JP2012217059A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012217059A JP2012217059A JP2011081325A JP2011081325A JP2012217059A JP 2012217059 A JP2012217059 A JP 2012217059A JP 2011081325 A JP2011081325 A JP 2011081325A JP 2011081325 A JP2011081325 A JP 2011081325A JP 2012217059 A JP2012217059 A JP 2012217059A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- unit
- photoelectric conversion
- conversion element
- photoelectrons
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 158
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 142
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 66
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 46
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 14
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 14
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000002366 time-of-flight method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/88—Lidar systems specially adapted for specific applications
- G01S17/89—Lidar systems specially adapted for specific applications for mapping or imaging
- G01S17/894—3D imaging with simultaneous measurement of time-of-flight at a 2D array of receiver pixels, e.g. time-of-flight cameras or flash lidar
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
- G01S7/4816—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements of receivers alone
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/483—Details of pulse systems
- G01S7/486—Receivers
- G01S7/4861—Circuits for detection, sampling, integration or read-out
- G01S7/4863—Detector arrays, e.g. charge-transfer gates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14806—Structural or functional details thereof
- H01L27/14812—Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/626—Reduction of noise due to residual charges remaining after image readout, e.g. to remove ghost images or afterimages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【解決手段】光を検知して光電子を発生する光電変換素子を有する単位画素と、前記単位画素を駆動する画素駆動部と、を備え、前記光電変換素子は、フォトゲート構造により形成され、前記画素駆動部は、3値の電圧のうち、いずれかの電圧を前記光電変換素子のフォトゲートに印加させることで、前記光電子の発生、転送を行い、前記3値の電圧は、少なくとも、第1電圧と、前記第1電圧より高い第2電圧と、前記第1電圧より大きく且つ前記第2電圧より小さい第3電圧とを有する。
【選択図】図12
Description
前記画素駆動部は、前記排出期間においては、さらに前記第3転送部をオンして前記光電子を前記光電子排出部に転送する。
14…撮像部 16…演算部
18…制御部 20…電源
28…固体撮像装置 30…単位画素
32…画素アレイ 34…画素駆動回路
44…ゲート駆動回路 100…受光装置 光電子振分部
102…p型半導体基板 104…光電変換素子 受光部
106…光電子転送部 振分部 108…光電子排出部
110…フォトゲート 112…第1転送部
114…光電子保持部 116…第2転送部
118…浮遊拡散層118 120…第1転送ゲート
122…保持ゲート 124…第2転送ゲート
126…リセット用トランジスタ 130…信号読出用トランジスタ
132…信号読出線 134…選択用トランジスタ
140…第3転送部 142…拡散層
144…第3転送ゲート 150…第1電圧源
152…第2電圧源 154…第3電圧源
156…第1スイッチ 158…第2スイッチ
160…第3スイッチ
Claims (10)
- 光を検知して光電子を発生する光電変換素子を有する単位画素と、
前記単位画素を駆動させる画素駆動部と、
を備え、
前記光電変換素子は、フォトゲート構造により形成され、
前記画素駆動部は、3値の電圧のうち、いずれかの電圧を前記光電変換素子のフォトゲートに印加することで、前記光電子の蓄積、転送を行い、
前記3値の電圧は、少なくとも、第1電圧と、前記第1電圧より高い第2電圧と、前記第1電圧より高く且つ前記第2電圧より低い第3電圧とを有する
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 請求項1に記載の固体撮像装置であって、
前記光電変換素子で発生した前記光電子を排出する排出期間を有し、前記画素駆動部が、前記第3電圧を前記フォトゲートに印加することで、前記光電変換素子に発生した前記光電子を排出する
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 請求項2に記載の固体撮像装置であって、
前記単位画素は、前記光電子を排出する光電子排出部に、前記光電変換素子で発生した該光電子を転送するための第3転送部をさらに有し、
前記画素駆動部は、前記排出期間においては、さらに前記第3転送部をオンして前記光電子を前記光電子排出部に転送する
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 請求項2又は3に記載の固体撮像装置であって、
前記排出期間終了後に前記光電変換素子で発生した前記光電子を蓄積する蓄積期間をもち、前記画素駆動部は、前記フォトゲートに前記第2電圧又は第3電圧を印加することで、前記光電変換素子で発生した前記光電子を蓄積する
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 請求項4に記載の固体撮像装置であって、
前記蓄積期間終了後に、前記光電変換素子に蓄積した前記光電子を光電子保持部に転送する第1転送期間を有し、前記画素駆動部は、前記フォトゲートに前記第3電圧を印加させた後、前記第1電圧を印加する
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 請求項5に記載の固体撮像装置であって、
前記単位画素は、前記光電子の集積と保持とを繰り返して光電子を累積する前記光電子保持部に、前記光電変換素子で発生した該光電子を転送するための第1転送部をさらに有し、
前記画素駆動部は、前記第1転送期間のみもしくは蓄積期間と第1転送期間においては、さらに前記第1転送部をオンして前記光電変換素子で発生した前記光電子を前記光電子保持部に転送し、前記第1転送期間以外もしくは蓄積期間と第1転送期間以外においては、該第1転送部をオフして前記光電変換素子で発生した該光電子を前記光電子保持部に転送しない
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 請求項4〜6のいずれか1項に記載の固体撮像装置であって、
前記排出期間終了後、前記蓄積期間前に、前記光電変換素子で発生した前記光電子を排出する直前排出期間を有し、前記画素駆動部は、前記第2電圧を前記フォトゲートに印加してから前記第3電圧を印加し、その後前記第1電圧を印加することで、前記光電変換素子に残存する前記光電子を排出する
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載の固体撮像装置であって、
前記画素駆動部は、前記第1電圧を前記フォトゲートに印加する第1スイッチと、前記第2電圧を前記フォトゲートに印加する第2スイッチと、前記第3電圧を前記フォトゲートに印加する第3スイッチと、をさらに有し、
前記第1スイッチ、前記第2スイッチ、及び前記第3スイッチのオンオフを切り換えることで、前記光電変換素子で発生した前記光電子の排出、蓄積、転送、保持のいずれかの動作を行う
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 請求項8に記載の固体撮像装置であって、
前記第1スイッチは、並列に接続された複数のMOSトランジスタにより構成され、
前記画素駆動部は、オンするMOSトランジスタの数を変更することで、前記第1スイッチの抵抗値を変えて、画素部のゲートに印加される電圧が前記第3電圧から、もしくは前記第2電圧から前記第1電圧に移行するまでの時間を調整する
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 請求項9に記載の固体撮像装置であって、
オンオフ指示信号を第1信号入力とし、前記第1スイッチの抵抗値調整用の設定信号を第2信号入力とする論理回路を介して、前記複数のMOSトランジスタのうち、少なくとも1つ以上の前記MOSトランジスタの該オンオフを制御する
ことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011081325A JP5635937B2 (ja) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | 固体撮像装置 |
US13/435,368 US8748951B2 (en) | 2011-03-31 | 2012-03-30 | Solid-state image sensing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011081325A JP5635937B2 (ja) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012217059A true JP2012217059A (ja) | 2012-11-08 |
JP5635937B2 JP5635937B2 (ja) | 2014-12-03 |
Family
ID=46926066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011081325A Expired - Fee Related JP5635937B2 (ja) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | 固体撮像装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8748951B2 (ja) |
JP (1) | JP5635937B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017022220A1 (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置 |
WO2017056347A1 (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | パナソニック・タワージャズセミコンダクター株式会社 | 固体撮像装置 |
WO2017056346A1 (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | パナソニック・タワージャズセミコンダクター株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2022009035A (ja) * | 2017-04-04 | 2022-01-14 | アーティラックス・インコーポレイテッド | 高速光感知装置iii |
US11579267B2 (en) | 2015-11-06 | 2023-02-14 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus |
US11637142B2 (en) | 2015-11-06 | 2023-04-25 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus III |
US11639991B2 (en) | 2019-06-19 | 2023-05-02 | Artilux, Inc. | Photo-detecting apparatus with current-reuse |
US11749696B2 (en) | 2015-11-06 | 2023-09-05 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus II |
JP7536757B2 (ja) | 2019-05-24 | 2024-08-20 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び測距装置 |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9456152B2 (en) * | 2011-07-12 | 2016-09-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Device and method for blur processing |
EP3363050B1 (en) | 2015-07-23 | 2020-07-08 | Artilux Inc. | High efficiency wide spectrum sensor |
WO2017024121A1 (en) | 2015-08-04 | 2017-02-09 | Artilux Corporation | Germanium-silicon light sensing apparatus |
US10707260B2 (en) | 2015-08-04 | 2020-07-07 | Artilux, Inc. | Circuit for operating a multi-gate VIS/IR photodiode |
US10761599B2 (en) | 2015-08-04 | 2020-09-01 | Artilux, Inc. | Eye gesture tracking |
US10861888B2 (en) | 2015-08-04 | 2020-12-08 | Artilux, Inc. | Silicon germanium imager with photodiode in trench |
CN114754864B (zh) | 2015-08-27 | 2023-03-24 | 光程研创股份有限公司 | 宽频谱光学传感器 |
US10741598B2 (en) | 2015-11-06 | 2020-08-11 | Atrilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus II |
US10739443B2 (en) | 2015-11-06 | 2020-08-11 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus II |
CN105405405B (zh) | 2016-01-04 | 2018-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电压降补偿方法及装置、显示装置 |
DE102016208347B4 (de) * | 2016-05-13 | 2017-12-21 | Infineon Technologies Ag | Optische Sensorvorrichtung und Verfahren zum Betreiben eines Laufzeitsensors |
US10536684B2 (en) | 2016-12-07 | 2020-01-14 | Sony Corporation | Color noise reduction in 3D depth map |
US10495735B2 (en) | 2017-02-14 | 2019-12-03 | Sony Corporation | Using micro mirrors to improve the field of view of a 3D depth map |
US10795022B2 (en) | 2017-03-02 | 2020-10-06 | Sony Corporation | 3D depth map |
US10979687B2 (en) | 2017-04-03 | 2021-04-13 | Sony Corporation | Using super imposition to render a 3D depth map |
JP6485674B1 (ja) * | 2017-09-14 | 2019-03-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置、及びそれを備える撮像装置 |
US10484667B2 (en) | 2017-10-31 | 2019-11-19 | Sony Corporation | Generating 3D depth map using parallax |
US11105928B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-08-31 | Artilux, Inc. | Light-sensing apparatus and light-sensing method thereof |
TWI788246B (zh) | 2018-02-23 | 2022-12-21 | 美商光程研創股份有限公司 | 光偵測裝置 |
TWI780007B (zh) | 2018-04-08 | 2022-10-01 | 美商光程研創股份有限公司 | 光偵測裝置及其系統 |
TWI795562B (zh) | 2018-05-07 | 2023-03-11 | 美商光程研創股份有限公司 | 雪崩式之光電晶體 |
US10969877B2 (en) | 2018-05-08 | 2021-04-06 | Artilux, Inc. | Display apparatus |
US10549186B2 (en) | 2018-06-26 | 2020-02-04 | Sony Interactive Entertainment Inc. | Multipoint SLAM capture |
WO2020195046A1 (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6350868B2 (ja) * | 1982-10-12 | 1988-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | |
JPH0965210A (ja) * | 1995-08-23 | 1997-03-07 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JPH10248035A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Sony Corp | ブルーミング防止構造を備えた固体撮像素子のダイナミックレンジ拡大方法 |
JP2000324396A (ja) * | 1999-05-06 | 2000-11-24 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像素子およびその駆動方法 |
JP2004015291A (ja) * | 2002-06-05 | 2004-01-15 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2812093B2 (ja) | 1992-09-17 | 1998-10-15 | 株式会社日立製作所 | プレーナ接合を有する半導体装置 |
JP4280822B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2009-06-17 | 国立大学法人静岡大学 | 光飛行時間型距離センサ |
US7675015B2 (en) * | 2004-11-08 | 2010-03-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | CMOS image sensor with boosted voltage signal and related method of operation |
JP5110519B2 (ja) | 2005-08-30 | 2012-12-26 | 国立大学法人静岡大学 | 半導体測距素子及び固体撮像装置 |
KR100969905B1 (ko) * | 2005-11-14 | 2010-07-13 | 파나소닉 전공 주식회사 | 공간 정보 검출 장치 및 이에 적합한 광검출 소자 |
JP5110535B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-12-26 | 国立大学法人静岡大学 | 半導体測距素子及び固体撮像装置 |
JP5395323B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2014-01-22 | ブレインビジョン株式会社 | 固体撮像素子 |
JP5171158B2 (ja) * | 2007-08-22 | 2013-03-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置及び距離画像測定装置 |
JP5568880B2 (ja) | 2008-04-03 | 2014-08-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 |
JP5098831B2 (ja) | 2008-06-06 | 2012-12-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびカメラシステム |
JP5585903B2 (ja) | 2008-07-30 | 2014-09-10 | 国立大学法人静岡大学 | 距離画像センサ、及び撮像信号を飛行時間法により生成する方法 |
JP2010268079A (ja) | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Olympus Imaging Corp | 撮像装置、撮像装置の製造方法 |
US8513709B2 (en) * | 2009-07-27 | 2013-08-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photo detecting apparatus and unit pixel thereof |
-
2011
- 2011-03-31 JP JP2011081325A patent/JP5635937B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-30 US US13/435,368 patent/US8748951B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6350868B2 (ja) * | 1982-10-12 | 1988-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | |
JPH0965210A (ja) * | 1995-08-23 | 1997-03-07 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JPH10248035A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Sony Corp | ブルーミング防止構造を備えた固体撮像素子のダイナミックレンジ拡大方法 |
JP2000324396A (ja) * | 1999-05-06 | 2000-11-24 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像素子およびその駆動方法 |
JP2004015291A (ja) * | 2002-06-05 | 2004-01-15 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017022220A1 (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置 |
CN107924927B (zh) * | 2015-08-04 | 2022-04-19 | 新唐科技日本株式会社 | 固体摄像装置 |
US10690755B2 (en) | 2015-08-04 | 2020-06-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solid-state imaging device having increased distance measurement accuracy and increased distance measurement range |
CN107924927A (zh) * | 2015-08-04 | 2018-04-17 | 松下知识产权经营株式会社 | 固体摄像装置 |
JPWO2017022220A1 (ja) * | 2015-08-04 | 2018-05-31 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置 |
JPWO2017056346A1 (ja) * | 2015-09-29 | 2018-07-12 | パナソニック・タワージャズセミコンダクター株式会社 | 固体撮像装置 |
WO2017056347A1 (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | パナソニック・タワージャズセミコンダクター株式会社 | 固体撮像装置 |
WO2017056346A1 (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | パナソニック・タワージャズセミコンダクター株式会社 | 固体撮像装置 |
US11011557B2 (en) | 2015-09-29 | 2021-05-18 | Tower Partners Semiconductor Co., Ltd. | Solid-state imaging device |
JPWO2017056347A1 (ja) * | 2015-09-29 | 2018-08-02 | パナソニック・タワージャズセミコンダクター株式会社 | 固体撮像装置 |
US11747450B2 (en) | 2015-11-06 | 2023-09-05 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus |
US11579267B2 (en) | 2015-11-06 | 2023-02-14 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus |
US11637142B2 (en) | 2015-11-06 | 2023-04-25 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus III |
US11749696B2 (en) | 2015-11-06 | 2023-09-05 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus II |
US12072448B2 (en) | 2015-11-06 | 2024-08-27 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus |
JP7314229B2 (ja) | 2017-04-04 | 2023-07-25 | アーティラックス・インコーポレイテッド | 高速光感知装置iii |
JP2022009035A (ja) * | 2017-04-04 | 2022-01-14 | アーティラックス・インコーポレイテッド | 高速光感知装置iii |
JP7536757B2 (ja) | 2019-05-24 | 2024-08-20 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び測距装置 |
US12085410B2 (en) | 2019-05-24 | 2024-09-10 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device and distance measurement device |
US11639991B2 (en) | 2019-06-19 | 2023-05-02 | Artilux, Inc. | Photo-detecting apparatus with current-reuse |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5635937B2 (ja) | 2014-12-03 |
US8748951B2 (en) | 2014-06-10 |
US20120248514A1 (en) | 2012-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5635937B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US10277850B2 (en) | Solid-state imaging device for a distance sensor transferring charges from one pixel while resetting another pixel in a same period | |
KR101508410B1 (ko) | 거리 화상 센서, 및 촬상 신호를 비행시간법에 의해 생성하는 방법 | |
JP5675468B2 (ja) | 測距システム | |
JP4798254B2 (ja) | 受光デバイス及びその制御方法 | |
JP5635938B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP5576851B2 (ja) | 測距システム及び測距方法 | |
US9025139B2 (en) | Photoelectric conversion element, light receiving device, light receiving system, and distance measuring device | |
JP5675469B2 (ja) | 測距システム | |
JP5657456B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US20210255286A1 (en) | Distance measuring device, camera, and method for adjusting drive of distance measuring device | |
JP2010098260A (ja) | 発光装置、受光システム及び撮像システム | |
JP2003247809A (ja) | 距離情報入力装置 | |
JPWO2020027221A1 (ja) | 撮像装置、それに用いられる固体撮像素子及び撮像方法 | |
JP5829036B2 (ja) | 単位画素の信号加算方法 | |
JP5657516B2 (ja) | 画素駆動装置及び画素駆動方法 | |
US20230194678A1 (en) | Range image acquisition device | |
JP5660959B2 (ja) | 受光装置 | |
US20210159265A1 (en) | Image sensor | |
WO2022137685A1 (ja) | 測距装置、測距方法および位相検出装置 | |
US20240085535A1 (en) | Ranging sensor and ranging module | |
US20230292017A1 (en) | Imaging device | |
JP3979443B2 (ja) | 強度変調光を用いた空間情報の検出装置 | |
JP2017037936A (ja) | 光電変換デバイス、測距装置および情報処理システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131127 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140619 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140708 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140905 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141007 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141017 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5635937 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |