CN102760843B - 有机el元件的制造方法和有机el元件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种使亮度提高的有机EL元件的制造方法和有机EL元件。在具有阴极、与阴极对置的阳极、以及被配置在阴极和阳极之间的有机层的有机EL元件的制造方法中，准备有机EL元件，将脉冲激光透过阴极而照射到有机层，从而在有机层中形成具有比有机层的电阻值更低的电阻值的导电性的有机层。

Description

有机EL元件的制造方法和有机EL元件

技术领域

本发明涉及一种有机EL元件的制造方法和有机EL元件。

背景技术

近年来，正在关注有机EL(电致发光)显示装置。在有机EL显示装置中存在多个像素，在各个像素中使用有机EL元件(有机发光二极管)。

如图12所示，现有技术的有机EL元件100具有阴极3、有机材料层4和阳极8。有机材料层4被阴极3和阳极8夹着。有机材料层4包括电子传导性的电子输送层5、发光层6和空穴传导性的空穴输送层7。而且，发光层6由电子输送层5和空穴输送层7夹着。当在阳极8和阴极3之间施加电压时，与电子从阴极3经由电子输送层5被注入到发光层6内的同时，空穴从阳极8经由空穴输送层7被注入到发光层6内。当注入的电子和空穴在发光层6内复合时，发光层6发出光1。

有机材料层4的厚度9(以后称为“有机材料层厚度9”)为几百nm以下，非常薄。在形成这样的有机材料层4时，存在导体异物混入的情况。当在有机材料层4中存在异物时，在该部分(以后也称为“异物部分”)存在阳极8和阴极3短路的情况。当短路发生时，由于电子和空穴都不注入到发光层6内，因此发光层6不发出光1。因此，要实施用于解除短路而使发光层6发出光1的修理(repair)方法。

在日本专利特开2007-042498号公报中，公开了一种通过激光的照射来破坏产生短路的部分从而解除短路的修理方法。此外，在日本专利特开2001-117534号公报中，公开了一种通过施加反向偏压来破坏产生短路的部分并解除短路的修理方法。通过实施这些修理方法，来解除短路，且使得产生短路的部分(被破坏的部分)以外的部分正常地发挥功能，从而使发光层6发出光1。

但是，由于通过修理方法的实施而被破坏的部分不发光，因此实施过修理方法的有机EL元件，与不需要实施修理方法的正常的有机EL元件相比，具有亮度降低的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而提出的，本发明的目的在于提供一种使亮度提高的有机EL元件的制造方法和有机EL元件。

为了实现上述目的，本发明的有机EL元件的制造方法，是具有透明的第1电极、与该第1电极对置的第2电极、以及被配置在该第1电极和所述第2电极之间且具有第1电阻值的第1有机层的有机EL元件的制造方法，包括：准备所述有机EL元件的步骤；以及将脉冲激光透过所述第1电极而照射到所述第1有机层，从而在该第1有机层中形成具有比所述第1电阻值更低的第2电阻值的第2有机层的步骤。

如上所述，根据本有机EL元件的制造方法，能够使被制造的有机EL元件的亮度提高。此外，本发明能够应用于有机EL显示器和有机EL照明等中所使用的有机EL元件的制造。

附图说明

图1是表示实施方式的有机EL元件的示意图。

图2A是表示将实施方式的脉冲激光照射在有机EL元件上的样子的图。

图2B是表示通过实施方式的脉冲激光的照射而形成导电性的有机层的状态的图。

图3A是表示为了实施热加工而向有机EL元件照射脉冲激光的样子的图。

图3B是表示通过热加工而破坏了有机层的状态的图。

图4是由脉冲激光进行的对有机EL元件的激光烧蚀加工和热加工的说明图。

图5是表示实施方式的有机EL元件的加工方法的条件表的图。

图6是表示实施方式的有机EL元件的亮度提高和修理中所使用的脉冲激光的条件的图。

图7A是表示为了照射实施方式的脉冲激光而准备的修理后的有机EL元件的图。

图7B是表示实施方式的有机EL元件的照射了脉冲激光的区域的图。

图7C是表示实施方式的脉冲激光的扫描轨迹的图。

图8是实施方式的具有膜厚分布的有机层的有机EL元件的示意图。

图9A是表示修理时的脉冲激光的聚光位置的图。

图9B是表示实施方式的亮度提高时的脉冲激光的聚光位置的图。

图10A是表示实施方式的导电性的有机层位于有机层的上部的有机EL元件的图。

图10B是表示实施方式的导电性的有机层位于有机层的中部的有机EL元件的图。

图10C是表示实施方式的导电性的有机层位于有机层的下部的有机EL元件的图。

图11是表示实施方式的有机EL元件的制造方法的流程图。

图12是表示有机EL元件的结构的示意图。

附图符号说明：

2  有机EL元件

3  阴极

4  有机材料层

8  阳极

11 脉冲激光

16 非点亮部

17 点亮部

18 绝缘化部

21 亮度提高部

23 有机层

24 导电性的有机层

50 非发光部

具体实施方式

下面，参考附图，说明实施方式的有机EL元件的制造方法和有机EL元件。在以下的说明中，相同构成赋予相同符号，并省略说明。

图1表示由本实施方式的方法制造的有机EL元件2。该有机EL元件2，在前工序中检测出异物10，并且通过修理方法的实施来破坏位于异物10的上部的阴极3的一部分。将被破坏的部分称为绝缘化部18。

所谓“进行破坏”，意味着对功能进行破坏，也就是说，使得不流过电流。具体地，所谓对阴极3进行破坏，意味着在阴极3和有机材料层4之间形成空间，或者使阴极3变性而形成裂缝，或者将阴极3破碎。修理方法可以是在想要破坏的部分上照射激光的方法，也可以是在阴极3和阳极8上施加反向偏置的电压的方法。当在阴极3和阳极8上施加反向偏置的电压时，由于电流仅流过异物10，因此异物10被加热，并且通过该热量使包含异物10的周围破坏。此外，在以下的说明中，有时将实施修理方法的情形简单地记述为修理。

当在图1所示的阴极3和阳极8上施加了电压时，由于没有从绝缘化部18注入电子，因此位于绝缘化部18的下部的有机材料层4不发光，该不发光的部分变成非发光部50。由于当从阴极3一侧观察有机EL元件2时绝缘化部18位于非发光部50的正上方，因此该绝缘化部18变成不点亮的非点亮部。由于该非点亮部的存在，因此与不存在非点亮部的正常的有机EL元件相比，有机EL元件2的发光亮度低。

因此，在本实施方式中，通过在正常部(有机材料层4正常发光的部分，即与非发光部50不同的部分)的一部分上照射脉冲激光11而形成导电性的有机层(电性的有机区域)24，使有机EL元件2的发光亮度提高。在以下的说明中，有时将照射脉冲激光11而形成导电性的有机层24的情形简单地记述为亮度提高。

下面，参考图2A、B，说明形成导电性的有机层24的方法。此外，为了将说明简单化，将图1中的由多个层构成的有机材料层4在图2A、B中显示为单层的有机层23。图1所示的有机材料层4和图2A、B所示的有机层23，其功能都是相同的。

在本实施方式中，为了有机EL元件2的亮度提高，利用通过脉冲激光11进行的激光烧蚀加工现象。所谓激光烧蚀加工，是当对固体材料赋予瞬间的能量时，构成材料的元素以原子、分子、电子或者离子等各种形式而放出的现象。图2A示出在使脉冲激光11的聚光位置与有机层23内相对准的状态下进行照射的样子，图2B示出有机层23的一部分通过激光烧蚀加工在有机层23中形成了导电性的有机层24的状态。

在对有机层23进行了激光烧蚀加工时，有机层23由于被夹在阴极3和阳极8间，因此从有机层23放出的原子等不会被放出到外部，在有机层23的内部，原子等发生分离并发生相互反应。有机层23是电阻值(第1电阻值)为1MΩ以上的绝缘物，因此导电性极低。但是，可认为通过对激光烧蚀加工的反应而会使有机层23变成具有导电性。

具体地，通过对有机层23实施激光烧蚀加工，作为高分子的有机层23的除了碳以外的键合物质(氢、氮、以及氧原子等)与碳分离。通过被分离的碳彼此进行新的键合，使有机层23的一部分发生碳化，且使得碳化后的有机层23具有导电性。可认为导电性的有机层24是通过如此将脉冲激光11照射到有机层23且施加激光烧蚀加工而形成的已碳化的有机层23。而且，碳一般具有导电性。

如参考图2B所说明的，在有机层23的内部生成具有与有机层23(图1的有机材料层4)相比电阳值更低的导电性的有机层24。从电阻的观点来看，通过有机层24的生成，有机层23变成仅导电性的有机层24部分变薄的状态。其结果是，在阴极3和阳极8之间施加了电压时的电流注入效率提高，当在激光烧蚀加工的前后施加了相同电压时，加工后的一方的生成了导电性的有机层24的有机层23的发光亮度会提高。

而且，有机层23的厚度是1微米以下，导电性的有机层24的厚度例如是1nm以上且100nm以下。导电性的有机层24的导电性(第2电阻值)例如是100Ω以上且1kΩ以下，含有导电性的有机层24的有机层23的导电性(电阻值)例如是1kΩ以上且500kΩ以下。

另一方面，当代替激光烧蚀加工而实施热加工时，有机层23会被破坏。参考图3A、B，说明由热加工进行的有机层23的破坏。图3A表示激光110照射到有机层23上的样子，图3B表示有机层23的一部分被破坏的状态。当由激光110引起的热被注入到有机EL元件2的有机层23上时，热扩展到有机层23的内部，由于该热量而使得有机层23被破坏和绝缘化，从而形成绝缘层25。在该情况下，即使在阴极3和阳极8之间施加电压，电流也不会流过绝缘层25。因此，位于绝缘层25的上下的有机层23的部分不发光，作为有机层23的整体的亮度会降低。但是，通过对该绝缘层25进行激光烧蚀加工，也能够制成图2B的导电性的有机层24。

接着，参考图4，说明激光烧蚀加工和热加工的各自的模式的不同。在图4中，纵轴表示脉冲激光的能量E(μJ)，横轴表示时间t(fs或者ps)。此外，实线31表示具有激光烧蚀加工所需的能量(照射的脉冲激光的)脉冲波，点划线32表示具有热加工所需的能量(照射的脉冲激光的)脉冲波。

如图4所示，照射的脉冲激光的脉冲波形成为在时间方向上具有宽度的高斯分布。激光烧蚀加工由于是强能量在短时间进入物质时所产生的现象，因此，如实线31所示的脉冲波那样高斯分布的峰值越高，由脉冲激光照射进行的加工的行动越取决于激光烧蚀加工。通过照射这样能量分布的脉冲激光，使得有机层(有机EL元件)的亮度提高成为可能。另一方面，当如点划线32所示的脉冲波那样能量峰值较低时，高斯分布的底边的部分、即在脉冲波形内时间宽度较大的部分的作用越强，由脉冲激光照射进行的加工的行动越取决于热加工。

也就是说，以低能量长时间照射脉冲激光的情况与加热对象物质的情况(热加工)是同等的。由于能够通过热加工来破坏对象物，因此热加工被使用于形成图1所示的绝缘化部18时、即修理中。此外，能够通过图3A所示的激光110来实施热加工。因此，使用图3A所示的激光110，能够形成图1所示的绝缘化部18。在以下的说明中，有时将使用图3A所示的激光110来形成图1所示的绝缘化部18的情形简单地记述为修理。

图5表示汇总了用于实现有机EL元件2(有机层23)的亮度提高和修理的脉冲激光的能量值、脉冲宽度带、加工模式和波长带的表。图6表示基于图5的表的用于实现有机EL元件2(有机层23)的亮度提高和修理的脉冲激光的能量带和脉冲带。在图6中，脉冲宽度t(s)被分类为Fs(飞秒)脉冲带35、Ps(皮秒)脉冲带36和Ns(纳秒)脉冲带37。

能量带33表示：使有机EL元件2(有机层23)的亮度能够提高的脉冲激光的脉冲宽度是1fs以上且1000ps以下，能量宽度是30nJ以上且60nJ以下。也就是说，即使照射该范围以外的脉冲宽度或者能量值的脉冲激光，也不能够进行激光烧蚀加工，不能够实现有机EL元件2的亮度提高。也就是说，图1所示的脉冲激光11应该满足的能量等的条件处于图6的能量带33的范围内。

能量带34与修理所用的热加工有关，表示：照射的脉冲激光的脉冲宽度是600fs以上且50ps以下，能量值是2.8nJ以上且4.8nJ以下。即，图3A所示的激光110的能量等的条件处于图6所示的能量带34的范围内。一般认为，用脉冲宽度大于1000ps的脉冲激光，是不能够实施激光烧蚀加工的。

如图6所示，能够使有机EL元件2的亮度提高的能量带33中的能量宽度非常窄。可认为这起因于图2A所示的有机层23薄到几百nm以下。在将满足能量带33的范围以外的条件的脉冲激光照射到图2B所示的有机层23时，即使假设实施了激光烧蚀加工，也会对阴极3或者阳极8产生影响，或者会使有机层23中的发光层(图1所示的有机材料层4中的发光层6)的大部分发生碳化。

当发光层的大部分被碳化时，有机EL元件2不发光。也就是说，图6所示的能量带33所规定的条件，可认为是用于即使在有机层23中形成了导电性的有机层24也对有机层23中所包含的发光层的区域进行保留的条件。本发明人认为，在该条件下所形成的导电性的有机层24的厚度要比有机层23中所包含的发光层的厚度薄。

而且，如图6所示，能够共同实现有机EL元件2的亮度提高和修理的脉冲激光的脉冲宽度带是600fs以上且50ps以下。也就是说，如果使用该脉冲宽度带的脉冲激光，则能够实施有机EL元件2的修理和亮度提高这两者。

此外，有时在图1所示的有机EL元件2的阴极3上顺序地层叠了密封用硬化树脂、滤色器、以及玻璃板。在该情况下，为了加工有机材料层4，需要使用将玻璃板、滤色器、以及密封用硬化树脂全都透过的波长的脉冲激光。本发明人已经实验性地弄清楚：将这些(层)全都透过的波长是900nm以上。也就是说，作为图1所示的脉冲激光11，当使用波长为900nm以上的激光时，即使在阴极3上层叠了密封用硬化树脂、滤色器、以及玻璃板的情况下，有机层23的亮度也能得到提高。

下面，参考图7A～C，说明有机EL元件2(有机层23)的亮度提高所用的脉冲激光照射方法。图7A～C示出从阴极3一侧观察图1所示的有机EL元件2的样子。更具体地，图7A示出在修理后的有机EL元件2中、在将电压施加到阴极3和阳极8上时的光点亮的点亮部17和光没有点亮的非点亮部16。点亮部17是图1所示的绝缘化部18和导电性的有机层24都没有被形成的正常的有机EL元件2的部分。非点亮部16是通过修理而形成了图1的绝缘化部18的部分。非点亮部16的位置和大小，与位于图1所示的绝缘化部18的下部的发光层6中的非发光部50的位置和大小一致。

图7B表示实施了亮度提高的有机EL元件2，示出亮度提高后的亮度提高部21。亮度提高部21，是照射了图1所示的脉冲激光11的区域，也是形成了导电性的有机层24的区域。将与图7A所示的点亮部17的亮度相比，使得图7B所示的亮度提高部21的亮度上升50％以上的状态称为亮度提高的状态。图7C将图7B所示的亮度提高部21与为了亮度提高而照射的脉冲激光(图1的脉冲激光11)的扫描方向一起进行了放大表示。

如图7C所示，在图7A所示的修理后的有机EL元件2(通过修理进行的非点亮部16已经存在的状态)中的点亮部17上照射脉冲激光，以实现有机EL元件2的亮度提高。由于在被脉冲激光照射的位置上形成图1所示的导电性的有机层24，因此通过移动脉冲激光使得描绘出在图7C中由箭头所示的轨迹，能够扩大亮度提高部21的面积。此外，通过控制亮度提高部21的面积，能够控制有机EL元件2的亮度。通过修理而形成了非点亮部16的有机EL元件2，与不需要实施修理(不存在非点亮部16)的正常的有机EL元件相比，亮度降低。若以补偿与正常的有机EL元件2之间的亮度差的方式控制亮度提高部21的面积，则能够使得通过修理形成了非点亮部16的有机EL元件2的亮度与不需要实施修理的正常的有机EL元件的亮度一致。

下面，描述亮度提高的效果的具体例子。通过能量带为30nJ以上且60nJ以下、脉冲宽度为800fs、波长900nm以上的脉冲激光的照射而形成的亮度提高部21，实验上实现了相对于点亮部17的亮度为1.5～2.5倍的亮度的提高。假如，将修理后的非点亮部16的面积设为30μm×30μm，将亮度提高部21的亮度设为点亮部17的亮度的2倍，将照射的脉冲激光的激光照射宽度设为3μm。激光扫描的轨迹如图7C所示那样，将纵方向的扫描宽度设为30μm，在横方向上扫描5次。在该情况下，脉冲激光照射的区域的面积成为30μm×15μm。

尽管当激光照射宽度变大时，能够减少描绘次数，但是被提高的亮度的微调整变得困难。在实际的描绘速度提高时，可考虑由分离器等将来自振荡器的脉冲激光分开，同时进行描绘。此外，不需要在加工前决定描绘的个数，也可以一边确认有机EL元件2整体的亮度、一边照射脉冲激光。例如，首先将脉冲激光以线(line)状进行1次扫描，其后，使有机EL元件2点亮，在由相机确认了亮度提高的样子和大小之后，再次照射脉冲激光，直至有机EL元件2成为与正常状态的单元同等的亮度为止，将扫描继续。

亮度提高部21被形成在非点亮部16的周围的任意位置上。亮度提高部21没有必要形成为纵长形状，还可以形成为横长形状或者正方形。此外，亮度提高部21不限定于有机EL元件2内的1个位置，还可以设置在2个以上的位置上。此外，也可以基于在图2A、B所示的有机EL元件2内有机层23的膜厚分布，来决定照射脉冲激光11的区域。

下面，参考图8，说明在有机层23中具有膜厚分布时的亮度提高实施方法。图8表示从阴极3一侧观察图2A、B有机EL元件2的样子。在图8中，示出非点亮部16存在于(图2A中的有机层23的)膜厚较薄(100nm以下)的部分29上的情况。在膜厚较薄的情况下，当照射脉冲激光时，在有机层23的厚度方向上会完全具有导电性，有时在电极间会产生短路。因此，通过在膜厚较薄的部分30(150nm以上的部分，特别为图1所示的发光层6是150nm以上的部分)上照射脉冲激光并形成亮度提高部21，从而防止在有机层23的厚度方向上完全具有导电性。而且，膜厚分布由于在形成有机层23的情况下会以高概率产生，因此在预先掌握膜厚分布且进一步在厚度大的位置上形成亮度提高部21是有效的。

接着，参考图9A、B，描述有机EL元件2的在厚度方向上的脉冲激光的聚光位置。在照射用于修理的激光110时，如图9A所示那样，使聚光位置与阴极3的位置相对准来照射激光110。

然后，在为了亮度提高而照射脉冲激光11时，如图9B所示，使脉冲激光11的聚光位置与有机层23的位置相对准。由于有机层23与阴极3相比更位于下方，因此亮度提高处理时所照射的脉冲激光11的聚光位置与修理处理时相比更靠下方对准。例如，当阴极3的厚度为100nm、有机层23的厚度为1μm的情况下，与修理时相比，更降低500nm左右的脉冲激光11的聚光位置，从而进行用于亮度提高的脉冲激光11的照射。

在使聚光位置与阴极3相对准来照射激光110的情况下，激光110的能量被集中于阴极3，并且不向有机层23作用使碳键合分离那样的能量。因此，有机层23不被激光烧蚀加工，且不产生亮度提高。

此外，当在亮度提高处理时使聚光位置与有机层23相对准来照射脉冲激光11的情况下，阴极3不被加工且不被修理。即，通过分别在修理处理时使激光110的聚光位置与阴极3对准、在亮度提高时使脉冲激光11的聚光位置与有机层23对准，从而使阴极3和有机层23被分别单独地加工。基于用于将脉冲激光11聚光的透镜的焦点距离、阴极3的厚度的设计值、以及有机EL元件2的厚度的设计值，预先决定照射的脉冲激光11的聚光位置。

下面，说明导电性的有机层24的位置。在使聚光位置与有机层23相对准来照射脉冲激光11时，对于亮度提高后的有机EL元件2，可认为是图10A、B、C的状态。图10A表示导电性的有机层24位于有机层23的上部且与阴极3相接的状态。图10B表示导电性的有机层24存在于有机层23的中间的状态。图10C表示导电性的有机层24位于有机层23的下部且与阳极8相接的状态。即使在图10A、B、C所示的任何的状态下，亮度提高都是可能的。导电性的有机层24如果不电连接阴极3和阳极8，则还可以被形成于有机层23内的任何位置处。也就是说，如在图10C和图10A分别例示的那样，只要形成与阴极3和阳极8的至少一个非接触的导电性的有机层24即可。

接着，参考图11和图1，说明制造本实施方式的有机EL元件2的方法。在步骤S1中，准备未形成绝缘化部18的有机EL元件2。准备的有机EL元件2包括阴极3(透明的第1电极)、与阴极3对置的阳极8(第2电极)、以及在阴极3和阳极8之间所配置的有机材料层4(第1有机层)。此时准备的有机EL元件2可以是顶部发射结构、底部发射结构、3色方式、色变换方式、或者滤色器方式的任意一种的有机EL元件。而且，作为阴极3即透明的电极，使用例如ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)。

在步骤S2中，检查有机EL元件2的缺陷，检查的结果是，如果检测出异物10，则对检测出异物10的有机EL元件2实施修理。有机EL元件2的缺陷的检查，通过相机、光传感器、或者目视等来实施。而且，在步骤S1中，在准备已经实施了修理的有机EL元件2时，不实施该步骤S2而进入到步骤S3。

在步骤S3中，用相机等观测修理后的有机EL元件2，决定为了亮度提高而照射脉冲激光11的位置和区域，进入到步骤S4。

在步骤S4中，通过使脉冲激光11的聚光位置与有机材料层4相对准并且将透过阴极3的脉冲激光11照射到有机材料层4，来实施亮度提高。由该步骤S4来形成导电性的有机层24(第2有机层)。

在步骤S5中，评价亮度提高是否成功。评价时用相机等观测有机EL元件2。在这里，与预先设定的优良品相比，作为一个例子，评价是否断定有50％以上的亮度提高。如果亮度提高作为一个例子是小于50％，则再次返回到步骤S4(步骤S5的“否”)，如果是50％以上，则结束动作(步骤S5的“是”)。

经过以上的步骤S1～步骤S5，制造了有机EL元件2。

而且，也可以不实施修理，而仅实施用于亮度提高的图1所示的脉冲激光11的照射，来制造有机EL元件2。例如，在异物10的尺寸为几十nm的微小的情况下，有时不是发生完全的电极间短路，而是产生微小的漏电流(pA以下的量级)，从而降低有机EL元件2的亮度。此时，由于存在用外观观测等检查不能够检测出微细的异物10的可能性，因此也可以不实施修理(图11中的步骤S2)，而仅实施亮度提高。由此，能够制造使亮度提高的有机EL元件2。此外，通过包括导电性的有机层24，与不包括导电性的有机层24的状态相比，能够提高有机EL元件2的亮度。

Claims (12)

1.一种有机EL元件的制造方法，该有机EL元件具有透明的第1电极、与该第1电极对置的第2电极、以及被配置在该第1电极和所述第2电极之间且具有第1电阻值的第1有机层，该制造方法的特征在于，包括：

准备所述有机EL元件的步骤；以及

使脉冲激光透过所述第1电极而照射到所述第1有机层，从而在该第1有机层中形成具有比所述第1电阻值更低的第2电阻值的第2有机层的步骤。

2.根据权利要求1所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于，

在用于形成所述第2有机层的步骤中，利用所照射的所述脉冲激光，来对所述第1有机层进行激光烧蚀加工。

3.根据权利要求1所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于，

在用于形成所述第2有机层的步骤中，照射脉冲激光，该脉冲激光的脉冲宽度是1fs以上且1000ps以下，该脉冲激光的能量是30nJ以上且60nJ以下。

4.根据权利要求1所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于，

在用于形成所述第2有机层的步骤中，形成与所述第1电极和所述第2电极的至少一方非接触的所述第2有机层。

5.根据权利要求1所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于，

在用于形成所述第2有机层的步骤中，在所述第1有机层的厚度为最大的部分上照射所述脉冲激光。

6.根据权利要求1至5的任一项所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于，

所述制造方法还包括在所述第1有机层中形成非发光部的步骤，

在用于形成所述第2有机层的步骤中，在所述第1有机层中，在与形成了所述非发光部的部分不同的部分上照射所述脉冲激光。

7.一种有机EL元件，包括：

透明的第1电极；

与该第1电极对置的第2电极；

被配置在该第1电极和所述第2电极之间且具有第1电阻值的第1有机层；以及

被配置在该第1有机层中且具有比所述第1电阻值更低的第2电阻值的第2有机层，

所述第2有机层是通过使脉冲激光透过所述第1电极而照射到所述第1有机层而形成的。

8.根据权利要求7所述的有机EL元件，其特征在于，

所述第2有机层是已碳化的所述第1有机层。

9.根据权利要求7所述的有机EL元件，其特征在于，

所述脉冲激光的脉冲宽度是1fs以上且1000ps以下，该脉冲激光的能量是30nJ以上且60nJ以下。

10.根据权利要求7所述的有机EL元件，其特征在于，

所述第2有机层与所述第1电极和所述第2电极的至少一方非接触。

11.根据权利要求7所述的有机EL元件，其特征在于，

所述第2有机层位于所述第1有机层的厚度为最大的部分。

12.根据权利要求7至10的任一项所述的有机EL元件，其特征在于，

所述第1有机层具有非发光部，

所述第2有机层被配置在与所述非发光部不同的位置处。