JP2012249090A - 高周波スイッチ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 一方が第1の高周波信号入出力端子に接続され他方が第2の高周波信号入出力端子に接続された第1のアンチパラレルダイオードと、一方が前記第1の高周波信号入出力端子に接続され他方が第3の高周波信号入出力端子に接続された使用周波数において1/4波長の電気長を有する第1の伝送線路と、一方が前記第3の高周波信号入出力端子に接続され他方が接地された第2のアンチパラレルダイオードとを備え、前記第1及び前記第2のアンチパラレルダイオードは、所定の高周波電力以上の電力において導通状態となる高周波スイッチ。
【選択図】 図1
Description
一方が前記第1の高周波信号入出力端子に接続され他方が第3の高周波信号入出力端子に接続された使用周波数において1/4波長の電気長を有する第1の伝送線路と、
一方が前記第3の高周波信号入出力端子に接続され他方が接地された第2のアンチパラレルダイオードとを備え、前記第1及び前記第2のアンチパラレルダイオードは、所定の高周波電力以上の入力電力において導通状態となるものである。
この発明の実施の形態1について図1を用いて説明する。図1は、アンテナに接続される送信回路と受信回路を切り換えるこの発明の実施の形態1に係るSPDT(Single pole,dual throw)方式の高周波スイッチの回路図である。1はアンテナ端子、2は送信端子、3は受信端子、4はPINダイオードで構成され、アノードとカソードが互いに反対となるように並列接続されたアンチパラレルダイオード(第1のアンチパラレルダイオード)であり、アンチパラレルダイオード4の一方の端子が送信端子2に接続され、他方の端子がアンテナ端子1に接続されている。
この発明の実施の形態1は、送信回路8とアンテナ10との間のアンチパラレルダイオードが1段構成であったが、このアンチパラレルダイオードを2段構成としたこの発明の実施の形態2について、図3を用いて説明する。
この発明の実施の形態2は、2段のアンチパラレルダイオード4を直接に直列接続した構成であったが、2段のアンチパラレルダイオード4を高周波スイッチを通過する高周波信号の周波数の波長における1/4波長線路を介して接続した構成としたこの発明の実施の形態3について、図4を用いて説明する。
この発明の実施の形態1は、SPDT方式の高周波スイッチであったが、この発明の実施の形態4においては、SPST(Single pole,single throw)方式の高周波スイッチについて、図5を用いて説明する。
この発明の実施の形態5における高周波スイッチについて、図6を用いて説明する。図6において、アンチパラレルダイオード4に並列にインダクタンス20が接続されている。図6において、図1と同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
この発明の実施の形態6における高周波スイッチについて、図10を用いて説明する。図10において、アンチパラレルダイオード4の一方の端子と接地22との間にインダクタンス21が接続されている。図10において、図1と同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
この発明の実施の形態7における高周波スイッチについて、図15を用いて説明する。図15において、アンチパラレルダイオード4に並列にインダクタンス20が接続され、アンチパラレルダイオード4の一方の端子と接地22との間にインダクタンス21が接続されている。図10において、図1と同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。図15において、図1、図6及び図10と同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
2・・送信端子(第2の高周波信号入出力端子)
3・・受信端子(第3の高周波信号入出力端子)
4、4a、4b・・アンチパラレルダイオード(第1のアンチパラレルダイオード)
5・・1/4波長線路(第1の1/4波長線路)
6・・接地
7、7a、7b・・アンチパラレルダイオード(第2のアンチパラレルダイオード)
8・・送信回路
9・・受信回路
10・・アンテナ
11・・分岐点
12・・接続点
13・・送信信号
14・・受信信号
16・・1/4波長線路(第2の1/4波長線路)
20・・インダクタンス(第1のインダクタンス)
21・・インダクタンス(第2のインダクタンス)
22・・接地
Claims (9)
- 一方が第1の高周波信号入出力端子に接続され他方が第2の高周波信号入出力端子に接続された第1のアンチパラレルダイオードを備え、前記第1のアンチパラレルダイオードが所定の高周波電力以上の入力電力において導通状態となることにより、前記高周波電力を通過させる高周波スイッチ。
- 一方が第1の高周波信号入出力端子に接続され他方が第2の高周波信号入出力端子に接続された第1のアンチパラレルダイオードと、
一方が前記第1の高周波信号入出力端子に接続され他方が第3の高周波信号入出力端子に接続された使用周波数において1/4波長の電気長を有する第1の伝送線路と、
一方が前記第3の高周波信号入出力端子に接続され他方が接地された第2のアンチパラレルダイオードとを備え、
前記第1及び前記第2のアンチパラレルダイオードは、所定の高周波電力以上の入力電力において導通状態となる高周波スイッチ。 - 第1の高周波信号入出力端子と第2の高周波信号入出力端子との間に直列接続された複数の第1のアンチパラレルダイオードを備え、前記第1のアンチパラレルダイオードが所定の高周波電力以上の入力電力において導通状態となることにより、前記高周波電力を通過させる高周波スイッチ。
- 第1の高周波信号入出力端子と第2の高周波信号入出力端子との間に直列接続された複数の第1のアンチパラレルダイオードと、
一方が前記第1の高周波信号入出力端子に接続され他方が第3の高周波信号入出力端子に接続された使用周波数において1/4波長の電気長を有する第1の伝送線路と、
一方が前記第3の高周波信号入出力端子に接続され他方が接地された第2のアンチパラレルダイオードとを備え、
前記第1及び前記第2のアンチパラレルダイオードは、所定の高周波電力以上の入力電力において導通状態となる高周波スイッチ。 - 第1の高周波信号入出力端子と第2の高周波信号入出力端子との間に使用周波数において1/4波長の電気長を有する第2の伝送線路を介してそれぞれ直列接続された複数の第1のアンチパラレルダイオードを備え、前記第1のアンチパラレルダイオードが所定の高周波電力以上の入力電力において導通状態となることにより、前記高周波電力を通過させる高周波スイッチ。
- 第1の高周波信号入出力端子と第2の高周波信号入出力端子との間に使用周波数において1/4波長の電気長を有する第2の伝送線路を介してそれぞれ直列接続された複数の第1のアンチパラレルダイオードと、
一方が前記第1の高周波信号入出力端子に接続され他方が第3の高周波信号入出力端子に接続された使用周波数において1/4波長の電気長を有する第1の伝送線路と、
一方が前記第3の高周波信号入出力端子に接続され他方が接地された第2のアンチパラレルダイオードとを備え、
前記第1及び前記第2のアンチパラレルダイオードは、所定の高周波電力以上の入力電力において導通状態となる高周波スイッチ。 - 前記第1のアンチパラレルダイオードに、第1のインダクタンスが並列に接続された請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の高周波スイッチ。
- 前記第1のアンチパラレルダイオードの一方に第2のインダクタンスの一方が接続され、前記第2のインダクタンスの他方が接地された請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の高周波スイッチ。
- 前記第1のアンチパラレルダイオードに、第1のインダクタンスが並列に接続され、前記第1のアンチパラレルダイオードの一方に、第2のインダクタンスの一方が接続され、前記第2のインダクタンスの他方が接地された請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の高周波スイッチ。
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