TW201916097A - 用於預清洗機的水道裝置、預清洗機以及預清洗方法 - Google Patents

用於預清洗機的水道裝置、預清洗機以及預清洗方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201916097A
TW201916097A TW107101769A TW107101769A TW201916097A TW 201916097 A TW201916097 A TW 201916097A TW 107101769 A TW107101769 A TW 107101769A TW 107101769 A TW107101769 A TW 107101769A TW 201916097 A TW201916097 A TW 201916097A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
water
wafer
water channel
tank
cleaning
Prior art date
Application number
TW107101769A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI664661B (zh
Inventor
劉源
汪燕
Original Assignee
大陸商上海新昇半導體科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 大陸商上海新昇半導體科技有限公司 filed Critical 大陸商上海新昇半導體科技有限公司
Publication of TW201916097A publication Critical patent/TW201916097A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI664661B publication Critical patent/TWI664661B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本發明提供一種用於預清洗機的水道裝置、預清洗機以及預清洗方法，該水道裝置包括：水槽以及設置在水槽側壁上的進水口和出水口，並且所述進水口和出水口設置在所述水槽的與所述水槽延伸方向平行的側壁上或者設置在所述水槽的與所述水槽延伸方向垂直的側壁上。該用於預清洗機的水道裝置可以降低甚至避免拋光液對晶圓的腐蝕。該預清洗機及預清洗方法具有類似的優點。

Description

用於預清洗機的水道裝置、預清洗機以及預清洗方法
本發明涉及半導體技術領域，具體而言涉及一種水道裝置、預清洗機以及預清洗方法。
12吋矽片對顆粒的要求已經達到了極致的地步。矽片的顆粒性能（particle performance）分為微點缺陷LPD（light point defect）和不可移之微點缺陷LPDN （light point defect-nonremovable）兩種。LPD一般指凸起的可以被清洗去除的顆粒，而LPDN指凹的，不可以被移除的缺陷。隨著IC（積體電路）技術節點已接近10nm以下，即使是1顆20nm左右的顆粒，不論是LPD或者LPDN，都將會是元件殺手，對後段IC制程造成良率損失。因此，毛晶圓（bare wafer）本身的顆粒性能就變得尤為重要。
對顆粒造成最重要影響的是最終拋光（final polish，FP）和拋光後的預清洗（pre clean）兩道製程，最終拋光通過對晶圓（即矽片）正面進行拋光能有效去除顆粒。而拋光中引入的顆粒，如拋光液（slurry）殘留，矽碎屑等則能夠通過預清洗有效去除。然而在實際中，存在一個最終拋光與預清洗之間的等待時間（Q-time）的問題。由於最終拋光使用的拋光液呈鹼性，當拋光液殘留在晶圓上時，如果在一定時間內沒有及時去除，拋光液會腐蝕晶圓表面，造成LPDN增多。目前的清洗機為增加產量（throughtput），往往設計有水道（water channel）。水道置於清洗機中清洗藥液槽(wet batch)之前，用於盛放暫時未能投入清洗藥液槽的一盒晶圓（lot，25片晶圓）。由於清洗槽清洗時間的限制，一般每15分鐘才允許投入一組晶圓（即一個batch，50片晶圓，兩個lot），而一般水道中可盛放10盒晶圓（10 lot），這就意味著最後一組晶圓（即最後一個batch）需要經過至少4x15=60min的等待時間，才能開始清洗，這樣就增加了等待時間，造成潛在的拋光液對晶圓的腐蝕。
因此有必要提出一種用於預清洗機的水道裝置、預清洗機以及預清洗方法，以至少部分解決上述問題。
在發明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發明的發明內容部分並不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特徵和必要技術特徵，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護範圍。
針對現有技術的不足，本發明提出一種用於預清洗機的水道裝置、預清洗機以及預清洗方法，可以降低甚至避免拋光液對晶圓的腐蝕。
為了克服目前存在的問題，本發明的一方面提供一種用於預清洗機的水道裝置，包括：水槽以及設置在水槽側壁上的進水口和出水口，並且所述進水口和出水口設置在所述水槽的與所述水槽延伸方向平行的側壁上或者設置在所述水槽的與所述水槽延伸方向垂直的側壁上。
可選地，所述進水口和出水口分別設置在所述水槽相對的兩個側壁上。
可選地，所述進水口和出水口均勻設置在所述水槽的側壁上。
本發明的另一方面提供一種用於預清洗機的水道裝置，包括：第一水道，所述第一水道包括第一水槽和設置在所述第一水槽中的側壁上的第一進水口和第一出水口，並且所述第一進水口和第一出水口分別設置在所述水槽的與所述水槽延伸方向平行的兩個側壁上；第二水道，所述第二水道包括第二水槽和設置在所述第二水槽中的側壁上的第二進水口和第二出水口，並且所述第二進水口和第二出水口分別設置在所述水槽的與所述水槽延伸方向垂直的兩個側壁上。
可選地，所述第一水槽能夠容納兩個晶盒，所述第二水槽能夠容納8個晶盒。
根據本發明的用於預清洗機的水道裝置，通過在水槽的與所述水槽延伸方向平行或垂直的側壁上設置進水口和出水口，使得清洗時可以通過將晶圓表面放置為平行於進水口和出水口的連線方向，以便水流可以沖刷晶圓表面，從而更好地去除殘留的拋光液，降低甚至避免拋光液對晶圓的腐蝕。
本發明的又一方面提供一種預清洗機，包括上述的水道裝置以及與所述水道裝置相鄰佈置的清洗液槽。
本發明的又一方面提供一種預清洗機，包括上述的水道裝置以及與所述第二水道裝置相鄰佈置的清洗液槽。
根據本發明的預清洗機，通過在水道裝置的與所述水道裝置延伸方向平行或垂直的側壁上設置進水口和出水口，使得清洗時可以通過將晶圓表面放置為平行於進水口和出水口的連線方向，以便水流可以沖刷晶圓表面，從而更好地去除殘留的拋光液，降低甚至避免拋光液對晶圓的腐蝕。
本發明的再一方面提供一種預清洗方法，包括：將裝載有待清洗晶圓的晶盒依次放置在所述水道裝置中，並且當所述進水口和出水口設置在所述水槽的與所述水槽延伸方向平行的側壁上時，所述晶盒以使所述晶圓的表面垂直於晶盒在所述水槽中的移動方向的方式放置；當所述進水口和出水口設置在所述水槽的與所述水槽延伸方向垂直的側壁上時，所述晶盒以使所述晶圓的表面平行於晶盒在所述水槽中的移動方向的方式放置；在所述水道裝置中水洗所述晶圓；按設定時間間隔依次將所述水道裝置中的所述晶盒放入清洗液槽中；在所述清洗液槽中清洗所述晶圓。
本發明的再一方面提供一種預清洗方法，包括：將裝載有待清洗晶圓的晶盒放置在所述第一水道中，並且使所述晶圓的表面垂直於所述晶盒在所述第一水槽中的移動方向；在所述第一水道中清洗所述晶圓；將所述第一水道中的所述晶盒放置到所述第二水道中，並且使所述晶圓的表面平行於所述晶盒在所述第二水槽中的移動方向；在所述第二水道中水洗所述晶圓；按設定時間間隔依次將所述第二水道中的所述晶圓放入清洗液槽中；在所述清洗液槽中清洗所述晶圓。
可選地，所述第一水道能夠容納2個晶盒，所述第二水道能夠容納8個晶盒。
根據本發明的預清洗方法，由於採用上述水道裝置，因此在預清洗時可以更好地去除殘留的拋光液，從而降低甚至避免拋光液對晶圓的腐蝕。
在下文的描述中，給出了大量具體的細節以便提供對本發明更為徹底的理解。然而，對於本領域技術人員而言顯而易見的是，本發明可以無需一個或多個這些細節而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發明發生混淆，對於本領域公知的一些技術特徵未進行描述。
應當理解的是，本發明能夠以不同形式實施，而不應當解釋為局限於這裡提出的實施例。相反地，提供這些實施例將使公開徹底和完全，並且將本發明的範圍完全地傳遞給本領域技術人員。在附圖中，為了清楚，層和區的尺寸以及相對尺寸可能被誇大自始至終相同附圖標記表示相同的元件。
應當明白，當元件或層被稱為“在…上”、“與…相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或層時，其可以直接地在其它元件或層上、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或層，或者可以存在居間的元件或層。相反，當元件被稱為“直接在…上”、“與…直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或層時，則不存在居間的元件或層。應當明白，儘管可使用術語第一、 第二、第三等描述各種元件、部件、區、層和/或部分，這些元件、部件、區、層和/或部分不應當被這些術語限制。這些術語僅僅用來區分一個元件、部件、區、層或部分與另一個元件、部件、區、層或部分。因此，在不脫離本發明教導之下，下面討論的第一元件、部件、區、層或部分可表示為第二元件、部件、區、層或部分。
空間關係術語例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在這裡可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個元件或特徵與其它元件或特徵的關係。應當明白，除了圖中所示的取向以外，空間關係術語意圖還包括使用和操作中的元件的不同取向。例如，如果附圖中的元件翻轉，然後，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特徵將取向為在其它元件或特徵“上”。因此，示例性術語“在…下面”和“在…下”可包括上和下兩個取向。元件可以另外地取向(旋轉90度或其它取向)並且在此使用的空間描述語相應地被解釋。
在此使用的術語的目的僅在於描述具體實施例並且不作為本發明的限制。在此使用時，單數形式的“一”、“一個”和“所述/該”也意圖包括複數形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應明白術語“組成”和/或“包括”，當在該說明書中使用時，確定所述特徵、整數、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或更多其它的特徵、整數、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時，術語“和/或”包括相關所列專案的任何及所有組合。
如前所述目前最終拋光後的預清洗過程中，由於等待時間可能造成殘留拋光液腐蝕晶圓的問題，為了克服這種問題，目前常見的做法是在預清洗機的水道中增加溢流功能，圖1A和圖1B示出一種具有溢流功能的預清洗機。如圖1A和圖1B所示，預清洗機100包括水道101和與水道101相鄰佈置的清洗液槽102，其中水道101可以容納10個晶盒，每個清洗液槽102可以容納2個晶盒，裝載有晶圓的晶盒如圖1C和圖1D所示，晶盒11為開放式結構，每個晶盒可以支撐一定數量的晶圓10。最終拋光後的晶圓10裝載在晶盒11中放入預清洗機100中進行預清洗。具體地，首先放入水道101中利用去離子水進行水洗，然後在放入清洗液槽102中利用清洗液（例如SC1、SC2）進行清洗。並且進一步地，在水道中101中，在左右兩個側壁的底部設置溢流入口1010，通過溢流入口1010不斷向水道中加入新的去離子水（DIW），來降低水道中鹼性拋光液的濃度，並爭取將殘餘在晶圓表面的拋光液帶離。然而，由於水道面積較大，如果要保證溢流的效果，往往需要大流量的去離子水，同時由於晶圓間僅有1cm的間距，溢流入口通入的去離子水僅通過擴散無法實現對晶圓表面有效的沖刷。本發明基於此，對預清洗機的水道進行了改進，以克服這些問題，從而降低甚至避免拋光液對晶圓的腐蝕。
為了徹底理解本發明，將在下列的描述中提出詳細的結構及步驟，以便闡釋本發明提出的技術方案。本發明的較佳實施例詳細描述如下，然而除了這些詳細描述外，本發明還可以具有其他實施方式。
實施例一：圖2A示出根據本發明一實施方式的預清洗機的示意性俯視圖；圖2B示出使用圖2A所示預清洗機清洗時水流流過晶盒的示意圖；圖2C示出圖2A所示預清洗機的水道的示意性正視圖；圖2D示出使用圖2A所示預清洗機清洗時根據晶盒投入量控制進/出水口的打開和關閉。下面結合圖2A~圖2D對根據本發明一實施方式的預清洗機進行描述。
如圖2A所示，根據本發明一實施方式的預清洗機200包括水道裝置201和與水道裝置201相鄰佈置的清洗液槽202。示例性地，水道裝置201可以容納10個晶盒11，清洗液槽202可以容納2個晶盒11，每個晶盒11裝載有若干晶圓10。
在本實施方式中，水道裝置201包括水槽2010和分別設置在水槽2010兩個相對的側壁上的進水口2011和出水口2012。水槽2010呈長方體槽狀，進水口2011和出水口2012設置在水槽2010的平行於水槽2010延伸方向的側壁上。例如在圖2A中，水槽2010沿橫向（箭頭所示方向）延伸，進水口2011和出水口2012分別設置在水槽2010的平行於水槽2010延伸方向的兩個側壁上（即設置在前側臂和後側壁上）。進水口2011和出水口2012的設置方式如圖2C所示，在水槽2010的側壁上均勻設置多個進/出水口，示例性地，例如進/出水口佈滿水槽2010的橫向延伸的兩個側壁。這樣由於加進/出水口的密度增加，水流流動能力也增加。
需要說明的是，水槽2010的延伸方向指的是水槽2010的長度方向或者晶盒11在水槽2010中的移動方向。
當使用圖2A所示的預清洗機清洗晶圓時，晶盒11以使晶圓表面垂直於晶盒移動方向/水槽延伸方向的方式投入水道裝置201中，這樣由進水口2011通入並由出水口2012流出的去離子水可以如圖2B所示沖刷每個晶圓10的表面，並將晶圓10上殘留的拋光液帶離，從而降低甚至避免拋光液對晶圓的腐蝕。清洗過程中，晶盒11在水道裝置201中沿圖2A中箭頭所示方向從左至右移動，並最終進入清洗液槽202中清洗。更具體地，每隔設定時間將水道中的前兩個晶盒移入清洗液槽202中。
進一步地，為了避免浪費去離子水，在使用圖2A所示的預清洗機清洗晶圓時，可以根據投入的晶盒11的數量控制進/出水口的開啟/關閉數量。示例性地，如圖2D所示，當水道裝置201中投入8個晶盒時，可以關閉與未投入晶盒的區域對應的進/出水口，以節省去離子水。
在本實施方式中，同時提供一種預清洗方法，其使用圖2A所示的預清洗機，該預清洗方法包括：步驟S201：將裝載有待清洗晶圓的晶盒依次放置在所述水道裝置中，並且所述晶盒以使所述晶圓的表面垂直於晶盒在所述水槽中的移動方向的方式放置。
具體地，通過機械手，將裝載有待清洗晶圓（例如最終拋光後預清洗之前的晶圓）的晶盒投入到水道中，例如按先後順序自右至左投入到水道中。
步驟S202：在所述水道裝置中水洗所述晶圓。即利用由進水口通入並由出水口流出的去離子水沖刷每個晶圓的表面。
步驟S203：按設定時間間隔依次將所述水道裝置中的所述晶盒放入清洗液槽中。在水道裝置中清洗預定時間後，通過機械手將水道中前兩個晶盒移入清洗液槽中，並將水道裝置中後面的晶盒依次向前移動。
步驟S204：在所述清洗液槽中清洗所述晶圓。在清洗液槽中例如諸如SC1的清洗液清洗晶圓，以去除晶圓諸如殘留的拋光液、矽碎屑等顆粒，提高晶圓的顆粒性能。
實施例二：圖3A示出根據本發明另一實施方式的預清洗機的示意性俯視圖；圖3B示出使用圖3A所示預清洗機清洗時水流流過晶盒的示意圖；圖3C示出圖3A所示預清洗機的水道的示意性側視圖；圖3D示出使用圖3A所示預清洗機清洗時晶盒移動過程示意圖。下面結合圖3A~圖3D對根據本發明一實施方式的預清洗機進行描述。
如圖3A所示，根據本發明一實施方式的預清洗機300包括水道裝置301和與水道裝置301相鄰佈置的清洗液槽302。示例性地，水道301可以容納10個晶盒11，清洗液槽302可以容納2個晶盒11，每個晶盒11裝載有若干晶圓10。
在本實施方式中，水道裝置301包括水槽3010和分別設置在水槽3010兩個相對的側壁上的進水口3011和出水口3012。水槽3010呈長方體槽狀，進水口3011和出水口3012設置在水槽3010的垂直於水槽3010延伸方向的側壁上。例如在圖3A中，水槽3010沿橫向（箭頭所示方向）延伸，進水口3011和出水口3012分別設置在水槽3010的垂直於水槽3010延伸方向的兩個側壁上（即左右兩個側壁上）。進水口3011和出水口3012的設置方式如圖3C所示，在水槽3010的側壁上均勻設置多個進/出水口，示例性地，例如進/出水口佈滿水槽3010的左右兩個側壁。這樣由於加進/出水口的密度增加，水流流動能力也增加。
需要說明的是，水槽3010的延伸方向指的是水槽3010的長度方向或者晶盒11在水槽3010中的移動方向。
當使用圖3A所示的預清洗機清洗晶圓時，晶盒11以使晶圓表面平行於晶盒移動方向/水槽延伸方向的方式投入水道裝置301中，這樣由進水口3011通入並由出水口3012流出的去離子水可以如圖3B所示沖刷每個晶圓10的表面，並將晶圓10上殘留的拋光液帶離，從而降低甚至避免拋光液對晶圓的腐蝕。清洗過程中，晶盒11在水道裝置301中沿圖3A中箭頭所示方向從左至右移動，並最終進入清洗液槽302中清洗。更具體地，如圖3D所示，每隔設定時間將水道中的前兩個晶盒移入清洗液槽302中，並將水道裝置301中後面的晶盒依次向前移動。
在本實施方式中，同時提供一種預清洗方法，其使用圖3A所示的預清洗機，該預清洗方法包括：步驟S301：將裝載有待清洗晶圓的晶盒依次放置在所述水道中，並且所述晶盒以使所述晶圓的表面平行於晶盒在所述水槽中的移動方向的方式放置。
具體地，通過機械手，將裝載有待清洗晶圓（例如最終拋光後預清洗之前的晶圓）的晶盒投入到水道裝置中，例如按先後順序自右至左投入到水道裝置中。
步驟S302：在所述水道裝置中水洗所述晶圓。即利用由進水口通入並由出水口流出的去離子水沖刷每個晶圓的表面。
步驟S303：按設定時間間隔依次將所述水道裝置中的所述晶盒放入清洗液槽中。在水道裝置中清洗預定時間後，通過機械手將水道裝置中前兩個晶盒移入清洗液槽中，並將水道裝置中後面的晶盒依次向前移動。並且，在通過機械手將水道裝置中前兩個晶盒移入清洗液槽中時，如圖3D所示將晶盒旋轉90度。
步驟S304：在所述清洗液槽中清洗所述晶圓。在清洗液槽中例如諸如SC1的清洗液清洗晶圓，以去除晶圓諸如殘留的拋光液、矽碎屑等顆粒，提高晶圓的顆粒性能。
實施例三：圖4A示出根據本發明另一實施方式的預清洗機的示意性俯視圖；圖4B示出使用圖4A所示預清洗機清洗時水流流過晶盒的示意圖；圖4C示出使用圖4A所示預清洗機清洗時晶盒移動過程示意圖。下面結合圖4A~圖4C對根據本發明一實施方式的預清洗機進行描述。
如圖4A所示，根據本發明一實施方式的預清洗機400包括第一水道裝置401、第二水道裝置402和與第二水道裝置402相鄰佈置的清洗液槽403。示例性地，第一水道裝置401可以容納2個晶盒11，第二水道裝置402可以容納8個晶盒11，清洗液槽403可以容納2個晶盒11，每個晶盒11裝載有若干晶圓10。
在本實施方式中，第一水道裝置401採用類似實施例一中所公開的水道的結構。具體地，第一水道裝置401包括第一水槽4010和分別設置在第一水槽4010兩個相對的側壁上的第一進水口4011和第一出水口4012。第一水槽4010呈正方體槽狀，第一進水口4011和第一出水口4012設置在第一水槽4010的兩個相對的側壁上，例如前後兩個側壁。第一進水口4011和第一出水口4012的設置方式與如圖3C所示類似，在第一水槽4010的側壁上均勻設置多個進/出水口，示例性地，例如進/出水口佈滿第一水槽4010的前後兩個側壁。這樣由於加進/出水口的密度增加，水流流動能力也增加。
在本實施方式中，第二水道裝置402採用類似實施例二中所公開的水道的結構。具體地，第二水道裝置402包括第二水槽4020和分別設置在第二水槽4020兩個相對的側壁上的進水口4021和出水口4022。第二水槽4020呈長方體槽狀，第二進水口4021和出水口4022設置在第二水槽4020的垂直于第二水槽4020延伸方向的側壁上。例如在圖4A中，第二水槽4020沿橫向（箭頭所示方向）延伸，第二進水口4021和第二出水口4022分別設置在第二水槽4020的垂直于第二水槽4020延伸方向的兩個側壁上（即左右兩個側壁上）。第二進水口4021和第二出水口4022的設置方式如圖3C所示，在第二水槽4020的側壁上均勻設置多個進/出水口，示例性地，例如進/出水口佈滿第二水槽4020的左右兩個側壁。這樣由於加進/出水口的密度增加，水流流動能力也增加。
需要說明的是，第二水槽4020的延伸方向指的是第二水槽4020的長度方向或者晶盒11在第二水槽4020中的移動方向。
當使用圖4A所示的預清洗機清洗晶圓時，晶盒11以使晶圓表面垂直於晶盒移動方向/第一水槽延伸方向的方式投入第一水道裝置401中，這樣由第一進水口4011通入並由第一出水口4012流出的去離子水可以如圖4B中左圖所示沖刷每個晶圓10的表面，並將晶圓10上殘留的拋光液帶離，從而降低甚至避免拋光液對晶圓的腐蝕。晶盒11在第一水道裝置401中清洗完之後，如圖4C所示通過機械手取出並放入第二水道402中，在放入第二水道裝置402時旋轉90度，以使晶圓表面平行直於晶盒移動方向/第二水槽延伸方向，這樣由第二進水口4021通入並由第二出水口4022流出的去離子水可以如圖4C所示沖刷每個晶圓10的表面，並將晶圓10上殘留的拋光液進一步帶離，從而降低甚至避免拋光液對晶圓的腐蝕。清洗過程中，晶盒11在第二水道裝置402中沿圖4A中箭頭所示方向從左至右移動，並最終進入清洗液槽403中清洗。更具體地，如圖4C所示，每隔設定時間將第二水道裝置402中的前兩個晶盒移入清洗液槽403中，並將第二水道402中後面的晶盒依次向前移動。
在本實施方式中，同時提供一種預清洗方法，其使用圖4A所示的預清洗機，該預清洗方法包括：步驟S401：將裝載有待清洗晶圓的晶盒放置在所述第一水道裝置中，並且使所述晶圓的表面垂直於所述晶盒在所述第一水槽中的移動方向，也即平行於第一進水口和第一出水口的連線方向。
具體地，通過機械手，將裝載有待清洗晶圓（例如最終拋光後預清洗之前的晶圓）的晶盒投入到第一水道裝置中，例如按先後順序自右至左投入到第一水道中。
步驟S402：在所述第一水道裝置中清洗所述晶圓。即利用由第一進水口通入並由第一出水口流出的去離子水沖刷每個晶圓的表面。
步驟S403：將所述第一水道裝置中的所述晶盒放置到所述第二水道中，並且使所述晶圓的表面平行於所述晶盒在所述第二水槽中的移動方向。在第一水道裝置中清洗預定時間後，通過機械手將第一水道中的兩個晶盒移入第二水道中，並將第二水道裝置中前面的晶盒依次向前移動。並且，在通過機械手將第一水道中的兩個晶盒移入第二水道中時，如圖4C所示將晶盒旋轉90度。
步驟S404：在所述第二水道裝置中水洗所述晶圓。即利用由第二進水口通入並由第二出水口流出的去離子水沖刷每個晶圓的表面。
步驟S405：按設定時間間隔依次將所述第二水道裝置中的所述晶圓放入清洗液槽中。即在第二水道裝置中清洗預定時間後，通過機械手將第二水道裝置中前兩個晶盒移入清洗液槽中，並將第二水道裝置中後面的晶盒依次向前移動。並且，在通過機械手將第二水道裝置中前兩個晶盒移入清洗液槽中時，如圖4C所示將晶盒旋轉90度。
步驟S406：在所述清洗液槽中清洗所述晶圓。在清洗液槽中例如諸如SC1的清洗液清洗晶圓，以去除晶圓諸如殘留的拋光液、矽碎屑等顆粒，提高晶圓的顆粒性能。
本發明已經通過上述實施例進行了說明，但應當理解的是，上述實施例只是用於舉例和說明的目的，而非意在將本發明限制於所描述的實施例範圍內。此外本領域技術人員可以理解的是，本發明並不局限於上述實施例，根據本發明的教導還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發明所要求保護的範圍以內。本發明的保護範圍由附屬的申請專利範圍及其等效範圍所界定。
100‧‧‧預清洗機
101‧‧‧水道
102‧‧‧清洗液槽
11‧‧‧晶盒
1010‧‧‧溢流入口
200‧‧‧預清洗機
202‧‧‧水道裝置
202‧‧‧清洗液槽
2010‧‧‧水槽
2011‧‧‧進水口
2012‧‧‧出水口
300‧‧‧預清洗機
301‧‧‧水道裝置
302‧‧‧清洗液槽
3010‧‧‧水槽
3011‧‧‧進水口
3012‧‧‧出水口
400‧‧‧預清洗機
401‧‧‧第一水道裝置
402‧‧‧第二水道裝置
403‧‧‧清洗液槽
4010‧‧‧第一水槽
4011‧‧‧第一進水口
4012‧‧‧第一出水口
4020‧‧‧第二水槽
4021‧‧‧第二進水口
4022‧‧‧第二出水口
本發明的下列附圖在此作為本發明的一部分用於理解本發明。附圖中示出了本發明的實施例及其描述，用來解釋本發明的原理。
圖1A示出一種預清洗機的示意性俯視圖；
圖1B示出圖1A所示預清洗機的示意性正視圖；
圖1C示出圖1A中晶盒的示意性左視圖；
圖1D示出圖1A中晶盒的示意性正視圖；
圖2A示出根據本發明一實施方式的預清洗機的示意性俯視圖；
圖2B示出使用圖2A所示預清洗機清洗時水流流過晶盒的示意圖；
圖2C示出圖2A所示預清洗機的水道的示意性正視圖；
圖2D示出使用圖2A所示預清洗機清洗時根據晶盒投入量控制進/出水口的打開和關閉；
圖3A示出根據本發明另一實施方式的預清洗機的示意性俯視圖；
圖3B示出使用圖3A所示預清洗機清洗時水流流過晶盒的示意圖；
圖3C示出圖3A所示預清洗機的水道的示意性側視圖；
圖3D示出使用圖3A所示預清洗機清洗時晶盒移動過程示意圖；
圖4A示出根據本發明另一實施方式的預清洗機的示意性俯視圖；
圖4B示出使用圖4A所示預清洗機清洗時水流流過晶盒的示意圖；
圖4C示出使用圖4A所示預清洗機清洗時晶盒移動過程示意圖。

Claims (10)

  1. 一種用於預清洗機的水道裝置，包括：水槽以及設置在水槽側壁上的進水口和出水口，並且所述進水口和所述出水口設置在所述水槽的與所述水槽延伸方向平行的側壁上或者設置在所述水槽的與所述水槽延伸方向垂直的側壁上。
  2. 如請求項1所述的用於預清洗機的水道裝置，其中所述進水口和所述出水口分別設置在所述水槽相對的兩個側壁上。
  3. 如請求項1所述的用於預清洗機的水道裝置，其中所述進水口和所述出水口均勻設置在所述水槽的側壁上。
  4. 一種用於預清洗機的水道裝置，包括：第一水道，所述第一水道包括第一水槽和設置在所述第一水槽中的側壁上的第一進水口和第一出水口，並且所述第一進水口和所述第一出水口分別設置在所述水槽的與所述水槽延伸方向平行的兩個側壁上；第二水道，所述第二水道包括第二水槽和設置在所述第二水槽中的側壁上的第二進水口和第二出水口，並且所述第二進水口和所述第二出水口分別設置在所述水槽的與所述水槽延伸方向垂直的兩個側壁上。
  5. 如請求項4所述的用於預清洗機的水道裝置，其中所述第一水槽能夠容納兩個晶盒，所述第二水槽能夠容納8個晶盒。
  6. 一種預清洗機，包括請求項1-3中的任意一項所述的水道裝置以及與所述水道裝置相鄰佈置的清洗液槽。
  7. 一種預清洗機，包括請求項4所述的水道裝置以及與所述第二水道相鄰佈置的清洗液槽。
  8. 一種預清洗方法，該預清洗方法使用請求項6所述的預清洗機，包括：將裝載有待清洗晶圓的晶盒依次放置在所述水道裝置中，並且當所述進水口和所述出水口設置在所述水槽的與所述水槽延伸方向平行的側壁上時，所述晶盒以使所述晶圓的表面垂直於晶盒在所述水槽中的移動方向的方式放置；當所述進水口和所述出水口設置在所述水槽的與所述水槽延伸方向垂直的側壁上時，所述晶盒以使所述晶圓的表面平行於所述晶盒在所述水槽中的移動方向的方式放置；在所述水道裝置中水洗所述晶圓；按設定時間間隔依次將所述水道裝置中的所述晶盒放入清洗液槽中；在所述清洗液槽中清洗所述晶圓。
  9. 一種預清洗方法，該方法使用請求項7所述的預清洗機，包括：將裝載有待清洗晶圓的晶盒放置在所述第一水道中，並且使所述晶圓的表面垂直於所述晶盒在所述第一水槽中的移動方向；在所述第一水道中清洗所述晶圓；將所述第一水道中的所述晶盒放置到所述第二水道中，並且使所述晶圓的表面平行於所述晶盒在所述第二水槽中的移動方向；在所述第二水道中水洗所述晶圓；按設定時間間隔依次將所述第二水道中的所述晶圓放入清洗液槽中；在所述清洗液槽中清洗所述晶圓。
  10. 如請求項9所述的預清洗方法，其中所述第一水道能夠容納2個晶盒，所述第二水道能夠容納8個晶盒。
TW107101769A 2017-09-15 2018-01-18 用於預清洗機的水道裝置、預清洗機以及預清洗方法 TWI664661B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
??201710839318.2 2017-09-15
CN201710839318.2A CN109509696B (zh) 2017-09-15 2017-09-15 一种用于预清洗机的水道装置、预清洗机以及预清洗方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201916097A true TW201916097A (zh) 2019-04-16
TWI664661B TWI664661B (zh) 2019-07-01

Family

ID=65745118

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107101769A TWI664661B (zh) 2017-09-15 2018-01-18 用於預清洗機的水道裝置、預清洗機以及預清洗方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN109509696B (zh)
TW (1) TWI664661B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113857556B (zh) * 2021-10-20 2023-01-31 北京首钢冷轧薄板有限公司 一种带钢剪切系统和方法
CN114472311A (zh) * 2022-01-18 2022-05-13 铜陵有色金属集团股份有限公司 极板清洗装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10144646A (ja) * 1996-11-13 1998-05-29 Kaijo Corp 基板洗浄装置
US7087117B2 (en) * 2002-11-15 2006-08-08 Ebara Corporation Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI240952B (en) * 2003-10-28 2005-10-01 Samsung Electronics Co Ltd System for rinsing and drying semiconductor substrates and method therefor
TWI390618B (zh) * 2007-12-10 2013-03-21 Acm Res Shanghai Inc 用於清洗半導體晶片的方法和裝置
JP2010267340A (ja) * 2009-05-15 2010-11-25 Showa Denko Kk 流水式洗浄方法及び流水式洗浄装置
CN102184838B (zh) * 2011-03-09 2013-02-13 深圳深爱半导体股份有限公司 清洗系统
TWM542233U (zh) * 2017-01-12 2017-05-21 Cisom International Co Ltd 多功能晶圓洗淨裝置

Also Published As

Publication number Publication date
CN109509696A (zh) 2019-03-22
TWI664661B (zh) 2019-07-01
CN109509696B (zh) 2020-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105408983B (zh) 一种垂直无旋处理腔室
TWI690979B (zh) 基板處理裝置、基板處理裝置的洗淨方法
US10643865B2 (en) Substrate cleaning apparatus
US20090120459A1 (en) Apparatus and method for cleaning semiconductor substrates
KR101674263B1 (ko) 웨이퍼 세정을 위한 메커니즘들
JP2017126616A (ja) 基板処理装置および基板処理装置の洗浄方法
JP2011082276A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
TWI664661B (zh) 用於預清洗機的水道裝置、預清洗機以及預清洗方法
CN110571165B (zh) 清洗装置、清洗方法、半导体加工机台及晶圆加工方法
JP2002093765A (ja) 基板洗浄方法および基板洗浄装置
KR20200047597A (ko) 반도체 웨이퍼를 세정하기 위한 방법 및 장치
JP2920165B2 (ja) 枚葉洗浄用オーバーフロー槽
TW201703881A (zh) 清潔晶圓之方法
JP3697063B2 (ja) 洗浄システム
TW202014252A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR101915358B1 (ko) 반도체 세정장치 및 이에 적용된 세정 방법
JPH06163501A (ja) 基板の洗浄方法およびその装置
JPH11145105A (ja) 洗浄装置
JPS58161328A (ja) 薄片状物品の洗浄装置
US20050061775A1 (en) Novel design to eliminate wafer sticking
JPS62156659A (ja) 洗浄方法及び装置
CN109396102B (zh) 晶片清洗设备和使用该设备的清洗方法
KR102683887B1 (ko) 기판 처리 장치 및 배관 착탈 파트 세정 방법
JP3203950B2 (ja) ウェーハ洗浄装置
JPH04124824A (ja) 半導体ウェハの洗浄方法