WO2012165241A1

WO2012165241A1 - 高周波スイッチ

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Publication number: WO2012165241A1
Application number: PCT/JP2012/063131
Authority: WO
Inventors: 文典鮫島; 正彦小浜; 卓男森本
Original assignee: 三菱電機株式会社
Priority date: 2011-05-27
Filing date: 2012-05-23
Publication date: 2012-12-06
Also published as: AU2012263691B2; DE112012002264B4; US20140124908A1; US9112504B2; CN103563165A; JP2012249090A; DE112012002264T5; AU2012263691A1; CN103563165B; JP5699807B2

Abstract

　外部からの制御信号を必要としない小型な高周波スイッチを得る。高周波スイッチは、一端がアンテナ端子（１）（第１の高周波信号入出力端子）に接続され、他端が送信端子（２）（第２の高周波信号入出力端子）に接続され、所定の高周波電力以上の入力電力において導通状態となるアンチパラレルダイオード（４）（第１のアンチパラレルダイオード）を備える。高周波スイッチがＳＰＤＴ方式の場合は、一端がアンテナ端子１に接続され、他端が受信端子（３）（第３の高周波信号入出力端子）に接続される、高周波スイッチの使用周波数における１／４波長線路（５）と、受信端子（３）とグランド（６）とに接続され、所定の高周波電力以上の入力電力において導通状態となる、アンチパラレルダイオード（７）（第２のアンチパラレルダイオード）と、を備えてもよい。

Description

高周波スイッチ

　本発明は、送受信モジュール等の高周波回路に用いられる、高周波信号の経路を切り換える高周波スイッチに関する。

　送受信モジュールは、共通のアンテナで、送信信号を送信すると共に受信信号を受信するため、アンテナに接続された高周波スイッチにて、送信時には送信部を受信時には受信部をアンテナに接続するように切り換える。

　例えば、特許文献１には、スイッチ回路内の伝送線路と並列にコンデンサを接続する高周波スイッチ回路が記載されている。特許文献１の高周波スイッチ回路によれば、送信周波数帯域と受信周波数帯域の一部が重畳する帯域においても、３５ｄＢ以上のアイソレーションを確保できると説明されている。

　特許文献２には、ＳＰＳＴ（Single Pole, Single Throw）スイッチを用いる高周波スイッチが記載されている。特許文献２の高周波スイッチは、９０°ハイブリッドカプラにＳＰＳＴスイッチと０°または±９０°の位相差が設定できる可変移相器とを縦続接続し、可変移相器の出力端に９０°ハイブリッドカプラを接続するように構成される。そして、ＳＰＳＴスイッチのオン・オフ状態と可変移相器での移相量を連動して制御することにより、入力端子１から入力した高周波信号を、出力端子２及び出力端子３のいずれか一方に出力する。

　一般的な回路として、アンチパラレルダイオードをリミッタ回路として使用することが知られている（例えば、特許文献３または４参照）。また、リミッタダイオードをスイッチング素子として用いることが特許文献５に記載されている。

特開２００８－１０９５３５号公報特開２００７－２２１３１４号公報実開昭５８－８８４２３号公報特開２００７－１５０９３５号公報実開平２－９０５５４号公報

　特許文献１または特許文献２に記載の高周波スイッチは、外部からの制御信号を必要とし、この外部制御信号を生成するための制御回路を必要とする。特に、高周波スイッチを高速に切り換える場合や高電圧で駆動させる場合は複雑な制御回路が必要である。このため、従来の高周波スイッチは周辺回路である制御回路の回路規模が大きくなるという課題があった。

　本発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、外部からの制御信号を必要としない小型な高周波スイッチを得ることを目的とする。

　本発明における高周波スイッチは、一端が第１の高周波信号入出力端子に接続され、他端が第２の高周波信号入出力端子に接続され、所定の高周波電力以上の入力電力において導通状態となる第１のアンチパラレルダイオードを備える。

　本発明によれば、高周波スイッチの切り換え動作は、入力される高周波電力によるアンチパラレルダイオードのオン／オフ動作で実施されるため、切り換え信号を生成する制御回路が不要で、小型な高周波スイッチが得られる。

本発明の実施の形態１に係るＳＰＤＴ方式の高周波スイッチの回路図である。大信号電力の高周波信号の通過時における高周波スイッチの等価回路図である。小信号電力の高周波信号の通過時における高周波スイッチの等価回路図である。本発明の実施の形態２に係る高周波スイッチの回路図である。本発明の実施の形態３に係る高周波スイッチの回路図である。本発明の実施の形態４に係るＳＰＳＴ方式の高周波スイッチの回路図である。本発明の実施の形態５に係る高周波スイッチの回路図である。実施の形態２に実施の形態５の構成を適用した高周波スイッチの回路図である。実施の形態３に実施の形態５の構成を適用した高周波スイッチの回路図である。実施の形態４に実施の形態５の構成を適用した高周波スイッチの回路図である。本発明の実施の形態６に係る高周波スイッチの回路図である。実施の形態２に実施の形態６の構成を適用した高周波スイッチの回路図である。実施の形態３に実施の形態６の構成を適用した高周波スイッチの回路図である。実施の形態４に実施の形態６の構成を適用した高周波スイッチの回路図である。実施の形態４に実施の形態６の構成を適用した他の高周波スイッチの回路図である。本発明の実施の形態７に係る高周波スイッチの回路図である。実施の形態２に実施の形態７の構成を適用した高周波スイッチの回路図である。実施の形態３に実施の形態７の構成を適用した高周波スイッチの回路図である。実施の形態４に実施の形態７の構成を適用した高周波スイッチの回路図である。実施の形態２に実施の形態７の構成を適用した他の高周波スイッチの回路図である。

　実施の形態１．
　本発明の実施の形態１について図１を用いて説明する。図１は、アンテナに接続される送信回路と受信回路を切り換えるＳＰＤＴ（Single Pole, Dual Trow）方式の高周波スイッチの回路図である。高周波スイッチは、アンチパラレルダイオード４（第１のアンチパラレルダイオード）、１／４波長線路５（第１の１／４波長線路）およびアンチパラレルダイオード７（第２のアンチパラレルダイオード）を備える。高周波スイッチは、アンテナ端子１（第１の高周波入出力端子）でアンテナ１０に、送信端子２（第２の高周波入出力端子）で送信回路８に、受信端子３（第３の高周波入出力端子）で受信回路９にそれぞれ接続される。

　アンチパラレルダイオード４は、アノードとカソードが互いに反対となるように並列接続された２つのＰＩＮダイオード（P-Intrinsic-N diode）から構成される。アンチパラレルダイオード４は、アンテナ端子１と送信端子２に接続している。１／４波長線路５は、アンチパラレルダイオード４のアンテナ端子１側の分岐点１１と、受信端子３に接続されている。１／４波長線路５は、高周波スイッチの使用周波数、すなわち高周波スイッチを通過する高周波信号の１／４波長の伝送長さを有する。したがって１／４波長線路５の両端で、使用周波数のπ／２の位相差を生じる。

　アンチパラレルダイオード７は、アノードとカソードが互いに反対となるように並列接続された２つのＰＩＮダイオード（p-intrinsic-n Diode）から構成される。アンチパラレルダイオード７は、１／４波長線路５の受信端子３側の接続点１２に接続されている。また、アンチパラレルダイオード７の一端が回路のグランド６に接続される。グランド６は、回路の基準となる電位を与える等電位点である。

　送信回路８から出力された高周波信号は、送信端子２を経由してアンチパラレルダイオード４を通過し、アンテナ端子１に接続されたアンテナ１０へ出力される。また、アンテナ１０で受信した高周波信号は送信回路８側と受信回路９側の分岐点１１から１／４波長線路５を通過し、受信端子３に接続された受信回路９に入力される。以下、図１の高周波スイッチの動作を説明する。

　図２Ａは、大信号電力の高周波信号の通過時における高周波スイッチの等価回路図である。大信号電力の高周波信号の通過時において、アンチパラレルダイオード４、７は、それぞれ並列抵抗４ａ、７ａとみなすことができる。大信号電力とは、ダイオードの順方向バイアスで電流が急激に大きくなる電圧（順電圧）以上の電力である。並列抵抗４ａ、７ａの２つの抵抗は、実際にはダイオードなので、それぞれ一方向にしか電流を流さないが、２つのダイオードが互いに逆向きに並列接続されるので、双方向に電流が流れる。その結果、送信信号１３の矢印で示す向きに送信信号が流れる。

　アンチパラレルダイオード４、７は、ＰＩＮダイオードの順電圧以上の例えば１００ｍＷの大信号電力の高周波信号が入力するとオン状態（導通状態）となり、高周波的には微小抵抗に見える。アンチパラレルダイオード７が高周波的に微小抵抗に見えるので、接続点１２はグランド６の短絡点になる。送信回路８側と受信回路９側の分岐点１１は、短絡点となっている接続点１２から高周波信号の周波数の波長の１／４波長離れているため、高周波的には開放点である。その結果、送信信号１３は、受信回路９側の経路へは向かわず、アンテナ１０へ出力される。

　図２Ｂは、小信号電力の高周波信号の通過時における高周波スイッチの等価回路である。小信号電力の高周波信号の通過時には、アンチパラレルダイオード４、７は、それぞれ並列コンデンサ４ｂ、７ｂとみなすことができる。小信号電力とは、ダイオードの順方向バイアスで電流が急激に大きくなる電圧（順電圧）より小さい電力である。また、ダイオードの降伏電圧（の絶対値）以下の電力である。この領域ではダイオードは双方向にほとんど電流を流さない。その結果、受信信号１４の矢印で示す経路で受信信号が流れる。

　アンチパラレルダイオード４、７は、ＰＩＮダイオードの順電圧未満の例えば数ｍＷの小信号電力の高周波信号が入力されるときはオフ状態（遮断状態）であり、高周波的には並列コンデンサ４ｂ、７ｂに見え、開放状態となる。アンチパラレルダイオード４、７が高周波的にオープン状態に見えるので、受信信号１４はアンチパラレルダイオード４、７を通過することなく、受信回路９へ入力される。

　このように、実施の形態１の高周波スイッチは、通過する高周波信号の電力大きさにより自動的に信号経路を切り換える。順電圧が所望の電力でオン／オフ状態を切り替える順電圧を有するダイオードを選択して、アンチパラレルダイオード４、７を構成することにより、所定の高周波電力以上の入力電力において導通状態となるスイッチを構成することができる。

　アンチパラレルダイオード４、７は、外部からの制御信号を必要としないため、高周波スイッチを高速に切り換える制御回路や高電圧で駆動させる制御回路などの複雑な制御回路が不要であり、小型に構成することができる。また、アンチパラレルダイオード４、７の構成では、ＰＩＮダイオードに高電圧がかからないため、例えば数百ワットの大電力の送信信号を低損失で通過させることができる。

　さらに、実施の形態１の高周波スイッチは、アンチパラレルダイオード４で大信号電力の高周波信号を通過させると共に、小信号電力の高周波信号を遮断させているので、送信回路８で発生した送信信号以外の小信号電力のノイズが発生したとき、小信号電力のノイズが受信回路９側への漏れ込むことが抑制される。

　実施の形態１では、送信端子２からアンテナ端子１へ大信号電力の高周波信号が通過し、アンテナ端子１から受信端子３へ小信号電力の高周波信号が通過する場合について説明した。アンテナ端子１に大信号電力の高周波信号が入力したときはアンチパラレルダイオード４、７がオン状態となるので、大信号電力の高周波信号は送信端子２へ通過する。受信端子３に小信号電力の高周波信号が入力したときはアンチパラレルダイオード４、７がオフ状態となるので、小信号電力の高周波信号はアンテナ端子１へ通過する可逆特性を有している。

　実施の形態２．
　実施の形態２では、高周波スイッチの送信回路８とアンテナ１０との間のアンチパラレルダイオード４を２段構成とする。図３は、本発明の実施の形態２に係る高周波スイッチの回路図である。

　実施の形態２の高周波スイッチは、実施の形態１のアンチパラレルダイオード４を、直列接続される２つのアンチパラレルダイオード４１、４２に置き換えた構成である。アンチパラレルダイオード４１、４２を直列接続し２段構成とすることで、小信号電力の高周波信号の通過時におけるアンチパラレルダイオードのオープン状態が２段となる。その結果、分岐点１１から送信回路８側を見たアイソレーション量が大きくなる効果がある。

　実施の形態２では、送信回路８側のアンチパラレルダイオード４を２段構成とする例を説明した。実施の形態２の高周波スイッチは、アンチパラレルダイオード４を３段以上の複数段で構成してもよい。アンチパラレルダイオード４の段数を変えることによって、小信号電力の高周波信号の通過時における、送信回路８側と受信回路９側の分岐点１１から送信回路８側を見たアイソレーション量を調整することができる。

　実施の形態３．
　実施の形態３では、実施の形態２の構成からさらに、２段のアンチパラレルダイオード４１、４２の間に直列接続される、高周波スイッチの使用周波数の波長における１／４波長線路を備える構成とする。

　図４は、本発明の実施の形態３に係る高周波スイッチの回路図である。図４において、２段のアンチパラレルダイオード４１、４２は、高周波スイッチの使用周波数の波長における１／４波長線路１６（第２の１／４波長線路）を介して接続されている。図４において、図３と同一の構成要素には同一符号を付している。１／４波長線路５、アンチパラレルダイオード７、受信端子３およびグランド６の構成は、実施の形態１および２と同様である。

　アンチパラレルダイオード４を直列接続して２段構成とすることで、小信号電力の高周波信号の通過時におけるアンチパラレルダイオードの開放状態が２段となる。そのため、送信回路８側と受信回路９側の分岐点１１から送信回路８側を見たアイソレーション量が大きくなる効果がある。さらに、１／４波長線路１６を設けることでアンチパラレルダイオード４１と１／４波長線路１６の接続点が開放点に見えるため、小信号電力はさらに抑制され、小信号電力のアイソレーション量を本発明の実施の形態２よりもさらに大きくすることができる。

　実施の形態３では、送信回路８側のアンチパラレルダイオード４１、４２が２段構成の場合を説明した。実施の形態３では、１／４波長線路１６を介在させながらアンチパラレルダイオード４を３段以上の複数段で構成してもよい。アンチパラレルダイオード４の段数を変えることによって、小信号電力の高周波信号の通過時における、送信回路８側と受信回路９側の分岐点１１から送信回路８側を見たアイソレーション量を調整することができる。

　実施の形態４．
　実施の形態１ないし３は、ＳＰＤＴ方式の高周波スイッチであるのに対して、実施の形態４では、ＳＰＳＴ（Single Pole, Single Throw）方式の高周波スイッチに適用した場合を取り上げる。図５は、本発明の実施の形態４に係る高周波スイッチの回路図である。

　図５に示されるように、高周波スイッチは、送信回路８とアンテナ１０との間に直列接続されたアンチパラレルダイオード４を備える。図５の高周波スイッチは、図１の送信回路８側の回路に相当する。

　アンチパラレルダイオード４は、実施の形態１と同様に、送信回路８から出力された大信号電力の高周波信号が入力される場合は、並列抵抗４ａとみなすことができる。ＰＩＮダイオードの順電圧を超える例えば１００ｍＷの大信号電力の高周波信号が入力するとオン状態となり、高周波的には微小抵抗に見える。したがって、送信端子２から大信号電力の高周波信号が入力した場合は、アンテナ端子１と送信端子２が導通状態となり、送信回路８からの高周波信号がアンテナ１０に伝送される。

　逆に、小信号電力の高周波信号が入力される場合は、アンチパラレルダイオード４は、並列コンデンサ４ｂとみなすことができる。アンチパラレルダイオード４は、ＰＩＮダイオードの順電圧未満の例えば数ｍＷの小信号電力の高周波信号が入力されるときはオフ状態であり、高周波的には並列コンデンサ４ｂに見え、開放状態となる。その結果、アンテナ１０から入力される小信号電力の高周波信号は、送信端子２に伝わることが抑制される。

　このように、本発明の実施の形態４における高周波スイッチは、通過する高周波信号の電力の大きさにより自動的にオン／オフし、外部からの制御信号を必要としない小型なＳＰＳＴスイッチとして動作する。

　さらに、実施の形態４の高周波スイッチは、アンチパラレルダイオード４で大信号電力の高周波信号を通過させるだけでなく、小信号電力の高周波信号を遮断するので、送信回路８で発生した送信信号以外の小信号電力のノイズが発生したとき、小信号電力のノイズがアンテナ１０から放射されることを防止する効果がある。また、実施の形態２および実施の形態３と同様に、アンチパラレルダイオード４を複数段の構成として、小信号電力のアイソレーション量を調整できる。

　実施の形態４では、送信端子２からアンテナ端子１へ通過する高周波信号をオン／オフする動作だけでなく、アンテナ端子１から送信端子２へ高周波信号が通過する場合も同様の作用により高周波信号がオン／オフされる可逆特性を有している。

　実施の形態５．
　実施の形態５の高周波スイッチは、アンチパラレルダイオード４に並列に接続されるインダクタンスを備える構成である。図６は、本発明の実施の形態５に係る高周波スイッチの回路図である。図６において、図１と同一の構成要素には同一符号を付している。

　実施の形態５の高周波スイッチは、図６に示されるように、アンチパラレルダイオード４に並列にインダクタンス２０（第１のインダクタンス）が接続されている。送信回路８からの大信号電力の高周波信号の電力が低下し、ＰＩＮダイオードの順電圧未満、例えば１００ｍＷ未満となると、アンチパラレルダイオード４はオフ状態となり、アンテナ端子１と送信端子２が遮断状態となる。その遮断状態への変移時間である立下り時間が、インダクタンス２０を設けることにより短縮される効果がある。このように、インダクタンス２０をアンチパラレルダイオード４に並列に接続することにより、特別な制御信号を必要とせず、立下り時間の短い高周波スイッチが得られる。

　なお、インダクタンス２０のインピーダンスは高周波信号の周波数においては、高抵抗となるので、インダクタンス２０を通過する高周波信号は無視できる。

　実施の形態５におけるインダクタンス２０は、本発明の実施の形態２ないし４の高周波スイッチに追加しても同様の効果が得られる。図７は、実施の形態２に実施の形態５の構成を適用した高周波スイッチの回路図である。図７の高周波スイッチは、図３の高周波スイッチのアンチパラレルダイオード４１、４２に並列に、インダクタンス（第１のインダクタンス）２０１、２０２がそれぞれ接続されている。

　図８は、実施の形態３に実施の形態５の構成を適用した高周波スイッチの回路図である。図８の高周波スイッチは、図４の高周波スイッチのアンチパラレルダイオード４１、４２に並列に、インダクタンス２０１、２０２がそれぞれ接続されている。図９は、実施の形態４に実施の形態５の構成を適用した高周波スイッチの回路図である。図９の高周波スイッチは、図５の高周波スイッチのアンチパラレルダイオード４に並列に、インダクタンス２０が接続されている。

　実施の形態６．
　実施の形態６の高周波スイッチは、送信端子２に接続する第１のアンチパラレルダイオードのアンテナ端子１側とグランドとに接続されるインダクタンスを備える。図１０は、本発明の実施の形態６に係る高周波スイッチの回路図である。図１０において、図１と同一の構成要素には同一符号を付している。

　実施の形態６の高周波スイッチは、図１０に示されるように、アンチパラレルダイオード４のアンテナ端子１側とグランド２２との間にインダクタンス２１（第２のインダクタンス）が接続されている。グランド２２は、グランド６と同じ回路の基準となる電位を与える等電位点である。送信回路８からの大信号電力の高周波信号の電力が低下し、ＰＩＮダイオードの順電圧以下、例えば１００ｍＷ以下となると、アンチパラレルダイオード４はオフ状態となり、アンテナ端子１と送信端子２が遮断状態となる。その遮断状態への変移時間である立下り時間が、インダクタンス２１を設けることにより短縮される効果がある。このように、インダクタンス２１をアンチパラレルダイオード４のアンテナ端子１側とグランド２２との間に接続することにより、特別の制御信号を必要とせず、立下り時間の短い高周波スイッチが得られる。

　なお、インダクタンス２１のインピーダンスは高周波信号の周波数においては、高抵抗となるので、インダクタンス２１を通過する高周波信号は無視できる。

　本発明の実施の形態６におけるインダクタンス２１は、本発明の実施の形態２ないし４の高周波スイッチに適用しても同様の効果が得られる。図１１は、実施の形態２に実施の形態６の構成を適用した高周波スイッチの回路図である。図１１の高周波スイッチは、図３の高周波スイッチのアンチパラレルダイオード４１のアンテナ端子１側とグランド２２との間にインダクタンス２１が接続されている。

　図１２は、実施の形態３に実施の形態６の構成を適用した高周波スイッチの回路図である。図１２の高周波スイッチは、図４の高周波スイッチのアンチパラレルダイオード４１のアンテナ端子１側とグランド２２との間にインダクタンス２１が接続されている。

　図１３は、実施の形態４に実施の形態６の構成を適用した高周波スイッチの回路図である。図１３の高周波スイッチは、図５の高周波スイッチのアンチパラレルダイオード４のアンテナ端子１側とグランド２２との間にインダクタンス２１が接続されている。

　図１４は、実施の形態４に実施の形態６の構成を適用した他の高周波スイッチの回路図である。図１４の高周波スイッチは、実施の形態４のアンチパラレルダイオード４を、２段構成にして、送信端子２に接続されるアンチパラレルダイオード４１のアンテナ端子１側とグランド２２の間にインダクタンス２１が接続されている。

　図１１、図１２および図１４に示すように、アンチパラレルダイオード４を直列接続したときは、直列接続の共通接続点側にインダクタンス２１を設ける。

　実施の形態７．
　実施の形態７の高周波スイッチは、実施の形態５の高周波スイッチの構成に、さらに、アンチパラレルダイオード４のアンテナ端子１側とグランド２２との間に接続されるインダクタンスを備える。図１５は、本発明の実施の形態７に係る高周波スイッチの回路図である。図１５において、図１、図６および図１０と同一の構成要素には同一符号を付している。

　実施の形態７の高周波スイッチは、図１５に示されるように、アンチパラレルダイオード４に並列にインダクタンス２０が接続され、さらに、アンチパラレルダイオード４のアンテナ端子１側とグランド２２との間にインダクタンス２１が接続されている。実施の形態７における高周波スイッチは、インダクタンス２０とインダクタンス２１を用い、本発明の実施の形態５および６の高周波スイッチを併用している。そのため、実施の形態５および６の高周波スイッチより立下り時間の短い高周波スイッチが得られる。

　本発明の実施の形態７におけるインダクタンス２０とインダクタンス２１は、本発明の実施の形態２ないし４の高周波スイッチに適用しても同様の効果が得られる。図１６は、実施の形態２に実施の形態７の構成を適用した高周波スイッチの回路図である。図１６の高周波スイッチは、図７の高周波スイッチにおいてアンチパラレルダイオード４２のアンテナ端子１側とグランド２２との間にインダクタンス２１が接続されている。

　図１７は、実施の形態３に実施の形態７の構成を適用した高周波スイッチの回路図である。図１７の高周波スイッチは、図８の高周波スイッチにおいてアンチパラレルダイオード４２のアンテナ端子１側とグランド２２との間にインダクタンス２１が接続されている。

　図１８は、実施の形態４に実施の形態７の構成を適用した高周波スイッチの回路図である。図１８の高周波スイッチは、図９の高周波スイッチにおいてアンチパラレルダイオード４のアンテナ端子１側とグランド２２との間にインダクタンス２１が接続されている。

　図１９は、実施の形態４に実施の形態７の構成を適用した他の高周波スイッチの回路図である。図１９の高周波スイッチは、図１４の高周波スイッチにおいてアンチパラレルダイオード４１のアンテナ端子１側とグランド２２との間にインダクタンス２１が接続されている。

　なお、本発明の実施の形態７においては、アンチパラレルダイオード４を２段以上、直列接続したときは、インダクタンス２１は、直列接続されたアンチパラレルダイオード４の共通接続点、アンテナ端子１側、送信端子２側のいずれに設けてもよい。

　上記実施の形態は、いずれも本発明の趣旨の範囲内で各種の変形が可能である。上記実施の形態は本発明を説明するためのものであり、本発明の範囲を限定することを意図したものではない。本発明の範囲は実施形態よりも添付した請求項によって示される。請求項の範囲内、および発明の請求項と均等の範囲でなされた各種変形は本発明の範囲に含まれる。

　本出願は、２０１１年５月２７日に出願された、明細書、特許請求の範囲、図、および要約書を含む日本国特許出願２０１１－１１９３７９号に基づく優先権を主張するものである。この元となる特許出願の開示内容は参照により全体として本出願に含まれる。

　　　　　　　１　アンテナ端子（第１の高周波信号入出力端子）
　　　　　　　２　送信端子（第２の高周波信号入出力端子）
　　　　　　　３　受信端子（第３の高周波信号入出力端子）
　４、４１、４２　アンチパラレルダイオード（第１のアンチパラレルダイオード）
　　　　　　　５　１／４波長線路（第１の１／４波長線路）
　　　　　　　６　グランド
　７、７１、７２　アンチパラレルダイオード（第２のアンチパラレルダイオード）
　　　　　　　８　送信回路
　　　　　　　９　受信回路
　　　　　　１０　アンテナ
　　　　　　１１　分岐点
　　　　　　１２　接続点
　　　　　　１３　送信信号
　　　　　　１４　受信信号
　　　　　　１６　１／４波長線路（第２の１／４波長線路）
　　　　　　２０　インダクタンス（第１のインダクタンス）
　　　　　　２１　インダクタンス（第２のインダクタンス）
　　　　　　２２　グランド
　２０１、２０２　インダクタンス（第１のインダクタンス）

Claims

　一端が第１の高周波信号入出力端子に接続され、他端が第２の高周波信号入出力端子に接続され、所定の高周波電力以上の入力電力において導通状態となる第１のアンチパラレルダイオードを備える、高周波スイッチ。
　一端が前記第１の高周波信号入出力端子に接続され、他端が第３の高周波信号入出力端子に接続される、前記高周波スイッチの使用周波数における第１の１／４波長線路と、
　前記第３の高周波信号入出力端子とグランドとに接続され、所定の高周波電力以上の入力電力において導通状態となる、第２のアンチパラレルダイオードと、
　を備える請求項１に記載の高周波スイッチ。
　前記第１のアンチパラレルダイオードは、直列接続される２以上のアンチパラレルダイオードから構成される、請求項１または２に記載の高周波スイッチ。
　前記第１のアンチパラレルダイオードの直列接続される２以上のアンチパラレルダイオードの間に直列接続される、前記高周波スイッチの使用周波数における第２の１／４波長線路を備える請求項３に記載の高周波スイッチ。
　前記第１のアンチパラレルダイオードに並列に接続される第１のインダクタンスを備える、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の高周波スイッチ。
　前記第２の高周波信号入出力端子に接続する前記第１のアンチパラレルダイオードの前記第１の高周波入出力端子側とグランドとに接続される、第２のインダクタンスを備える請求項１ないし５のいずれか１項に記載の高周波スイッチ。
　前記第１のアンチパラレルダイオードに並列に接続される第１のインダクタンスと、
　前記第１のアンチパラレルダイオードの直列接続される２以上のアンチパラレルダイオードのいずれかの端子とグランドとに接続される第２のインダクタンスと、
　を備える請求項３または４に記載の高周波スイッチ。