JP2012505293A5 - - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 95
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 72
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 66
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims description 54
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 238000009472 formulation Methods 0.000 claims description 33
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 28
- 230000002378 acidificating Effects 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N oxane Chemical group C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 14
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N HF Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 10
- 125000005207 tetraalkylammonium group Chemical group 0.000 claims description 10
- FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N 2-[[2-[bis(carboxymethyl)amino]cyclohexyl]-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)C1CCCCC1N(CC(O)=O)CC(O)=O FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N ethanolamine Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N glycol Chemical group OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims description 9
- GTDKXDWWMOMSFL-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;fluoride Chemical compound [F-].C[N+](C)(C)C GTDKXDWWMOMSFL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylhex-1-yn-3-ol Chemical compound CC(C)CC(C)(O)C#C NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Vitamin C Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 claims description 6
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 claims description 6
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 claims description 6
- 239000003638 reducing agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000003827 glycol group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 3
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 0 CC(C)CC(C)(C#CC(C)(CCl(C)C)OCC*1CC1)OCCO Chemical compound CC(C)CC(C)(C#CC(C)(CCl(C)C)OCC*1CC1)OCCO 0.000 description 1
- ZBBFYXYWRHOSML-UHFFFAOYSA-N CC(C)CC(C)(C(CCNC)CCO)C#CC(C)(CC(C)C)OCCO Chemical compound CC(C)CC(C)(C(CCNC)CCO)C#CC(C)(CC(C)C)OCCO ZBBFYXYWRHOSML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Description
（発明の要旨）
本発明によれば、Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物からの酸化銅エッチ除去のための非常に水性の酸性洗浄組成物が提供され、ここでその組成物は、上記Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物上の銅再沈着を防止するかもしくは実質的に除去する。本発明はまた、銅エッチ残渣を、フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から洗浄するためのプロセスを提供し、ここで上記プロセスは、（１）シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、（２）上記フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を洗浄するために、洗浄に効果的な時間および温度にわたって、上記フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、本発明の洗浄組成物に曝す工程を包含する。本発明のさらなる局面において、金属キャップ形成層を有するＣｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物からの酸化銅エッチ除去のための非常に水性の酸性洗浄組成物が提供され、ここでその組成物は、上記洗浄工程の間に上記Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物上の銅再沈着を防止するかもしくは実質的に除去するだけでなく、このような金属キャップ形成層が上記超小型電子部品用構造物に存在する場合に、上記洗浄プロセスの間に上記金属キャップ形成層（例えば、ＣｏＷＰ金属キャップ形成層）のエッチングをも防止するかもしくは実質的に除去する。
本発明によれば、Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物からの酸化銅エッチ除去のための非常に水性の酸性洗浄組成物が提供され、ここでその組成物は、上記Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物上の銅再沈着を防止するかもしくは実質的に除去する。本発明はまた、銅エッチ残渣を、フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から洗浄するためのプロセスを提供し、ここで上記プロセスは、（１）シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、（２）上記フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を洗浄するために、洗浄に効果的な時間および温度にわたって、上記フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、本発明の洗浄組成物に曝す工程を包含する。本発明のさらなる局面において、金属キャップ形成層を有するＣｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物からの酸化銅エッチ除去のための非常に水性の酸性洗浄組成物が提供され、ここでその組成物は、上記洗浄工程の間に上記Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物上の銅再沈着を防止するかもしくは実質的に除去するだけでなく、このような金属キャップ形成層が上記超小型電子部品用構造物に存在する場合に、上記洗浄プロセスの間に上記金属キャップ形成層（例えば、ＣｏＷＰ金属キャップ形成層）のエッチングをも防止するかもしくは実質的に除去する。
上記洗浄組成物は、いかなる顕著な銅電着も上記構造体上で生じさせずに、エッチ後残渣を上記構造物から効率的に洗浄するために任意の適切な時間にわたってかつ任意の適切な温度で、上記エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物に曝されるか、もしくはこれに接触した状態にされる。
本発明は、例えば、以下を提供する：
（項目１）
Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を洗浄するための水性の酸性洗浄組成物であって、該組成物は、以下の処方物：
（ａ）約６８．４５％〜約９８．９５％の水；
（ｂ）約０．３重量％〜約８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約０．１％〜約２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．０５％〜約１．６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（e）約０．１％〜約５％のフッ化水素；および
（ｆ）必要に応じて、０％より多く約１５％までの少なくとも１種の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む非イオン性界面活性剤；
を含み、ここでパーセンテージは、該処方物の総重量に基づく重量パーセントであり、該組成物は、約４〜約５．５のｐＨを有する、組成物。
（項目２）
以下の処方物：
（ａ）約６９．４６％〜約８９．５％の水；
（ｂ）約３％〜約８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約１％〜約２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．５％〜約１．６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約１％〜約５％のフッ化水素；および
（ｆ）必要に応じて、約５％〜約１５％の少なくとも１種の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む非イオン性界面活性剤
を含む、項目１に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目３）
以下の処方物：
（ａ）約９６．８６％〜約９８．９５％の水；
（ｂ）約０．３％〜約０．８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約０．１％〜約０．２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．０５％〜約０．１６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約０．１％〜約０．５％のフッ化水素；および
（ｆ）必要に応じて、０％より多く約１．５％までの少なくとも１種の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む非イオン性界面活性剤
を含む、項目１に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目４）
前記洗浄組成物は、前記処方物中の他の成分の総重量に基づいて、約０．５重量％〜約２０重量％の量で、該処方物中に還元剤をさらに含む、項目３に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目５）
前記処方物は、水、モノエタノールアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸、テトラメチルアンモニウムフルオリド、ＨＦおよび以下の式の界面活性剤：
を含む、項目１に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目６）
前記処方物は、水、モノエタノールアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸、テトラメチルアンモニウムフルオリド、ＨＦおよび以下の式の界面活性剤：
を含む、項目２に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目７）
前記処方物は、水、モノエタノールアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸、テトラメチルアンモニウムフルオリド、ＨＦ、および以下の式のＳｕｒｆｙｎｏｌ ＴＭ ４６５界面活性剤：
を含む、項目３に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目８）
前記処方物中の還元剤は、アスコルビン酸を含む、項目３に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目９）
前記処方物は、以下：
（ａ）約７８％の水；
（ｂ）約３．８５％のモノエタノールアミン；
（ｃ）約１．８７％の１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸；
（ｄ）約０．７７％のテトラメチルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約１．２％のＨＦ；および
（ｆ）約１４．３％の、以下の式のＳｕｒｆｙｎｏｌ ＴＭ ４６５界面活性剤：
を含む、項目５に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目１０）
前記処方物は、以下：
（ａ）約９８％の水；
（ｂ）約０．３５％のモノエタノールアミン；
（ｃ）約０．１７％の１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸；
（ｄ）約０．０７％のテトラメチルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約０．１１％のＨＦ；および
（ｆ）約１．３％の、以下の式のＳｕｒｆｙｎｏｌ ＴＭ ４６５界面活性剤：
を含む、項目７に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目１１）
前記処方物は、該処方物の他の成分の総重量に基づいて、約重量％の量でアスコルビン酸をさらに含む、項目１０に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目１２）
フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から銅エッチ残渣を洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、および
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目１に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目１３）
フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から銅エッチ残渣を洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、および
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目３に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目１４）
ＣｏＷＰ金属キャップを有するフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から銅エッチ残渣を洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有し、かつＣｏＷＰ金属キャップを有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目４に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目１５）
フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から銅エッチ残渣を洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目５に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目１６）
フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から銅エッチ残渣を洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目７に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目１７）
銅エッチ残渣を、ＣｏＷＰ金属キャップを有するフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有し、かつＣｏＷＰ金属キャップを有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目８に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目１８）
銅エッチ残渣を、フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目１０に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目１９）
銅エッチ残渣を、ＣｏＷＰ金属キャップを有するフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から洗浄するプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有し、かつＣｏＷＰ金属キャップを有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、および
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目１１に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目２０）
約１０重量部の水を、以下：
（ａ）約６９．４６％〜約８９．５％の水；
（ｂ）約３％〜約８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約１％〜約２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．５％〜約１．６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約１％〜約５％のフッ化水素；および
（ｆ）約５％〜約１５％の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む少なくとも１種の非イオン性界面活性剤、
を含む１重量部の処方物に添加する工程を包含する、項目３に記載の組成物を形成するための方法であって、ここでパーセンテージは、該処方物の総重量に基づく重量によるものである、方法。
（項目２１）
項目４に記載の組成物を形成するための方法であって、該方法は、
（１）約１０重量部の水を、以下：
（ａ）約６９．４６％〜約８９．５％の水；
（ｂ）約３％〜約８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約１％〜約２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．５％〜約１．６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約１％〜約５％のフッ化水素；および
（ｆ）約５％〜約１５％の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む少なくとも１種の非イオン性界面活性剤、
を含む１重量部の処方物に添加する工程であって、ここでパーセンテージは、該処方物の総重量に基づく重量によるものである、工程、ならびに
（２）該得られた混合物に、該得られた混合物中の他の成分の総重量に基づいて約０．５％〜約２０重量％の量の還元剤を添加する工程、
を包含する、方法。
本発明は、例えば、以下を提供する：
（項目１）
Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を洗浄するための水性の酸性洗浄組成物であって、該組成物は、以下の処方物：
（ａ）約６８．４５％〜約９８．９５％の水；
（ｂ）約０．３重量％〜約８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約０．１％〜約２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．０５％〜約１．６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（e）約０．１％〜約５％のフッ化水素；および
（ｆ）必要に応じて、０％より多く約１５％までの少なくとも１種の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む非イオン性界面活性剤；
を含み、ここでパーセンテージは、該処方物の総重量に基づく重量パーセントであり、該組成物は、約４〜約５．５のｐＨを有する、組成物。
（項目２）
以下の処方物：
（ａ）約６９．４６％〜約８９．５％の水；
（ｂ）約３％〜約８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約１％〜約２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．５％〜約１．６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約１％〜約５％のフッ化水素；および
（ｆ）必要に応じて、約５％〜約１５％の少なくとも１種の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む非イオン性界面活性剤
を含む、項目１に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目３）
以下の処方物：
（ａ）約９６．８６％〜約９８．９５％の水；
（ｂ）約０．３％〜約０．８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約０．１％〜約０．２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．０５％〜約０．１６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約０．１％〜約０．５％のフッ化水素；および
（ｆ）必要に応じて、０％より多く約１．５％までの少なくとも１種の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む非イオン性界面活性剤
を含む、項目１に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目４）
前記洗浄組成物は、前記処方物中の他の成分の総重量に基づいて、約０．５重量％〜約２０重量％の量で、該処方物中に還元剤をさらに含む、項目３に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目５）
前記処方物は、水、モノエタノールアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸、テトラメチルアンモニウムフルオリド、ＨＦおよび以下の式の界面活性剤：
を含む、項目１に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目６）
前記処方物は、水、モノエタノールアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸、テトラメチルアンモニウムフルオリド、ＨＦおよび以下の式の界面活性剤：
を含む、項目２に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目７）
前記処方物は、水、モノエタノールアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸、テトラメチルアンモニウムフルオリド、ＨＦ、および以下の式のＳｕｒｆｙｎｏｌ ＴＭ ４６５界面活性剤：
を含む、項目３に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目８）
前記処方物中の還元剤は、アスコルビン酸を含む、項目３に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目９）
前記処方物は、以下：
（ａ）約７８％の水；
（ｂ）約３．８５％のモノエタノールアミン；
（ｃ）約１．８７％の１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸；
（ｄ）約０．７７％のテトラメチルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約１．２％のＨＦ；および
（ｆ）約１４．３％の、以下の式のＳｕｒｆｙｎｏｌ ＴＭ ４６５界面活性剤：
を含む、項目５に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目１０）
前記処方物は、以下：
（ａ）約９８％の水；
（ｂ）約０．３５％のモノエタノールアミン；
（ｃ）約０．１７％の１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸；
（ｄ）約０．０７％のテトラメチルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約０．１１％のＨＦ；および
（ｆ）約１．３％の、以下の式のＳｕｒｆｙｎｏｌ ＴＭ ４６５界面活性剤：
を含む、項目７に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目１１）
前記処方物は、該処方物の他の成分の総重量に基づいて、約重量％の量でアスコルビン酸をさらに含む、項目１０に記載の水性の酸性洗浄組成物。
（項目１２）
フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から銅エッチ残渣を洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、および
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目１に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目１３）
フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から銅エッチ残渣を洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、および
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目３に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目１４）
ＣｏＷＰ金属キャップを有するフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から銅エッチ残渣を洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有し、かつＣｏＷＰ金属キャップを有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目４に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目１５）
フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から銅エッチ残渣を洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目５に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目１６）
フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から銅エッチ残渣を洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目７に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目１７）
銅エッチ残渣を、ＣｏＷＰ金属キャップを有するフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有し、かつＣｏＷＰ金属キャップを有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目８に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目１８）
銅エッチ残渣を、フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目１０に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目１９）
銅エッチ残渣を、ＣｏＷＰ金属キャップを有するフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から洗浄するプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有し、かつＣｏＷＰ金属キャップを有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、および
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、項目１１に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。
（項目２０）
約１０重量部の水を、以下：
（ａ）約６９．４６％〜約８９．５％の水；
（ｂ）約３％〜約８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約１％〜約２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．５％〜約１．６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約１％〜約５％のフッ化水素；および
（ｆ）約５％〜約１５％の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む少なくとも１種の非イオン性界面活性剤、
を含む１重量部の処方物に添加する工程を包含する、項目３に記載の組成物を形成するための方法であって、ここでパーセンテージは、該処方物の総重量に基づく重量によるものである、方法。
（項目２１）
項目４に記載の組成物を形成するための方法であって、該方法は、
（１）約１０重量部の水を、以下：
（ａ）約６９．４６％〜約８９．５％の水；
（ｂ）約３％〜約８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約１％〜約２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．５％〜約１．６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約１％〜約５％のフッ化水素；および
（ｆ）約５％〜約１５％の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む少なくとも１種の非イオン性界面活性剤、
を含む１重量部の処方物に添加する工程であって、ここでパーセンテージは、該処方物の総重量に基づく重量によるものである、工程、ならびに
（２）該得られた混合物に、該得られた混合物中の他の成分の総重量に基づいて約０．５％〜約２０重量％の量の還元剤を添加する工程、
を包含する、方法。
（本発明の詳細かつ好ましい実施形態）
本発明の非常に水性の酸性洗浄組成物は、Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物上の顕著な銅再沈着なしで、上記Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物からの酸化銅エッチ残渣除去のためのものである。本発明に従って、銅エッチ残渣を、フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から洗浄するためのプロセスは、（１）シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有し、および必要に応じて、金属キャップ形成を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、ならびに（２）上記フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、上記フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を洗浄するのに有効な時間および温度にわたって、本発明の洗浄組成物に曝すかもしくは接触させる工程を包含するプロセスである。
本発明の非常に水性の酸性洗浄組成物は、Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物上の顕著な銅再沈着なしで、上記Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物からの酸化銅エッチ残渣除去のためのものである。本発明に従って、銅エッチ残渣を、フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から洗浄するためのプロセスは、（１）シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有し、および必要に応じて、金属キャップ形成を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、ならびに（２）上記フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、上記フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を洗浄するのに有効な時間および温度にわたって、本発明の洗浄組成物に曝すかもしくは接触させる工程を包含するプロセスである。
上記直ぐに使用できる処方物は、銅エッチ残渣を、フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から洗浄するために使用され得、ここで上記プロセスは、シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程であって、ここで上記基材は、必要に応じて、金属キャップ形成層（好ましくは、ＣｏＷＰ）を有する、工程、および上記フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、上記フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を洗浄するために有効な時間および温度にわたって、本発明の洗浄組成物に曝すかもしくは接触させる工程を包含する。
Claims (17)
- Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を洗浄するための水性の酸性洗浄組成物であって、該組成物は、以下の処方物：
（ａ）約６８．４５％〜約９８．９５％の水；
（ｂ）約０．３重量％〜約８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約０．１％〜約２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．０５％〜約１．６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約０．１％〜約５％のフッ化水素；および
（ｆ）必要に応じて、０％より多く約１５％までの少なくとも１種の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む非イオン性界面活性剤；
を含み、ここでパーセンテージは、該処方物の総重量に基づく重量パーセントであり、該組成物は、約４〜約５．５のｐＨを有する、組成物。 - 以下の処方物：
（ａ）約６９．４６％〜約８９．５％の水；
（ｂ）約３％〜約８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約１％〜約２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．５％〜約１．６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約１％〜約５％のフッ化水素；および
（ｆ）必要に応じて、約５％〜約１５％の少なくとも１種の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む非イオン性界面活性剤
を含む、請求項１に記載の水性の酸性洗浄組成物。 - 以下の処方物：
（ａ）約９６．８６％〜約９８．９５％の水；
（ｂ）約０．３％〜約０．８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約０．１％〜約０．２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．０５％〜約０．１６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約０．１％〜約０．５％のフッ化水素；および
（ｆ）必要に応じて、０％より多く約１．５％までの少なくとも１種の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む非イオン性界面活性剤
を含む、請求項１に記載の水性の酸性洗浄組成物。 - 前記洗浄組成物は、前記処方物中の他の成分の総重量に基づいて、約０．５重量％〜約２０重量％の量で、該処方物中に還元剤をさらに含む、請求項３に記載の水性の酸性洗浄組成物。
- 前記処方物は、水、モノエタノールアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸、テトラメチルアンモニウムフルオリド、ＨＦおよび以下の式の界面活性剤：
を含む、請求項１または２に記載の水性の酸性洗浄組成物。 - 前記処方物は、水、モノエタノールアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸、テトラメチルアンモニウムフルオリド、ＨＦ、および以下の式のＳｕｒｆｙｎｏｌＴＭ ４６５界面活性剤：
を含む、請求項３に記載の水性の酸性洗浄組成物。 - 前記処方物は、アスコルビン酸を含む還元剤をさらに含む、請求項３に記載の水性の酸性洗浄組成物。
- 前記処方物は、以下：
（ａ）約７８％の水；
（ｂ）約３．８５％のモノエタノールアミン；
（ｃ）約１．８７％の１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸；
（ｄ）約０．７７％のテトラメチルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約１．２％のＨＦ；および
（ｆ）約１４．３％の、以下の式のＳｕｒｆｙｎｏｌＴＭ ４６５界面活性剤：
を含む、請求項５に記載の水性の酸性洗浄組成物。 - 前記処方物は、以下：
（ａ）約９８％の水；
（ｂ）約０．３５％のモノエタノールアミン；
（ｃ）約０．１７％の１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸；
（ｄ）約０．０７％のテトラメチルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約０．１１％のＨＦ；および
（ｆ）約１．３％の、以下の式のＳｕｒｆｙｎｏｌＴＭ ４６５界面活性剤：
を含む、請求項６に記載の水性の酸性洗浄組成物。 - 前記処方物は、該処方物の他の成分の総重量に基づいて、約０．５重量％〜約２０重量％の量でアスコルビン酸をさらに含む、請求項９に記載の水性の酸性洗浄組成物。
- 前記処方物は、該処方物の他の成分の総重量に基づいて、約１重量％〜約１０重量％の量でアスコルビン酸をさらに含む、請求項１０に記載の水性の酸性洗浄組成物。
- 前記処方物は、該処方物の他の成分の総重量に基づいて、約２重量％〜約６重量％の量でアスコルビン酸をさらに含む、請求項１１に記載の水性の酸性洗浄組成物。
- フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から銅エッチ残渣を洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、および
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、請求項１、５、６または９に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。 - フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から銅エッチ残渣を洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程、および
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、請求項３に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。 - ＣｏＷＰ金属キャップを有するフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から銅エッチ残渣を洗浄するためのプロセスであって、ここで該プロセスは、
（ａ）シリコン基材のＮ ＋ 拡散領域と電子的に接続したビア構造を有する少なくとも１種のフォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン構造を有しかつＣｏＷＰ金属キャップを有する超小型電子部品シリコン基材ウェハを提供する工程
（ｂ）該フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を、請求項４、７または１０に記載の洗浄組成物に曝す工程、
を包含する、プロセス。 - 約１０重量部の水を、以下：
（ａ）約６９．４６％〜約８９．５％の水；
（ｂ）約３％〜約８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約１％〜約２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．５％〜約１．６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約１％〜約５％のフッ化水素；および
（ｆ）約５％〜約１５％の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む少なくとも１種の非イオン性界面活性剤、
を含む１重量部の処方物に添加する工程を包含する、請求項３に記載の組成物を形成するための方法であって、ここでパーセンテージは、該処方物の総重量に基づく重量によるものである、方法。 - 請求項４に記載の組成物を形成するための方法であって、該方法は、
（１）約１０重量部の水を、以下：
（ａ）約６９．４６％〜約８９．５％の水；
（ｂ）約３％〜約８重量％の少なくとも１種のアルカノールアミンもしくはアミノフェノール；
（ｃ）約１％〜約２％の少なくとも１種の金属キレート化剤；
（ｄ）約０．５％〜約１．６％の少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウムフルオリド；
（ｅ）約１％〜約５％のフッ化水素；および
（ｆ）約５％〜約１５％の、エチレンオキシド鎖もしくはエチレンオキシド／エチレングリコール鎖を含む少なくとも１種の非イオン性界面活性剤、
を含む１重量部の処方物に添加する工程であって、ここでパーセンテージは、該処方物の総重量に基づく重量によるものである、工程、ならびに
（２）該得られた混合物に、該得られた混合物中の他の成分の総重量に基づいて約０．５％〜約２０重量％の量の還元剤を添加する工程、
を包含する、方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10409808P | 2008-10-09 | 2008-10-09 | |
| US61/104,098 | 2008-10-09 | ||
| PCT/US2009/059603 WO2010042457A1 (en) | 2008-10-09 | 2009-10-06 | Aqueous acidic formulations for copper oxide etch residue removal and prevention of copper electrodeposition |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012505293A JP2012505293A (ja) | 2012-03-01 |
| JP2012505293A5 true JP2012505293A5 (ja) | 2012-11-01 |
| JP5476388B2 JP5476388B2 (ja) | 2014-04-23 |
Family
ID=41402304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011531103A Active JP5476388B2 (ja) | 2008-10-09 | 2009-10-06 | 酸化銅エッチ残渣除去および、銅電着の防止のための水性の酸性洗浄用組成物 |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8481472B2 (ja) |
| EP (1) | EP2334774B1 (ja) |
| JP (1) | JP5476388B2 (ja) |
| KR (2) | KR101486116B1 (ja) |
| CN (1) | CN102177230B (ja) |
| BR (1) | BRPI0920545A2 (ja) |
| CA (1) | CA2740027A1 (ja) |
| IL (1) | IL212158A0 (ja) |
| MY (1) | MY160647A (ja) |
| WO (1) | WO2010042457A1 (ja) |
| ZA (1) | ZA201103311B (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2740027A1 (en) * | 2008-10-09 | 2010-04-15 | Avantor Performance Materials, Inc. | Aqueous acidic formulations for copper oxide etch residue removal and prevention of copper electrodeposition |
| JP5519728B2 (ja) * | 2011-05-17 | 2014-06-11 | 富士フイルム株式会社 | エッチング方法及びこれに用いられるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法 |
| TWI572711B (zh) * | 2012-10-16 | 2017-03-01 | 盟智科技股份有限公司 | 半導體製程用的清洗組成物及清洗方法 |
| KR102377875B1 (ko) * | 2015-10-07 | 2022-03-25 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 유리기판 세정액 조성물 |
| US11678433B2 (en) | 2018-09-06 | 2023-06-13 | D-Wave Systems Inc. | Printed circuit board assembly for edge-coupling to an integrated circuit |
| US11647590B2 (en) | 2019-06-18 | 2023-05-09 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for etching of metals |
Family Cites Families (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6030932A (en) | 1996-09-06 | 2000-02-29 | Olin Microelectronic Chemicals | Cleaning composition and method for removing residues |
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| US6755989B2 (en) | 1997-01-09 | 2004-06-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate |
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| US6627587B2 (en) * | 2001-04-19 | 2003-09-30 | Esc Inc. | Cleaning compositions |
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| US6794292B2 (en) | 2001-07-16 | 2004-09-21 | United Microelectronics Corp. | Extrusion-free wet cleaning process for copper-dual damascene structures |
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| JP4374989B2 (ja) * | 2003-11-12 | 2009-12-02 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 洗浄液およびそれを用いた洗浄方法 |
| JP4456424B2 (ja) * | 2004-06-29 | 2010-04-28 | 関東化学株式会社 | フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去組成物 |
| US8030263B2 (en) * | 2004-07-01 | 2011-10-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for stripping and cleaning and use thereof |
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-
2009
- 2009-10-06 CA CA2740027A patent/CA2740027A1/en not_active Abandoned
- 2009-10-06 EP EP09736352.7A patent/EP2334774B1/en not_active Not-in-force
- 2009-10-06 KR KR1020117010361A patent/KR101486116B1/ko active IP Right Grant
- 2009-10-06 KR KR1020147025882A patent/KR101521066B1/ko active IP Right Grant
- 2009-10-06 CN CN200980140203.8A patent/CN102177230B/zh active Active
- 2009-10-06 US US12/998,296 patent/US8481472B2/en active Active
- 2009-10-06 MY MYPI2011001485A patent/MY160647A/en unknown
- 2009-10-06 BR BRPI0920545A patent/BRPI0920545A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2009-10-06 WO PCT/US2009/059603 patent/WO2010042457A1/en active Application Filing
- 2009-10-06 JP JP2011531103A patent/JP5476388B2/ja active Active
-
2011
- 2011-04-05 IL IL212158A patent/IL212158A0/en not_active IP Right Cessation
- 2011-05-06 ZA ZA2011/03311A patent/ZA201103311B/en unknown
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