或在所述观察孔中。可例如利用光学窗视觉地观察蒸气供给流25。响应于获得的观察结果，可调节例如可蒸发材料21的供给速率、加热器23和蒸气供给流源22的温度以及基底14沿行进方向15的速度的变量。
再参照图2，再引导器26将蒸气供给流25通过蒸气供应孔30朝基底14的暴露表面向下再引导。再引导器26也可将蒸气供给流25整形为蒸气柱28，随着沿基底14的方向穿过蒸气供应孔30行进，蒸气柱28从较窄扩展到较宽。蒸气柱28可扩展为能够沿行进方向15覆盖基底14的基本整个长度的宽柱。蒸气柱28可具有由两点限定的线来确定的中心角：第一点在蒸气供给流25与再引导器26相遇的蒸气供给流25的边界之中；第二点在蒸气柱28与包括平面的基底14相遇的蒸气柱28的边界之中。中心角可与基底14基本垂直。另一方面，一个或更多个蒸气供给流25可被再引导并成形为被引导至基底上的不同位置的多个蒸气柱28。当蒸气柱28接触基底14时，蒸气柱28在基底14的表面上形成膜。
参照图3，描绘了膜沉积室16和容纳在室壁18内的分布器组件的另一实施例的剖视图。与图2相似，图3示出了容纳在蒸气供给流源22中的可蒸发材料21以及用于使可蒸发材料21蒸发的加热器23。蒸气供给流源22可具有开口24，可蒸发材料21在其蒸发之后作为蒸气供给流25被引导。如图2中所示，蒸气供给流25被引导至部分地由再引导器26限定的空间中。如图3中所示，该空间还可由下再引导器29限定。下再引导器29与再引导器26一样位于基底14上方。下再引导器29可部分地位于开口24上方。下再引导器29可连接到开口24的一部分，开口24的所述一部分与再引导器26所连接到的开口24的那部分相对。下再引导器29与再引导器26一起在膜沉积室16中限定引导蒸气供给流25的空间。下再引导器29可具有能够基本凹入到被蒸气供给流25占据的空间的弯曲形式，从而下再引导器29能够部分地“套叠(nest)”在再引导器26的弯曲形状中。下再引导器29也可包括平面再引导器部分以在膜沉积室16中限定引导蒸气供给流25的空间的凸起的边界。下再引导器29可相对于沿与基底14垂直的线形成的轴不对称。下再引导器29可包括金属。下再引导器29可包括陶瓷，例如碳化硅、热解氮化硼、石墨或涂覆有热解氮化硼的石墨。下再引导器29可被直接或间接地加热，以使蒸气供给流25保持为蒸气形式并防止蒸气供给流25沉积在下再引导器29的表面上。
下再引导器29可相对于再引导器26以形成蒸气供应孔30这样的方式来设置。蒸气供应孔30可具有能够将蒸气供给流25再引导并整形为蒸气柱31的喷嘴形状的剖面。如图3中所示，蒸气供应孔30可通过再引导器26和下再引导器29形成，使得蒸气柱31比在图2中描述的蒸气柱28窄，并且能够随着蒸气柱31沿基底14的方向行进而更精确地控制和限制蒸气柱31的扩展。结果，能够校准较窄的蒸气柱31以在基底14的表面的更小的部分上沉积膜。
图4描绘了分布器组件的一部分的局部前透视图。基底14在蒸气供给流源22和再引导器26下方沿方向15行进。如图4中所示，蒸气供给流源22可以基本上为矩形或船型。蒸气供给流源22可连续地跨过基底14的与行进方向15垂直的基本整个宽度。结果，蒸气供给流25可被再引导器26引导以沿基底14的基本整个宽度沉积膜。
参照图5，蒸气供给流源22可以基本为圆柱形形状。再引导器26可为分段的。例如，再引导器26可由肋50分段。蒸气供给流源22的宽度可以是基底14的整个宽度的几分之一。可设置另外的蒸气供给流源42、43和44，并可以使这些蒸气供给流源与蒸气供给流源22对齐。不同的蒸气供给流源22、42、43和44可将它们各自的蒸气供给流25朝再引导器26引导，再引导器26可以足够宽以将蒸气供给流25再引导为基本覆盖基底14的整个宽度，从而在基底14的表面上沉积膜。可独立地控制蒸气供给流源22、42、43和44以改善沉积工艺的控制均匀性，并且可以对蒸气供给流源22、42、43和44在流率方面进行独立的控制。例如，可独立地控制蒸气供给流源22、42、43和44引导蒸气供给流25的方向。可以对蒸气供给流源22、42、43和44独立地控制其它已知的变量以使沉积工艺最优化。
蒸气供给流源42可位于材料沉积系统中的任何合适的位置。蒸气供给流源42可位于蒸气供给流源22的下方，使得膜沉积系统能够在基底14上沉积多层膜。参照图2和图3，第二蒸气供给流源42(未示出)可位于再引导器26的与蒸气供给流源22相对的侧并靠近蒸气供给流25被从蒸气供应孔30引导之处。因此，蒸气供给流源42与蒸气供应孔30之间的距离可与蒸气供给流源22与蒸气供应孔30之间的距离不同。
以示出和示例的方式提供了上述实施例。应该理解的是，上面提供的示例可以在特定方面改变并仍然保持在权利要求的范围内。应该理解的是，虽然已经参照上面的优选实施例描述了本发明，但是其它实施例也在权利要求的范围内。

Claims (101)

1.一种材料沉积系统，所述材料沉积系统包括：
蒸气供给流的源；
朝基底位置引导的蒸气供应孔；
再引导器，被构造为将蒸气供给流朝蒸气供应孔引导。
2.如权利要求1所述的材料沉积系统，所述材料沉积系统还包括：下再引导器，被定位成使蒸气供给流与基底位置隔离。
3.如权利要求1所述的材料沉积系统，所述材料沉积系统还包括容纳所述源和所述再引导器的室壁。
4.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，源是蒸气船。
5.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，源为矩形。
6.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，源为圆柱形。
7.如权利要求1所述的材料沉积系统，所述材料沉积系统还包括蒸气供给流的第二源。
8.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，所述源被构造为容纳可蒸发材料。
9.如权利要求8所述的材料沉积系统，其中，可蒸发材料呈液态。
10.如权利要求8所述的材料沉积系统，其中，可蒸发材料呈固态。
11.如权利要求8所述的材料沉积系统，所述材料沉积系统还包括：电子束源，被构造为使可蒸发材料蒸发以形成蒸气供给流。
12.如权利要求8所述的材料沉积系统，所述材料沉积系统还包括：加热器，能够使可蒸发材料热蒸发以形成蒸气供给流。
13.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，所述源连接到连续的材料供给源。
14.如权利要求10所述的材料沉积系统，其中，连续的材料供给源是供给线。
15.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，再引导器是弯曲的。
16.如权利要求1所述的分布器组件，其中，再引导器包括多个平面部分。
17.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，再引导器使蒸气供给流成形为具有中心角的蒸气柱，蒸气柱沿基底位置的方向扩展。
18.如权利要求17所述的材料沉积系统，其中，所述中心角与基底位置基本垂直。
19.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，再引导器被构造为将蒸气供给流引导为朝基底位置上的多个位置中的各个位置引导的多个蒸气柱。
20.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，再引导器被加热。
21.如权利要求20所述的材料沉积系统，其中，再引导器被直接加热。
22.如权利要求20所述的材料沉积系统，其中，再引导器被间接加热。
23.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，再引导器包括金属。
24.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，再引导器包括陶瓷。
25.如权利要求24所述的材料沉积系统，其中，陶瓷从由碳化硅、热解氮化硼、石墨和涂覆有热解氮化硼的石墨组成的组中选择。
26.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，再引导器在其宽度上分段。
27.如权利要求26所述的材料沉积系统，所述材料沉积系统还包括在再引导器的宽度上使再引导器分段的肋。
28.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，再引导器包括非对称的剖面，使得蒸气供给流被引导离开所述源。
29.如权利要求28所述的材料沉积系统，所述材料沉积系统还包括靠近所述源的电连接件，使得蒸气供给流被引导离开所述电连接件。
30.如权利要求1所述的材料沉积系统，所述材料沉积系统还包括形成在再引导器中以用于观察所述系统的观察孔。
31.如权利要求30所述的材料沉积系统，其中，观察孔用于低速率流测量。
32.如权利要求30所述的材料沉积系统，所述材料沉积系统还包括用于观察系统的电子仪器。
33.如权利要求32所述的材料沉积系统，其中，电子仪器包括电子碰撞发射光谱仪器。
34.如权利要求33所述的材料沉积系统，其中，电子仪器包括石英晶体微天平仪器。
35.如权利要求7所述的材料沉积系统，其中，所述源和第二源独立地可控。
36.如权利要求7所述的材料沉积系统，其中，第二源与蒸气供应孔之
间的距离不等于所述源与蒸气供应孔之间的距离。
37.如权利要求2所述的材料沉积系统，所述材料沉积系统还包括蒸气供给流的第二源。
38.如权利要求37所述的材料沉积系统，其中，蒸气供给流的第二源与由再引导器和下再引导器形成的喷嘴之间的距离不同于蒸气供给流的所述源与所述喷嘴之间的距离。
39.如权利要求7所述的材料沉积系统，其中，蒸气供给流的第二源位于蒸气供给流的所述源下方，使得所述系统能够在基底上沉积多层膜。
40.一种在基底上沉积膜的系统，所述系统包括：
材料沉积系统，包括位于基底位置上方的蒸气供给流源和再引导器，蒸气供给流源将蒸气供给流引导离开基底位置，再引导器被构造为将蒸气供给流朝基底位置引导；
输送器，将基底传输至足够靠近材料沉积系统的基底位置中，使得蒸气供给流可在基底上沉积为膜。
41.如权利要求40所述的系统，所述系统还包括下再引导器，被定位成使蒸气供给流与基底位置隔离并朝向再引导器。
42.如权利要求40所述的系统，所述系统还包括容纳所述源和所述再引导器的室壁。
43.如权利要求40所述的系统，其中，源是蒸气船。
44.如权利要求40所述的系统，其中，源为矩形。
45.如权利要求40所述的系统，其中，源为圆柱形。
46.如权利要求40所述的系统，所述系统还包括蒸气供给流的第二源。
47.如权利要求40所述的系统，其中，源被构造为容纳可蒸发材料。
48.如权利要求47所述的系统，其中，可蒸发材料呈液态。
49.如权利要求47所述的系统，其中，可蒸发材料呈固态。
50.如权利要求47所述的系统，所述系统还包括：电子束源，被构造为使可蒸发材料蒸发以形成蒸气供给流。
51.如权利要求47所述的系统，所述系统还包括：加热器，能够使可蒸发材料热蒸发以形成蒸气供给流。
52.如权利要求40所述的系统，其中，源连接到连续的材料供给源。
53.如权利要求52所述的系统，其中，连续的材料供给源是供给线。
54.如权利要求40所述的系统，其中，再引导器是弯曲的。
55.如权利要求40所述的系统，其中，再引导器包括多个平面部分。
56.如权利要求40所述的系统，其中，再引导器使蒸气供给流成形为具有中心角的蒸气柱，蒸气柱沿基底位置的方向扩展。
57.如权利要求56所述的系统，其中，所述中心角与基底位置基本垂直。
58.如权利要求40所述的系统，其中，再引导器被构造为将蒸气供给流引导为朝基底位置上的多个位置中的各个位置引导的多个蒸气柱。
59.如权利要求40所述的系统，其中，再引导器被加热。
60.如权利要求59所述的系统，其中，再引导器被直接加热。
61.如权利要求59所述的系统，其中，再引导器被间接加热。
62.如权利要求40所述的系统，其中，再引导器包括金属。
63.如权利要求40所述的系统，其中，再引导器包括陶瓷。
64.如权利要求63所述的系统，其中，陶瓷从由碳化硅、热解氮化硼、石墨和涂覆有热解氮化硼的石墨组成的组中选择。
65.如权利要求40所述的系统，其中，再引导器在其宽度上分段。
66.如权利要求65所述的系统，所述系统还包括在再引导器的宽度上使再引导器分段的肋。
67.如权利要求40所述的材料沉积系统，其中，再引导器包括非对称的剖面，使得蒸气供给流被引导离开所述源。
68.如权利要求67所述的材料沉积系统，所述系统还包括靠近所述源的电连接件，使得蒸气供给流被引导离开所述电连接件。
69.如权利要求40所述的材料沉积系统，所述系统还包括形成在再引导器中以用于观察所述系统的观察孔。
70.如权利要求69所述的材料沉积系统，其中，观察孔用于低速率流测量。
71.如权利要求69所述的材料沉积系统，所述系统还包括用于观察所述系统的电子仪器。
72.如权利要求71所述的材料沉积系统，其中，电子仪器包括电子碰撞发射光谱仪器。
73.如权利要求72所述的材料沉积系统，其中，电子仪器包括石英晶体微天平仪器。
74.如权利要求46所述的材料沉积系统，其中，所述源和第二源独立地可控。
75.如权利要求46所述的材料沉积系统，其中，第二源与蒸气供应孔之间的距离不等于所述源与蒸气供应孔之间的距离。
76.如权利要求41所述的材料沉积系统，所述系统还包括蒸气供给流的第二源。
77.如权利要求76所述的材料沉积系统，其中，蒸气供给流的第二源与由再引导器和下再引导器形成的喷嘴之间的距离不同于蒸气供给流的所述源与所述喷嘴之间的距离。
78.如权利要求46所述的材料沉积系统，其中，蒸气供给流的第二源位于蒸气供给流的所述源下方，使得所述系统能够在基底上沉积多层膜。
79.一种在基底上沉积材料的方法，所述方法包括：
将基底传输到基底位置中；
使可蒸发材料的至少一部分蒸发为蒸气；
将蒸气从蒸气供给流源作为蒸气供给流引导离开基底并朝向再引导器；
从再引导器将蒸气供给流的一部分再引导为朝向基底的蒸气柱，从而在基底上沉积材料。
80.如权利要求79所述的方法，其中，从源中的开口引导蒸气的步骤包括将蒸气引导至再引导器和下再引导器之间的空间中。
81.如权利要求79所述的方法，其中，膜包括铜铟镓硒。
82.如权利要求79所述的方法，其中，膜包括碲化镉。
83.如权利要求79所述的方法，所述方法还包括加热再引导器的步骤。
84.如权利要求83所述的方法，其中，再引导器被直接加热。
85.如权利要求83所述的方法，其中，再引导器被间接加热。
86.如权利要求79所述的方法，其中，使可蒸发材料蒸发的步骤包括电子束蒸发所述材料。
87.如权利要求79所述的方法，其中，使所述材料蒸发的步骤包括热蒸发所述材料。
88.如权利要求79所述的方法，其中，从再引导器将蒸气供给流再引导为蒸气柱的步骤包括以基本垂直于基底的中心角引导蒸气柱。
89.如权利要求79所述的方法，其中，从再引导器将蒸气供给流再引导为蒸气柱的步骤包括基本跨过基底的整个宽度朝着基底引导蒸气柱。
90.如权利要求79所述的方法，所述方法还包括使蒸气柱沿基底的方向扩展。
91.如权利要求90所述的方法，其中，使蒸气柱沿基底的方向扩展的步骤包括使蒸气柱扩展为基本覆盖基底的整个长度。
92.如权利要求79所述的方法，将可蒸发材料引入到源中的步骤包括将所述材料连续地供给到所述源中。
93.如权利要求79所述的方法，所述方法还包括从再引导器将蒸气供给流的第二部分再引导为朝向基底的第二蒸气柱的步骤，使得在第二蒸气柱中的材料在基底上沉积为膜。
94.如权利要求79所述的方法，所述方法还包括观察系统的步骤。
95.如权利要求94所述的方法，其中，观察系统的步骤包括通过形成在再引导器中的观察孔来观察。
96.如权利要求94所述的方法，其中，观察系统的步骤包括低速率流测量。
97.如权利要求94所述的方法，其中，观察系统的步骤包括利用电子仪器进行测量。
98.如权利要求97所述的方法，其中，观察系统的步骤包括使用电子碰撞发射光谱仪器。
99.如权利要求97所述的方法，其中，观察系统的步骤包括使用石英晶体微天平仪器。
100.如权利要求79所述的方法，所述方法还包括从第二蒸气供给流源引导第二蒸气的步骤。
101.一种材料沉积系统，所述材料沉积系统包括：
蒸气供给流的源；
蒸气供应孔，朝基底位置引导；
再引导器，被构造为将蒸气供给流朝蒸气供应孔引导，其中，再引导器包括非对称的剖面，使得蒸气供给流从所述源引导离开。
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