JP2012248721A - 配線基板、赤外線センサー及び貫通電極形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1面2aと第1面2aと対向する第2面2bとを貫通して開口するビアホール2cを有する基板2と、基板2の第1面2aに設置され熱酸化膜を含む第1絶縁膜3と、ビアホール2c内の面とに設置され熱酸化膜を含む第3絶縁膜5と、ビアホール2c内で第3絶縁膜5に囲まれた導電体7と、を有し、第1面2aにおける第1絶縁膜3の厚みに比べてビアホール2c内の面における第3絶縁膜5の厚みが厚くなっている。
【選択図】図1
Description
本適用例にかかる配線基板であって、第1面と前記第1面と対向する第2面とを貫通して開口するビアホールを有する基板と、前記基板の前記第1面と前記ビアホール内の面とに設置され熱酸化膜を含む絶縁膜と、前記ビアホール内で前記絶縁膜に囲まれた導電体と、を有し、前記第1面における前記絶縁膜の厚みに比べて前記ビアホール内における前記絶縁膜の厚みが厚いことを特徴とする。
本適用例にかかる赤外線センサーであって、第1面と前記第1面と対向する第2面とを貫通して開口するビアホールを有する基板と、前記基板の前記第1面と前記ビアホール内の面とに設置され熱酸化膜を含む絶縁膜と、前記ビアホール内で前記絶縁膜に囲まれた導電体と、前記導電体に接続され前記絶縁膜を介して前記第1面に設けられた配線と、前記配線と電気的に接続された赤外線検出素子と、を有し、前記第1面における前記絶縁膜の厚みに比べて前記ビアホール内における前記絶縁膜の厚みが厚いことを特徴とする。
本適用例にかかる貫通電極形成方法であって、基板の第1面に平面視が閉曲線となる溝部を形成する溝部形成工程と、前記第1面と前記溝部内の面とを熱酸化して絶縁膜を形成する熱酸化工程と、前記第1面に素子回路を形成する素子回路形成工程と、前記絶縁膜に囲まれた場所にビアホールを形成するビアホール形成工程と、前記基板の前記第1面と対向する第2面から前記第1面まで前記ビアホールに導電体を埋め込み形成する導電体形成工程と、を有し、前記熱酸化工程では熱酸化により前記溝部の壁を膨張させて前記溝部を前記絶縁膜で充填することを特徴とする。
上記適用例にかかる貫通電極形成方法において、前記素子回路形成工程と前記導電体形成工程との間に行われ、前記基板の前記第2面側を研削し前記第2面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程をさらに有することを特徴とする。
上記適用例にかかる貫通電極形成方法において、前記導電体形成工程後に、前記第2面に前記導電体に接続された端子を形成する端子形成工程を有することを特徴とする。
上記適用例にかかる貫通電極形成方法において、前記絶縁膜形成工程の前に行われ、支持部材を前記第1面に貼り付ける支持部材設置工程をさらに有することを特徴とする。
上記適用例にかかる貫通電極形成方法において、前記閉曲線は円環状であることを特徴とする。
本実施形態では、貫通電極が設置された特徴的な配線基板とその製造方法との例について、図1〜図4に従って説明する。
図1(a)は、貫通電極の構造を示す模式側断面図であり、図1(b)は、貫通電極の構造を示す模式平断面図である。図1(b)は図1(a)のA−A線に沿った断面図である。図1に示すように、配線基板1は基板2を備えている。基板2にはシリコン半導体基板やガラス板を用いることができる。本実施形態では、例えば、シリコン半導体基板を用いている。基板2の図中上向きの面を第1面2aとし、第1面2aと対向する図中下向きの面を第2面2bとする。従って、第1面2aと第2面2bとは表裏の関係になっている。
次に上述した配線基板1の製造方法について図2〜図4にて説明する。図2は、配線基板の製造方法を示すフローチャートであり、図3及び図4は配線基板の製造方法を説明するための模式図である。
(1)本実施形態によれば、基板2の第1面2aから第2面2bにかけてビアホール2cが貫通して開口され、ビアホール2cに導電体7が充填されている。第1面2aには第1絶縁膜3が設置され、ビアホール2c内には第3絶縁膜5が設置されている。そして、第1絶縁膜3の厚みに比べて第3絶縁膜5の厚みが厚くなっている。従って、基板2と導電体7との間の距離が長くなっている為、基板2と導電体7との間における電気的浮遊容量を小さくすることができる。
本実施形態では、特徴的な配線基板上に設置された赤外線検出素子とその赤外線検出素子が配列する赤外線センサーの例について、図5に従って説明する。尚、第1の実施形態と同じ点については説明を省略する。
図5(a)は、赤外線センサーの構成を示す模式側断面図である。図5(a)に示すように、赤外線センサー17はセンサーアレイ18、回路基板19、ベース基板20が上側からこの順に重ねて配置されている。センサーアレイ18は赤外線検出素子21が格子状に配置された基板2を備えている。照射された赤外線を赤外線検出素子21が検出し、センサーアレイ18が回路基板19に出力する。回路基板19は制御回路22を備え、制御回路22は赤外線検出素子21を駆動する。そして、赤外線検出素子21が検出した個々の信号を制御回路22が処理して映像信号を生成しベース基板20に出力する。ベース基板20はインターフェイス回路23を備え、外部へ出力する出力信号を生成して外部機器へ出力する。つまり、赤外線センサー17は赤外線の分布を映像信号にして出力する赤外線カメラとなっている。
(1)本実施形態によれば、第1絶縁膜3の厚みに比べて第3絶縁膜5の厚みが厚くなっている。従って、基板2と導電体7との間の距離が長くなっている為、基板2と導電体7との間における電気的浮遊容量が小さくなっている。その結果、赤外線センサー17は、赤外線検出素子21が出力する信号の高周波成分を減衰させずに出力することができる。
(変形例1)
前記第1の実施形態では、溝部13の平面視の形状を円環状にして貫通電極2dの断面形状を円形にした。溝部13の及び貫通電極2dの形状はこれに限らず他の形状でもよい。例えば、貫通電極2dの断面形状は三角形、四角形、等の多角形でも良く、楕円形、長方形等の各種の形状を採用してもよい。基板2上に配線を設計するときにレイアウトを設計し易い形状にすることができる。
前記第1の実施形態では、ステップS1の溝部形成工程にてフォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いたが、他の方法を用いても良い。例えば、レーザー光を照射してシリコンを改質する方法や、研削して形成する方法等を用いても良い。生産性良く形成できる方法を採用しても良い。
前記第1の実施形態では、ステップS9の支持部材除去工程を行ったが、ガラスサポートウェハー15が接着された状態のまま完成としても良い。製品の要求仕様に合わせた製造工程にしても良い。
前記第1の実施形態では、樹脂からなる凸部の表面に金属膜が配置されたバンプ35を介して導電体7と配線36とを電気的に接続した。バンプは他の形態でも良い。図6は貫通電極とバンプの構造を示す模式側断面図である。図6に示すように、センサーアレイ37の導電体7を覆って端子38が形成されている。そして、端子38と対向する場所には配線36が設置され、配線36上にはバンプ39が設置されている。さらに、バンプ39は端子38と電気的に接続されている。導電体7に銅を用い、端子38はニッケル金属と金とが積層された膜やすずと銀とを主成分とする合金等の膜を採用することができる。バンプ39は金をメッキにて円錐形に形成したものが好ましく、電気抵抗を小さくすることができる。このような形態にすることにより、生産性良く実装し電気的な接続をとることができる。
Claims (7)
- 第1面と前記第1面と対向する第2面とを貫通して開口するビアホールを有する基板と、
前記基板の前記第1面と前記ビアホール内の面とに設置され熱酸化膜を含む絶縁膜と、
前記ビアホール内で前記絶縁膜に囲まれた導電体と、を有し、
前記第1面における前記絶縁膜の厚みに比べて前記ビアホール内における前記絶縁膜の厚みが厚いことを特徴とする配線基板。 - 第1面と前記第1面と対向する第2面とを貫通して開口するビアホールを有する基板と、
前記基板の前記第1面と前記ビアホール内の面とに設置され熱酸化膜を含む絶縁膜と、
前記ビアホール内で前記絶縁膜に囲まれた導電体と、
前記導電体に接続され前記絶縁膜を介して前記第1面に設けられた配線と、
前記配線と電気的に接続された赤外線検出素子と、を有し、
前記第1面における前記絶縁膜の厚みに比べて前記ビアホール内における前記絶縁膜の厚みが厚いことを特徴とする赤外線センサー。 - 基板の第1面に平面視が閉曲線となる溝部を形成する溝部形成工程と、
前記第1面と前記溝部内の面とを熱酸化して絶縁膜を形成する熱酸化工程と、
前記第1面に素子回路を形成する素子回路形成工程と、
前記絶縁膜に囲まれた場所にビアホールを形成するビアホール形成工程と、
前記基板の前記第1面と対向する第2面から前記第1面まで前記ビアホールに導電体を埋め込み形成する導電体形成工程と、を有し、
前記熱酸化工程では熱酸化により前記溝部の壁を膨張させて前記溝部を前記絶縁膜で充填することを特徴とする貫通電極形成方法。 - 請求項3に記載の貫通電極形成方法であって、
前記素子回路形成工程と前記導電体形成工程との間に行われ、前記基板の前記第2面側を研削し前記第2面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程をさらに有することを特徴とする貫通電極形成方法。 - 請求項3または4に記載の貫通電極形成方法であって、
前記導電体形成工程後に、前記第2面に前記導電体に接続された端子を形成する端子形成工程を有することを特徴とする貫通電極形成方法。 - 請求項4または5に記載の貫通電極形成方法であって、
前記絶縁膜形成工程の前に行われ、支持部材を前記第1面に貼り付ける支持部材設置工程をさらに有することを特徴とする貫通電極形成方法。 - 請求項3〜6のいずれか一項に記載の貫通電極形成方法であって、
前記閉曲線は円環状であることを特徴とする貫通電極形成方法。
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