JP2012506492A - 新規な材料およびh2の電極触媒発生または取り込みのためのその使用 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図13A
Description
−カーボンブラック、単層または多層カーボンナノチューブ(CNT)、フラーレンナノ粒子のような曲面炭素ナノ構造体、
−黒鉛、
−ガラス状炭素(膨張もしくは非膨張、または発泡体)、
−グラフェン、
−ドープダイヤモンド
から選択され得る。
−表面において1個または複数のC=C二重結合で実施される付加化学によって官能化される。ジアゾニウム塩の還元によってリンカーアーム前駆体から生成されるアリール基は、このように炭素材料と相互作用する。
−炭素材料のグラフェン層と、フェニル、ビフェニル、アントラセン、ピレン、ペリレンなどの、リンカーアームの芳香族部位、および他のポリ芳香族基とのπ−スタッキング相互作用を介して官能化される。
Arは、C1〜C6アルキル、−OH、−NH2、−COOH、−F、−Cl、−Br、−I、−NO2、−CONR”2、−COOR”、−SO3−、−SR”、−OR”、−NR”2から選択される1個または複数の置換基を場合により含むC6〜C30芳香族残基を表し、
RおよびR’は、同一または異なり、H、ならびに、−OH、−NH2、−COOH、−CONH2、トリアゾール、−SH、−N3から選択される1個または複数の置換基を場合により含み、−CONH−、−CO−O−、−CO−O−CO−、−CO−NH−CO−、−CO−S−、−CS−O−、−CS−S−から選択される1個または複数の架橋によって場合により中断されている、C1〜C20アルキル、C1〜C20アルケニル、C1〜C20アルキニル、C6〜C30アリール、C6〜C30アラルキルから選択される基を表し、
R”は、H、C1〜C20アルキル、C1〜C20アルケニル、C1〜C20アルキニル、C6〜C30アリール、C6〜C30アラルキルから選択される基を表し、
Xは、−OH、−NH2、−COOH、−CONH2、トリアゾール、−SH、−N3から選択される1個または複数の置換基を場合により含み、−CONH−、−CO−O−、−CO−O−CO−、−CO−NH−CO−、−CO−S−、−CS−O−、−CS−S−から選択される1個または複数の架橋によって場合により中断されている、C1〜C20アルキル、C1〜C20アルケニル、C1〜C20アルキニル、C6〜C30アリール、C6〜C30アラルキルから選択される基を表し、
xは、整数であり、1≦x≦5であり、xは、X基上でグラフト化されている官能基Yの数であり、
Yは、単一の共有結合、−O−、−NH−、−S−、−COO−、−CONH−、−CO−S−、−CS−O−、−CS−S−から選択される官能基である)
の還元的オリゴマー化から得られるオリゴマーに対応するもの
から選択される。
Mは、元素周期表の遷移金属から、好ましくは、先に与えたリストから選択される原子を表し、さらにより好ましくは、Mは、Mn、Fe、Co、Ni、W、Moから選択され、有利には、Mは、NiおよびCoから選択される。
を有するもの。
に対応するものから選択される金属有機錯体を有する。
−(i)金属有機錯体が、リンカーとまずカップリングされ得、このアセンブリは、高い比表面積を有する導電性または半導性材料にグラフト化され得る;
−(ii)高い比表面積を有する導電性または半導性材料が、リンカーによってまず官能化され得、その後、金属有機錯体が、クリック化学の方法を含めた伝統的な有機カップリング反応を用いて、リンカー上にカップリングされ得る;
−(iii)高い比表面積を有する導電性または半導性材料が、金属有機錯体の一部である配位子と既にカップリングされているリンカーによってまず官能化され得る。次いで、該錯体が、このグラフト化された配位子を、錯体の金属塩または金属前駆体と遊離配位子との混合物と反応させることによって形成される。
材料。全ての反応を、グローブボックスにおいてまたは標準シュレンク技術を用いてアルゴンの不活性雰囲気下に常套的に実施した。溶媒を脱気し、アルゴン下に蒸留した。ジエチルエーテルをNa/ベンゾフェノン上での還流によって蒸留し、エタノールをマグネシウムジエトキシド上での還流によって蒸留し、乾燥アセトニトリルおよびジクロロメタンをCaH2での蒸留によって得た。NMR溶媒(Eurisotop)を3つの凍結−吸引−解凍サイクルによって脱酸素して、分子篩上で保存した。これを通して窒素をバブリングすることによって、工業用の電気化学用ジメチルホルムアミドを脱気した。支持電解質(n−Bu4N)BF4を(n−Bu4N)HSO4(Aldrich)およびNaBF4(Aldrich)から調製し、真空下に80℃で一晩乾燥させた。[Ni(MeCN)6](BF4)2を既に記載されている手順にしたがって調製した[B.J.Hathaway、A.E.Underhill、J.Chem.Soc.1960年、3705頁;B.J.Hathaway、D.G.Holah、A.E.Underhill、J.Chem.Soc.1962年、2444頁]。他の化学薬品を受け入れたときのまま用いた。工業用の3100グレードの多層カーボンナノチューブ(>95%)をNanocylから得た。Arkema Carbon Nanotubesから得た工業用グレードのC100多層カーボンナノチューブ(>95%)を受け入れたときのまま、精製ステップを行うことなく用いた。ITO基材は、Prazision Glas & Optik、GmbH(PGO)から提供された。
NMRスペクトルを、1Hでは300.0MHzで、13Cでは75.5MHzで、31Pでは121.5MHzで作動する、QNPプローブヘッドを備えたBruker AC300分光計において、または、1Hでは400.0MHzで作動するBruker AVANCE DRX400において、5mm管で室温にて記録した。溶媒ピークは、1Hおよび13Cの化学シフトについて、Me4Siに対する内部標準として用いられる;31P NMRスペクトルをプロトンデカップリングし、H3PO4(85%)を参照とした。ESI質量スペクトルをFinnigan LCQ thermoquestイオントラップによって記録した。元素分析をICSN/CNRS(Gif/Yvette、フランス)においてMicroanalyses Laboratoryで行った。
EG&Gポテンシオスタット、273Aモデルを用いて電気化学分析を行った。電気化学実験を、グローブボックス中、高度に制御されたアルゴン乾燥雰囲気下、3電極電気化学電池において実施した。作用電極は、以下に記載のものであった。補助電極は、白金または黒鉛箔であった。参照電極は、Ag/AgClO4 10−2Mのカップルをベースとした。代替的には、銀/塩化銀電極を用いた。これらの参照電極は、溶液中にフェロセンを添加し、その半波長電位を測定することによる各実験の後に較正した。この作業において与えられる全ての電位は、別途記述しない限り、(Ag/AgClO4)参照電極に対するものである。テトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート[Bu4N]PF6を支持電解質として用いて、無水ジクロロメタンまたはアセトニトリル(含水量<50ppm)中で実験を行った。[DMFH](OTf)を、密度が1.28であり、[DMFH]+濃度が4.1Mである、ジメチルホルムアミド(4.9mL)とトリフリン酸(2.8mL)との2/1(mol:mol)の新たな混合物として、シリンジによって添加した。
試薬および化学薬品は、全て、Aldrichから購入した。言及した場合を除き、試薬および化学薬品を受け入れたときのまま用いた。[Ni(MeCN)6](BF4)2を公知の手順[B.J.Hathaway、A.E.Underhill、J.Chem.Soc.1960年、3705頁;B.J.Hathaway、D.G.Holah、A.E.Underhill、J.Chem.Soc.1962年、2444頁]にしたがって調製した。
テトラフルオロ酢酸の50%Et2O溶液(0.5mL、3.7mmol)を4−(2−アミノエチル)アニリン(0.5mg、3.7mmol)のMeCN溶液(4mL)にアルゴン下−40℃で添加した。混合物を10分撹拌し、次いでニトロシルテトラフルオロボレート(450mg、3.8mmol)を滴下した。−40℃で30分撹拌した後、Et2O(100mL)を添加した。得られた白色沈殿物を濾過し、Et2Oで2回洗浄すると、白色粉末(1.18g、99%)が与えられた。
IR: ν(cm-1) = 3270, 3201, 3113, 2285, 1589, 1508, 1019, 928, 851, 820, 781
P2 PhN2 PhCH2CH2COOH(スキーム1/図1)
フェニルホスフィン10%のヘキサン溶液(3.3mL、3.0mmol)をパラホルムアルデヒド(180mg、6.0mmol、2当量)の脱気されたEtOH溶液(40mL)に滴下した。混合物を撹拌下80℃で40分間加熱した。3−(4−アミノフェニル)プロパン酸(496mg、3.0mmol、1当量)を添加し、溶液を一晩還流させた。溶液をRTまで冷却させた。白色沈殿物(1.43g、2.4mmol、80%)を濾過し、EtOHで洗浄した。
1H (DMSO-d6): 2.42 (t, 2H, CH2CH2COO, J = 7Hz), 2.67 (t, 2H, CH2CH2COO, J = 7Hz), 4.12 (m, 4H, NCH2P), 4.54 (m, 4H, NCH2P), 6.57-7.03 (m, 8H, NC6H4), 7.47-7.69 (m, 10H, PC6H5), 12.00 (s, 1H, COOH)
IR: ν(cm-1) = 2961, 2921, 1708, 1613, 1515, 1456, 1435, 1379, 1243, 1190, 799, 788, 746
P2 PhN2 PhCH2CH2COOPht(スキーム1/図1)
P2 PhN2 PhCH2CH2COOH(320mg、0.53mmol)、1−エチル−3−(3−ジメチルアミノプロピル)−カルボジイミド(EDC、191mg、1.23mmol、2.3当量)およびN−ヒドロキシフタルイミド(200mg、1.23mmol、2.3当量)のDMF溶液(2mL)を4時間の間撹拌した。水(80mL)を添加すると、白色沈殿物が得られ、これを濾過してアセトンで洗浄すると、白色粉末(310mg、0.35mmol、65%)が与えられた。
1H (CD3CN): 2.83 (t, 2H, CH2CH2COO, J = 7Hz), 2.95 (t, 2H, CH2CH2COO, J 7Hz), 4.12 (m, 4H, NCH2P), 4.53 (m, 4H, NCH2P), 6.59-7.11 (m, 8H, NC6H4), 7.46-7.67 (m, 10H, PC6H5), 7.90-7.97 (8H, H Pht)
[Ni(P2 PhN2 PhCH2CH2COOPht)2](BF4)2(スキーム2/図1)
[Ni(MeCN)6](BF4)2(50mg、0.104mmol)の溶液をMeCN(10mL)中P2 PhN2 PhCH2CH2COOPht(200mg、0.225mmol、2.2当量)の存在下に3時間の間RTで撹拌した。溶液を真空下で濃縮し、Et2Oを沈殿物に添加して、赤色粉末を沈澱させた。濾過後、赤色生成物(90mg、0.045mmol、40%)をEt2Oで2回洗浄し、真空中で乾燥した。
1H (CD3CN): 3.02 (m, 16H, CH2CH2COO), 3.93 (d, 8H, J = 5.6Hz, NCH2P), 4.25 (d, 8H, J = 5.6Hz, NCH2P), 7.13-7.23 (m, 16H, NC6H4), 7.32-7.39 (m, 20H, PC6H5), 7.7-7.9 (16H, H Pht)
IR: ν(cm-1) = 1743, 1508, 1187, 1057, 879, 697
UV/Vis(CH3CN):λ=290nm(ε=24000)、480nm(ε=1500)
P2 PhN2 CH2C16H9
ピレンメチルアミン塩酸塩(535mg、2.0mmol)をNaOH(120mg、3.0mmol)の水溶液(40mL)に添加した。得られた懸濁液をCH2Cl2(3×20mL)で抽出した。真空下で溶媒を除去すると、白色粉末のピレンメチルアミン(415mg、1.80mmol)が得られた。
IR: ν(cm-1) = 3044, 2872, 2830, 1250, 1068, 837, 739, 711
[Ni(P2 PhN2 CH2C16H9)2](BF4)2
[Ni(MeCN)6](BF4)2(70mg、0.14mmol)の溶液をMeCN(10mL)中P2 PhN2 PhCH2CH2COOPht(200mg、0.2mmol、2当量)の存在下に3時間の間RTで撹拌した。溶液を濾過し真空下で濃縮した。Et2Oを添加して、橙色粉末を沈澱させた。濾過後、赤色−橙色生成物(220mg、0.13mmol、90%)をEt2Oで2回洗浄し、真空中で乾燥させた。
1H (CD3CN): 3.14 (br d, 8H, J = 20Hz, NCH2P), 3.42 (d, 8H, J = 12 Hz, NCH2C16H9), 4.50 (br d, 8H, J = 55Hz, NCH2P), 6.48-6.92 (m, 20H, PC6H5), 7.73-8.04 (36H, C16H9)
IR: ν(cm-1) = 3061, 1592, 1494, 1194, 1050, 746, 690
UV/Vis(CH3CN):λ=313nm(ε=51000)、328nm(ε=105000)、344nm(ε=130000)、471nm(ε=1400)
MWCNT電極の調製
ITO/MWCNT
ITO/MWCNT電極を、混合セルロースエステル膜上での、MWCNT(0.1mg)の水中懸濁液(80mL)の濾過技術によって作製した[2]。膜をITOウエハに堆積させ、MeCNおよびアセトンによる洗浄を通して溶解させた。サンプルを100℃でさらに加熱した。
黒鉛/MWCNT電極を、混合セルロースエステル膜上での、MWCNT(0.1mg)の水中懸濁液(80mL)の濾過技術によって作製した(Wuら、Science 305、2004年、1273〜1276頁)。膜を黒鉛ウエハに堆積させ、MeCNおよびアセトンによる洗浄を通して溶解させた。サンプルを100℃でさらに加熱した。
PTFE/MWCNT電極を、PTFE膜上での、MWCNTのEtOH中懸濁液の濾過によって作製し、いわゆるPTFE/MWCNTバッキーペーパーを得た。
MWCNT(10mg)を純水(250mL)中に分散させ、30分間超音波処理した。溶液を注意深く一晩デカントした。次いで、(UV−可視吸収によって決定された)0.295mg/Lの質量濃度を有する上澄み(100mL)をGDLディスク(BASF LT 1200W、3cm2)において濾過し、約0.03mgのMWCNTの堆積物を生じた。サンプルを100℃で1時間さらに加熱した。
ITO/MWCNTおよびGDL/MWCNT
ITO/MWCNTおよびGDL/MWCNT電極を、4−(2−アンモニオエチル)ベンゼンジアゾニウムテトラフルオロボレート(1mmol.L−1)の存在下、3電極電池において作用電極として用いた。ジアゾニウム塩の還元を経て電気グラフト化を実施した。これは、Ep=−0.26Vにおける制御された電位クーロメトリ、またはサイクリックボルタンメトリ(0.4Vと−0.4Vとの間で、20mV.S−1において3サイクルを記録する)のいずれかを用いて行われ得る。
PTFE/MWCNT
官能化されたPTFE/MWCNTバッキーペーパーを、[Ni(P2 PhN2 CH2C16H9)2](BF4)2(5mg)の存在下で、MWCNT(0.1mg)のEtOH/CH2Cl2混合物(80/2v:v、80mL)中懸濁液の濾過によって直接調製した。ピレン基を有するNi錯体のπ−スタッキングをXPS分析および電気化学によって確認した。該錯体を図13Bに示す。
[Ni(P2 PhN2 CH2C16H9)2](BF4)2(5mg)のCH2Cl2混合物中溶液(10mL)をGDL/MWCNT電極上にゆっくりと濾過した。ピレン基を有するNi錯体のπ−スタッキングをXPS分析および電気化学によって確認した。
リンカー(IC)を用いたGDL/MWCNT電極の官能化
活性化されたエステルP2 PhN2 R(R3=PhCH2CH2COOPht)をEDCの存在下、P2 PhN2 R1中のカルボン酸官能基をN−ヒドロキシフタルイミドとカップリングすることによって合成した。ニッケル錯体[Ni(P2 PhN2 R)2](BF4)2(R=R2およびR3)の合成を、2当量のジホスフィン配位子とニッケル(II)前駆体とをMeCN中で混合することによって達成した(図1−スキーム2)。配位子および錯体は、31P NMRおよび1H NMRによって特性決定した。両方の錯体の化学シフトは、[Ni(P2 PhN2 Ph)2](BF4)2(図2および3)についてDuBoisおよびcoll.(DuBoisら、J.Am.Chem.Soc.2006年、128、358頁)によって得られるものと類似している。
ITO/MWCNTおよび黒鉛/MWCNT電極を、可溶性膜技術によってITOまたは黒鉛上にナノチューブの薄いフィルムを堆積させることによって作製した。(Z.C.Wuら、Science 2004年、305、1273頁)。これらの電極をITO/MWCNTまたは黒鉛/MWCNT作用電極におけるジアゾニウム塩(4−(2−アンモニオエチル)ベンゼンジアゾニウムテトラフルオロボレート)の還元によって修飾した。サイクリックボルタンメトリを用いてジアゾニウム塩の還元を制御した。不可逆性還元は、2−アミノエチルベンゼンジアゾニウムの還元およびCNT電極でのポリフェニレン層のグラフト化に相当する、Ag/AgClO4、0.01mol.L−1に対してEp red=−0.26Vにおいて観察される。数回の走査を実施してCNTの良好な官能化を保証した。第2および第3の走査において、還元ピークがより負側の電位にずれることは、ポリフェニレン層の厚さが増加するが、迅速な電子移動が保たれることを示唆している。種々の条件を、電位が制御された電気分解によって試験して、電極表面におけるアミノ基の量を最大にした。ニッケル錯体が固定された可逆性還元システム(以下を参照)をレドックスプローブとして用いて、高い表面濃度の触媒を得るための最良の条件を決定した。
不均一なアミド化反応を、官能化された電極と活性化されたエステル基を有するニッケル錯体[Ni(P2 PhN2 R3)2](BF4)2との間で実現した。アミン官能化された電極をトリエチルアミンの存在下に[Ni(P2 PhN2 R)2](BF4)2の溶液中に浸漬した。溶液を一晩撹拌した。サイクリックボルタンメトリ(図8)およびXPS測定(図9)によって錯体の共有結合的グラフト化が確認された。最終の電極材料の構造を図13Aに表す。
[DMFH](OTf)をプロトン源として添加するとき、還元ピークは、酸の非存在下に達成されて、プロトン化された、固定化されたNi(II)錯体の還元に相当するピークよりも300mV負側の電位で見られた。
触媒[Ni(P2 PhN2 CH2C16H19)2](BF4)2(以下の図を参照)を、MWNTCが初めに堆積されたガス拡散層に固定化した。構造(IA)に相当するこのリンカーと固体支持体、ここではMWCNTとの相互作用は、専らπ−スタッキングを介する。得られた電極は、電気化学測定から決定されるように、4(±1.5)10−9mol.cm−2の表面触媒濃度を示した。
Claims (16)
- 少なくとも2つの先端を含むリンカーアームによって表面が官能化されている、導電性または半導性材料の固体支持体を含む材料であって、第1の先端が、固体支持体に結合されており、第2の先端が、共有結合によって金属有機錯体に連結されており、リンカーアームが、以下の式:
(この場合、リンカーと固体支持体との間の相互作用は、π−スタッキングを介する)
に対応する分子、ならびに
(この場合、リンカーは、Ar基を通して固体支持体に共有結合されている)
(式中、
Arは、C1〜C6アルキル、−OH、−NH2、−COOH、−F、−Cl、−Br、−I、−NO2、−CONR”2、−COOR”、−SO3−、−SR”、−OR”、−NR”2から選択される1個または複数の置換基を場合により含むC6〜C30芳香族残基を表し、
RおよびR’は、同一または異なり、H、ならびに、−OH、−NH2、−COOH、−CONH2、トリアゾール、−SH、−N3から選択される1個または複数の置換基を場合により含み、−CONH−、−CO−O−、−CO−O−CO−、−CO−NH−CO−、−CO−S−、−CS−O−、−CS−S−から選択される1個または複数の架橋によって場合により中断されている、C1〜C20アルキル、C1〜C20アルケニル、C1〜C20アルキニル、C6〜C30アリール、C6〜C30アラルキルから選択される基を表し、
R”は、H、C1〜C20アルキル、C1〜C20アルケニル、C1〜C20アルキニル、C6〜C30アリール、C6〜C30アラルキルから選択される基を表し、
Xは、−OH、−NH2、−COOH、−CONH2、トリアゾール、−SH、−N3から選択される1個または複数の置換基を場合により含み、−CONH−、−CO−O−、−CO−O−CO−、−CO−NH−CO−、−CO−S−、−CS−O−、−CS−S−から選択される1個または複数の架橋によって場合により中断されている、C1〜C20アルキル、C1〜C20アルケニル、C1〜C20アルキニル、C6〜C30アリール、C6〜C30アラルキルから選択される基を表し、
xは、整数であり、1≦x≦5であり、
Yは、単一の共有結合、−O−、−NH−、−S−、−COO−、−CONH−、−CO−S−、−CS−O−、−CS−S−から選択される官能基である)
のオリゴマー化から得られるオリゴマーに対応する分子から選択される材料。 - 固体支持体が、金属材料、炭素材料、半導体または導電体の金属酸化物、窒化物、カルコゲニドから選択される、請求項1に記載の材料。
- 固体支持体が、多層カーボンナノチューブから選択される、請求項2に記載の材料。
- 式(IA)および(IC)において、
Arが、C6〜C30芳香族残基を表し、好ましくはフェニル、ビフェニル、ピレニル、アントラセニル、フェナントレニル、ペリレニル、ナフタセニルから選択され、
RおよびR’が、H、C1〜C20アルキル、C1〜C20アルケニル、C1〜C20アルキニル、C6〜C30アリール、C6〜C30アラルキルから選択される基、好ましくは、R=R’=Hを表し、
Xが、C1〜C20アルキル、C1〜C20アルケニル、C1〜C20アルキニル、C6〜C30アリール、C6〜C30アラルキルから選択される基を表し、
x=1である、
請求項1から4のいずれか一項に記載の材料。 - 金属有機錯体が、遷移金属から選択される1個または数個の金属原子と、有機配位子とを含む分子から選択され、1個または数個の違った分子から構成されていてよく、金属有機錯体が、溶液中で試験されるとき、水素の発生または取り込みのための電極触媒活性を示す、請求項1から5のいずれか一項に記載の材料。
- 金属有機錯体が、以下の式に対応するもの:
−以下の式を有する金属ジオキシム/ジイミン錯体
−以下の式を有する金属アミン/イミン/ピリジン錯体
−以下の式を有する金属ポリアザ大環状錯体
−以下の式を有するフェロセノファンおよび関係する錯体
−以下の式を有する金属ジホスフィンまたはジホスファイト錯体
(式中、
Mは、元素周期表の遷移金属から選択される原子を表し、
R0は、同一または異なり、H、BF2、BPh2、B(R1)2、B(OR1)2、BFR1から選択される基を表し、
Lは、溶媒分子、例えば水、アセトン メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ピリジン、アニオン性配位子、例えばハロゲン、擬似ハロゲン、例えばSCN−もしくはシアン化物、水素化物、含酸素アニオン、例えば硝酸塩、硫酸塩、スルホン酸塩、過塩素酸塩、または一般的な単座配位子、例えばピリジン、イミダゾール、トリアゾール、CO、H2、ホルミル、ホスフィン、ニトリルもしくはイソニトリル配位子、例えばアセトニトリル、ベンゾニトリル、トリメチルイソニトリル、ベンジルイソニトリルから選択され、
nは、0と6との間に含まれる数であり、
R1、R2、R3は、同一または異なり、H、ならびに、−OH、−NH2、−COOH、−CONH2、トリアゾール環から選択される1個または複数の官能基を場合により含み、−CO−O−CO−、−CO−NH−CO−から選択される1個または複数の架橋を場合により含む、C1〜C20アルキル、C1〜C20アルケニル、C1〜C20アルキニル、C6〜C30アリール、C6〜C30アラルキルから選択される基を表し、R1基のうちの少なくとも1個、またはR2基もしくはR3基の一方が、リンカー分子との共有結合を表し、2個以上のR1置換基が一緒に縮合されていてよく、2個以上のR2置換基が一緒に縮合されていてよい)
から選択される、請求項6に記載の材料。 - 全てのR1基が、少なくとも1個のR1基がリンカー分子との共有結合である場合を除いて、同一であり、全てのR2基が、少なくとも1個のR2基がリンカー分子との共有結合である場合を除いて、同一である、請求項7または請求項8に記載の材料。
- Mが、Mn、Fe、Co、Ni、W、Moから選択される、請求項7から請求項9のいずれか一項に記載の材料。
- 別の導電性材料の支持体に堆積された前記請求項のいずれか一項に記載の材料を含む電極。
- 別の導電性材料が、インジウムスズ酸化物(ITO)および黒鉛から選択される、請求項11に記載の電極。
- 請求項11から請求項14のいずれか一項に記載の電極を含む水電解槽。
- 請求項11から請求項14のいずれか一項に記載の電極を含む燃料電池。
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