JP2012256700A - 半導体基板洗浄装置および洗浄方法、並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体基板洗浄装置および洗浄方法、並びに半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】半導体基板洗浄装置100は、半導体基板10を洗浄する洗浄部1と、洗浄部1で洗浄された半導体基板10の表面の反射強度を測定する反射式センサ2と、反射式センサ2による反射強度の測定結果に基づき、半導体基板10の洗浄の適否を判定する判定部3とを備えている。
【選択図】図1
Description
半導体基板を洗浄する洗浄部と、
上記洗浄部で洗浄された半導体基板表面の反射強度を測定する測定部と、
上記測定部による反射強度の測定結果に基づき、半導体基板の洗浄の適否を判定する判定部とを備えることを特徴としている。
半導体基板を洗浄する洗浄工程と、
上記洗浄工程で洗浄された半導体基板表面の反射強度を測定する測定工程と、
上記測定工程における反射強度の測定結果に基づき、半導体基板の洗浄の適否を判定する判定工程とを含むことを特徴としている。
半導体基板を洗浄する洗浄工程と、
上記洗浄工程で洗浄された半導体基板表面の反射強度を測定する測定工程と、
上記測定工程における反射強度の測定結果に基づき、半導体基板の洗浄の適否を判定する判定工程と、
上記判定工程で「適」と判定された半導体基板の表面に電極を形成する電極形成工程を含むことを特徴としている。
図1は、本発明の実施の一形態に係る半導体基板洗浄装置100の主要部を示す概略図である。半導体基板洗浄装置100は、半導体基板10を備えた半導体装置の製造工程中に、半導体基板10の洗浄度(洗浄の適否)を判定する。
次に、半導体基板洗浄装置100を用いた半導体基板洗浄方法について、図5を参照して説明する。図5は、図1の半導体基板洗浄装置100を用いた洗浄方法を示すフローチャートである。
上述のように、半導体基板洗浄装置100は、半導体基板10の表面の反射強度に基づいて、半導体基板10の洗浄の適否(半導体基板10の清浄度)を判定することを最大の特徴としている。言い換えれば、薬液および純水での洗浄後における半導体基板10の表面の濡れ性を反射式センサ2で測定し、その測定結果に基づいて、半導体基板10の洗浄処理の終点を判定することを最大の特徴としている。
一方、半導体基板洗浄装置100は、半導体基板10を備えた半導体装置の製造装置としても利用することができる。言い換えれば、上述した半導体基板洗浄方法は、半導体基板10を備えた半導体装置の製造方法における洗浄工程として適用することができる。なお、半導体基板洗浄装置100は、半導体基板10を備えた半導体装置の製造工程中のどの段階の半導体基板10を洗浄してもよい。また、半導体基板洗浄装置100による半導体基板10の洗浄後、半導体基板10に別の工程を実施してもよい。
2 反射式センサ(測定部)
3 判定部
4 搬送部(洗浄部)
10 半導体基板(洗浄部)
11a,11b 薬液槽(洗浄部)
12a,12b,12c 水洗槽(洗浄部)
13 乾燥槽(洗浄部)
21 照射部
22 受光部
100 半導体基板洗浄装置
Claims (8)
- 半導体基板を洗浄する洗浄部と、
上記洗浄部で洗浄された半導体基板表面の反射強度を測定する測定部と、
上記測定部による反射強度の測定結果に基づき、半導体基板の洗浄の適否を判定する判定部とを備えることを特徴とする半導体基板洗浄装置。 - 上記判定部は、上記測定部で測定された反射強度が、上記判定部に格納された基準値よりも大きい半導体基板を、上記洗浄部で再洗浄させるようになっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板洗浄装置。
- 上記基準値は、上記半導体基板の表面に付着した有機物の炭素量が24原子%未満となるように設定されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体基板洗浄装置。
- 上記測定部は、赤色の半導体レーザからレーザ光を半導体基板の表面に照射する照射部と、半導体基板の表面からの反射光を受光する受光部とを備えた反射式センサであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体基板洗浄装置。
- 半導体基板を洗浄する洗浄工程と、
上記洗浄工程で洗浄された半導体基板表面の反射強度を測定する測定工程と、
上記測定工程における反射強度の測定結果に基づき、半導体基板の洗浄の適否を判定する判定工程とを含むことを特徴とする半導体基板洗浄方法。 - 半導体基板を備えた半導体装置の製造方法において、
半導体基板を洗浄する洗浄工程と、
上記洗浄工程で洗浄された半導体基板表面の反射強度を測定する測定工程と、
上記測定工程における反射強度の測定結果に基づき、半導体基板の洗浄の適否を判定する判定工程と、
上記判定工程で「適」と判定された半導体基板の表面に電極を形成する電極形成工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 上記電極形成工程は、上記半導体基板の表面に、TiWからなる電極を形成することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 上記半導体基板は、シリコン、窒化ガリウム、ガリウムヒ素、または、炭化シリコンからなることを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置の製造方法。
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