JP2012238573A - 有機el素子の製造方法及び有機el素子 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 137
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 90
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 47
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 32
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 21
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 19
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/861—Repairing
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】陰極3と、陰極3に対向する陽極8と、陰極3と陽極8との間に配置された有機層23とを有する有機EL素子の製造方法において、有機EL素子2が準備され、陰極3を透過させてパルスレーザが有機層23に照射されて、有機層23の電気抵抗値より低い電気抵抗値を有する導電性の有機層24が有機層23に形成される。
【選択図】図1
Description
前記有機EL素子を準備するステップと、
前記第1の電極を透過させてパルスレーザを前記第1の有機層に照射して、前記第1の電気抵抗値より低い第2の電気抵抗値を有する第2の有機層を当該第1の有機層中に形成するステップとを備える。
3 陰極
4 有機材料層
8 陽極
11 パルスレーザ
16 非点灯部
17 点灯部
18 絶縁化部
21 輝度向上部
23 有機層
24 導電性の有機層
50 非発光部
Claims (12)
- 透明の第1の電極と、
当該第1の電極に対向する第2の電極と、
当該第1及び第2の電極の間に配置された、第1の電気抵抗値を有する第1の有機層とを有する有機EL素子の製造方法であって、
前記有機EL素子を準備するステップと、
前記第1の電極を透過させてパルスレーザを前記第1の有機層に照射して、前記第1の電気抵抗値より低い第2の電気抵抗値を有する第2の有機層を当該第1の有機層中に形成するステップとを備える有機EL素子の製造方法。 - 前記第1の有機層は前記照射されたパルスレーザによってアブレーション加工される請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記照射されたパルスレーザのパルス幅が1fs以上且つ1000ps以下であり、エネルギーが30nJ以上且つ60nJ以下である、請求項1及び請求項2のいずれかに記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記第2の有機層は、前記第1の電極及び前記第2の電極の少なくとも一方と非接触に形成される、請求項1、請求項2、及び請求項3のいずれかに記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記パルスレーザは、前記第1の有機層の厚さが最も大きい部分に照射される、請求項1、請求項2、請求項3、及び請求項4のいずれかに記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記第1の有機層に非発光部を形成するステップを更に有し、
前記パルスレーザは、前記第1の有機層において、前記非発光部が形成された部分の周囲の部分に照射される、請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、及び請求項5のいずれかに記載の有機EL素子の製造方法。 - 透明の第1の電極と、
当該第1の電極に対向する第2の電極と、
当該第1及び第2の電極の間に配置された、第1の電気抵抗値を有する第1の有機層と、
当該第1の有機層中に配置された、前記第1の電気抵抗値より低い第2の電気抵抗値を有する第2の有機層とを備える有機EL素子。 - 前記第2の有機層は、炭化した前記第1の有機層である請求項7に記載の有機EL素子。
- 前記第2の有機層は、パルス幅が1fs以上且つ1000ps以下であり、エネルギーが30nJ以上且つ60nJ以下であるパルスレーザが前記第1の有機層に照射されて形成される、請求項7及び請求項8のいずれかに記載の有機EL素子。
- 前記第2の有機層は、前記第1の電極及び前記第2の電極の少なくとも一方と非接触である、請求項7、請求項8、及び請求項9のいずれかに記載の有機EL素子。
- 前記第2の有機層は、前記第1の有機層の厚さが最も大きい部分に位置する、請求項7、請求項8、請求項9、及び請求項10のいずれかに記載の有機EL素子。
- 前記第1の有機層は、非発光部を有し、
前記第2の有機層は、前記非発光部とは異なる位置に配置される、請求項7、請求項8、請求項9、請求項10、及び請求項11のいずれかに記載の有機EL素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012026721A JP5351297B2 (ja) | 2011-04-27 | 2012-02-09 | 有機el素子の製造方法 |
CN201210120571.XA CN102760843B (zh) | 2011-04-27 | 2012-04-23 | 有机el元件的制造方法和有机el元件 |
US13/453,305 US8680764B2 (en) | 2011-04-27 | 2012-04-23 | Method of manufacturing organic EL device and organic EL device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011098976 | 2011-04-27 | ||
JP2011098976 | 2011-04-27 | ||
JP2012026721A JP5351297B2 (ja) | 2011-04-27 | 2012-02-09 | 有機el素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012238573A true JP2012238573A (ja) | 2012-12-06 |
JP5351297B2 JP5351297B2 (ja) | 2013-11-27 |
Family
ID=47055223
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012026721A Expired - Fee Related JP5351297B2 (ja) | 2011-04-27 | 2012-02-09 | 有機el素子の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8680764B2 (ja) |
JP (1) | JP5351297B2 (ja) |
CN (1) | CN102760843B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5653944B2 (ja) * | 2011-04-12 | 2015-01-14 | パナソニック株式会社 | 有機el素子の製造方法及びレーザー焦点位置設定方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10813630B2 (en) | 2011-08-09 | 2020-10-27 | Corquest Medical, Inc. | Closure system for atrial wall |
US10307167B2 (en) | 2012-12-14 | 2019-06-04 | Corquest Medical, Inc. | Assembly and method for left atrial appendage occlusion |
US10314594B2 (en) | 2012-12-14 | 2019-06-11 | Corquest Medical, Inc. | Assembly and method for left atrial appendage occlusion |
US20140142689A1 (en) | 2012-11-21 | 2014-05-22 | Didier De Canniere | Device and method of treating heart valve malfunction |
US9566443B2 (en) | 2013-11-26 | 2017-02-14 | Corquest Medical, Inc. | System for treating heart valve malfunction including mitral regurgitation |
US10842626B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-11-24 | Didier De Canniere | Intracardiac device to correct mitral regurgitation |
CN108550611B (zh) | 2018-05-24 | 2021-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光显示面板、其制作方法及显示装置 |
JP2022076273A (ja) * | 2020-11-09 | 2022-05-19 | 株式会社Joled | 自発光型表示パネル、及び自発光型表示パネルの製造方法 |
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Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001117534A (ja) | 1999-10-21 | 2001-04-27 | Pioneer Electronic Corp | アクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法 |
TWI223569B (en) * | 2002-03-20 | 2004-11-01 | Sanyo Electric Co | Method for reducing light quantity of organic EL panel and organic EL panel |
JP2007042498A (ja) | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Aitesu:Kk | 有機elレーザリペア方法及びレーザリペア装置 |
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-
2012
- 2012-02-09 JP JP2012026721A patent/JP5351297B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-23 CN CN201210120571.XA patent/CN102760843B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-23 US US13/453,305 patent/US8680764B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8680764B2 (en) | 2014-03-25 |
CN102760843B (zh) | 2015-07-15 |
JP5351297B2 (ja) | 2013-11-27 |
CN102760843A (zh) | 2012-10-31 |
US20120274202A1 (en) | 2012-11-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |