DE112012002264B4

DE112012002264B4 - Hochfrequenzschalter

Info

Publication number: DE112012002264B4
Application number: DE112012002264.5T
Authority: DE
Inventors: Fuminori Sameshima; Masahiko Kohama; Takuo Morimoto
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2011-05-27
Filing date: 2012-05-23
Publication date: 2019-04-11
Anticipated expiration: 2032-05-24
Also published as: US9112504B2; US20140124908A1; AU2012263691A1; WO2012165241A1; CN103563165B; DE112012002264T5; CN103563165A; JP2012249090A; JP5699807B2; AU2012263691B2

Abstract

Hochfrequenzschalter, der Folgendes aufweist:- eine erste antiparallele Diode (4, 41, 42), die an dem einen Ende mit einem ersten Eingangs-/Ausgangsanschluss (1) für ein Hochfrequenzsignal verbunden ist, die an dem anderen Ende mit einem zweiten Eingangs-/Ausgangsanschluss (2) für ein Hochfrequenzsignal verbunden ist, und die in einen leitenden Zustand übergeht, wenn eine Eingangsleistung eingegeben wird, die gleich groß wie oder größer ist als eine vorab vorbestimmte Hochfrequenzleistung, wobei die erste antiparallele Diode (4, 41, 42) zwei oder mehr antiparallele Dioden aufweist, die in Reihe geschaltet sind.

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Hochfrequenzschalter, der in einer Hochfrequenzschaltung, wie beispielsweise einem Sender-/Empfängermodul Anwendung findet, und welcher den Pfad von Hochfrequenzsignalen schaltet.
Stand der Technik
Die Druckschrift JP S59-186434 A betrifft eine Sender-EmpfängerAnordnung, bei der ein Sendesignal von einem Übertragungsbereich zu einer Antenne ausgegeben wird, ohne dass hierzu eine Diode durchlaufen wird.
Die Druckschrift DE 10 2005 037 877 A1 betrifft einen Diodenmischer, welcher einen Mischerdiodenabschnitt mit einer ersten Induktorschaltung aufweist. Die erste Induktorschaltung weist einen Induktor und einen Kondensator auf, die hintereinander geschaltet sind. Der Mischerdiodenabschnitt weist ferner eine parallel zu der ersten Induktorschaltung geschaltete Diode und einen ersten Verbindungsabschnitt auf, mit welchem ein Ende der ersten Induktorschaltung und die Anode der Diode verbunden sind.
Die Druschriften US 7,054,610 B1 und US 6,449,471 B1 betreffen jeweils Sender-Empfänger-Anordnungen für Mobiltelefone.
Um ein Sendesignal und ein Empfangssignal über eine gemeinsame Antenne auszusenden bzw. zu empfangen, weist ein Sender-/Empfängermodul einen Hochfrequenzschalter auf, der mit der Antenne verbunden ist und der die Schaltung auf eine solche Weise schaltet, dass ein Sender mit der Antenne zum Zeitpunkt der Aussendung verbunden ist, und dass ein Empfänger mit der Antenne zum Zeitpunkt des Empfangens verbunden ist.
Beispielsweise offenbart Patentliteratur 1 eine Schaltung mit einem Hochfrequenzschalter, die einen Kondensator mit einer Übertragungsleitung in der Schaltung parallelschaltet. Bei der Schaltung mit dem Hochfrequenzschalter gemäß Patentliteratur 1 wird erläutert, dass ein Isolationsvermögen gleich groß wie oder größer als 35 dB sichergestellt wird, und zwar sogar in einem Band, in welchem sich das Sendefrequenzband und das Empfangsfrequenzband teilweise überlappen.
Patentliteratur 2 offenbart einen Hochfrequenzschalter, welcher einen einpoligen Ausschalter (Single-Pole-Single-Throw-Schalter) verwendet. Der Hochfrequenzschalter aus Patentliteratur 2 verbindet in kaskadenartiger Weise einen einstellbaren Phasenschieber, der dazu in der Lage ist, 0° oder eine Phasendifferenz von ± 90° in einem 90-Grad-Hybridkoppler relativ zu dem einpoligen Ausschalter einzustellen.
Der 90-Grad-Hybridkoppler ist mit einem Ausgangsanschluss des einstellbaren Phasenschiebers verbunden. Der Phasenpegel am einstellbaren Phasenschieber wird gemäß dem Einschalt-/Ausschaltzustand des einpoligen Ausschalters gesteuert, so dass ein von einem Eingangsanschluss 1 eingegebenes Hochfrequenzsignal dazu veranlasst wird, entweder aus einem Ausgangsanschluss 2 oder einem Ausgangsanschluss 3 ausgegeben zu werden.
Es ist wohlbekannt, dass - als ein typischer Schaltungsaufbau - antiparallele Dioden als Begrenzungsschaltungen verwendet werden (siehe beispielsweise Patentliteratur 3 oder 4). Ferner offenbart Patentliteratur 5 die Verwendung einer Begrenzungsdiode als Schaltelement.
Liste zum Stand der Technik
Patentliteratur

Patentliteratur 1: Ungeprüfte japanische Patentanmeldung Kokai-Veröffentlichung JP 2008-109 535 A
Patentliteratur 2: Ungeprüfte japanische Patentanmeldung Kokai-Veröffentlichung JP 2007-221 314 A
Patentliteratur 3: Ungeprüfte japanische Gebrauchsmusteranmeldung Kokai-Veröffentlichung JP S58-088 423 U
Patentliteratur 4: Ungeprüfte japanische Patentanmeldung Kokai-Veröffentlichung JP 2007-150 935 A
Patentliteratur 5: Ungeprüfte japanische Gebrauchsmusteranmeldung Kokai-Veröffentlichung JP H02-090 554 U .

Zusammenfassung der Erfindung
Technisches Problem
Der in Patentliteratur 1 oder Patentliteratur 2 offenbarte Hochfrequenzschalter benötigt ein externes Steuersignal. Außerdem benötigt er eine Steuerschaltung, um ein solches externes Steuersignal zu erzeugen. Insbesondere dann, wenn der Hochfrequenzschalter mit hoher Geschwindigkeit geschaltet wird, oder dann, wenn der Hochfrequenzschalter mit hoher Spannung betrieben wird, ist eine komplexe Steuerschaltung nötig. Folglich haben herkömmliche Hochfrequenzschalter den Nachteil, dass die Schaltungsdimensionen der Steuerschaltung (eine periphere Schaltung) groß werden.
Die vorliegende Erfindung wurde konzipiert, um sich der oben erläuterten Nachteile anzunehmen. Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen kompakten Hochfrequenzschalter anzugeben, welcher kein externes Steuersignal benötigt.
Lösung des Problems
Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die jeweiligen Gegenstände der Patentansprüche 1, 7 und 9 gelöst, wobei vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Hochfrequenzschalters in den entsprechenden abhängigen Ansprüchen angegeben sind.
Ein Hochfrequenzschalter gemäß der vorliegenden Erfindung weist insbesondere folgendes auf: eine erste antiparallele Diode, die an dem einen Ende mit einem ersten Eingangs-/Ausgangsanschluss für ein Hochfrequenzsignal verbunden ist, die an dem anderen Ende mit einem zweiten Eingangs-/Ausgangsanschluss für ein Hochfrequenzsignal verbunden ist, und die in einen leitenden Zustand übergeht, wenn eine Eingangsleistung eingegeben wird, die gleich groß wie oder größer ist als eine vorab vorgegebene Hochfrequenzleistung.
Vorteilhafte Wirkungen der Erfindung
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird der Schaltvorgang eines Hochfrequenzschalters mittels eines Einschalt-/Ausschaltvorganges antiparalleler Dioden auf der Basis von Eingabe-Hochfrequenzleistung durchgeführt. Folglich kann ein kompakter Hochfrequenzschalter erhalten werden, welcher keine Steuerschaltung benötigt, die ein Schaltsignal erzeugt.
Figurenliste
In den Zeichnungen zeigen:

1 ein Schaltungsdiagramm, das den Hochfrequenzschalter vom SPDT-Typ gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
2A ein Ersatzschaltbild, das einen Hochfrequenzschalter darstellt, wenn ein Hochfrequenzsignal mit großer Signalleistung hindurchgeht;
2B ein Ersatzschaltbild, das einen Hochfrequenzschalter darstellt, wenn ein Hochfrequenzsignal mit kleiner Signalleistung hindurchgeht;
3 ein Schaltungsdiagramm, das einen Hochfrequenzschalter gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
4 ein Schaltungsdiagramm, das einen Hochfrequenzschalter gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
5 ein Schaltungsdiagramm, das einen Hochfrequenzschalter vom SPST-Typ gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
6 ein Schaltungsdiagramm, das einen Hochfrequenzschalter gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
7 ein Schaltungsdiagramm, das den Hochfrequenzschalter der zweiten Ausführungsform unter Verwendung des Aufbaus der fünften Ausführungsform darstellt;
8 ein Schaltungsdiagramm, das den Hochfrequenzschalter der dritten Ausführungsform unter Verwendung des Aufbaus der fünften Ausführungsform darstellt;
9 ein Schaltungsdiagramm, das den Hochfrequenzschalter der vierten Ausführungsform unter Verwendung des Aufbaus der fünften Ausführungsform darstellt;
10 ein Schaltungsdiagramm, das einen Hochfrequenzschalter gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
11 ein Schaltungsdiagramm, das den Hochfrequenzschalter der zweiten Ausführungsform unter Verwendung des Aufbaus der sechsten Ausführungsform darstellt;
12 ein Schaltungsdiagramm, das den Hochfrequenzschalter der dritten Ausführungsform unter Verwendung des Aufbaus der sechsten Ausführungsform darstellt;
13 ein Schaltungsdiagramm, das den Hochfrequenzschalter der vierten Ausführungsform unter Verwendung des Aufbaus der sechsten Ausführungsform darstellt;
14 ein Schaltungsdiagramm, das einen weiteren Hochfrequenzschalter der vierten Ausführungsform unter Verwendung des Aufbaus der sechsten Ausführungsform darstellt;
15 ein Schaltungsdiagramm, das einen Hochfrequenzschalter gemäß einer siebenten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
16 ein Schaltungsdiagramm, das den Hochfrequenzschalter der zweiten Ausführungsform unter Verwendung des Aufbaus der siebten Ausführungsform darstellt;
17 ein Schaltungsdiagramm, das den Hochfrequenzschalter der dritten Ausführungsform unter Verwendung des Aufbaus der siebenten Ausführungsform darstellt;
18 ein Schaltungsdiagramm, das den Hochfrequenzschalter der vierten Ausführungsform unter Verwendung des Aufbaus der siebenten Ausführungsform darstellt; und
19 ein Schaltungsdiagramm, das einen weiteren Hochfrequenzschalter der zweiten Ausführungsform unter Verwendung des Aufbaus der siebenten Ausführungsform darstellt.

Beschreibung der Ausführungsformen
Erste Ausführungsform
Es wird die erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 1 beschrieben. 1 ist ein Schaltungsdiagramm, das einen Hochfrequenzschalter vom SPDT-Typ (vom Single-Pole-Dual-Throw-Typ) zeigt, welcher eine Veränderung der Schaltung vornimmt, die mit einer Antenne verbunden werden soll, und zwar zwischen einer Sendeschaltung und einer Empfängerschaltung. Der Hochfrequenzschalter weist folgendes auf: Eine antiparallele Diode 4 (erste antiparallele Diode); eine Viertelwellen-Leitung 5 (erste Viertelwellen-Leitung) und eine antiparallele Diode 7 (zweite antiparallele Diode).
Der Hochfrequenzschalter weist weiterhin folgendes auf: Einen Antennenanschluss 1 (erster Hochfrequenzwellen-Eingangs-/Ausgangsanschluss), der mit einer Antenne 10 verbunden ist; einen Sendeanschluss 2 (zweiter Hochfrequenzwellen-Eingangs-/Ausgangsanschluss), der mit einer Senderschaltung 8 verbunden ist, und einen Empfangsanschluss 3 (dritter Hochfrequenzwellen-Eingangs-/Ausgangsanschluss), der mit einer Empfängerschaltung 9 verbunden ist.
Die antiparallele Diode 4 besitzt zwei PIN-Dioden (P-Intrinsic-N-Dioden), die in Parallelschaltung miteinander derart verbunden sind, dass ihre jeweiligen Anoden und Kathoden in entgegengesetzte Richtungen weisen. Die antiparallele Diode 4 ist mit dem Antennenanschluss 1 und dem Sendeanschluss 2 verbunden. Die Viertelwellen-Leitung 5 ist mit einem Verzweigungspunkt 11 der antiparallelen Diode 4 auf Seiten des Antennenanschlusses 1 und mit dem Empfangsanschluss 3 verbunden.
Die Viertelwellen-Leitung 5 hat eine Übertragungslänge, die der nutzbaren Frequenz des Hochfrequenzschalters entspricht, d. h. ein Viertel der Wellenlänge eines Hochfrequenzsignals, das durch den Hochfrequenzschalter hindurchgeht. Folglich ergibt sich eine Phasendifferenz von π/2 der nutzbaren Frequenz auf beiden Seiten der Viertelwellen-Leitung 5.
Die antiparallele Diode 7 besitzt zwei PIN-Dioden (P-Intrinsic-N-Dioden), die in Parallelschaltung miteinander derart verbunden sind, dass ihre jeweiligen Anoden und Kathoden in entgegengesetzte Richtungen weisen. Die antiparallele Diode 7 ist mit einem Anschlusspunkt 12 der Viertelwellen-Leitung 5 auf Seiten des Empfangsanschlusses 3 verbunden. Das eine Ende der antiparallelen Diode 7 ist mit Masse 6 der Schaltung verbunden. Die Masse 6 ist ein Äquipotenzialpunkt, welcher ein Potenzial als Bezugspotenzial der Schaltung festlegt.
Hochfrequenzsignale, die von der Senderschaltung 8 ausgegeben werden, gehen über den Sendeanschluss 2 durch die antiparallele Diode 4 und werden an die Antenne 10 ausgegeben, die mit dem Antennenanschluss 1 verbunden ist. Ferner gehen die von der Antenne 10 empfangenen Hochfrequenzsignale durch die Viertelwellen-Leitung 5, und zwar ausgehend von dem Verzweigungspunkt 11 zwischen der Seite der Sendeschaltung 8 und der Seite der Empfängerschaltung 9. Sie werden in die Empfängerschaltung 9 eingegeben, die mit dem Empfangsanschluss 3 verbunden ist. Es wird nun der Betrieb des Hochfrequenzschalters gemäß 1 erläutert.
2A ist ein Ersatzschaltbild des Hochfrequenzschalters, wenn ein Hochfrequenzsignal mit großer Signalleistung hindurchgeht. Wein ein Hochfrequenzsignal mit großer Signalleistung hindurchgeht, dann können die antiparallelen Dioden 4 und 7 als parallelschaltete Widerstände 4a bzw. 7a betrachtet werden. Die große Signalleistung ist eine Leistung, die gleich groß wie oder größer ist als eine Spannung (Durchlassspannung), welche bewirkt, dass ein Strom schnell ansteigt, wenn sie eine Diode in Durchlassrichtung vorspannt.
Da die zwei Widerstände, die parallelschaltete Widerstände 4a und 7a sind, in Wirklichkeit Dioden sind, gestatten es diese Widerstände dem Strom nur, in einer Richtung zu fließen. Da jedoch die zwei Dioden in entgegengesetzter Richtung parallelschaltet sind, kann der Strom in beiden Richtungen fließen. Im Ergebnis fließt ein Sendesignal in einer Richtung, die mittels eines Pfeils eines Sendesignals 13 dargestellt ist.
Wenn ein Hochfrequenzsignal mit großer Signalleistung eingegeben wird, die gleich groß wie oder größer ist als die Spannung der PIN-Diode der Durchlassrichtung, wie z. B. 100 mW, dann gehen die antiparallelen Dioden 4 und 7 in den eingeschalteten Zustand (leitenden Zustand) über. Für eine Hochfrequenz sind diese dann sehr kleine Widerstände. Da die antiparallele Diode 7 bei hoher Frequenz als sehr kleiner Widerstand betrachtet werden kann, wird der Anschlusspunkt 12 ein Kurzschlusspunkt gegen Masse 6.
Der Verzweigungspunkt 11 zwischen der Seite der Senderschaltung 8 und der Seite der Empfängerschaltung 9 ist von dem Anschlusspunkt 12 beabstandet, der den Kurzschlusspunkt gegen Masse bildet, und zwar um die Viertelwellenlänge der Wellenlänge der Frequenz des Hochfrequenzsignals. Folglich ist der Verzweigungspunkt bei hoher Frequenz ein offener Punkt. Im Ergebnis wird das Sendesignal 13 nicht in den Pfad auf Seiten der Empfängerschaltung 9 ausgegeben, sondern an die Antenne 10.
2B ist ein Ersatzschaltbild des Hochfrequenzschalters, wenn ein Hochfrequenzsignal mit kleiner Signalleistung hindurchgeht. Wenn ein Hochfrequenzsignal mit kleiner Signalleistung hindurchgeht, dann können die antiparallelen Dioden 4 und 7 als parallelschaltete Kondensatoren 4b und 7b betrachtet werden. Die kleine Signalleistung ist eine Leistung, die kleiner ist als eine Spannung (Durchlassspannung), welche bewirkt, dass ein Strom schnell ansteigt, wenn sie eine Diode in Durchlassrichtung vorspannt.
Außerdem ist die kleine Signalleistung eine Leistung, die gleich groß wie oder kleiner ist als die Durchbruchspannung (deren Absolutwert) der Diode. Die Diode ermöglicht es einem Strom kaum, innerhalb dieses Bereichs in beiden Richtungen zu fließen. Im Ergebnis fließt ein Empfangssignal durch einen Pfad, der mittels eines Pfeils eines Empfangssignals 14 dargestellt ist.
Die antiparallelen Dioden 4 und 7 sind in einem ausgeschalteten Zustand (abgetrennten Zustand), wenn ein Hochfrequenzsignal mit kleiner Signalleistung, wie z.B. einigen mW, kleiner als die Spannung der PIN-Diode in Durchlassrichtung eingegeben wird. Sie können bei hoher Frequenz als parallelgeschaltete Kondensatoren 4b und 7b betrachtet werden und befinden sich in einem offenen Zustand.
Da die antiparallelen Dioden 4 und 7 bei hoher Frequenz als im offenen Zustand befindlich betrachtet werden können, geht das Empfangssignal 14 nicht durch die antiparallelen Dioden 4 und 7 hindurch, sondern wird in die Empfängerschaltung 9 eingegeben.
Wie oben beschrieben, verändert der Hochfrequenzschalter der ersten Ausführungsform automatisch den Signalpfad, und zwar in Abhängigkeit der Größe der Leistung eines hindurchgehenden Hochfrequenzsignals. Wenn die antiparallelen Dioden 4 und 7 derart ausgebildet sind, dass sie selektierte Dioden aufweisen, welche eine Durchlassspannung aufweisen, welche den Einschalt-/Ausschaltzustand verändert, wenn die Durchlassspannung die gewünschte Leistung ist, kann ein Schalter ausgebildet werden, der in den leitenden Zustand übergeht, und zwar durch eine Eingangsleistung, die gleich groß wie oder größer ist als eine vorab festgelegte Hochfrequenzleistung.
Die antiparallelen Dioden 4 und 7 benötigen kein externes Steuersignal. Folglich wird eine komplexe Steuerschaltung unnötig, wie beispielsweise eine Steuerschaltung, die den Hochfrequenzschalter mit hoher Geschwindigkeit umschaltet, und eine Steuerschaltung, die den Hochfrequenzschalter mit hoher Spannung ansteuert.
Damit wird zur Größenverringerung beigetragen. Gemäß dem Aufbau der antiparallelen Dioden 4 und 7 wird außerdem keine hohe Spannung an die PIN-Diode angelegt. Folglich kann ein Sendesignal großer Leistung - wie beispielsweise mit einigen hundert Watt - durch den Schalter nur mit kleinen Verlusten hindurchgehen.
Gemäß dem Hochfrequenzschalter der ersten Ausführungsform bewirkt ferner die antiparallele Diode 4, dass ein Hochfrequenzsignal mit großer Signalleistung hindurchgeht, aber sie blockiert ein Hochfrequenzsignal mit kleiner Signalleistung. Folglich wird es für den Hochfrequenzschalter möglich, Störverluste kleiner Signalleistung an die Senderschaltung 9 zu unterbinden, wenn ausgehend von der Senderschaltung 8 neben dem Sendesignal auch Störungen mit kleiner Signalleistung auftreten.
Bei der ersten Ausführungsform wurde der Fall erläutert, bei welchem ein Hochfrequenzsignal mit großer Signalleistung ausgehend von dem Sendeanschluss 2 an den Antennenanschluss 1 hindurchgeht, und bei welchem ein Hochfrequenzsignal mit kleiner Signalleistung von dem Antennenanschluss 1 zum Empfangsanschluss 3 hindurchgeht. Wenn ein Hochfrequenzsignal mit großer Signalleistung in den Antennenanschluss 1 eingegeben wird, dann schalten die antiparallelen Dioden 4 und 7 ein.
Folglich geht das Hochfrequenzsignal mit großer Signalleistung zum Sendeanschluss 2 hindurch. Wenn ein Hochfrequenzsignal mit kleiner Signalleistung in den Empfangsanschluss 3 eingegeben wird, dann schalten die antiparallelen Dioden 4 und 7 aus. Folglich geht das Hochfrequenzsignal mit kleiner Signalleistung zum Antennenanschluss 1 durch. Folglich hat der Hochfrequenzschalter eine Umschaltcharakteristik.
Zweite Ausführungsform
Gemäß der zweiten Ausführungsform ist die antiparallele Diode 4 zwischen der Senderschaltung 8 und der Antenne 10 in dem Hochfrequenzschalter auf zweistufige Weise angeordnet. 3 ist ein Schaltungsdiagramm, das einen Hochfrequenzschalter gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
Der Hochfrequenzschalter gemäß der zweiten Ausführungsform verwendet einen Aufbau, bei welchem die antiparallele Diode 4 der ersten Ausführungsform durch zwei antiparallele Dioden 41 und 42 ersetzt ist, welche in Reihe geschaltet sind. Die antiparallelen Dioden 41 und 42 werden in Reihe geschaltet, und zwar auf zweistufige Weise.
Dadurch wird der offene Zustand der antiparallelen Diode verdoppelt, wenn ein Hochfrequenzsignal mit kleiner Signalleistung hindurchgeht. Im Ergebnis ergibt sich ein dahingehender Vorteil, dass das Isolationsvermögen groß wird, wenn es vom Verzweigungspunkt 11 zur Seite der Senderschaltung 8 betrachtet wird.
Im Zusammenhang mit der zweiten Ausführungsform wurde der Beispielfall erläutert, bei welchem die antiparallele Diode 4 auf Seiten der Senderschaltung 8 zweistufig angeordnet ist. Der Hochfrequenzschalter der zweiten Ausführungsform kann aber auch eine in mehrstufiger Weise aufgebaute antiparallele Diode 4 aufweisen, z. B. mit drei oder mehr Stufen.
Wenn die Anzahl der Stufen der antiparallelen Diode 4 verändert wird, dann wird das Isolationsvermögen vom Verzweigungspunkt 11 zwischen der Seite der Senderschaltung 8 und der Seite der Empfängerschaltung 9 aus betrachtet in Richtung der Seite der Senderschaltung 8 einstellbar, wenn ein Hochfrequenzsignal mit kleiner Signalleistung hindurchgeht.
Dritte Ausführungsform
Gemäß einer dritten Ausführungsform gilt folgendes: Zusätzlich zu dem Aufbau gemäß der zweiten Ausführungsform ist eine Viertelwellen-Leitung von der Wellenlänge der nutzbaren Frequenz des Hochfrequenzschalters zwischen den zwei antiparallelen Dioden 41 und 42 angeordnet und in Reihenschaltung verbunden.
4 ist ein Schaltungsdiagramm, das einen Hochfrequenzschalter gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. In 4 ist folgendes zu erkennen: Die zwei antiparallelen Dioden 41 und 42 sind mittels einer Viertelwellen-Leitung 16 (zweite Viertelwellen-Leitung) der Wellenlänge der nutzbaren Frequenz des Hochfrequenzschalters miteinander verbunden.
In 4 sind Komponenten, die die gleichen wie diejenigen in 3 sind, mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Der Aufbau der Viertelwellen-Leitung 5, der antiparallelen Diode 7, des Eingangsanschlusses 3 und der Masse 6 ist der gleiche wie derjenige bei der ersten und der zweiten Ausführungsform.
Die antiparallelen Dioden 4 werden in Reihe geschaltet, und zwar auf zweistufige Weise. Dadurch wird der offene Zustand der antiparallelen Diode verdoppelt, wenn ein Hochfrequenzsignal mit kleiner Signalleistung hindurchgeht. Folglich ergibt sich ein dahingehender Vorteil, dass das Isolationsvermögen vom Verzweigungspunkt 11 zwischen der Seite der Senderschaltung 8 und der Seite der Empfängerschaltung 9 in Richtung der Seite der Senderschaltung 8 groß wird.
Durch das Vorsehen der Viertelwellen-Leitung 16 kann ferner der Anschlusspunkt zwischen der antiparallelen Diode 41 und der Viertelwellen-Leitung 16 als offener Punkt betrachtet werden. Folglich wird die kleine Signalleistung noch weiter unterdrückt, und das Isolationsvermögen kleiner Signalleistung kann noch weiter erhöht werden, und zwar im Vergleich mit demjenigen der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Im Zusammenhang mit der dritten Ausführungsform wurde der Fall erläutert, bei welchem die antiparallelen Dioden 41 und 42 auf Seiten der Senderschaltung 8 zweistufig angeordnet ist. Bei der dritten Ausführungsform können die antiparallelen Dioden 4 in mehreren Stufen (also in drei oder mehr Stufen) mittels der Viertelwellen-Leitung 16 angeordnet sein.
Wenn die Anzahl der Stufen der antiparallelen Diode 4 verändert wird, dann wird das Isolationsvermögen vom Verzweigungspunkt 11 zwischen der Seite der Senderschaltung 8 und der Seite der Empfängerschaltung 9 aus betrachtet in Richtung der Seite der Senderschaltung 8 einstellbar, wenn ein Hochfrequenzsignal mit kleiner Signalleistung hindurchgeht.
Vierte Ausführungsform
Die erste bis dritte Ausführungsform ist für Hochfrequenzschalter vom SPDT-Typ ausgelegt. Gemäß der vierten Ausführungsform wird nun jedoch ein Fall beschrieben, bei welchem die vorliegende Erfindung auf einen Hochfrequenzschalter vom Typ des einpoligen Ausschalters (SPST-Typ, Single-Pole-Single-Throw-Typ) angewendet wird. 5 ist ein Schaltungsdiagramm, das einen Hochfrequenzschalter gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
Wie in 5 gezeigt, weist der Hochfrequenzschalter eine antiparallele Diode 4 auf, die in Reihe zwischen die Senderschaltung 8 und die Antenne 10 geschaltet ist. Der Hochfrequenzschalter gemäß 5 entspricht der Schaltung auf Seiten der Senderschaltung 8 gemäß 1.
Die antiparallele Diode 4 kann dann, wenn ein Hochfrequenzsignal mit großer Leistung eingegeben wird, das von der Senderschaltung 8 ausgegeben wird, wie bei der ersten Ausführungsform als ein parallelschalteter Widerstand 4a betrachtet werden. Wenn ein Hochfrequenzsignal mit großer Signalleistung, wie z. B. mit 100 mW eingegeben wird, das die Durchlassspannung der PIN-Diode überschreitet, dann wird der Schalter in den Einschaltzustand geschaltet.
Die antiparallele Diode kann dann bei hoher Frequenz als ein sehr kleiner Widerstand betrachtet werden. Somit gilt folgendes: Wenn ein Hochfrequenzsignal mit großer Signalleistung von dem Sendeanschluss 2 aus eingegeben wird, dann gehen der Antennenanschluss 1 und der Sendeanschluss 2 in den leitenden Zustand über. Folglich wird das Hochfrequenzsignal von der Senderschaltung 8 zur Antenne 10 übertragen.
Umgekehrt gilt: Wenn ein Hochfrequenzsignal mit kleiner Signalleistung eingegeben wird, dann kann die antiparallele Diode 4 als parallelschalteter Kondensator 4b betrachtet werden. Die antiparallele Diode 4 befindet sich im ausgeschalteten Zustand, wenn ein Hochfrequenzsignal mit kleiner Signalleistung, wie z.B. mit einigen mW eingegeben wird, das kleiner ist als die Durchlassspannung der PIN-Diode.
Sie kann bei hoher Frequenz als parallelschalteter Kondensator 4b betrachtet werden und befindet sich in einem offenen Zustand. Im Ergebnis wird ein Hochfrequenzsignal mit kleiner Signalleistung, das von der Antenne 10 eingegeben wird, daran gehindert, zum Sendeanschluss 2 übertragen zu werden.
Wie oben beschrieben, schaltet der Hochfrequenzschalter gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung automatisch ein oder aus, und zwar in Abhängigkeit von der Größe der Leistung eines durchgehenden Hochfrequenzsignals. Er ist dazu in der Lage, als ein kompakter SPST-Schalter zu arbeiten, der kein externes Steuersignal benötigt.
Ferner veranlasst der Hochfrequenzschalter der vierten Ausführungsform die antiparallele Diode 4 nicht nur dazu, ein Hochfrequenzsignal mit großer Signalleistung durchzulassen; er blockiert auch ein Hochfrequenzsignal mit kleiner Signalleistung. Wenn neben dem von der Senderschaltung 8 erzeugten Sendesignal auch Störungen von kleiner Signalleistung erzeugt werden, ergibt sich also ein dahingehender Vorteil, dass es unterbunden wird, dass die Störungen von kleiner Signalleistung von der Antenne 10 abgestrahlt werden. Ferner ist, wie auch bei der zweiten und dritten Ausführungsform, das Isolationsvermögen für kleine Signalleistung einstellbar, und zwar durch einen mehrstufigen Aufbau der antiparallelen Diode 4.
Gemäß der vierten Ausführungsform hat der Schalter nicht nur eine Umschaltcharakteristik hinsichtlich der Einschalt-/Ausschaltvorgänge für ein Hochfrequenzsignal, das von dem Sendeanschluss 2 zu dem Antennenanschluss 1 durchgeht, sondern auch hinsichtlich der Einschalt-/Ausschaltvorgänge für ein Hochfrequenzsignal, das von dem Antennenanschluss 1 zum Sendeanschluss 2 durchgeht, und zwar wegen der ähnlichen Wirkung.
Fünfte Ausführungsform
Ein Hochfrequenzschalter gemäß der fünften Ausführungsform weist eine Induktivität auf, die in Parallelschaltung mit der antiparallelen Diode 4 verbunden ist. 6 ist ein Schaltungsdiagramm, das einen Hochfrequenzschalter gemäß der fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. In 6 sind Komponenten, die die gleichen wie diejenigen in 1 sind, mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Wie in 6 gezeigt, weist der Hochfrequenzschalter der fünften Ausführungsform eine Induktivität 20 (erste Induktivität) auf, die in Parallelschaltung mit der antiparallelen Diode 4 verbunden ist. Wenn die große Signalleistung eines Hochfrequenzsignals von der Senderschaltung 8 abnimmt und kleiner wird als die Durchlassspannung der PIN-Diode - z. B. kleiner als 100 mW -, dann geht die antiparallele Diode 4 in den ausgeschalteten Zustand über, und der Antennenanschluss 1 und der Sendeanschluss 2 werden voneinander getrennt.
Es ergibt sich ein dahingehender Vorteil, dass die Abklingzeit, welche eine Übergangszeit in den getrennten Zustand darstellt, durch das Vorsehen der Induktivität 20 verringert wird. Wenn die Induktivität 20 in Parallelschaltung mit der antiparallelen Diode 4 verbunden wird, kann ein Hochfrequenzschalter erhalten werden, der eine kurze Abklingzeit aufweist, und zwar ohne ein spezielles Steuersignal.
Die Impedanz der Induktivität 20 wird im Frequenzbereich eines Hochfrequenzsignals zu einem hohen Widerstand. Folglich ist das Hochfrequenzsignal, das durch die Induktivität 20 geht, vernachlässigbar.
Der gleiche Vorteil kann erzielt werden, wenn die Induktivität 20 der fünften Ausführungsform dem Hochfrequenzschalter der zweiten bis vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hinzugefügt wird. 7 ist ein Schaltungsdiagramm, das den Hochfrequenzschalter der zweiten Ausführungsform unter Verwendung des Aufbaus der fünften Ausführungsform darstellt.
Der Hochfrequenzschalter gemäß 7 ist der Hochfrequenzschalter gemäß 3, welcher Induktivitäten (erste Induktivitäten) 201 und 202 aufweist, die in Parallelschaltung mit den antiparallelen Dioden 41 bzw. 42 verbunden sind.
8 ist ein Schaltungsdiagramm, das den Hochfrequenzschalter der dritten Ausführungsform unter Verwendung des Aufbaus der fünften Ausführungsform darstellt. Der Hochfrequenzschalter gemäß 8 ist der Hochfrequenzschalter gemäß 4, bei welchem die Induktivitäten 201 und 202 in Parallelschaltung mit den antiparallelen Dioden 41 bzw. 42 verbunden sind.
9 ist ein Schaltungsdiagramm, das den Hochfrequenzschalter der vierten Ausführungsform unter Verwendung des Aufbaus der fünften Ausführungsform darstellt. Der Hochfrequenzschalter gemäß 9 ist der Hochfrequenzschalter gemäß 5, bei welchem die Induktivität in Parallelschaltung mit der antiparallelen Diode 4 verbunden ist.
Sechste Ausführungsform
Ein Hochfrequenzschalter gemäß der sechsten Ausführungsform weist eine Induktivität auf, die eingekoppelt ist zwischen der ersten antiparallelen Diode auf Seiten des Antennenanschlusses 1, die mit dem Sendeanschluss verbunden ist, und der Masse. 10 ist ein Schaltungsdiagramm, das einen Hochfrequenzschalter gemäß der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. In 10 sind Komponenten, die die gleichen wie diejenigen aus 1 sind, mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Wie in 10 dargestellt, weist der Hochfrequenzschalter der sechsten Ausführungsform eine Induktivität 21 (zweite Induktivität) auf, die zwischen der antiparallelen Diode 4 auf Seiten des Antennenanschlusses 1 und der Masse 22 eingekoppelt ist. Die Masse 22 ist ein Äquipotenzialpunkt, welcher das gleiche Bezugspotenzial der Schaltung wie dasjenige der Masse 6 festlegt.
Wenn die Leistung eines Hochfrequenzsignals, die größer ist als die große Signalleistung von der Senderschaltung 8, abnimmt und gleich groß wie oder kleiner als die Durchlassspannung der PIN-Diode wird, wie z. B. 100 mW, dann geht die antiparallele Diode in einen ausgeschalteten Zustand über, und der Antennenanschluss 1 und der Sendeanschluss 2 werden voneinander getrennt.
Es ergibt sich ein dahingehender Vorteil, dass die Abklingzeit, welche eine Übergangszeit in den getrennten Zustand darstellt, durch das Vorsehen der Induktivität 21 verringert wird. Wenn die Induktivität 21 zwischen der antiparallelen Diode 4 auf Seiten des Antennenanschlusses 1 und der Masse 22 eingekoppelt wird, kann ein Hochfrequenzschalter erhalten werden, der eine kurze Abklingzeit aufweist, ohne dass er ein spezielles Steuersignal benötigt.
Die Impedanz der Induktivität 21 kann im Frequenzbereich eines Hochfrequenzsignals als großer Widerstand betrachtet werden. Folglich ist das Hochfrequenzsignal, das durch die Induktivität 21 geht, vernachlässigbar.
Wenn die Induktivität 21 gemäß der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung auf die Hochfrequenzschalter der zweiten bis vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung angewendet wird, kann ein ähnlicher Vorteil erzielt werden.
11 ist ein Schaltungsdiagramm, das den Hochfrequenzschalter der zweiten Ausführungsform unter Verwendung des Aufbaus der sechsten Ausführungsform darstellt. Der Hochfrequenzschalter aus 11 ist der Hochfrequenzschalter aus 3, bei welchem die Induktivität 21 zwischen der antiparallelen Diode 41 auf Seiten des Antennenanschlusses 1 und der Masse 22 eingekoppelt ist.
12 ist ein Schaltungsdiagramm, das den Hochfrequenzschalter der dritten Ausführungsform unter Verwendung des Aufbaus der sechsten Ausführungsform darstellt. Der Hochfrequenzschalter gemäß 12 entspricht dem Hochfrequenzschalter gemäß 4, bei welchem die Induktivität 21 zwischen der antiparallelen Diode 41 auf Seiten des Antennenanschlusses 1 und der Masse 22 eingekoppelt ist.
13 ist ein Schaltungsdiagramm, das den Hochfrequenzschalter der vierten Ausführungsform unter Verwendung des Aufbaus der sechsten Ausführungsform darstellt. Der Hochfrequenzschalter gemäß 13 entspricht dem Hochfrequenzschalter gemäß 5, bei welchem die Induktivität 21 zwischen der antiparallelen Diode 4 auf Seiten des Antennenanschlusses 1 und der Masse 22 eingekoppelt ist.
14 ist ein Schaltungsdiagramm, das einen weiteren Hochfrequenzschalter der vierten Ausführungsform unter Verwendung des Aufbaus der sechsten Ausführungsform darstellt. Der Hochfrequenzschalter gemäß 14 weist die zwei antiparallelen Dioden 4 der vierten Ausführungsform auf. Bei ihm ist die Induktivität 21 eingekoppelt zwischen der antiparallelen Diode 41, die mit dem Sendeanschluss 2 auf Seiten des Antennenanschlusses 1 verbunden ist, und der Masse 22.
Wie in den 11, 12 und 14 dargestellt, ist dann, wenn die antiparallelen Dioden 4 in Reihe geschaltet sind, die Induktivität 21 am gemeinsamen Anschlusspunkt der Reihenschaltung vorgesehen.
Siebente Ausführungsform
Ein Hochfrequenzschalter gemäß der siebenten Ausführungsform weist zusätzlich zu dem Aufbau des Hochfrequenzschalters der fünften Ausführungsform eine Induktivität auf, die eingekoppelt ist zwischen der antiparallelen Diode 4 auf Seiten des Antennenanschlusses 1 und der Masse 22. 15 ist ein Schaltungsdiagramm, das den Hochfrequenzschalter gemäß der siebten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. In 15, sind Komponenten, die die gleichen wie diejenigen gemäß 1, 6 und 10 sind, mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Wie in 15 gezeigt, weist der Hochfrequenzschalter der siebten Ausführungsform eine Induktivität 20 auf, die in Parallelschaltung mit der antiparallelen Diode 4 verbunden ist. Außerdem weist er die Induktivität 21 auf, die eingekoppelt ist zwischen der antiparallelen Diode 41 auf Seiten des Antennenanschlusses 1 und der Masse 22.
Der Hochfrequenzschalter der siebenten Ausführungsform verwendet die Induktivität 20 und die Induktivität 21. Er fungiert sowohl als Hochfrequenzschalter der fünften Ausführungsform als auch der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Somit kann ein Hochfrequenzschalter erhalten werden, der eine kürzere Abklingzeit als diejenige der fünften und der sechsten Ausführungsform aufweist.
Wenn die Induktivität 20 und die Induktivität 21 der siebenten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung auf die Hochfrequenzschalter der zweiten bis vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung angewendet werden, kann ein ähnlicher Vorteil erzielt werden. 16 ist ein Schaltungsdiagramm, das den Hochfrequenzschalter der zweiten Ausführungsform unter Verwendung des Aufbaus der siebten Ausführungsform darstellt.
Der Hochfrequenzschalter gemäß 16 entspricht dem Hochfrequenzschalter gemäß 7, bei welchem die Induktivität 21 zwischen der antiparallelen Diode 42 auf Seiten des Antennenanschlusses 1 und der Masse 22 eingekoppelt ist.
17 ist ein Schaltungsdiagramm, das den Hochfrequenzschalter der dritten Ausführungsform unter Verwendung des Aufbaus der siebten Ausführungsform darstellt. Der Hochfrequenzschalter gemäß 17 entspricht dem Hochfrequenzschalter gemäß 8 bei welchem die Induktivität 21 zwischen der antiparallelen Diode 42 auf Seiten des Antennenanschlusses 1 und der Masse 22 eingekoppelt ist.
18 ist ein Schaltungsdiagramm, das den Hochfrequenzschalter der vierten Ausführungsform unter Verwendung des Aufbaus der siebten Ausführungsform darstellt. Der Hochfrequenzschalter gemäß 18 entspricht dem Hochfrequenzschalter gemäß 9, bei welchem die Induktivität 21 zwischen der antiparallelen Diode 4 auf Seiten des Antennenanschlusses 1 und der Masse 22 eingekoppelt ist.
19 ist ein Schaltungsdiagramm, das einen weiteren Hochfrequenzschalter der vierten Ausführungsform unter Verwendung des Aufbaus der siebten Ausführungsform darstellt. Der Hochfrequenzschalter gemäß 19 entspricht dem Hochfrequenzschalter gemäß 14, bei welchem die Induktivität 21 zwischen der antiparallelen Diode 41 auf Seiten des Antennen-anschlusses 1 und der Masse 22 eingekoppelt ist.
Gemäß der siebenten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gilt folgendes: Wenn zwei oder mehr antiparallele Dioden 4 in Reihe geschaltet werden, kann die Induktivität 21 an einem beliebigen der gemeinsamen Anschlusspunkte der in Reihe geschalteten antiparallelen Dioden 4, der Seite des Antennenanschlusses 1 und der Seite des Sendeanschlusses 2 vorgesehen werden.
Die oben beschriebenen Ausführungsformen können alle auf verschiedene Weisen im Umfang und im Sinne der vorliegenden Erfindung verändert werden. Die oben erläuterten Ausführungsformen dienen lediglich der Erläuterung der vorliegenden Erfindung. Sie sollen den Umfang und den Sinn der vorliegenden Erfindung keinesfalls einschränken.
Der Umfang und der Sinn der vorliegenden Erfindung ist vielmehr durch die beiliegenden Ansprüche als durch die Ausführungsformen angegeben. Verschiedenartige Veränderungen innerhalb des Umfangs und des Sinns der vorliegenden Erfindung und in deren Äquivalenzbereich sollen zudem im Umfang und Sinn der vorliegenden Erfindung liegen.
Diese Anmeldung nimmt die Priorität der japanischen Patentanmeldung Nr. 2011-119379 in Anspruch, die am 27, Mai 2011 eingereicht wurde, und sie umfasst die Beschreibung, die Ansprüche, die Zeichnungen und die Zusammenfassung. Die gesamte Offenbarung dieser Basis-Patentanmeldung wird durch Bezugnahme in diese Beschreibung aufgenommen.
Bezugszeichenliste

1: Antennenanschluss (erster Eingangs-/Ausgangsanschluss für ein Hochfrequenzsignal)
2: Sendeanschluss (zweiter Eingangs-/Ausgangsanschluss für ein Hochfrequenzsignal)
3: Empfangsanschluss (dritter Eingangs-/Ausgangsanschluss für ein Hochfrequenzsignal)
4: antiparallele Diode (erste antiparallele Diode)
5: Viertelwellen-Leitung (erste Viertelwellen-Leitung)
6: Masse
7: antiparallele Diode (zweite antiparallele Diode)
8: Senderschaltung
9: Empfängerschaltung
10: Antenne
11: Verzweigungspunkt
12: Anschlusspunkt
13: Sendesignal
14: Empfangssignal
16: Viertelwellen-Leitung (zweite Viertelwellen-Leitung)
20: Induktivität (erste Induktivität)
21: Induktivität (zweite Induktivität)
22: Masse
41: antiparallele Diode (erste antiparallele Diode)
42: antiparallele Diode (erste antiparallele Diode)
71: antiparallele Diode (zweite antiparallele Diode)
72: antiparallele Diode (zweite antiparallele Diode)
201: Induktivität (erste Induktivität)
202: Induktivität (erste Induktivität)

Claims

Hochfrequenzschalter, der Folgendes aufweist: - eine erste antiparallele Diode (4, 41, 42), die an dem einen Ende mit einem ersten Eingangs-/Ausgangsanschluss (1) für ein Hochfrequenzsignal verbunden ist, die an dem anderen Ende mit einem zweiten Eingangs-/Ausgangsanschluss (2) für ein Hochfrequenzsignal verbunden ist, und die in einen leitenden Zustand übergeht, wenn eine Eingangsleistung eingegeben wird, die gleich groß wie oder größer ist als eine vorab vorbestimmte Hochfrequenzleistung, wobei die erste antiparallele Diode (4, 41, 42) zwei oder mehr antiparallele Dioden aufweist, die in Reihe geschaltet sind.
Hochfrequenzschalter nach Anspruch 1, der ferner Folgendes aufweist: - eine erste Viertelwellen-Leitung (5) von einer nutzbaren Frequenz des Hochfrequenzschalters, die an dem einen Ende mit dem ersten Eingangs-/Ausgangsanschluss (1) für ein Hochfrequenzsignal verbunden ist, und die an dem anderen Ende mit einem dritten Eingangs-/Ausgangsanschluss (3) für ein Hochfrequenzsignal verbunden ist; und - eine zweite antiparallele Diode (7, 71, 72), die zwischen dem dritten Eingangs-/Ausgangsanschluss (3) für ein Hochfrequenzsignal und einer Masse (6) eingekoppelt ist, und welche in einen leitenden Zustand übergeht, wenn eine Eingangsleistung eingegeben wird, die gleich groß wie oder größer ist als eine vorab vorbestimmte Hochfrequenzleistung.
Hochfrequenzschalter nach Anspruch 1 oder 2, der ferner eine zweite Viertelwellen-Leitung (16) von der nutzbaren Frequenz des Hochfrequenzschalters aufweist, die in Reihe zwischen den zwei oder mehr antiparallelen Dioden (41, 42) der ersten antiparallelen Diode (41), die in Reihe geschaltet sind, eingekoppelt ist.
Hochfrequenzschalter nach einem der Ansprüche 1 bis 3, der ferner eine erste Induktivität (20, 201, 202) aufweist, die in Parallelschaltung mit der ersten antiparallelen Diode (4, 41, 42) verbunden ist.
Hochfrequenzschalter nach einem der Ansprüche 1 bis 4, der ferner eine zweite Induktivität (21) aufweist, die eingekoppelt ist zwischen der ersten antiparallelen Diode (4, 41, 42), die mit dem zweiten Eingangs-/Ausgangsanschluss (2) für ein Hochfrequenzsignal auf Seiten des ersten Eingangs-/Ausgangsanschlusses (1) für ein Hochfrequenzsignal verbunden ist, und der Masse (22).
Hochfrequenzschalter nach einem der Ansprüche 1 bis 3, welcher ferner Folgendes aufweist: - eine erste Induktivität (20, 201, 202), die in Parallelschaltung mit der ersten antiparallelen Diode (4, 41, 42) verbunden ist; und - eine zweite Induktivität (21), die eingekoppelt ist zwischen einem beliebigen Anschluss der zwei oder mehr antiparallelen Dioden (41, 42) der ersten antiparallelen Diode, die in Reihe geschaltet ist, und der Masse (22).
Hochfrequenzschalter, der Folgendes aufweist: - eine erste antiparallele Diode (4, 41, 42), die an dem einen Ende mit einem ersten Eingangs-/Ausgangsanschluss (1) für ein Hochfrequenzsignal verbunden ist, die an dem anderen Ende mit einem zweiten Eingangs-/Ausgangsanschluss (2) für ein Hochfrequenzsignal verbunden ist, und die in einen leitenden Zustand übergeht, wenn eine Eingangsleistung eingegeben wird, die gleich groß wie oder größer ist als eine vorab vorbestimmte Hochfrequenzleistung, und - eine erste Induktivität (20, 201, 202), die in Parallelschaltung mit der ersten antiparallelen Diode (4, 41, 42) verbunden ist.
Hochfrequenzschalter nach Anspruch 7, der ferner eine zweite Induktivität (21) aufweist, die eingekoppelt ist zwischen der ersten antiparallelen Diode (4, 41, 42), die mit dem zweiten Eingangs-/Ausgangsanschluss (2) für ein Hochfrequenzsignal auf Seiten des ersten Eingangs-/Ausgangsanschlusses (1) für ein Hochfrequenzsignal verbunden ist, und der Masse (22).
Hochfrequenzschalter, der Folgendes aufweist: - eine erste antiparallele Diode (4, 41, 42), die an dem einen Ende mit einem ersten Eingangs-/Ausgangsanschluss (1) für ein Hochfrequenzsignal verbunden ist, die an dem anderen Ende mit einem zweiten Eingangs-/Ausgangsanschluss (2) für ein Hochfrequenzsignal verbunden ist, und die in einen leitenden Zustand übergeht, wenn eine Eingangsleistung eingegeben wird, die gleich groß wie oder größer ist als eine vorab vorbestimmte Hochfrequenzleistung, und - eine zweite Induktivität (21), die eingekoppelt ist zwischen der ersten antiparallelen Diode (4, 41, 42), die mit dem zweiten Eingangs-/Ausgangsanschluss (2) für ein Hochfrequenzsignal auf Seiten des ersten Eingangs-/Ausgangsanschlusses (1) für ein Hochfrequenzsignal verbunden ist, und der Masse (22).