JP2012242634A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 主表面に対して鏡面研磨が行われたガラス基板を準備する工程と、
   準備された前記ガラス基板に対し、加熱処理を行う工程と、
   加熱処理後のガラス基板の主表面上にタンタルを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなる薄膜を形成する工程と、
   を備えることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
2. 主表面に対して鏡面研磨が行われたガラス基板を準備する工程と、
   準備された前記ガラス基板に対し、加熱処理を行う工程と、
   加熱処理後のガラス基板を成膜室内に設置し、タンタルを含有するターゲットを用い、水素を含有しないスパッタリングガスを成膜室内に導入し、ガラス基板の主表面上にスパッタリング法によって薄膜を形成する工程と、
   を備えることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
3. ガラス基板に行う前記加熱処理は、ガラス基板を３００℃以上に加熱する処理であることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
4. 前記薄膜は、ガラス基板の主表面に接して形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
5. 前記薄膜は、タンタルと窒素とを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
6. 前記薄膜の表層に、酸素を６０原子％以上含有する高酸化層が形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
7. 前記薄膜は、ガラス基板側から下層と上層とが積層する構造を有し、前記下層は、タンタルと窒素とを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなり、前記上層は、タンタルと酸素とを含有する材料からなることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
8. 前記上層の表層に、酸素を６０原子％以上含有する高酸化層が形成されていることを特徴とする請求項７に記載のマスクブランクの製造方法。
9. 前記薄膜は、遮光膜であることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
10. 前記ガラス基板と前記薄膜の間にクロムを含有する材料からなるエッチングストッパー膜を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
11. 前記薄膜は、エッチングストッパー膜であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
12. 請求項１から１０のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法で製造されたマスクブランクを用い、前記マスクブランクの薄膜に転写パターンを形成することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
13. 前記薄膜で形成された転写パターンの表層には、酸素を６０原子％以上含有する高酸化層が形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の転写用マスクの製造方法。
14. 請求項１２または１３に記載の転写用マスクの製造方法で製造された転写用マスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。