JP2012256655A - 基板処理方法、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板を、前記基板を洗浄するための薬液に浸漬させ、前記薬液に前記基板を浸漬させた状態で、前記薬液内における前記基板の上方に網部を設置し、前記基板を取り出す方向に前記網部を移動させることにより、パーティクルを前記薬液内から除去し、前記薬液内より前記パーティクルが除去された後に、前記基板を前記薬液より取り出すことを特徴とする基板処理方法を提供することにより上記課題を解決する。
【選択図】 図5
Description
最初に、図1に示す工程において、薬液槽20より取り出したシリコン基板10の表面に付着しているパーティクル11aについて説明する。
次に、本実施の形態における基板処理方法及び基板処理装置について説明する。本実施の形態における基板処理方法及び基板処理装置は、シリコン基板等の表面に形成されている酸化膜を除去するためのものである。尚、本実施の形態では、薬液としてフッ酸水溶液を用いた場合について説明するが、他のエッチング液又は洗浄液等を用いた場合についても適用可能である。
次に、第2の実施の形態について説明する。本実施の形態は、図8に示すように第1の実施の形態における基板処理装置において、網部131を帯電させるための帯電部140を有するものである。帯電部140は絶縁体材料により形成されている網部131を帯電させるためものであり、帯電ブラシ等により形成されている。
次に、第3の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1の実施の形態または第2の実施の形態における基板処理方法及び基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法である。
(付記1)
基板を、前記基板を洗浄するための薬液に浸漬させ、
前記薬液に前記基板を浸漬させた状態で、前記薬液内における前記基板の上方に網部を設置し、
前記基板を取り出す方向に前記網部を移動させることにより、パーティクルを前記薬液内から除去し、
前記薬液内より前記パーティクルが除去された後に、前記基板を前記薬液より取り出すことを特徴とする基板処理方法。
(付記2)
前記薬液は薬液槽内に入れられており、前記薬液を前記薬液槽の底又は側面より供給することにより、前記薬液が前記薬液槽より溢れ出していることを特徴とする付記1に記載の基板処理方法。
(付記3)
前記膜が形成されている基板は、表面に酸化膜が形成されているシリコン基板であって、
前記薬液は、フッ酸水溶液であることを特徴とする付記1又は2に記載の基板処理方法。
(付記4)
前記網部は、絶縁体材料により形成されているものであることを特徴とする付記1から3のいずれかに記載の基板処理方法。
(付記5)
前記網部は、帯電されていることを特徴とする付記4に記載の基板処理方法。
(付記6)
前記網部の開口部の大きさは、1μm以下であることを特徴とする付記1から5のいずれかに記載の基板処理方法。
(付記7)
基板を洗浄するための薬液が入れられている薬液槽と、
前記薬液内に浮遊しているパーティクルを除去するための網部と、
を有し、
前記薬液に前記基板を浸漬させた状態で、前記網部により、前記薬液内に浮遊している前記パーティクルを除去することを特徴とする基板処理装置。
(付記8)
前記網部の開口部の大きさは1μm以下であることを特徴とする付記7に記載の基板処理装置。
(付記9)
前記網部は、絶縁体材料により形成されているものであることを特徴とする付記7又は8に記載の基板処理装置。
(付記10)
前記網部を帯電させるための帯電部を有することを特徴とする付記9に記載の基板処理装置。
(付記11)
表面に酸化膜が形成されている基板を薬液に浸漬させ、前記酸化膜を前記基板より剥離し、
前記薬液に前記基板を浸漬させた状態で、前記薬液内における前記基板の上方に網部を設置し、
前記基板を取り出す方向に前記網部を移動させることにより、前記酸化膜が剥離することにより生じたパーティクルを前記薬液内より除去し、
前記薬液内より前記パーティクルが除去された後に、前記基板を前記薬液より取り出し、
前記取り出された基板表面にゲート酸化膜を形成し、
前記ゲート酸化膜上にゲート電極を形成し、
前記基板表面にソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記12)
前記基板はシリコン基板であり、
前記酸化膜はシリコン酸化膜であり、
前記薬液はフッ酸水溶液であることを特徴とする付記11に記載の半導体装置の製造方法。
111a パーティクル
120 薬液槽
120a 開口部
121 フッ酸水溶液
122 ポンプ
123 オーバーフロー槽
130 パーティクル除去部
131 網部
132 支持部
Claims (6)
- 基板を、前記基板を洗浄するための薬液に浸漬させ、
前記薬液に前記基板を浸漬させた状態で、前記薬液内における前記基板の上方に網部を設置し、
前記基板を取り出す方向に前記網部を移動させることにより、パーティクルを前記薬液内から除去し、
前記薬液内より前記パーティクルが除去された後に、前記基板を前記薬液より取り出すことを特徴とする基板処理方法。 - 前記膜が形成されている基板は、表面に酸化膜が形成されているシリコン基板であって、
前記薬液は、フッ酸水溶液であることを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。 - 基板を洗浄するための薬液が入れられている薬液槽と、
前記薬液内に浮遊しているパーティクルを除去するための網部と、
を有し、
前記薬液に前記基板を浸漬させた状態で、前記網部により、前記薬液内に浮遊している前記パーティクルを除去することを特徴とする基板処理装置。 - 前記網部は、絶縁体材料により形成されているものであることを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記網部を帯電させるための帯電部を有することを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 表面に酸化膜が形成されている基板を薬液に浸漬させ、前記酸化膜を前記基板より剥離し、
前記薬液に前記基板を浸漬させた状態で、前記薬液内における前記基板の上方に網部を設置し、
前記基板を取り出す方向に前記網部を移動させることにより、前記酸化膜が剥離することにより生じたパーティクルを前記薬液内より除去し、
前記薬液内より前記パーティクルが除去された後に、前記基板を前記薬液より取り出し、
前記取り出された基板表面にゲート酸化膜を形成し、
前記ゲート酸化膜上にゲート電極を形成し、
前記基板表面にソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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