JP2012253316A - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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|---|---|---|---|---|
| JP2016201472A (ja) * | 2015-04-10 | 2016-12-01 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2016207780A (ja) * | 2015-04-20 | 2016-12-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
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Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2016076654A (ja) * | 2014-10-08 | 2016-05-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画データ生成方法、プログラム、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、及びパターン検査装置 |
| JP2018170448A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-01 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画データ作成方法 |
| JP6819475B2 (ja) * | 2017-06-14 | 2021-01-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | データ処理方法、荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画システム |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59151423A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-08-29 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置および方法 |
| JPH06260400A (ja) * | 1993-03-09 | 1994-09-16 | Hitachi Ltd | 図形分解装置 |
| JPH07130594A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-05-19 | Jeol Ltd | 荷電粒子線描画方法 |
| JP2002260982A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Jeol Ltd | 可変面積型電子ビーム描画装置を用いた描画方法 |
| JP2009088213A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Nuflare Technology Inc | 描画装置及び描画時間の取得方法 |
| JP2010073918A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5159201A (en) * | 1991-07-26 | 1992-10-27 | International Business Machines Corporation | Shape decompositon system and method |
| US5251140A (en) * | 1991-07-26 | 1993-10-05 | International Business Machines Corporation | E-beam control data compaction system and method |
| JPH10255712A (ja) * | 1997-03-07 | 1998-09-25 | Nec Corp | 電子線露光装置及びその露光方法 |
| JP3340387B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2002-11-05 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画装置 |
| JP4605708B2 (ja) * | 2005-04-19 | 2011-01-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 定形パターン抽出装置、パターン描画装置、定形パターン抽出方法およびプログラム |
| KR101407913B1 (ko) * | 2005-09-26 | 2014-06-17 | 마이크로닉 마이데이터 아베 | 설계 데이터의 다중 형태에 기반한 패턴 발생 방법 및시스템 |
| US8369569B2 (en) * | 2008-03-21 | 2013-02-05 | Synopsys, Inc. | Method and apparatus for detecting non-uniform fracturing of a photomask shape |
| JP5616674B2 (ja) * | 2010-04-20 | 2014-10-29 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59151423A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-08-29 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置および方法 |
| JPH06260400A (ja) * | 1993-03-09 | 1994-09-16 | Hitachi Ltd | 図形分解装置 |
| JPH07130594A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-05-19 | Jeol Ltd | 荷電粒子線描画方法 |
| JP2002260982A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Jeol Ltd | 可変面積型電子ビーム描画装置を用いた描画方法 |
| JP2009088213A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Nuflare Technology Inc | 描画装置及び描画時間の取得方法 |
| JP2010073918A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016201472A (ja) * | 2015-04-10 | 2016-12-01 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2016207780A (ja) * | 2015-04-20 | 2016-12-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP7129676B1 (ja) | 2021-06-25 | 2022-09-02 | 日本コントロールシステム株式会社 | 電子ビーム描画装置、生産装置、電子ビーム描画方法、生産方法、プログラム |
| WO2022269951A1 (ja) * | 2021-06-25 | 2022-12-29 | 日本コントロールシステム株式会社 | 電子ビーム描画装置、電子ビーム描画方法、および記録媒体 |
| JP2023004992A (ja) * | 2021-06-25 | 2023-01-17 | 日本コントロールシステム株式会社 | 電子ビーム描画装置、電子ビーム描画方法、およびプログラム |
| JP2023003998A (ja) * | 2021-06-25 | 2023-01-17 | 日本コントロールシステム株式会社 | 電子ビーム描画装置、生産装置、電子ビーム描画方法、生産方法、プログラム |
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