CN104658886B - 晶圆清洗的机制 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了与清洗晶圆的机制相关的实施例。用于晶圆清洗的方法包括通过湿台清洗操作清洗晶圆。该方法也包括此后通过单晶圆清洗操作清洗每个晶圆。此外，也提供了用于增强上述方法的性能的清洗装置。

Description

晶圆清洗的机制
技术领域
本发明涉及集成电路器件，更具体地，涉及晶圆清洗的机制。
背景技术
半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC，其中，每一代都具有比前一代更小和更复杂的电路。然而，这些进步增加了加工和制造IC的复杂度，并且为了实现这些进步，需要IC加工和制造中的类似发展。在IC演化过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，使用制造工艺可以产生的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。
半导体制造中的关键条件是在晶圆加工表面上没有污染物，因为污染物(例如，微观颗粒)可以干扰并且不利地影响后续的加工步骤，从而导致器件退化和最终的半导体晶圆的废弃。而晶圆清洗工艺一直是半导体晶圆制造工艺中的关键步骤，超净晶圆对器件集成正变得甚至更加关键。例如，由于半导体部件尺寸减小，颗粒污染物的不利影响增大，从而需要去除更小的颗粒。此外，由于器件层的数量增大，清洗步骤的数量和由颗粒污染物引起的器件退化的可能性也相应地增大。为了充分地满足ULSI和VLSI中的超净晶圆的需求，需要晶圆表面基本上没有污染颗粒。
期望具有用于清洗晶圆的方法和装置以减少晶圆上的污染物。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供了一种用于晶圆清洗的方法，包括：通过湿台清洗操作清洗晶圆；以及此后通过单晶圆清洗操作清洗每个所述晶圆。
在上述方法中，其中，所述湿台清洗操作包括将所述晶圆浸入湿蚀刻剂中。
在上述方法中，其中，所述湿台清洗操作包括将所述晶圆浸入湿蚀刻剂中，其中，所述湿蚀刻剂包括SPM(H2SO4，H2O2)、APM(NH4OH，H2O2)、SC1(去离子水(DIW)，NH4OH，H2O2)、SC2(DIW，HCl，H2O2)、臭氧去离子水、H3PO4、稀氢氟酸(DHF)、HF、HF/乙二醇(EG)、HF/HNO3、NH4OH或它们的组合。
在上述方法中，其中，在湿台清洗器件中实施所述湿台清洗操作，并且在多个单晶圆清洗器件中实施所述单晶圆清洗操作。
在上述方法中，其中，在湿台清洗器件中实施所述湿台清洗操作，并且在多个单晶圆清洗器件中实施所述单晶圆清洗操作，其中，所述单晶圆清洗操作包括将清洗液喷射至每个所述单晶圆清洗器件中的所述晶圆。
在上述方法中，其中，在湿台清洗器件中实施所述湿台清洗操作，并且在多个单晶圆清洗器件中实施所述单晶圆清洗操作，其中，所述单晶圆清洗操作包括将清洗液喷射至每个所述单晶圆清洗器件中的所述晶圆，其中，所述清洗液是去离子水、SPM(H2SO4，H2O2)、APM(NH4OH，H2O2)、SC1(去离子水(DIW)，NH4OH，H2O2)、SC2(DIW，HCl，H2O2)、臭氧去离子水、H3PO4、稀氢氟酸(DHF)、HF、HF/乙二醇(EG)、HF/HNO3、NH4OH、它们的组合。
在上述方法中，其中，在同一腔室中实施所述湿台清洗操作和所述单晶圆清洗操作。
在上述方法中，其中，所述晶圆具有大于约450mm的直径。
根据本发明的另一实施例，提供了一种用于晶圆清洗的装置，包括：腔室；湿台清洗器件，位于所述腔室内，其中，所述湿台清洗器件包括与槽相关的升降器；以及多个单晶圆清洗器件，位于所述腔室内并且邻近所述湿台清洗器件，其中，每个所述单晶圆清洗器件均包括位于晶圆定位元件上方的分配器。
在上述装置中，其中，所述升降器包括晶圆保持器，所述晶圆保持器包括侧壁、位于所述侧壁上的分隔件以及位于所述分隔件之间的凹槽。
在上述装置中，其中，所述升降器包括晶圆保持器，所述晶圆保持器包括侧壁、位于所述侧壁上的分隔件以及位于所述分隔件之间的凹槽，其中，所述装置还包括在所述侧壁和所述分隔件中形成的管。
在上述装置中，其中，所述升降器包括晶圆保持器，所述晶圆保持器包括侧壁、位于所述侧壁上的分隔件以及位于所述分隔件之间的凹槽，其中，所述装置还包括在所述侧壁和所述分隔件中形成的管，其中，所述管为Y形、X形、杆状、大头针形等。
在上述装置中，其中，所述升降器包括晶圆保持器，所述晶圆保持器包括侧壁、位于所述侧壁上的分隔件以及位于所述分隔件之间的凹槽，其中，所述装置还包括在所述侧壁和所述分隔件中形成的管，其中，所述管是通孔并且具有邻近所述凹槽的开口。
在上述装置中，其中，所述单晶圆清洗器件的数量等于所述升降器的晶圆容纳量。
在上述装置中，其中，每个所述单晶圆清洗器件还包括用于清洗所述晶圆的后侧的后侧刷。
根据本发明的又一实施例，提供了一种用于晶圆清洗的方法，包括：对一批晶圆实施湿台清洗操作，其中，所述湿台清洗操作包括将所述晶圆浸入含有湿蚀刻剂的槽中，并且所述湿蚀刻剂能够与所述晶圆上的材料发生反应并产生热量；将每个所述晶圆转移至相应的单晶圆清洗器件；以及在每个单晶圆清洗器件中对所述晶圆实施单晶圆清洗操作，其中，所述单晶圆清洗操作包括将清洗液分配在所述晶圆上，并且所述清洗液是去离子水、SPM(H2SO4，H2O2)、APM(NH4OH，H2O2)、SC1(去离子水(DIW)，NH4OH，H2O2)、SC2(DIW，HCl，H2O2)、臭氧去离子水、H3PO4、稀氢氟酸(DHF)、HF、HF/乙二醇(EG)、HF/HNO3、NH4OH或它们的组合。
在上述方法中，其中，在同一腔室中进行所述湿台清洗操作、所述转移和所述单晶圆清洗操作。
在上述方法中，其中，所述湿蚀刻剂包括SPM(H2SO4，H2O2)、APM(NH4OH，H2O2)、SC1(去离子水(DIW)，NH4OH，H2O2)、SC2(DIW，HCl，H2O2)、臭氧去离子水、H3PO4、稀氢氟酸(DHF)、HF、HF/乙二醇(EG)、HF/HNO3、NH4OH或它们的组合。
在上述方法中，其中，在所述湿台清洗操作中去除约10％至100％的范围内的材料。
在上述方法中，其中，所述湿台清洗操作还包括在将所述晶圆浸入含有所述湿蚀刻剂的所述槽中之后冲洗所述晶圆。
附图说明
为了更完全地理解实施例及其优势，现在将结合附图进行的以下描述作为参考，其中：
图1示出了根据一些实施例的湿台(wet-bench)装置的截面图。
图2示出了根据一些实施例的承载一批晶圆的升降器的截面图。
图3示出了根据一些实施例的单晶圆清洗装置的示例图。
图4示出了根据一些实施例的用于清洗晶圆的方法的流程图。
图5示出了根据一些实施例的清洗装置的示例图。
图6A和图6B示出了根据一些实施例的用于清洗晶圆的方法的各个阶段的示例性截面图。
具体实施方式
下面详细地讨论了本发明的实施例的制造和使用。然而，应该理解，实施例可以体现在各种具体环境中。讨论的具体实施例仅是说明性的，并且不限制本发明的范围。
应该理解，以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。此外，在以下描述中，在第二工艺之前实施第一工艺可以包括在第一工艺之后立即实施第二工艺的实施例，并且也可以包括在第一工艺和第二工艺之间可以实施额外的工艺的实施例。为了简单和清楚的目的，可以以不同的比例任意绘制各种部件。此外，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。贯穿各个视图和说明性实施例，相同的参考标号用于标示相同的元件。
图1示出了根据一些实施例的湿台装置100的截面图。湿台装置100可以包括腔室110。升降器120和槽130可以设置在腔室110内。升降器120与槽130相关联并且可以相对于槽130移动。升降器120可以包括晶圆保持器122，并且晶圆保持器122连接至升降器件123。升降器件123可以允许晶圆保持器122定位在槽130中含有的液体的液面之上或之下。晶圆保持器122可以包括侧壁124、位于侧壁124上的分隔件126以及位于分隔件126之间的凹槽128。在一些实施例中，晶圆保持器122由具有符合要求的耐腐蚀和耐化学性的石英或塑料制成。例如，塑料包括氟树脂、氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚醚醚酮(PEEK)等。氟树脂可以包括聚偏氟乙烯(PVDF)、全氟烷氧基(PFA)、聚四氟乙烯或者它们的组合。在一些实施例中，分隔件126可以为三角形、矩形、Y形、大头针形或它们的组合。
一批晶圆140可以定位在晶圆保持器122中。晶圆140可以包括硅。可选地，晶圆140包括锗、硅锗或其他适当的半导体材料。晶圆140可以包括形成一个或多个半导体器件或半导体器件的部分(例如，场效应晶体管)的区域。在晶圆140中可以形成各种隔离部件，隔离部件介于在各个有源区中形成的各个掺杂区(例如，n阱和p阱)之间。晶圆140包括在其上形成的一个或多个管芯，随后可以切割晶圆140以形成半导体器件。晶圆140的直径可以大于约250mm。在一些实施例中，每个晶圆140的直径均大于约450mm。
部件的图案(未示出)可以与半导体器件或半导体器件的部分相关联，诸如栅极结构(例如，多晶硅部件、金属栅极部件等)、源极/漏极区、互连线或通孔、伪部件和/或其他合适的图案。在以上部件的整个制造中，实施多个离子注入工艺。在该工艺期间，光刻胶用于掩蔽将被注入的区域，并且离子被注入期望的注入区内。例如，注入物可以是砷注入物、硼注入物或磷注入物。光刻胶可以是有机化合物。在注入期望的注入区之后，需要将光刻胶去除。
在一些实施例中，槽130中含有湿蚀刻剂150。在一些实施例中，适合的湿蚀刻剂150包括SPM(H2SO4，H2O2)、APM(NH4OH，H2O2)、SC1(去离子水(DIW)，NH4OH，H2O2)、SC2(DIW，HCl，H2O2)、臭氧去离子水、H3PO4、稀氢氟酸(DHF)、HF、HF/乙二醇(EG)、HF/HNO3、NH4OH、它们的组合等。湿蚀刻剂150与光刻胶发生反应以从水面蚀刻光刻胶。
在一些实施例中，湿台清洗装置100也包括含有一种或多种化学物质或冲洗溶剂的其他槽。例如，湿台清洗装置100可以包括含有冲洗溶剂的冲洗槽(未示出)。冲洗溶剂可以包括去离子水、有机溶剂或其他特定组成的化学物质。
湿台清洗操作可以有效地从晶圆140去除光刻胶。在一些实施例中，湿台清洗操作使用如图1所示的湿台清洗装置100。湿台清洗操作可以包括浸没工艺和冲洗工艺，可以重复浸没工艺和冲洗工艺，直到清洗掉晶圆140上的光刻胶和其他污染物。浸没工艺可以包括将晶圆140浸入湿蚀刻剂150中持续必要的时间，该持续的时间由工艺需求决定。冲洗工艺可以包括将晶圆140浸入冲洗溶剂中，以用于清洗掉蚀刻生成的颗粒并且去除湿蚀刻剂150。
颗粒残留物时常留在升降器120与晶圆140的接触位置A中。由于升降器120的阻碍，例如，由侧壁124和分隔件126覆盖，因此湿蚀刻剂150和冲洗溶剂可能不能自由地流过接触位置A。因此，提供了升降器的另一种设计，以用于增强晶圆140与升降器120的接触位置A上的清洗性能。
图2示出了根据一些实施例的承载一批晶圆140的升降器220的放大图。升降器220可以包括晶圆保持器222。晶圆保持器222可以包括侧壁224、位于侧壁上的分隔件226以及位于分隔件226之间的凹槽228。晶圆140水平地插入凹槽228中并且由分隔件226支撑。在一些实施例中，管260形成在晶圆保持器222中。例如，管260形成在侧壁224和分隔件226中。管260可以是通孔并且具有邻近凹槽228(即，邻近接触位置A)的开口以将湿蚀刻剂150和/或冲洗溶剂导向邻近接触位置A的位置。因此，当晶圆保持器220向下移动浸入湿蚀刻剂150或冲洗溶剂时，湿蚀刻剂150和冲洗溶剂可以具有流过邻近接触位置A的位置的增大的流速。管260可以帮助减少接触位置A上的污染的机会。在一些实施例中，管260包括Y形、X形、杆状、大头针形等。
具有管260的升降器220可以改进邻近接触位置A的颗粒残留。然而，晶圆140之间的固有交叉污染以及与自然液体动力学相关的流型缺陷仍是需要克服的问题。
因此，提供了诸如单晶圆清洗操作的可选方法。单晶圆清洗操作包括在(非浸没)单晶圆装置中一次加工一个晶圆。图3示出了根据一些实施例的单晶圆清洗装置300的示例图。单晶圆清洗装置300可以包括腔室302、晶圆定位元件304和分配器306。清洗液350可以从分配器306喷射到晶圆140的前侧。在一些实施例中，清洗液350包括SPM(H2SO4，H2O2)、APM(NH4OH，H2O2)、去离子水(DIW)(包括热DIW)、SC1(去离子水(DIW)，NH4OH，H2O2)、SC2(DIW，HCl，H2O2)、臭氧去离子水、H3PO4、稀氢氟酸(DHF)、HF、HF/乙二醇(EG)、HF/HNO3、NH4OH、它们的组合等。清洗液350的温度可以在从约0摄氏度至约250摄氏度的范围内。分配器306可以包括一个或多个喷嘴、一个或多个喷杆和/或用于将清洗液350引至晶圆140的前侧的其他结构。
晶圆定位元件304包括位于分配器306下方的定位和/或移动晶圆140的结构。例如，晶圆定位元件304包括卡盘引脚。晶圆定位元件304可以与晶圆140的侧部接触。晶圆定位元件304可以用于保持单个晶圆。在一些实施例中，晶圆定位元件304使晶圆140绕其径向轴旋转。示例晶圆旋转速度在从约10rpm至约2500rpm的范围内。
在单晶圆清洗操作期间，晶圆140中的一个设置在晶圆定位元件304上。当使晶圆140旋转时，将清洗液350分配在晶圆140的前侧上。晶圆140上的清洗液350可以向外分散并且流过晶圆140的前侧的整个区域。排出诸如过量或污染的清洗液的废液。与湿台清洗操作相比，单晶圆清洗操作可以提供改进的清洗效率和工艺稳定性。
单晶圆清洗操作的问题是热应力、电荷效应和边缘温差。清洗液(诸如SPM)350和光刻胶的反应可以产生热并且导致热应力。热应力可以引起部件的图案崩塌或从晶圆140剥离，尤其是如果光刻胶是高度注入的。由于清洗液350和与晶圆140一起旋转的光刻胶的摩擦，可能生成静电荷，并且静电荷在晶圆140的中心处累积。在一些实施例中，累积的电荷引起中心弧。此外，由于清洗液350朝向晶圆140的中心喷射，所以晶圆140的中心通常具有高于边缘的温度。晶圆140的边缘处的较低温度可以引起颗粒残留物仍留在晶圆140的边缘上。
因此，提供了解决湿台清洗操作和单晶圆清洗操作的缺点的机制。该机制涉及湿台清洗操作和单晶圆清洗操作的连续两步法。图4示出了根据一些实施例的用于清洗晶圆的方法400的流程图。在一些实施例中，方法400开始于操作402，其中，通过湿台清洗操作清洗晶圆。此后，方法400继续进行操作404，其中，通过单晶圆清洗操作清洗每个晶圆。
在一些实施例中，为了优化，在清洗装置500中操作方法400。图5示出了根据一些实施例的清洗装置500的示例图。清洗装置500可以包括腔室502。湿台清洗器件504和单晶圆清洗器件506位于腔室502内，在湿台清洗器件504和单晶圆清洗器件506之间具有或不具有隔板503。单晶圆清洗器件506邻近湿台清洗器件504。在一些实施例中，在湿台清洗器件504中实施操作402，并且在单晶圆清洗器件506中实施操作404。湿台清洗器件504可以包括升降器120或220和槽130。槽130可以含有湿蚀刻剂150。在一些实施例中，湿台清洗器件504还包括含有一种或多种化学物质和冲洗溶剂(例如，去离子水)的其他槽。每个单晶圆清洗器件506均可以包括晶圆定位元件304和分配器306。在一些实施例中，每个单晶圆清洗器件506还包括用于清洗晶圆140的后侧的后侧刷508。
为了更好的效率，单晶圆清洗器件506的数量可以等于升降器120或220的晶圆容纳量，但是为了简化，图5中仅示出两个单晶圆清洗器件506。可选地，单晶圆清洗器件506的数量可以大于或小于升降器120或220的晶圆容纳量。每个单晶圆清洗器件506可以彼此独立。例如，每个单晶圆清洗器件506可以实施其操作，无论其他单晶圆清洗器件506是否在实施它们的操作。将每个晶圆140从湿台清洗器件504转移至单晶圆清洗器件506的优先顺序和延迟时间可以是可编程的并且可以由计算机控制。单晶圆清洗器件506可以以任何合适的方式布置在腔室502中。
图6A和图6B示出了根据一些实施例的方法400的各个阶段的示例性截面图。如图6A所示，在湿台清洗器件504中实施湿台清洗操作402。在一些实施例中，操作402可以包括将一批晶圆140浸入湿蚀刻剂150中以用于去除晶圆140上的大部分光刻胶。例如，在湿台清洗操作402中去除每个晶圆140上的约10％至100％的范围内的光刻胶。湿蚀刻剂150可以包括SPM(H2SO4，H2O2)、APM(NH4OH，H2O2)、SC1(去离子水(DIW)，NH4OH，H2O2)、SC2(DIW，HCl，H2O2)、臭氧去离子水、H3PO4、稀氢氟酸(DHF)、HF、HF/乙二醇(EG)、HF/HNO3、NH4OH、它们的组合等。在一些实施例中，湿台清洗操作402还包括浸没工艺之后的冲洗工艺。
然后，参照图6B，将每个晶圆140转移至相应的单晶圆清洗器件506，然后通过单晶圆清洗操作404清洗晶圆。在一些实施例中，单晶圆清洗操作404包括：在每个单晶圆清洗器件506中，将清洗液550分配在晶圆140上以用于进一步清洗已经由湿台清洗操作402清洗的晶圆140。清洗液550可以包括去离子水(DIW)、SPM(H2SO4，H2O2)、APM(NH4OH，H2O2)、SC1(去离子水(DIW)，NH4OH，H2O2)、SC2(DIW，HCl，H2O2)、臭氧去离子水、HF/HNO3、NH4OH、它们的组合等。在一些实施例中，当大部分光刻胶已经在湿台清洗操作402中去除时，清洗液550不需要SPM、APM、SC1、SC2、臭氧去离子水、HF/HNO3、NH4OH或它们的组合。换句话说，在一些实施例中，清洗液仅包括去离子水。这比单独的单晶圆清洗操作更有成本效益。湿台清洗操作402和单晶圆清洗操作404可以在同一装置500中连续实施而不转移出腔室502。将湿台清洗器件504和单晶圆清洗器件506集成到同一腔室502内，从而节省时间并且降低将晶圆140转移至不同装置的风险。
连续两步法400可以提供比湿台清洗和单晶圆清洗的单独操作更好的清洗性能。单晶圆清洗操作404可以进一步清洗晶圆140上的未被湿台清洗操作402清洗的颗粒残留物。此外，也可以改进单独的单晶圆清洗操作的问题(即，热应力、电荷效应和边缘温差)。在湿台清洗操作402中去除大部分光刻胶，并且因此在单晶圆清洗操作404中不会过度地产生热量和静电荷。因此，连续两步法400结合湿台清洗操作402和单晶圆清洗操作404的优势，同时消除它们的缺点。
应当理解，提供了与晶圆清洗的机制相关的一些实施例。例如，提供了包括湿台清洗操作和单晶圆清洗操作的连续两步法的方法，从而结合它们的各自的优势，同时减少它们的缺点。此外，也提供了适合于增强上述方法的性能的清洗装置。
根据一些实施例，提供了一种用于晶圆清洗的方法。该方法包括通过湿台清洗操作清洗晶圆。该方法也包括此后通过单晶圆清洗操作清洗每个晶圆。
根据一些实施例，提供了一种用于晶圆清洗的装置。该装置包括腔室。该装置也包括腔室内的湿台清洗器件，并且湿台清洗器件包括与槽相关的升降器。该装置还包括位于腔室内并且邻近湿台清洗器件的多个单晶圆清洗器件。每个单晶圆清洗器件均包括位于晶圆定位元件上方的分配器。
根据一些实施例，提供了一种用于晶圆清洗的方法。该方法包括对一批晶圆实施湿台清洗操作。湿台清洗操作包括将晶圆浸入含有湿蚀刻剂的槽中，而湿蚀刻剂能够与晶圆上的材料发生反应并且产生热量。该方法也包括将每个晶圆转移至相应的单晶圆清洗器件。该方法还包括在每个单晶圆清洗器件中对晶圆实施单晶圆清洗操作。单晶圆清洗操作包括将清洗液分配在晶圆上，并且清洗液是去离子水、SPM(H2SO4，H2O2)、APM(NH4OH，H2O2)、SC1(去离子水(DIW)，NH4OH，H2O2)、SC2(DIW，HCl，H2O2)、臭氧去离子水、H3PO4、稀氢氟酸(DHF)、HF、HF/乙二醇(EG)、HF/HNO3、NH4OH、它们的组合等。
尽管已经详细地描述了实施例及其优势，但是应该理解，在不背离由所附权利要求限定的实施例的精神和范围的情况下，可以做出各种改变、替代和变化。此外，本申请的范围不旨在限于说明书中描述的工艺、机器装置、制造、物质组成、工具、方法和步骤的特定实施例。本领域的普通技术人员将容易从本发明理解，根据本发明，可以利用现有的或今后开发的实施与本文所描述的相应实施例基本相同的功能或者实现基本相同的结果的工艺、机器装置、制造、物质组成、工具、方法或步骤。因此，所附权利要求旨在将这些工艺、机器装置、制造、物质组成、工具、方法或步骤包括在它们的范围内。此外，每个权利要求构成单独的实施例，并且各个权利要求和实施例的组合在本发明的范围内。

Claims (18)

1.一种用于晶圆清洗的方法，包括：
通过湿台清洗操作清洗晶圆以至少去除光刻胶；以及
此后通过单晶圆清洗操作清洗每个所述晶圆以去除所述晶圆经过所述湿台清洗操作后的颗粒残留物；
其中，所述湿台清洗操作还包括通过升降器承载所述晶圆，所述升降器包括晶圆保持器，用于保持所述晶圆，所述晶圆保持器包括两个竖直侧壁，每个所述竖直侧壁具有多个分隔 件和多个凹槽，进一步，所述晶圆保持器进一步包括多个管，所述管形成在每个所述竖直侧壁和所述分隔件中，以将湿蚀刻剂或冲洗溶剂导向邻近的所述晶圆与所述升降器接触的位置，去除该位置的颗粒残留。
2.根据权利要求1所述的用于晶圆清洗的方法，其中，所述湿台清洗操作包括将所述晶圆浸入湿蚀刻剂中。
3.根据权利要求2所述的用于晶圆清洗的方法，其中，所述湿蚀刻剂包括SPM(H2SO4，H2O2)、APM(NH4OH，H2O2)、SC1(去离子水(DIW)，NH4OH，H2O2)、SC2(DIW，HCl，H2O2)、臭氧去离子水、H3PO4、稀氢氟酸(DHF)、HF、HF/乙二醇(EG)、HF/HNO3、NH4OH或它们的组合。
4.根据权利要求1所述的用于晶圆清洗的方法，其中，在湿台清洗器件中实施所述湿台清洗操作，并且在多个单晶圆清洗器件中实施所述单晶圆清洗操作。
5.根据权利要求4所述的用于晶圆清洗的方法，其中，所述单晶圆清洗操作包括将清洗液喷射至每个所述单晶圆清洗器件中的所述晶圆。
6.根据权利要求5所述的用于晶圆清洗的方法，其中，所述清洗液是去离子水、SPM(H2SO4，H2O2)、APM(NH4OH，H2O2)、SC1(去离子水(DIW)，NH4OH，H2O2)、SC2(DIW，HCl，H2O2)、臭氧去离子水、H3PO4、稀氢氟酸(DHF)、HF、HF/乙二醇(EG)、HF/HNO3、NH4OH、它们的组合。
7.根据权利要求1所述的用于晶圆清洗的方法，其中，在同一腔室中实施所述湿台清洗操作和所述单晶圆清洗操作。
8.根据权利要求1所述的用于晶圆清洗的方法，其中，所述晶圆具有大于450mm的直径。
9.一种用于晶圆清洗的装置，包括：
腔室；
湿台清洗器件，位于所述腔室内，其中，所述湿台清洗器件包括与槽相关的升降器；以及
多个单晶圆清洗器件，位于所述腔室内并且邻近所述湿台清洗器件，其中，每个所述单晶圆清洗器件均包括位于晶圆定位元件上方的分配器；
其中在所述湿台清洗器件中至少除去晶圆上的光刻胶，并且在所述单晶圆清洗器件中去除所述晶圆经过所述湿台清洗器件清洗后的颗粒残留物；
其中，所述升降器包括晶圆保持器，所述晶圆保持器包括两个竖直侧壁、位于所述每个竖直侧壁上的多个分隔件以及位于所述分隔件之间的多个凹槽，所述晶圆保持器进一步包括多个管，所述管形成在每个所述竖直侧壁和所述分隔 件中，以将湿蚀刻剂或冲洗溶剂导向邻近的所述晶圆与所述升降器接触的位置，去除该位置的颗粒残留。
10.根据权利要求9所述的用于晶圆清洗的装置，其中，所述管为Y形、X形、杆状、大头针形等。
11.根据权利要求9所述的用于晶圆清洗的装置，其中，所述管是通孔并且具有邻近所述凹槽的开口。
12.根据权利要求9所述的用于晶圆清洗的装置，其中，所述单晶圆清洗器件的数量等于所述升降器的晶圆容纳量。
13.根据权利要求9所述的用于晶圆清洗的装置，其中，每个所述单晶圆清洗器件还包括用于清洗所述晶圆的后侧的后侧刷。
14.一种用于晶圆清洗的方法，包括：
对一批晶圆实施湿台清洗操作，其中，所述湿台清洗操作包括将所述晶圆浸入含有湿蚀刻剂的槽中以至少去除光刻胶，并且所述湿蚀刻剂能够与所述晶圆上的材料发生反应并产生热量；
将每个所述晶圆转移至相应的单晶圆清洗器件；以及
在每个单晶圆清洗器件中对所述晶圆实施单晶圆清洗操作以去除所述晶圆经过所述湿台清洗操作后的颗粒残留物，其中，所述单晶圆清洗操作包括将清洗液分配在所述晶圆上，并且所述清洗液是去离子水、SPM(H2SO4，H2O2)、APM(NH4OH，H2O2)、SC1(去离子水(DIW)，NH4OH，H2O2)、SC2(DIW，HCl，H2O2)、臭氧去离子水、H3PO4、稀氢氟酸(DHF)、HF、HF/乙二醇(EG)、HF/HNO3、NH4OH或它们的组合；
其中，所述湿台清洗操作还包括通过与所述槽相关联的升降器承载所述晶圆，所述升降器包括晶圆保持器，用于保持所述晶圆，所述晶圆保持器包括两个竖直侧壁，每个所述竖直侧壁具有多个分隔 件和多个凹槽，进一步，所述晶圆保持器进一步包括多个管，所述管形成在每个所述竖直侧壁和所述分隔 件中，以将湿蚀刻剂或冲洗溶剂导向邻近的所述晶圆与所述升降器接触的位置，去除该位置的颗粒残留。
15.根据权利要求14所述的用于晶圆清洗的方法，其中，在同一腔室中进行所述湿台清洗操作、所述转移和所述单晶圆清洗操作。
16.根据权利要求14所述的用于晶圆清洗的方法，其中，所述湿蚀刻剂包括SPM(H2SO4，H2O2)、APM(NH4OH，H2O2)、SC1(去离子水(DIW)，NH4OH，H2O2)、SC2(DIW，HCl，H2O2)、臭氧去离子水、H3PO4、稀氢氟酸(DHF)、HF、HF/乙二醇(EG)、HF/HNO3、NH4OH或它们的组合。
17.根据权利要求14所述的用于晶圆清洗的方法，其中，在所述湿台清洗操作中去除10％至100％的范围内的材料。
18.根据权利要求14所述的用于晶圆清洗的方法，其中，所述湿台清洗操作还包括在将所述晶圆浸入含有所述湿蚀刻剂的所述槽中之后冲洗所述晶圆。
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