JP2001176661A - 有機el素子の輝度修復方法及び有機el素子 - Google Patents
有機el素子の輝度修復方法及び有機el素子Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/861—Repairing
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素欠陥又は輝度の低い画素の有無を検査、
判別し、必要であれば輝度の修復を行う有機EL素子の
輝度修復方法、及びその方法により輝度が修復された有
機EL素子を提供する。 【解決手段】 線順次駆動し得る有機EL素子におい
て、印加電圧10V、周波数70Hzで線順次駆動、即
ち、陽極a1において陰極c1からcnまで順次駆動
し、その後、陽極a2において陰極c1からcnまで順
次駆動し、この駆動操作を陽極amまで順次行い、すべ
ての画素の発光、非発光を検査する。この検査により画
素欠陥を有する素子は不良品として除き、画素欠陥のな
い素子については、各画素が所定の輝度を有するか否か
を判別し、必要であれば電界エージング、加熱エージン
グ等のエージング処理を施し、輝度の低い画素の輝度修
復を行う。この検査、判別及び修復の各工程は繰り返し
行うこともできる。
判別し、必要であれば輝度の修復を行う有機EL素子の
輝度修復方法、及びその方法により輝度が修復された有
機EL素子を提供する。 【解決手段】 線順次駆動し得る有機EL素子におい
て、印加電圧10V、周波数70Hzで線順次駆動、即
ち、陽極a1において陰極c1からcnまで順次駆動
し、その後、陽極a2において陰極c1からcnまで順
次駆動し、この駆動操作を陽極amまで順次行い、すべ
ての画素の発光、非発光を検査する。この検査により画
素欠陥を有する素子は不良品として除き、画素欠陥のな
い素子については、各画素が所定の輝度を有するか否か
を判別し、必要であれば電界エージング、加熱エージン
グ等のエージング処理を施し、輝度の低い画素の輝度修
復を行う。この検査、判別及び修復の各工程は繰り返し
行うこともできる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、画素欠陥の有無及
び所定の輝度を下回っている画素の有無を検査、判別
し、輝度の低い画素がある場合は、それを特定の方法に
より修復する有機EL素子の輝度の修復方法、及びそれ
により輝度の修復がなされた有機EL素子に関する。
び所定の輝度を下回っている画素の有無を検査、判別
し、輝度の低い画素がある場合は、それを特定の方法に
より修復する有機EL素子の輝度の修復方法、及びそれ
により輝度の修復がなされた有機EL素子に関する。
【0002】
【従来の技術】マトリックス型等の有機EL素子では、
陽極と陰極とが短絡し、特定の画素が発光しない画素欠
陥を生ずることがある。また、水分、酸素等により輝度
が低下することもある。これら画素欠陥、輝度の低下
等、素子の発光特性をCCDカメラ等により検査する手
法は既に知られている。しかし、従来は、発光特性を検
査するのみであり、その結果により画素欠陥を有する不
良品を除いたり、必要であれば輝度を修復して製品とす
る等は行われておらず、簡便な輝度の修復方法が望まれ
ている。
陽極と陰極とが短絡し、特定の画素が発光しない画素欠
陥を生ずることがある。また、水分、酸素等により輝度
が低下することもある。これら画素欠陥、輝度の低下
等、素子の発光特性をCCDカメラ等により検査する手
法は既に知られている。しかし、従来は、発光特性を検
査するのみであり、その結果により画素欠陥を有する不
良品を除いたり、必要であれば輝度を修復して製品とす
る等は行われておらず、簡便な輝度の修復方法が望まれ
ている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の従来
技術の問題点を解決するものであり、有機EL素子の画
素欠陥及び輝度の低い画素の有無を検査、判別し、その
結果によって必要であれば輝度の修復を行う有機EL素
子の輝度修復方法、及びその方法により輝度が修復され
た有機EL素子を提供することを目的とする。
技術の問題点を解決するものであり、有機EL素子の画
素欠陥及び輝度の低い画素の有無を検査、判別し、その
結果によって必要であれば輝度の修復を行う有機EL素
子の輝度修復方法、及びその方法により輝度が修復され
た有機EL素子を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】第1発明の有機EL素子
の輝度修復方法は、線順次駆動し得る有機EL素子の輝
度修復方法であって、該有機EL素子を線順次駆動さ
せ、輝度計によって各々の画素の発光、非発光を検査す
る工程、発光する画素が所定の輝度を有しているか否か
を判別する工程、所定の輝度に満たない画素に対しエー
ジング処理を施し、輝度を修復する工程、をこの順に備
えることを特徴とする。第1発明の輝度修復方法によ
り、第2発明の、発光しない画素及び輝度が所定値より
も低い画素がない、製品として実用に供し得る表示品位
の高い有機EL素子とすることができる。
の輝度修復方法は、線順次駆動し得る有機EL素子の輝
度修復方法であって、該有機EL素子を線順次駆動さ
せ、輝度計によって各々の画素の発光、非発光を検査す
る工程、発光する画素が所定の輝度を有しているか否か
を判別する工程、所定の輝度に満たない画素に対しエー
ジング処理を施し、輝度を修復する工程、をこの順に備
えることを特徴とする。第1発明の輝度修復方法によ
り、第2発明の、発光しない画素及び輝度が所定値より
も低い画素がない、製品として実用に供し得る表示品位
の高い有機EL素子とすることができる。
【0005】第1発明の方法により輝度を修復すること
ができる有機EL素子は、「線順次駆動」し得るもので
ある。この線順次駆動し得る有機EL素子としては、マ
トリックス電極構成を有し、各画素が線順次駆動される
単純マトリックス型有機EL素子の他、桁数の多い数字
を表示する場合のように比較的多くのセグメント電極構
成を有する素子において各画素を順次駆動し得る素子等
が挙げられる。このように、上記「線順次駆動」は、マ
トリックス電極構成における線順次駆動の他、多数の画
素を発光させるためのセグメント電極構成において、各
画素を順次駆動する場合をも意味するものとする。
ができる有機EL素子は、「線順次駆動」し得るもので
ある。この線順次駆動し得る有機EL素子としては、マ
トリックス電極構成を有し、各画素が線順次駆動される
単純マトリックス型有機EL素子の他、桁数の多い数字
を表示する場合のように比較的多くのセグメント電極構
成を有する素子において各画素を順次駆動し得る素子等
が挙げられる。このように、上記「線順次駆動」は、マ
トリックス電極構成における線順次駆動の他、多数の画
素を発光させるためのセグメント電極構成において、各
画素を順次駆動する場合をも意味するものとする。
【0006】発光、非発光を検査する工程(以下、「検
査工程」という。)及び発光する画素が所定の輝度を有
しているか否かを判別する工程(以下、「判別工程」と
いう。)において使用される上記「輝度計」は特に限定
されず、一般に輝度の計測に用いられる機器を用いるこ
とができる。そのような輝度計としては、CCDカメラ
並びに光電管、フォトダイオード及びフォトトランジス
タ等の光センサを備える機器などが挙げられる。これら
の検査工程及び判別工程における線順次駆動の周波数
は、輝度計の感度、精度が十分に高ければ、表示素子と
して用いる場合の70〜100Hz程度とすることがで
きる。しかし、信頼性の高い検査、判別を行うために
は、10〜50Hz程度の低周波数とすることが好まし
く、そのようにすれば輝度計の感度、精度等にかかわら
ず検査、判別をより正確に行うことができる。
査工程」という。)及び発光する画素が所定の輝度を有
しているか否かを判別する工程(以下、「判別工程」と
いう。)において使用される上記「輝度計」は特に限定
されず、一般に輝度の計測に用いられる機器を用いるこ
とができる。そのような輝度計としては、CCDカメラ
並びに光電管、フォトダイオード及びフォトトランジス
タ等の光センサを備える機器などが挙げられる。これら
の検査工程及び判別工程における線順次駆動の周波数
は、輝度計の感度、精度が十分に高ければ、表示素子と
して用いる場合の70〜100Hz程度とすることがで
きる。しかし、信頼性の高い検査、判別を行うために
は、10〜50Hz程度の低周波数とすることが好まし
く、そのようにすれば輝度計の感度、精度等にかかわら
ず検査、判別をより正確に行うことができる。
【0007】検査工程において、発光していない画素が
検出された場合は、その素子は不良品として除かれる。
そして、すべての画素が発光している素子のみ、輝度の
低い画素の有無が判別される。判別工程においてすべて
の画素が所定の輝度を有していることが確認された素子
は、そのまま製品とすることができる。一方、所定の輝
度に満たない画素が1個でも見出された素子は、エージ
ング処理を施し、輝度を修復する工程(以下、「輝度修
復工程」という。)に供される。この「所定の輝度」と
は、品質管理等における規定値などを意味し、特定はさ
れないが、有機EL素子として実用に供するためには少
なくとも100cd/m2以上は必要である。
検出された場合は、その素子は不良品として除かれる。
そして、すべての画素が発光している素子のみ、輝度の
低い画素の有無が判別される。判別工程においてすべて
の画素が所定の輝度を有していることが確認された素子
は、そのまま製品とすることができる。一方、所定の輝
度に満たない画素が1個でも見出された素子は、エージ
ング処理を施し、輝度を修復する工程(以下、「輝度修
復工程」という。)に供される。この「所定の輝度」と
は、品質管理等における規定値などを意味し、特定はさ
れないが、有機EL素子として実用に供するためには少
なくとも100cd/m2以上は必要である。
【0008】輝度修復工程における上記「エージング処
理」の方法としては、電界エージングと加熱エージング
が挙げられる。電界エージングは、輝度の低い画素のみ
若しくはこの画素を含む周縁領域又は全画素に所定電圧
を、所要時間印加して行うことができ、それによりこの
画素の輝度が修復される。印加する電圧は、素子を表示
させる場合の通常の電圧、例えば、5〜15V、特に7
〜12Vとすることができる。また、電圧を印加する時
間は、1〜30時間、特に2〜20時間とすることがで
き、5〜10時間とすることが好ましい。この時間は印
加電圧により調整することができ、印加電圧が低ければ
長時間とし、印加電圧が高ければ短時間とすることが好
ましい。
理」の方法としては、電界エージングと加熱エージング
が挙げられる。電界エージングは、輝度の低い画素のみ
若しくはこの画素を含む周縁領域又は全画素に所定電圧
を、所要時間印加して行うことができ、それによりこの
画素の輝度が修復される。印加する電圧は、素子を表示
させる場合の通常の電圧、例えば、5〜15V、特に7
〜12Vとすることができる。また、電圧を印加する時
間は、1〜30時間、特に2〜20時間とすることがで
き、5〜10時間とすることが好ましい。この時間は印
加電圧により調整することができ、印加電圧が低ければ
長時間とし、印加電圧が高ければ短時間とすることが好
ましい。
【0009】電界エージングは、素子を電界に晒すこと
により行うこともできる。この場合は、素子全体がエー
ジングされ、輝度の低い画素の輝度のみを修復すること
はできず、すべての画素の輝度が向上する。そのため、
輝度の低い画素を他の画素と同程度の輝度とすることは
できない。しかし、すべての画素の輝度が向上するた
め、十分に実用に供し得る素子とすることができる。電
界の強さは5×106〜1.5×107V/m程度とする
ことができる。
により行うこともできる。この場合は、素子全体がエー
ジングされ、輝度の低い画素の輝度のみを修復すること
はできず、すべての画素の輝度が向上する。そのため、
輝度の低い画素を他の画素と同程度の輝度とすることは
できない。しかし、すべての画素の輝度が向上するた
め、十分に実用に供し得る素子とすることができる。電
界の強さは5×106〜1.5×107V/m程度とする
ことができる。
【0010】加熱エージングは、所定温度に調温された
オーブン等に素子を所要時間静置することにより行うこ
とができる。エージングの温度は、50〜150℃、特
に80〜140℃とすることができ、100〜130℃
とすることが好ましい。また、加熱する時間は0.5〜
5時間、特に0.5〜3時間とすることができる。この
時間はエージングの温度により調整することができ、温
度が低ければ長時間とし、温度が高ければ短時間とする
ことが好ましい。
オーブン等に素子を所要時間静置することにより行うこ
とができる。エージングの温度は、50〜150℃、特
に80〜140℃とすることができ、100〜130℃
とすることが好ましい。また、加熱する時間は0.5〜
5時間、特に0.5〜3時間とすることができる。この
時間はエージングの温度により調整することができ、温
度が低ければ長時間とし、温度が高ければ短時間とする
ことが好ましい。
【0011】加熱エージングは、ホットエアの吹き付
け、遠赤外線、レーザ光等の照射などにより、輝度の低
い画素を中心として局所的に行うこともできる。輝度の
低い画素のみを加熱することは難しいかもしれないが、
使用する機器によっては相当に限られた範囲のみを加熱
エージングすることもでき、十分な表示品位を有する素
子とすることができる。尚、電界エージングにおける印
加電圧及び時間、並びに加熱エージングにおける加熱温
度及び時間は、所定の輝度、修復を必要とする画素の輝
度等を勘案し、必要とされる範囲内において行うことが
好ましい。
け、遠赤外線、レーザ光等の照射などにより、輝度の低
い画素を中心として局所的に行うこともできる。輝度の
低い画素のみを加熱することは難しいかもしれないが、
使用する機器によっては相当に限られた範囲のみを加熱
エージングすることもでき、十分な表示品位を有する素
子とすることができる。尚、電界エージングにおける印
加電圧及び時間、並びに加熱エージングにおける加熱温
度及び時間は、所定の輝度、修復を必要とする画素の輝
度等を勘案し、必要とされる範囲内において行うことが
好ましい。
【0012】以上の各工程のフローの概略は図1に示す
とおりであり、検査、判別及び修復の各工程を経た素子
は、そのまま製品とすることができる。また、この素子
を、再び、検査工程及び判別工程、又は判別工程に供
し、必要であれば更に輝度修復工程に供することもでき
る。このように、必要であれば各工程を繰り返すことに
よって、より確実に画素欠陥、輝度の低い画素等のない
表示品位の高い有機EL素子とすることができる。
とおりであり、検査、判別及び修復の各工程を経た素子
は、そのまま製品とすることができる。また、この素子
を、再び、検査工程及び判別工程、又は判別工程に供
し、必要であれば更に輝度修復工程に供することもでき
る。このように、必要であれば各工程を繰り返すことに
よって、より確実に画素欠陥、輝度の低い画素等のない
表示品位の高い有機EL素子とすることができる。
【0013】第1発明の輝度修復方法は、基板と、この
基板の表面に、陽極、有機EL薄膜及び陰極が、この順
に積層され形成される有機EL積層体とを備える、通常
の構成を有する有機EL素子において行うことができ
る。有機EL薄膜は、少なくとも発光層を備え、ホール
輸送層及び電子輸送層を有していてもよい。また、陽極
とホール輸送との間にホール注入層を、電子輸送層と陰
極との間に電子注入層を有していてもよい。
基板の表面に、陽極、有機EL薄膜及び陰極が、この順
に積層され形成される有機EL積層体とを備える、通常
の構成を有する有機EL素子において行うことができ
る。有機EL薄膜は、少なくとも発光層を備え、ホール
輸送層及び電子輸送層を有していてもよい。また、陽極
とホール輸送との間にホール注入層を、電子輸送層と陰
極との間に電子注入層を有していてもよい。
【0014】基板としては、ソーダ石灰ガラス等のガラ
ス類の他、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテル
スルホン、ポリカーボネート等の合成樹脂及び石英等の
透明性を有するものを使用することができる。これらの
うちでは特にガラスからなる基板が多用される。
ス類の他、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテル
スルホン、ポリカーボネート等の合成樹脂及び石英等の
透明性を有するものを使用することができる。これらの
うちでは特にガラスからなる基板が多用される。
【0015】発光層は、アルミキノリウム錯体及びベン
ゾキノリノールBe錯体等の発光材料により形成するこ
とができる。また、これらの発光材料に、キナクリドン
誘導体、DCM誘導体等のドーピング剤を配合すること
もできる。ホール輸送層は、トリフェニルアミン誘導体
等により形成することができ、電子輸送層は、アルミキ
ノリウム錯体及びヒドロキシフラボンBe錯体等により
形成することができる。ホール注入層は、銅フタロシア
ニン錯体等により形成することができ、電子注入層は、
LiF等のアルカリ金属のフッ化物又は酸化物及びBa
F2等のアルカリ土類金属のフッ化物などにより形成す
ることができる。
ゾキノリノールBe錯体等の発光材料により形成するこ
とができる。また、これらの発光材料に、キナクリドン
誘導体、DCM誘導体等のドーピング剤を配合すること
もできる。ホール輸送層は、トリフェニルアミン誘導体
等により形成することができ、電子輸送層は、アルミキ
ノリウム錯体及びヒドロキシフラボンBe錯体等により
形成することができる。ホール注入層は、銅フタロシア
ニン錯体等により形成することができ、電子注入層は、
LiF等のアルカリ金属のフッ化物又は酸化物及びBa
F2等のアルカリ土類金属のフッ化物などにより形成す
ることができる。
【0016】陽極は、金、ニッケル等の金属単体、及び
ITO、CuI、SnO2、ZnO等の金属化合物によ
り形成することができる。これらのうち、生産性、安定
した導電性等の観点からITOが特に好ましい。陰極
は、Mg−Ag合金、Na−K合金、アルミニウム等に
より形成することができる。これらの有機EL積層体を
構成する各層は、真空蒸着法により形成することがで
き、スピンコート法、キャスト法、スパッタリング法及
びLB法等、他の各種の方法によっても形成することが
できる。
ITO、CuI、SnO2、ZnO等の金属化合物によ
り形成することができる。これらのうち、生産性、安定
した導電性等の観点からITOが特に好ましい。陰極
は、Mg−Ag合金、Na−K合金、アルミニウム等に
より形成することができる。これらの有機EL積層体を
構成する各層は、真空蒸着法により形成することがで
き、スピンコート法、キャスト法、スパッタリング法及
びLB法等、他の各種の方法によっても形成することが
できる。
【0017】有機EL積層体は、基板の周縁に接合され
る封止部材により封止される。封止部材としては、ステ
ンレス鋼、アルミニウム又はその合金等の金属、ソーダ
石灰ガラス、珪酸塩ガラス等のガラス、アクリル系樹
脂、スチレン系樹脂等の合成樹脂などからなるものを使
用することができる。封止部材と基板の周縁との接合
は、エポキシ樹脂、アクリレート系樹脂等の熱硬化性樹
脂の他、光硬化性樹脂等の封止樹脂により行うことがで
きる。これらのうち、輝度の低下等を抑えるため、水分
等が透過し難い硬化体が形成される封止樹脂を使用する
ことが好ましい。また、素子に加わる熱応力を緩和する
ことができ、且つ硬化速度の大きい光硬化性樹脂がより
好ましい。
る封止部材により封止される。封止部材としては、ステ
ンレス鋼、アルミニウム又はその合金等の金属、ソーダ
石灰ガラス、珪酸塩ガラス等のガラス、アクリル系樹
脂、スチレン系樹脂等の合成樹脂などからなるものを使
用することができる。封止部材と基板の周縁との接合
は、エポキシ樹脂、アクリレート系樹脂等の熱硬化性樹
脂の他、光硬化性樹脂等の封止樹脂により行うことがで
きる。これらのうち、輝度の低下等を抑えるため、水分
等が透過し難い硬化体が形成される封止樹脂を使用する
ことが好ましい。また、素子に加わる熱応力を緩和する
ことができ、且つ硬化速度の大きい光硬化性樹脂がより
好ましい。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、実施例により本発明を更に
詳しく説明する。 実験例1 85℃で300cd/m2の輝度を有する有機EL素子
について、直流印加又はパルス印加により電界エージン
グ処理を行い、輝度の変化を確認した。結果を図3に示
す。図3によれば、処理開始から5〜6時間経過後まで
は輝度が経時的に上昇し、その後はやや低下する傾向が
みられるものの、処理開始から5〜6時間で輝度が約5
%向上していることが分かる。
詳しく説明する。 実験例1 85℃で300cd/m2の輝度を有する有機EL素子
について、直流印加又はパルス印加により電界エージン
グ処理を行い、輝度の変化を確認した。結果を図3に示
す。図3によれば、処理開始から5〜6時間経過後まで
は輝度が経時的に上昇し、その後はやや低下する傾向が
みられるものの、処理開始から5〜6時間で輝度が約5
%向上していることが分かる。
【0019】実験例2 特定の電圧−輝度特性を有する有機EL素子を、120
℃に調温されたオーブンに1時間静置し、加熱エージン
グ処理を行った後、印加電圧を変化させて輝度を測定し
た。その結果、4.3〜9.6Vの印加電圧において、
電圧の上昇とともに輝度が向上する割合が低下するもの
の、輝度が100cd/m2以上の実用域(図4におい
て、印加電圧が6Vを越える範囲)において輝度が最大
で30%程度向上することが分かる。
℃に調温されたオーブンに1時間静置し、加熱エージン
グ処理を行った後、印加電圧を変化させて輝度を測定し
た。その結果、4.3〜9.6Vの印加電圧において、
電圧の上昇とともに輝度が向上する割合が低下するもの
の、輝度が100cd/m2以上の実用域(図4におい
て、印加電圧が6Vを越える範囲)において輝度が最大
で30%程度向上することが分かる。
【0020】実施例1 [1]有機EL素子の製造 図2の斜視図により、その構成の一部を模式的に示す有
機EL素子を、以下のようにして製造した。真空蒸着法
により、ガラス製の透明基板1の表面に、ITOからな
るストライプ型のm本の陽極2(1桁目から順にa1、
a2、a3、a4・・・amとする。)と、α−NPD
からなるホール輸送層、Alq3にドーピング剤として
少量のキナクリドンを配合した発光材料からなる発光層
及びAlq3からなる電子輸送層により構成される有機
EL薄膜3と、陽極2と直行するMg−Ag合金からな
るストライプ型のn本の陰極4(1行目から順にc1、
c2、c3・・・cnとする。)と、をこの順に成膜
し、有機EL積層体を形成した後、透明基板の周縁に封
止部材(図示せず)を封止樹脂により接合し、有機EL
積層体を封止し、有機EL素子を製造した。
機EL素子を、以下のようにして製造した。真空蒸着法
により、ガラス製の透明基板1の表面に、ITOからな
るストライプ型のm本の陽極2(1桁目から順にa1、
a2、a3、a4・・・amとする。)と、α−NPD
からなるホール輸送層、Alq3にドーピング剤として
少量のキナクリドンを配合した発光材料からなる発光層
及びAlq3からなる電子輸送層により構成される有機
EL薄膜3と、陽極2と直行するMg−Ag合金からな
るストライプ型のn本の陰極4(1行目から順にc1、
c2、c3・・・cnとする。)と、をこの順に成膜
し、有機EL積層体を形成した後、透明基板の周縁に封
止部材(図示せず)を封止樹脂により接合し、有機EL
積層体を封止し、有機EL素子を製造した。
【0021】[2]有機EL素子の性能評価 (1)発光、非発光の検査 上記のようにして製造した複数の有機EL素子につい
て、印加電圧10V、周波数70Hzで線順次駆動し
た。即ち、陽極a1において陰極c1からcnまで順次
駆動し、その後、陽極a2において陰極c1からcnま
で順次駆動し、この駆動操作を陽極amまで順次行い、
すべての画素の発光、非発光を検査した。この検査によ
り発光しない画素が見出された画素欠陥を有する素子は
不良品として除いた。
て、印加電圧10V、周波数70Hzで線順次駆動し
た。即ち、陽極a1において陰極c1からcnまで順次
駆動し、その後、陽極a2において陰極c1からcnま
で順次駆動し、この駆動操作を陽極amまで順次行い、
すべての画素の発光、非発光を検査した。この検査によ
り発光しない画素が見出された画素欠陥を有する素子は
不良品として除いた。
【0022】(2)輝度の判別及び輝度の低い画素の輝
度修復 上記(1)において測定された各画素の輝度を確認し、
すべての画素の輝度が所定値である300cd/m2以
上である場合は、そのまま製品とした。一方、輝度が3
00cd/m2に満たない画素が見出された素子につい
て、 輝度の低い画素に12Vの電圧を10時間印加し、電
界エージングしたところ、輝度が修復されて300cd
/m2以上となり、製品とすることができた。 120℃に調温されたオーブンに素子を1時間静置
し、加熱エージングしたところ、すべての画素の輝度が
向上したが、輝度が低かった画素の輝度も300cd/
m2以上となり、製品とすることができた。
度修復 上記(1)において測定された各画素の輝度を確認し、
すべての画素の輝度が所定値である300cd/m2以
上である場合は、そのまま製品とした。一方、輝度が3
00cd/m2に満たない画素が見出された素子につい
て、 輝度の低い画素に12Vの電圧を10時間印加し、電
界エージングしたところ、輝度が修復されて300cd
/m2以上となり、製品とすることができた。 120℃に調温されたオーブンに素子を1時間静置
し、加熱エージングしたところ、すべての画素の輝度が
向上したが、輝度が低かった画素の輝度も300cd/
m2以上となり、製品とすることができた。
【0023】尚、本発明においては、上記の実施例に限
られず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更
した実施例とすることができる。即ち、実施例1では、
全画素の検査、判別を行ったが、特定の画素のみ又は特
定の桁若しくは行のみを検査、判別し、その結果により
必要であれば輝度の修復を行うことができる。
られず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更
した実施例とすることができる。即ち、実施例1では、
全画素の検査、判別を行ったが、特定の画素のみ又は特
定の桁若しくは行のみを検査、判別し、その結果により
必要であれば輝度の修復を行うことができる。
【0024】
【発明の効果】第1発明によれば、画素欠陥又は輝度の
低い画素の有無を検査、判別し、この結果に基づいて必
要であれば電界エージング或いは加熱エージング等のエ
ージング処理を行うことができ、簡便な装置、操作によ
り、効率よく、有機EL素子の輝度の修復を行うことが
できる。また、この輝度修復方法により、第2発明の、
所期の性能を有する有機EL素子を容易に得ることがで
きる。
低い画素の有無を検査、判別し、この結果に基づいて必
要であれば電界エージング或いは加熱エージング等のエ
ージング処理を行うことができ、簡便な装置、操作によ
り、効率よく、有機EL素子の輝度の修復を行うことが
できる。また、この輝度修復方法により、第2発明の、
所期の性能を有する有機EL素子を容易に得ることがで
きる。
【図1】各工程のフローの概略を表すフローチャートで
ある。
ある。
【図2】実施例1において用いた有機EL素子を模式的
に示す斜視図である。
に示す斜視図である。
【図3】実験例1における輝度の向上を表すグラフであ
る。
る。
【図4】実験例2における輝度の向上を表すグラフであ
る。
る。
1;透明基板、2;陽極、3;有機EL薄膜、4;陰
極、5;CCDカメラ。
極、5;CCDカメラ。
Claims (2)
- 【請求項1】 線順次駆動し得る有機EL素子の輝度修
復方法であって、該有機EL素子を線順次駆動させ、輝
度計によって各々の画素の発光、非発光を検査する工
程、発光する画素が所定の輝度を有しているか否かを判
別する工程、所定の輝度に満たない画素に対しエージン
グ処理を施し、輝度を修復する工程、をこの順に備える
ことを特徴とする有機EL素子の輝度修復方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の方法により輝度修復がな
されたことを特徴とする有機EL素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36138599A JP2001176661A (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | 有機el素子の輝度修復方法及び有機el素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36138599A JP2001176661A (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | 有機el素子の輝度修復方法及び有機el素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001176661A true JP2001176661A (ja) | 2001-06-29 |
Family
ID=18473367
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP36138599A Pending JP2001176661A (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | 有機el素子の輝度修復方法及び有機el素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001176661A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2006012786A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光素子、並びに該製造方法 |
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KR100653366B1 (ko) | 2004-07-07 | 2006-12-04 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계 발광 소자의 발광 픽셀 불량 검출용 패널 |
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JP2013225409A (ja) * | 2012-04-20 | 2013-10-31 | Panasonic Corp | 発光パネルの製造方法 |
-
1999
- 1999-12-20 JP JP36138599A patent/JP2001176661A/ja active Pending
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |