JP2004015291A - 固体撮像装置及びその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】光電変換部から蓄積時間の異なる複数のデータを時間的なずれを含むことなく取り出す。
【解決手段】2次元画素アレイを構成する各画素に光電変換部(フォトゲート部)30を有するCMOSイメージセンサにおいて、フローティングゲート(FG)による信号検出部20を設ける。そして、光電変換部30で発生した光電荷をフローティングゲート下に転送し、信号検出を行った後、その電荷を再び光電変換部へ逆転送することにより、光電荷の蓄積状態を継続したまま、蓄積時間の異なる複数のデータを取り出せるようにした。これにより、フローティングデフュージョンを用いない暗電流の少ない画素構造で、2次元画素アレイの適正な同時多重露光を実現できる。
【選択図】 図1
【解決手段】2次元画素アレイを構成する各画素に光電変換部(フォトゲート部)30を有するCMOSイメージセンサにおいて、フローティングゲート(FG)による信号検出部20を設ける。そして、光電変換部30で発生した光電荷をフローティングゲート下に転送し、信号検出を行った後、その電荷を再び光電変換部へ逆転送することにより、光電荷の蓄積状態を継続したまま、蓄積時間の異なる複数のデータを取り出せるようにした。これにより、フローティングデフュージョンを用いない暗電流の少ない画素構造で、2次元画素アレイの適正な同時多重露光を実現できる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像装置及びその駆動方法に関し、特に蓄積時間の異なる複数のデータを取り出すための構成及び方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、撮像画素の受光部にフォトゲートを用いた固体撮像装置としては、例えば、「「高速非破壊中間撮像CMOSイメージセンサの設計と試作」 Dwi Handoko、川人祥二、田所嘉昭、松澤昭:映像情報メディア学会誌 Vol.55, No.2,pp.264 − 270 (2001)」(以下、文献1という)の「図4」に開示され、その「2.2 双方向多重電荷転送APS」の章に説明された駆動方式を用いるものが知られている。
この構造では、フォトゲートの下で発生した光電荷をフローティングディフュージョンに転送して信号検出を行い、そのフローティングディフュージョンからフォトゲートの方に電荷を逆転送する機構を設けている。
これにより、複数の蓄積時間で画像を取得する必要がある場合、長い方の蓄積時間に対応するデータを取得する際、短い方の蓄積期間に蓄積された光電荷を捨てることなく、蓄積時間を延長する形で電荷を蓄積していくことができる。
このため、複数の蓄積時間を同一のフレームで実現できることになる。なお、この場合、短い方の蓄積時間は、長い方の蓄積時間の一部を切り出したのと同等のものとなる。
【0003】
また、フォトダイオードの信号電荷を読み出す従来の構造としては、米国特許US 6,369,737 B1号の「 Figure 10」(以下、文献2という)に開示されたものが知られている。
図10は、この文献2に開示される回路を示す回路図である。
この回路は、4つの画素を構成するフォトダイオードD0〜D3からMOSトランジスタM1〜M8を介して読み出されたアナログ信号をコンパレータ(M9〜M17、M21)102及びラッチ(M18〜M20)104で構成されるA/D変換器100によってデジタル信号に変換するものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記文献1に係る従来技術では、電荷の検出にフローティングディフュージョンを用いているので、pn接合リーク等の影響により、電荷を検出部に転送した際に信号が劣化してしまうという問題があった。
【0005】
また、上記文献2に係る従来技術では、4つの画素で1つのA/D変換器100を共有すること、及びフレーム内同時シャッタを実現するために、フォトダイオードD0〜D3とA/D変換器100の入力端子との間にスイッチ(M1〜M4)を設けている。
しかし、このようなスイッチを介した信号電荷の読み出しは、破壊読み出しとなるため、1つのフレームで複数の蓄積時間を実現することはできず、複数の蓄積時間によるデータを取得するためには、異なるフレームのデータを用いなければならない。
従って、
(1)複数蓄積時間データの間の時間的なずれが大きい、
(2)1フレームの中で設定できる最長の蓄積時間を、1フレームの長さ一杯に取ることができず、その分感度が落ちる、
という問題があった。
【0006】
そこで本発明の目的は、光電変換部から蓄積時間の異なる複数のデータを時間的なずれを含むことなく取り出すことができる固体撮像装置及びその駆動方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明の固体撮像装置は半導体基板上に形成される複数の画素に、受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、光電変換部によって生成された信号電荷を蓄積する信号検出部と、前記光電変換部の信号電荷を前記信号検出部に転送する転送部と、前記信号検出部で検出された画素信号を出力する読み出し部と、前記信号検出部に設けられたフローティングゲート電極と、前記光電変換部で生成した信号電荷をフローティングゲート電極下に転送して信号検出を行うとともに、前記フローティングゲート電極下に転送された信号電荷を前記フォトゲート型光電変換部に逆転送する制御手段とを有することを特徴とする。
【0008】
また本発明は、固体撮像装置による撮像部を有する電子機器において、前記固体撮像装置が半導体基板上に形成される複数の画素に、受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、光電変換部によって生成された信号電荷をフローティングゲート電極下部に蓄積する信号検出部と、前記光電変換部の信号電荷を前記信号検出部に転送する転送部と、前記信号検出部で検出された画素信号を出力する読み出し部を設けて構成され、前記フォトゲート型光電変換部で生成した信号電荷をフローティングゲート電極下に転送して信号検出を行うとともに、前記フローティングゲート電極下に転送された信号電荷を前記光電変換部に逆転送する制御手段を有することを特徴とする。
【0009】
また本発明は、半導体基板上に形成される複数の画素に、受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、光電変換部によって生成された信号電荷を蓄積する信号検出部と、前記光電変換部の信号電荷を前記信号検出部に転送する転送部と、前記信号検出部で検出された画素信号を出力する読み出し部を設けた固体撮像装置の駆動方法であって、前記信号検出部にフローティングゲート電極を設け、前記光電変換部で生成した信号電荷をフローティングゲート電極下に転送して信号検出を行うとともに、前記フローティングゲート電極下に転送された信号電荷を前記光電変換部に逆転送するようにしたことを特徴とする。
【0010】
本発明の固体撮像装置及びその駆動方法では、光電変換部によって生成された信号電荷を検出するための信号検出部をフローティングゲート電極を含んで構成し、光電変換部で生成した信号電荷をフローティングゲート電極下に転送して信号検出を行うとともに、このフローティングゲート電極下に転送された信号電荷をフォトゲート型光電変換部に逆転送するようにしたことから、信号検出部による信号検出後も光電変換部の電位を保持でき、非破壊状態での信号検出を繰り返し行えるとともに、信号検出部をフローティングデフュージョンで構成する場合に比べて暗電流を抑制できる。
この結果、光電変換部から蓄積時間の異なる複数のデータを時間的なずれを含むことなく取り出すことができ、例えば多重露光による高ダイナミックレンジ画像を容易に撮像することが可能であり、かつ、暗電流によるノイズの発生を低減した撮像画像を得ることができる。
また、このような固体撮像装置が搭載されるカメラ装置や携帯通信端末等の各種電子機器について、撮像機能の向上を図ることができ、製品価値の向上を図ることが可能となる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による固体撮像装置及びその駆動方法の実施の形態例について説明する。
本実施の形態例では、フォトゲート型光電変換部を有するCMOSイメージセンサにおいて、フォトゲートの下で発生した光電荷をフローティングゲート下に転送し、信号検出を行った後、その電荷を再びフォトゲートの下へ逆転送することにより、光電荷の蓄積状態を継続したまま、蓄積時間の異なる複数のデータを取り出せるようにし、フローティングデフュージョンを用いない暗電流の少ない画素構造で、2次元画素アレイの適正な同時多重露光を実現したものである。
【0012】
(第1の実施の形態)
図1は本発明の第1の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例と動作例を示す説明図であり、図1(A)が受光部周辺の素子構造を示し、図1(B)の(1)から(6)が本例のCMOSイメージセンサにおいて同時多重露光動作を行った場合の受光部周辺の状態遷移を示している。
また、図2は図1に示す同時多重露光動作における各信号のタイミングを示すタイミングチャートである。
まず、図1(A)に示すように、本発明の第1の実施の形態によるCMOSイメージセンサは半導体基板10に設けたP型ウェル領域10A中に、フローティングゲート(FG)による信号検出部20、フォトゲート部30、リセット部40、信号転送部50、及び信号読み出し部60等を設けたものである。
【0013】
ここで、信号検出部20は、半導体基板10と上部電極21との間にフローティングゲート電極22を配置したものであり、このフローティングゲート電極22の下層に電荷を蓄積することで、その電位をフローティングゲート電極22から読み出すことにより、蓄積電荷量を検出するものである。
なお、上部電極21には一定のバイアス電圧(VFGB)が印加され、フローティングゲート電極22は、信号読み出し部60のソースフォロア等による増幅トランジスタ61のゲートに接続されている。
また、フォトゲート部30は、半導体基板10に形成したフォトゲートトランジスタのゲート31に光を受光することにより、その光量に応じた電荷をゲートの下層に蓄積するものである。なお、フォトゲート部30のゲート31には、駆動電圧PGが供給されている。
【0014】
また、リセット部40は、フォトゲート部30による蓄積電荷を電源電圧にリセットするものであり、フォトゲート部30に隣接するリセットゲート電極41と、N+型ドレイン領域42とを設けたものである。リセットゲート電極41には、リセットゲートパルスPRSTが入力され、このパルスPRSTによってリセットゲートが開き、フォトゲート部30による蓄積電荷がN+型ドレイン領域42に排出される。
また、信号転送部50は、フォトゲート部30と信号検出部20との間に転送電極51を配置したものであり、この転送電極51に転送ゲートパルスTRを印加することにより、フォトゲート部30と信号検出部(フローティングゲート)20との間で信号電荷の転送及び逆転送を行うようになっている。
また、信号読み出し部60は、上述のように信号検出部20のフローティングゲート電極22の電位変動に対応する電圧信号を出力する増幅トランジスタ61と、読み出し画素選択を行う選択トランジスタ62とを有するものであり、選択パルスSELがオンした時に、増幅トランジスタ61による検出信号を読み出し信号線(垂直信号線)63に出力する。
【0015】
このような素子構造において、フォトゲート部30は駆動電圧PGが“H”のときに、信号電荷をゲート下に蓄積する。そして、この電荷を転送するときは、駆動電圧PGを“L”にする。
一方、信号検出部20は、上部電極21のバイアス電圧(VFGB)によって中間的なポテンシャル(駆動電圧PGの電位が“H”のときと、“L”のときのフォトゲート下のポテンシャルのほぼ中間)にバイアスされている。
したがって、フォトゲート部30の駆動電圧PGを“H”にすると、信号検出部20側に転送した信号電荷をフォトゲート部30に逆転送できる。
【0016】
次に、このような本例のCMOSイメージセンサにおける具体的な動作を図1(B)及び図2を用いて説明する。
(1)まず、フォトゲート部30の駆動電圧PGを“H”とした状態で転送ゲートパルスTRとリセットゲートパルスPRSTを共に“H”にして、フォトゲート部30及び信号検出部20の不要電荷をN+型ドレイン領域42に排出する。この後、リセットゲートパルスPRSTが“L”になった時点から第1の蓄積期間が始まる。
(2)次にフォトゲート部30の駆動電圧PGを“H”に保ち、光電荷をフォトゲート部30の下層領域にためる。
(3)第1の蓄積期間終了時に、転送ゲートパルスTRを“H”にすると共に、駆動電圧PGを“L”にして、フォトゲート部30の下層領域の電荷を信号検出部50に転送する。
(4)信号検出部20に転送された電荷は一時ここに保持される。それと共に、フォトゲート部30のゲート電位は再び“H”となって第2の蓄積期間が開始され、光電荷の蓄積が継続される。
このような(1)〜(4)の動作により、2次元画素アレイのリセット及び露光は全画素同時に行われ、全画素に対する同時シャッタが実現できている。
【0017】
(4)’信号検出部20に保持されている信号電荷は、フローティングゲート電極22を介してシリアルに読み出される。フローティングゲート電極22の下層のチャネル領域にたまっている電荷が多い程、フローティングゲート電極22の電位は低くなるので、これをソースフォロワのゲートに入力してやることで、信号レベルが出力される。
実際には2次元画素アレイの行ごとに選択パルスSELを“H”にし、ソースフォロワの出力を行う。
【0018】
(5)フローティングゲート電極22の信号電位を読み終わったら、転送ゲートパルスTRを“H”にしてフローティングゲート電極22の下層チャネル領域に保持されていた電荷をフォトゲート部30側へ逆転送する。これにより、第1の蓄積期間にためられていた電荷と、第2の蓄積期間で蓄積中の電荷とを加算することになる。
(6)フローティングゲートの電荷をフォトゲート部30に転送し終わったら、フローティングゲートのリセットレベルをチャネルに電荷が無い状態として読み出す。
実際のデータは、上記(4)’の信号レベルと、この無信号状態の差分を取って出力される(CDS(相関二重サンプリング))。電荷の完全転送ができていれば、KTCノイズも除去できている。
この(4)’〜(6)の動作は、読出しのアクセスに合わせて行単位で行うことになるが、蓄積される画像は同時シャッタになっている。なぜならば、これらの動作が終了した時点で、フォトゲート部30に蓄積されている電荷量は、単純に第1の蓄積期間と第2の蓄積期間の光電荷の合計となっており、それぞれは同時シャッタのタイミングで蓄積されているためである。
【0019】
また、第2の蓄積期間終了時にも、同様にしてデータの読出しが行われる。図2は、第2の蓄積期間がこのフレーム最後の蓄積期間となる場合として示されているが、この場合、上記(5)の逆転送の期間に、リセットゲートパルスPRSTも“H”にして、上記(1)と同様に、フォトゲート部30及び信号検出部20の全ての電荷を排出している。必要であれば、引き続き第3の蓄積期間、第4の蓄積期間と続けても良い。
【0020】
なお、以上の説明では、上記(3)の時点でフォトゲート部30の下層の電荷を信号検出部20に転送した後、すぐに第2の蓄積期間を開始するように説明した。しかし、(4)’〜(6)の読出し動作を全ての画素で終了するまでは、フォトゲート部30の下層の電荷を再び信号検出部20に転送することはできない。これは、第2の蓄積期間をデータ読出しのスキャニングにかかる時間よりも短くはできないことを意味する。この問題を解消するため、図2のパルスパターンでは、(4)の期間が開始して、しばらくしてからリセットゲートパルスPRSTを立て、一度フォトゲート部30の下層の電荷をドレイン42に排出している。この動作をすることによって、第2の蓄積時間にデータ読出しのスキャニングよりも短い時間を設定できることになる。
【0021】
(第2の実施の形態)
上述した図2の(1)不要電荷排出の動作では、転送ゲートパルスTRとリセットゲートパルスPRSTを同時に“H”にしているが、この場合、フローティングゲート下のチャネルからドレインまでの電界がなだらかになり、電荷の排出が高速に行えないという懸念がある。
これを解決するためには、電荷排出時のパルスパターンを例えば図3に示すように変更することが有効である。
まず、リセットゲートPRSTを“H”にすると共にフォトゲート部30の駆動電圧PGを“L”にすることにより、フォトゲート部30の下層の電荷をドレイン42に排出する。
その後、フォトゲート部30の駆動電圧PGを“H”にしてから転送ゲートパルスTRを“H”にすることで、フローティングゲート下のチャネルの電荷がフォトゲート部30に転送される。そこで、これを再びドレイン42に掃き出すという動作を行っている。
このようにすれば、常に高い電界で電荷を転送することができる。
【0022】
(第3の実施の形態)
図4は本発明の第3の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例と動作例を示す説明図である。
図4(A)に示す画素構造は、図1に示す例からトランジスタを1つ減らしたものである。
図1に示す回路構成では、画素出力選択のために選択パルスSELを入れる画素選択トランジスタ62を設けていたが、図4に示す回路構成では、フローティングゲート電極22に一定電位を与えていた上部電極21に画素選択トランジスタの役割を兼ねさせている。選択パルスSELによって上部電極21への印加電圧を変化させて画素選択を行う。
なお、動作は図1(B)の例と殆ど同じであり、パルスパターンも図2に示すものと同じである。
【0023】
また、フローティングゲート電極下のポテンシャルは、選択パルスSELが“L”のときに中間的なポテンシャル(駆動電圧PGの電位が“H”のときと、“L”のときのフォトゲート下のポテンシャルのほぼ中間)となるようになっている。
また、画素内の増幅トランジスタ61はソースフォロワ接続の構成になっており、垂直信号線63に現れる電位は、いわゆる Winner Takes Allで決まる。すなわち、全ての行の中で一番高いゲート電位を持つソースフォロワ接続の出力が有効になる。
そこで、データ読出しの時には、選択された行の選択パルスSELのみが“H”となることにより、フローティングゲートの電位を上げる。これにより、選択行のフローティングゲートの電圧レベルが読み出される。また、無信号レベルの読出しも同様である。なお、このような機能を有する回路を Winner Takes All回路というものとする。
【0024】
(第4の実施の形態)
図5は本発明の第4の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例と動作例を示す説明図である。
上述の各実施の形態では、選択パルスSELが二値で変化するように説明したが、図5に示すように、選択パルスSELを三値駆動としてもよい。
この場合、通常は、選択パルスSELはM(中間電位)状態を取っているものとし、そのときのフローティングゲート電極下が中間的なポテンシャル(駆動電圧PGの電位が“H”のときと、“L”のときのフォトゲート下のポテンシャルのほぼ中間)となるようにする。
図5(B)の(1)や(5)のタイミングで示すように、信号検出部20から電荷をフォトゲート部30側に転送するときには、選択パルスSELを“L”にして、フォトゲート部30と信号検出部20との間のポテンシャル勾配を大きくしてやる。また、行読出しの選択時のみでなく、上記(3)のフォトゲート部30から信号検出部20への電荷転送時にも選択パルスSELを“H”にしてやることでフォトゲート部30と信号検出部20との間のポテンシャル勾配を大きくしてやる。これにより、電荷の完全転送の実現が容易になる。
【0025】
(第5の実施の形態)
図6は本発明の第5の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例を示す説明図である。
図6に示す画素構造は、図1(A)の例に対して暗電流等への耐性を強くしたものである。すなわち、不純物拡散の構造を埋込みCCDと同様の埋込みチャネル素子構造とし、n型領域10BによりP型ウェル領域10Aを深い位置に形成することにより、シリコン界面での暗電流リークの影響を避けることができる。
従って、電荷の保持、転送等の時に信号が劣化するのを防ぐことができ、また温度の上昇等によりS/Nが劣化するのを防ぐことができる。
【0026】
(第6の実施の形態)
図7は本発明の第6の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例を示す説明図である。
図7に示す画素構造は、図1(A)の例に対してフローティングゲート電極側にリセットトランジスタ64を追加したものである。
図1(A)の画素構造では、フローティングゲート電極の電位が低くなってしまうと、ソースフォロワトランジスタ61からの出力が正常に行われなくなるという懸念があるが、リセットスイッチ64を入れて、無信号状態の電位を高く設定しておくと、ソースフォロワで出力するレンジを広くすることができる。
すなわち、信号レンジを広げることができる。また、無信号状態の出力を均一にすることができるので、出力回路のばらつきを抑えることも容易になる。
【0027】
(第7、第8の実施の形態)
図8は本発明の第7の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例を示す説明図であり、図9は本発明の第8の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例を示す説明図である。
図8に示す画素構造は、図1(A)の例に対して画素内(複数の画素で共有する構成を含む)にA/D変換器70を設け、検出信号をデジタル出力するようにしたものである。なお、A/D変換器70は、選択パルスSELを入力して起動し、フローティングゲート電極22からのアナログ検出信号をデジタル信号に変換して出力する。
【0028】
また、図9に示す画素構造は、図1(A)の例に対して画素内(複数の画素で共有する構成を含む)にコンパレータ81とラッチ82によるA/D変換器を設け、上記文献2による従来例(図10)に近い構成としたものである。
コンパレータ81には反転入力端子に検出信号が、非反転入力にランプ信号RAMPが入力されている。また、コンパレータ81の負帰還ループにはトランジスタ83が挿入され、PRST信号によって制御される。
また、ラッチ82はDフリップフロップよりなり、コンパレータ81の比較結果がオン、オフするタイミングに応じて、BITXクロック出力のオン、オフを切り換える。したがって、コンパレータ81に入力される画素信号レベルに応じて比較結果のオン、オフタイミングが変動し、それに応じたクロック数がラッチ82より出力される。
【0029】
このような図9の構造では、プリセットゲートパルスPRSTで電荷をドレインに排出するのに合わせて、コンパレータ81に入力するランプ信号RAMPの値をA/D変換レンジの最大値にしておき、フローティングゲート電極22の電位をこの値にリセットする。
このようにすることで、フローティングゲート電極22の電位はコンパレータ81の画素間ばらつきを吸収する形でリセットされる。その後は図1と同様の駆動によりデータを読み出して、上記文献2による従来例と同様にしてA/D変換を行い、その結果を選択パルスSELによって出力すればよい。
【0030】
図8及び図9に示すような構成とすることにより、画素からデジタル信号を出力する構成において以下のことが実現できる。
(1)複数蓄積期間のデータをデータ間の時間的ずれ無く取り出すことができる。
(2)1フレームの中で設定できる最長の蓄積時間を1フレームの長さ一杯に取ることができる。
(3)蓄積される画像は全画素同時シャッタで処理できる。
(4)後段のCDSによりKTCノイズも除去することができる。
(6)電荷の保持、転送等の時に信号が劣化するのを防ぐことができる。
(7)温度の上昇等によりS/Nが劣化するのを防ぐことができる。
また、この構成では、VFGBの上部電極21が無い構造でも同様の動作を期待することができる。
【0031】
以上のように、本実施の形態を適用することによって次のような効果を得ることが可能となる。
(1)蓄積時間が異なる複数のデータを、データ間の時間的なずれを生じることなく取り出すことができる(具体的には、短蓄積時間データは長蓄積時間データの最初の部分を切り出したのと同等なタイミングとなる)。
(2)また、1フレームの中で設定できる最長の蓄積時間を1フレームの長さ一杯に取ることができる。
(3)さらに、蓄積される画像は全画素同時シャッタにできる。
(4)CDSによりKTCノイズも除去することができる。
(5)電荷の保持、転送等の時に信号が劣化するのを防ぐことができる。
(6)温度の上昇等によりS/Nが劣化するのを防ぐことができる。
【0032】
なお、以上は各例はCMOSイメージセンサの場合について説明したが、本発明は類似の素子構造を有する各種の固体撮像装置に適用し得るものである。
また、上述の説明では、CMOSイメージセンサ単体の素子構造及び駆動方法として説明したが、同様の素子構造及び駆動方法を、例えば各種デジタルカメラ装置、携帯通信端末やパソコンといった各種の電子機器の撮像部に適用することにより、これら電子機器の機能の向上に寄与し得るものであり、したがって、上述のような素子構造及び駆動方法を採用した固体撮像装置を有する電子機器についても、本発明の範囲に含まれるものとする。
【0033】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の固体撮像装置及びその駆動方法によれば、光電変換部によって生成された信号電荷を検出するための信号検出部をフローティングゲート電極を含んで構成し、光電変換部からフローティングゲート電極への信号電荷の転送と、フローティングゲート電極から光電変換部への信号電荷の逆転送を可能としたことから、フローティングゲート電極側での信号検出後も信号電荷の逆転送によって型光電変換部の電位を保持でき、非破壊状態での信号検出を繰り返し行えるとともに、信号検出部をフローティングデフュージョンで構成する場合に比べて暗電流を抑制できる。
したがって、光電変換部から蓄積時間の異なる複数のデータを時間的なずれを含むことなく取り出すことができ、例えば多重露光による高ダイナミックレンジ画像を容易に撮像することが可能であり、かつ、暗電流によるノイズの発生を低減した撮像画像を得ることができる。
また、このような固体撮像装置を搭載した電子機器では撮像機能の向上によって製品価値の向上を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例と動作例を示す説明図である。
【図2】図1に示す同時多重露光動作における各信号のタイミングを示すタイミングチャートである。
【図3】本発明の第2の実施の携帯による同時多重露光動作における各信号のタイミングを示すタイミングチャートである。
【図4】本発明の第3の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例と動作例を示す説明図である。
【図5】本発明の第4の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例と動作例を示す説明図である。
【図6】本発明の第5の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例を示す説明図である。
【図7】本発明の第6の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例を示す説明図である。
【図8】本発明の第7の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例を示す説明図である。
【図9】本発明の第8の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例を示す説明図である。
【図10】従来例によるAD変換器の構成例を示す回路図である。
【符号の説明】
10……半導体基板、20……信号検出部、21……上部電極、22……フローティングゲート電極、30……フォトゲート部、40……リセット部、50……信号転送部、60……信号読み出し部、61……増幅トランジスタ、62……選択トランジスタ。
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像装置及びその駆動方法に関し、特に蓄積時間の異なる複数のデータを取り出すための構成及び方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、撮像画素の受光部にフォトゲートを用いた固体撮像装置としては、例えば、「「高速非破壊中間撮像CMOSイメージセンサの設計と試作」 Dwi Handoko、川人祥二、田所嘉昭、松澤昭:映像情報メディア学会誌 Vol.55, No.2,pp.264 − 270 (2001)」(以下、文献1という)の「図4」に開示され、その「2.2 双方向多重電荷転送APS」の章に説明された駆動方式を用いるものが知られている。
この構造では、フォトゲートの下で発生した光電荷をフローティングディフュージョンに転送して信号検出を行い、そのフローティングディフュージョンからフォトゲートの方に電荷を逆転送する機構を設けている。
これにより、複数の蓄積時間で画像を取得する必要がある場合、長い方の蓄積時間に対応するデータを取得する際、短い方の蓄積期間に蓄積された光電荷を捨てることなく、蓄積時間を延長する形で電荷を蓄積していくことができる。
このため、複数の蓄積時間を同一のフレームで実現できることになる。なお、この場合、短い方の蓄積時間は、長い方の蓄積時間の一部を切り出したのと同等のものとなる。
【0003】
また、フォトダイオードの信号電荷を読み出す従来の構造としては、米国特許US 6,369,737 B1号の「 Figure 10」(以下、文献2という)に開示されたものが知られている。
図10は、この文献2に開示される回路を示す回路図である。
この回路は、4つの画素を構成するフォトダイオードD0〜D3からMOSトランジスタM1〜M8を介して読み出されたアナログ信号をコンパレータ(M9〜M17、M21)102及びラッチ(M18〜M20)104で構成されるA/D変換器100によってデジタル信号に変換するものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記文献1に係る従来技術では、電荷の検出にフローティングディフュージョンを用いているので、pn接合リーク等の影響により、電荷を検出部に転送した際に信号が劣化してしまうという問題があった。
【0005】
また、上記文献2に係る従来技術では、4つの画素で1つのA/D変換器100を共有すること、及びフレーム内同時シャッタを実現するために、フォトダイオードD0〜D3とA/D変換器100の入力端子との間にスイッチ(M1〜M4)を設けている。
しかし、このようなスイッチを介した信号電荷の読み出しは、破壊読み出しとなるため、1つのフレームで複数の蓄積時間を実現することはできず、複数の蓄積時間によるデータを取得するためには、異なるフレームのデータを用いなければならない。
従って、
(1)複数蓄積時間データの間の時間的なずれが大きい、
(2)1フレームの中で設定できる最長の蓄積時間を、1フレームの長さ一杯に取ることができず、その分感度が落ちる、
という問題があった。
【0006】
そこで本発明の目的は、光電変換部から蓄積時間の異なる複数のデータを時間的なずれを含むことなく取り出すことができる固体撮像装置及びその駆動方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明の固体撮像装置は半導体基板上に形成される複数の画素に、受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、光電変換部によって生成された信号電荷を蓄積する信号検出部と、前記光電変換部の信号電荷を前記信号検出部に転送する転送部と、前記信号検出部で検出された画素信号を出力する読み出し部と、前記信号検出部に設けられたフローティングゲート電極と、前記光電変換部で生成した信号電荷をフローティングゲート電極下に転送して信号検出を行うとともに、前記フローティングゲート電極下に転送された信号電荷を前記フォトゲート型光電変換部に逆転送する制御手段とを有することを特徴とする。
【0008】
また本発明は、固体撮像装置による撮像部を有する電子機器において、前記固体撮像装置が半導体基板上に形成される複数の画素に、受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、光電変換部によって生成された信号電荷をフローティングゲート電極下部に蓄積する信号検出部と、前記光電変換部の信号電荷を前記信号検出部に転送する転送部と、前記信号検出部で検出された画素信号を出力する読み出し部を設けて構成され、前記フォトゲート型光電変換部で生成した信号電荷をフローティングゲート電極下に転送して信号検出を行うとともに、前記フローティングゲート電極下に転送された信号電荷を前記光電変換部に逆転送する制御手段を有することを特徴とする。
【0009】
また本発明は、半導体基板上に形成される複数の画素に、受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、光電変換部によって生成された信号電荷を蓄積する信号検出部と、前記光電変換部の信号電荷を前記信号検出部に転送する転送部と、前記信号検出部で検出された画素信号を出力する読み出し部を設けた固体撮像装置の駆動方法であって、前記信号検出部にフローティングゲート電極を設け、前記光電変換部で生成した信号電荷をフローティングゲート電極下に転送して信号検出を行うとともに、前記フローティングゲート電極下に転送された信号電荷を前記光電変換部に逆転送するようにしたことを特徴とする。
【0010】
本発明の固体撮像装置及びその駆動方法では、光電変換部によって生成された信号電荷を検出するための信号検出部をフローティングゲート電極を含んで構成し、光電変換部で生成した信号電荷をフローティングゲート電極下に転送して信号検出を行うとともに、このフローティングゲート電極下に転送された信号電荷をフォトゲート型光電変換部に逆転送するようにしたことから、信号検出部による信号検出後も光電変換部の電位を保持でき、非破壊状態での信号検出を繰り返し行えるとともに、信号検出部をフローティングデフュージョンで構成する場合に比べて暗電流を抑制できる。
この結果、光電変換部から蓄積時間の異なる複数のデータを時間的なずれを含むことなく取り出すことができ、例えば多重露光による高ダイナミックレンジ画像を容易に撮像することが可能であり、かつ、暗電流によるノイズの発生を低減した撮像画像を得ることができる。
また、このような固体撮像装置が搭載されるカメラ装置や携帯通信端末等の各種電子機器について、撮像機能の向上を図ることができ、製品価値の向上を図ることが可能となる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による固体撮像装置及びその駆動方法の実施の形態例について説明する。
本実施の形態例では、フォトゲート型光電変換部を有するCMOSイメージセンサにおいて、フォトゲートの下で発生した光電荷をフローティングゲート下に転送し、信号検出を行った後、その電荷を再びフォトゲートの下へ逆転送することにより、光電荷の蓄積状態を継続したまま、蓄積時間の異なる複数のデータを取り出せるようにし、フローティングデフュージョンを用いない暗電流の少ない画素構造で、2次元画素アレイの適正な同時多重露光を実現したものである。
【0012】
(第1の実施の形態)
図1は本発明の第1の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例と動作例を示す説明図であり、図1(A)が受光部周辺の素子構造を示し、図1(B)の(1)から(6)が本例のCMOSイメージセンサにおいて同時多重露光動作を行った場合の受光部周辺の状態遷移を示している。
また、図2は図1に示す同時多重露光動作における各信号のタイミングを示すタイミングチャートである。
まず、図1(A)に示すように、本発明の第1の実施の形態によるCMOSイメージセンサは半導体基板10に設けたP型ウェル領域10A中に、フローティングゲート(FG)による信号検出部20、フォトゲート部30、リセット部40、信号転送部50、及び信号読み出し部60等を設けたものである。
【0013】
ここで、信号検出部20は、半導体基板10と上部電極21との間にフローティングゲート電極22を配置したものであり、このフローティングゲート電極22の下層に電荷を蓄積することで、その電位をフローティングゲート電極22から読み出すことにより、蓄積電荷量を検出するものである。
なお、上部電極21には一定のバイアス電圧(VFGB)が印加され、フローティングゲート電極22は、信号読み出し部60のソースフォロア等による増幅トランジスタ61のゲートに接続されている。
また、フォトゲート部30は、半導体基板10に形成したフォトゲートトランジスタのゲート31に光を受光することにより、その光量に応じた電荷をゲートの下層に蓄積するものである。なお、フォトゲート部30のゲート31には、駆動電圧PGが供給されている。
【0014】
また、リセット部40は、フォトゲート部30による蓄積電荷を電源電圧にリセットするものであり、フォトゲート部30に隣接するリセットゲート電極41と、N+型ドレイン領域42とを設けたものである。リセットゲート電極41には、リセットゲートパルスPRSTが入力され、このパルスPRSTによってリセットゲートが開き、フォトゲート部30による蓄積電荷がN+型ドレイン領域42に排出される。
また、信号転送部50は、フォトゲート部30と信号検出部20との間に転送電極51を配置したものであり、この転送電極51に転送ゲートパルスTRを印加することにより、フォトゲート部30と信号検出部(フローティングゲート)20との間で信号電荷の転送及び逆転送を行うようになっている。
また、信号読み出し部60は、上述のように信号検出部20のフローティングゲート電極22の電位変動に対応する電圧信号を出力する増幅トランジスタ61と、読み出し画素選択を行う選択トランジスタ62とを有するものであり、選択パルスSELがオンした時に、増幅トランジスタ61による検出信号を読み出し信号線(垂直信号線)63に出力する。
【0015】
このような素子構造において、フォトゲート部30は駆動電圧PGが“H”のときに、信号電荷をゲート下に蓄積する。そして、この電荷を転送するときは、駆動電圧PGを“L”にする。
一方、信号検出部20は、上部電極21のバイアス電圧(VFGB)によって中間的なポテンシャル(駆動電圧PGの電位が“H”のときと、“L”のときのフォトゲート下のポテンシャルのほぼ中間)にバイアスされている。
したがって、フォトゲート部30の駆動電圧PGを“H”にすると、信号検出部20側に転送した信号電荷をフォトゲート部30に逆転送できる。
【0016】
次に、このような本例のCMOSイメージセンサにおける具体的な動作を図1(B)及び図2を用いて説明する。
(1)まず、フォトゲート部30の駆動電圧PGを“H”とした状態で転送ゲートパルスTRとリセットゲートパルスPRSTを共に“H”にして、フォトゲート部30及び信号検出部20の不要電荷をN+型ドレイン領域42に排出する。この後、リセットゲートパルスPRSTが“L”になった時点から第1の蓄積期間が始まる。
(2)次にフォトゲート部30の駆動電圧PGを“H”に保ち、光電荷をフォトゲート部30の下層領域にためる。
(3)第1の蓄積期間終了時に、転送ゲートパルスTRを“H”にすると共に、駆動電圧PGを“L”にして、フォトゲート部30の下層領域の電荷を信号検出部50に転送する。
(4)信号検出部20に転送された電荷は一時ここに保持される。それと共に、フォトゲート部30のゲート電位は再び“H”となって第2の蓄積期間が開始され、光電荷の蓄積が継続される。
このような(1)〜(4)の動作により、2次元画素アレイのリセット及び露光は全画素同時に行われ、全画素に対する同時シャッタが実現できている。
【0017】
(4)’信号検出部20に保持されている信号電荷は、フローティングゲート電極22を介してシリアルに読み出される。フローティングゲート電極22の下層のチャネル領域にたまっている電荷が多い程、フローティングゲート電極22の電位は低くなるので、これをソースフォロワのゲートに入力してやることで、信号レベルが出力される。
実際には2次元画素アレイの行ごとに選択パルスSELを“H”にし、ソースフォロワの出力を行う。
【0018】
(5)フローティングゲート電極22の信号電位を読み終わったら、転送ゲートパルスTRを“H”にしてフローティングゲート電極22の下層チャネル領域に保持されていた電荷をフォトゲート部30側へ逆転送する。これにより、第1の蓄積期間にためられていた電荷と、第2の蓄積期間で蓄積中の電荷とを加算することになる。
(6)フローティングゲートの電荷をフォトゲート部30に転送し終わったら、フローティングゲートのリセットレベルをチャネルに電荷が無い状態として読み出す。
実際のデータは、上記(4)’の信号レベルと、この無信号状態の差分を取って出力される(CDS(相関二重サンプリング))。電荷の完全転送ができていれば、KTCノイズも除去できている。
この(4)’〜(6)の動作は、読出しのアクセスに合わせて行単位で行うことになるが、蓄積される画像は同時シャッタになっている。なぜならば、これらの動作が終了した時点で、フォトゲート部30に蓄積されている電荷量は、単純に第1の蓄積期間と第2の蓄積期間の光電荷の合計となっており、それぞれは同時シャッタのタイミングで蓄積されているためである。
【0019】
また、第2の蓄積期間終了時にも、同様にしてデータの読出しが行われる。図2は、第2の蓄積期間がこのフレーム最後の蓄積期間となる場合として示されているが、この場合、上記(5)の逆転送の期間に、リセットゲートパルスPRSTも“H”にして、上記(1)と同様に、フォトゲート部30及び信号検出部20の全ての電荷を排出している。必要であれば、引き続き第3の蓄積期間、第4の蓄積期間と続けても良い。
【0020】
なお、以上の説明では、上記(3)の時点でフォトゲート部30の下層の電荷を信号検出部20に転送した後、すぐに第2の蓄積期間を開始するように説明した。しかし、(4)’〜(6)の読出し動作を全ての画素で終了するまでは、フォトゲート部30の下層の電荷を再び信号検出部20に転送することはできない。これは、第2の蓄積期間をデータ読出しのスキャニングにかかる時間よりも短くはできないことを意味する。この問題を解消するため、図2のパルスパターンでは、(4)の期間が開始して、しばらくしてからリセットゲートパルスPRSTを立て、一度フォトゲート部30の下層の電荷をドレイン42に排出している。この動作をすることによって、第2の蓄積時間にデータ読出しのスキャニングよりも短い時間を設定できることになる。
【0021】
(第2の実施の形態)
上述した図2の(1)不要電荷排出の動作では、転送ゲートパルスTRとリセットゲートパルスPRSTを同時に“H”にしているが、この場合、フローティングゲート下のチャネルからドレインまでの電界がなだらかになり、電荷の排出が高速に行えないという懸念がある。
これを解決するためには、電荷排出時のパルスパターンを例えば図3に示すように変更することが有効である。
まず、リセットゲートPRSTを“H”にすると共にフォトゲート部30の駆動電圧PGを“L”にすることにより、フォトゲート部30の下層の電荷をドレイン42に排出する。
その後、フォトゲート部30の駆動電圧PGを“H”にしてから転送ゲートパルスTRを“H”にすることで、フローティングゲート下のチャネルの電荷がフォトゲート部30に転送される。そこで、これを再びドレイン42に掃き出すという動作を行っている。
このようにすれば、常に高い電界で電荷を転送することができる。
【0022】
(第3の実施の形態)
図4は本発明の第3の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例と動作例を示す説明図である。
図4(A)に示す画素構造は、図1に示す例からトランジスタを1つ減らしたものである。
図1に示す回路構成では、画素出力選択のために選択パルスSELを入れる画素選択トランジスタ62を設けていたが、図4に示す回路構成では、フローティングゲート電極22に一定電位を与えていた上部電極21に画素選択トランジスタの役割を兼ねさせている。選択パルスSELによって上部電極21への印加電圧を変化させて画素選択を行う。
なお、動作は図1(B)の例と殆ど同じであり、パルスパターンも図2に示すものと同じである。
【0023】
また、フローティングゲート電極下のポテンシャルは、選択パルスSELが“L”のときに中間的なポテンシャル(駆動電圧PGの電位が“H”のときと、“L”のときのフォトゲート下のポテンシャルのほぼ中間)となるようになっている。
また、画素内の増幅トランジスタ61はソースフォロワ接続の構成になっており、垂直信号線63に現れる電位は、いわゆる Winner Takes Allで決まる。すなわち、全ての行の中で一番高いゲート電位を持つソースフォロワ接続の出力が有効になる。
そこで、データ読出しの時には、選択された行の選択パルスSELのみが“H”となることにより、フローティングゲートの電位を上げる。これにより、選択行のフローティングゲートの電圧レベルが読み出される。また、無信号レベルの読出しも同様である。なお、このような機能を有する回路を Winner Takes All回路というものとする。
【0024】
(第4の実施の形態)
図5は本発明の第4の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例と動作例を示す説明図である。
上述の各実施の形態では、選択パルスSELが二値で変化するように説明したが、図5に示すように、選択パルスSELを三値駆動としてもよい。
この場合、通常は、選択パルスSELはM(中間電位)状態を取っているものとし、そのときのフローティングゲート電極下が中間的なポテンシャル(駆動電圧PGの電位が“H”のときと、“L”のときのフォトゲート下のポテンシャルのほぼ中間)となるようにする。
図5(B)の(1)や(5)のタイミングで示すように、信号検出部20から電荷をフォトゲート部30側に転送するときには、選択パルスSELを“L”にして、フォトゲート部30と信号検出部20との間のポテンシャル勾配を大きくしてやる。また、行読出しの選択時のみでなく、上記(3)のフォトゲート部30から信号検出部20への電荷転送時にも選択パルスSELを“H”にしてやることでフォトゲート部30と信号検出部20との間のポテンシャル勾配を大きくしてやる。これにより、電荷の完全転送の実現が容易になる。
【0025】
(第5の実施の形態)
図6は本発明の第5の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例を示す説明図である。
図6に示す画素構造は、図1(A)の例に対して暗電流等への耐性を強くしたものである。すなわち、不純物拡散の構造を埋込みCCDと同様の埋込みチャネル素子構造とし、n型領域10BによりP型ウェル領域10Aを深い位置に形成することにより、シリコン界面での暗電流リークの影響を避けることができる。
従って、電荷の保持、転送等の時に信号が劣化するのを防ぐことができ、また温度の上昇等によりS/Nが劣化するのを防ぐことができる。
【0026】
(第6の実施の形態)
図7は本発明の第6の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例を示す説明図である。
図7に示す画素構造は、図1(A)の例に対してフローティングゲート電極側にリセットトランジスタ64を追加したものである。
図1(A)の画素構造では、フローティングゲート電極の電位が低くなってしまうと、ソースフォロワトランジスタ61からの出力が正常に行われなくなるという懸念があるが、リセットスイッチ64を入れて、無信号状態の電位を高く設定しておくと、ソースフォロワで出力するレンジを広くすることができる。
すなわち、信号レンジを広げることができる。また、無信号状態の出力を均一にすることができるので、出力回路のばらつきを抑えることも容易になる。
【0027】
(第7、第8の実施の形態)
図8は本発明の第7の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例を示す説明図であり、図9は本発明の第8の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例を示す説明図である。
図8に示す画素構造は、図1(A)の例に対して画素内(複数の画素で共有する構成を含む)にA/D変換器70を設け、検出信号をデジタル出力するようにしたものである。なお、A/D変換器70は、選択パルスSELを入力して起動し、フローティングゲート電極22からのアナログ検出信号をデジタル信号に変換して出力する。
【0028】
また、図9に示す画素構造は、図1(A)の例に対して画素内(複数の画素で共有する構成を含む)にコンパレータ81とラッチ82によるA/D変換器を設け、上記文献2による従来例(図10)に近い構成としたものである。
コンパレータ81には反転入力端子に検出信号が、非反転入力にランプ信号RAMPが入力されている。また、コンパレータ81の負帰還ループにはトランジスタ83が挿入され、PRST信号によって制御される。
また、ラッチ82はDフリップフロップよりなり、コンパレータ81の比較結果がオン、オフするタイミングに応じて、BITXクロック出力のオン、オフを切り換える。したがって、コンパレータ81に入力される画素信号レベルに応じて比較結果のオン、オフタイミングが変動し、それに応じたクロック数がラッチ82より出力される。
【0029】
このような図9の構造では、プリセットゲートパルスPRSTで電荷をドレインに排出するのに合わせて、コンパレータ81に入力するランプ信号RAMPの値をA/D変換レンジの最大値にしておき、フローティングゲート電極22の電位をこの値にリセットする。
このようにすることで、フローティングゲート電極22の電位はコンパレータ81の画素間ばらつきを吸収する形でリセットされる。その後は図1と同様の駆動によりデータを読み出して、上記文献2による従来例と同様にしてA/D変換を行い、その結果を選択パルスSELによって出力すればよい。
【0030】
図8及び図9に示すような構成とすることにより、画素からデジタル信号を出力する構成において以下のことが実現できる。
(1)複数蓄積期間のデータをデータ間の時間的ずれ無く取り出すことができる。
(2)1フレームの中で設定できる最長の蓄積時間を1フレームの長さ一杯に取ることができる。
(3)蓄積される画像は全画素同時シャッタで処理できる。
(4)後段のCDSによりKTCノイズも除去することができる。
(6)電荷の保持、転送等の時に信号が劣化するのを防ぐことができる。
(7)温度の上昇等によりS/Nが劣化するのを防ぐことができる。
また、この構成では、VFGBの上部電極21が無い構造でも同様の動作を期待することができる。
【0031】
以上のように、本実施の形態を適用することによって次のような効果を得ることが可能となる。
(1)蓄積時間が異なる複数のデータを、データ間の時間的なずれを生じることなく取り出すことができる(具体的には、短蓄積時間データは長蓄積時間データの最初の部分を切り出したのと同等なタイミングとなる)。
(2)また、1フレームの中で設定できる最長の蓄積時間を1フレームの長さ一杯に取ることができる。
(3)さらに、蓄積される画像は全画素同時シャッタにできる。
(4)CDSによりKTCノイズも除去することができる。
(5)電荷の保持、転送等の時に信号が劣化するのを防ぐことができる。
(6)温度の上昇等によりS/Nが劣化するのを防ぐことができる。
【0032】
なお、以上は各例はCMOSイメージセンサの場合について説明したが、本発明は類似の素子構造を有する各種の固体撮像装置に適用し得るものである。
また、上述の説明では、CMOSイメージセンサ単体の素子構造及び駆動方法として説明したが、同様の素子構造及び駆動方法を、例えば各種デジタルカメラ装置、携帯通信端末やパソコンといった各種の電子機器の撮像部に適用することにより、これら電子機器の機能の向上に寄与し得るものであり、したがって、上述のような素子構造及び駆動方法を採用した固体撮像装置を有する電子機器についても、本発明の範囲に含まれるものとする。
【0033】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の固体撮像装置及びその駆動方法によれば、光電変換部によって生成された信号電荷を検出するための信号検出部をフローティングゲート電極を含んで構成し、光電変換部からフローティングゲート電極への信号電荷の転送と、フローティングゲート電極から光電変換部への信号電荷の逆転送を可能としたことから、フローティングゲート電極側での信号検出後も信号電荷の逆転送によって型光電変換部の電位を保持でき、非破壊状態での信号検出を繰り返し行えるとともに、信号検出部をフローティングデフュージョンで構成する場合に比べて暗電流を抑制できる。
したがって、光電変換部から蓄積時間の異なる複数のデータを時間的なずれを含むことなく取り出すことができ、例えば多重露光による高ダイナミックレンジ画像を容易に撮像することが可能であり、かつ、暗電流によるノイズの発生を低減した撮像画像を得ることができる。
また、このような固体撮像装置を搭載した電子機器では撮像機能の向上によって製品価値の向上を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例と動作例を示す説明図である。
【図2】図1に示す同時多重露光動作における各信号のタイミングを示すタイミングチャートである。
【図3】本発明の第2の実施の携帯による同時多重露光動作における各信号のタイミングを示すタイミングチャートである。
【図4】本発明の第3の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例と動作例を示す説明図である。
【図5】本発明の第4の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例と動作例を示す説明図である。
【図6】本発明の第5の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例を示す説明図である。
【図7】本発明の第6の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例を示す説明図である。
【図8】本発明の第7の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例を示す説明図である。
【図9】本発明の第8の実施の形態によるCMOSイメージセンサの構成例を示す説明図である。
【図10】従来例によるAD変換器の構成例を示す回路図である。
【符号の説明】
10……半導体基板、20……信号検出部、21……上部電極、22……フローティングゲート電極、30……フォトゲート部、40……リセット部、50……信号転送部、60……信号読み出し部、61……増幅トランジスタ、62……選択トランジスタ。
Claims (18)
- 半導体基板上に形成される複数の画素に、受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、該光電変換部によって生成された信号電荷を蓄積する信号検出部と、前記光電変換部の信号電荷を前記信号検出部に転送する転送部と、前記信号検出部で検出された画素信号を出力する読み出し部と、
前記信号検出部に設けられたフローティングゲート電極と、
前記光電変換部で生成した信号電荷をフローティングゲート電極下に転送して信号検出を行うとともに、前記フローティングゲート電極下に転送された信号電荷を前記フォトゲート型光電変換部に逆転送する制御手段とを有する、
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記読み出し部は、前記フローティングゲート電極の電位を検出する増幅器を含むことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記読み出し部は、前記フローティングゲート電極の電位を検出するA/D変換器を含むことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記画素に前記光電変換部の信号電荷をリセットするリセット部を設けたことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記信号検出部は、前記フローティングゲート電極の上層に定電位を印加した上部電極を有することを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記読み出し部に、前記上部電極に画素選択パルスを印加させることによって構成される画素選択スイッチを設けたことを特徴とする請求項5記載の固体撮像装置。
- 前記読み出し部にトランジスタのソースフォロワ接続によるWinner Takes All 回路を設けたことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記画素の半導体基板内拡散構造を埋込みチャネル素子構造としたことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記フローティングゲート電極にリセットスイッチを接続したことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 固体撮像装置による撮像部を有する電子機器において、
前記固体撮像装置が半導体基板上に形成される複数の画素に、受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、該光電変換部によって生成された信号電荷をフローティングゲート電極下部に蓄積する信号検出部と、前記光電変換部の信号電荷を前記信号検出部に転送する転送部と、前記信号検出部で検出された画素信号を出力する読み出し部を設けて構成され、
前記光電変換部で生成した信号電荷をフローティングゲート電極下に転送して信号検出を行うとともに、前記フローティングゲート電極下に転送された信号電荷を前記フォトゲート型光電変換部に逆転送する制御手段を有する、
ことを特徴とする電子機器。 - 半導体基板上に形成される複数の画素に、受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、該光電変換部によって生成された信号電荷を蓄積する信号検出部と、前記光電変換部の信号電荷を前記信号検出部に転送する転送部と、前記信号検出部で検出された画素信号を出力する読み出し部を設けた固体撮像装置の駆動方法であって、
前記信号検出部にフローティングゲート電極を設け、
前記フォトゲート型光電変換部で生成した信号電荷をフローティングゲート電極下に転送して信号検出を行うとともに、前記フローティングゲート電極下に転送された信号電荷を前記フォトゲート型光電変換部に逆転送するようにした、
ことを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。 - 前記フローティングゲート電極の電位を増幅器によって検出することを特徴とする請求項11記載の固体撮像装置の駆動方法。
- 前記フローティングゲート電極の電位をA/D変換器によって検出することを特徴とする請求項11記載の固体撮像装置の駆動方法。
- 前記画素にリセット部を設けて前記フォトゲート型光電変換部の信号電荷を周期的にリセットすることを特徴とする請求項11記載の固体撮像装置の駆動方法。
- 前記フローティングゲート電極の上層に定電位を印加した上部電極を設けて前記フローティングゲート電極のポテンシャルを制御することを特徴とする請求項11記載の固体撮像装置の駆動方法。
- 前記上部電極に画素選択パルスを印加させることによって画素選択を行うことを特徴とする請求項15記載の固体撮像装置の駆動方法。
- トランジスタのソースフォロワ接続による Winner Takes All回路によって画素選択を行うことを特徴とする請求項11記載の固体撮像装置の駆動方法。
- 前記フローティングゲート電極をリセットスイッチによってリセットすることにより、無信号状態の電位を制御することを特徴とする請求項11記載の固体撮像装置の駆動方法。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1677356A1 (en) * | 2005-01-04 | 2006-07-05 | Dialog Semiconductor GmbH | Self-adjusting gate APS |
JP2009524283A (ja) * | 2006-01-13 | 2009-06-25 | マイクロン テクノロジー, インク. | 撮像装置中の電気的な安定化のために画素格納ゲートの電荷の感知を提供する方法と装置 |
US7643075B2 (en) | 2004-12-07 | 2010-01-05 | Seiko Epson Corporation | Image pickup device |
EP2262226A1 (en) | 2009-06-05 | 2010-12-15 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of driving the same, and electronic system including the device |
JP2011023872A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Honda Motor Co Ltd | 撮像装置、露光量調節方法 |
JP2012217059A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Honda Motor Co Ltd | 固体撮像装置 |
JP2013251713A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Canon Inc | 撮像装置、撮像システム、撮像装置の駆動方法 |
US9018573B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-04-28 | Honda Motor Co., Ltd. | Solid-state image sensing device with a change-over switch |
US9054014B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-06-09 | Honda Motor Co., Ltd. | Unit pixel for accurately removing reset noise, solid-state image sensing device, and method for summing unit pixel signals |
WO2019013184A1 (ja) | 2017-07-13 | 2019-01-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置及びカメラ |
CN111541853A (zh) * | 2020-05-09 | 2020-08-14 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种基于通道分离的大面阵彩色cmos图像传感器辐照后暗电流评估方法 |
-
2002
- 2002-06-05 JP JP2002164116A patent/JP2004015291A/ja active Pending
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7247898B2 (en) | 2004-06-15 | 2007-07-24 | Dialog Imaging Systems Gmbh | Self adjusting transfer gate APS |
US7643075B2 (en) | 2004-12-07 | 2010-01-05 | Seiko Epson Corporation | Image pickup device |
EP1677356A1 (en) * | 2005-01-04 | 2006-07-05 | Dialog Semiconductor GmbH | Self-adjusting gate APS |
US8488036B2 (en) | 2006-01-13 | 2013-07-16 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus providing pixel storage gate charge sensing for electronic stabilization in imagers |
JP2009524283A (ja) * | 2006-01-13 | 2009-06-25 | マイクロン テクノロジー, インク. | 撮像装置中の電気的な安定化のために画素格納ゲートの電荷の感知を提供する方法と装置 |
US9554071B2 (en) | 2006-01-13 | 2017-01-24 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus providing pixel storage gate charge sensing for electronic stabilization in imagers |
EP2262226A1 (en) | 2009-06-05 | 2010-12-15 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of driving the same, and electronic system including the device |
JP2011023872A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Honda Motor Co Ltd | 撮像装置、露光量調節方法 |
JP2012217059A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Honda Motor Co Ltd | 固体撮像装置 |
US9018573B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-04-28 | Honda Motor Co., Ltd. | Solid-state image sensing device with a change-over switch |
US9054014B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-06-09 | Honda Motor Co., Ltd. | Unit pixel for accurately removing reset noise, solid-state image sensing device, and method for summing unit pixel signals |
JP2013251713A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Canon Inc | 撮像装置、撮像システム、撮像装置の駆動方法 |
US9386251B2 (en) | 2012-05-31 | 2016-07-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device, image pickup system, and method of driving image pickup device in which comparison start times are controlled |
WO2019013184A1 (ja) | 2017-07-13 | 2019-01-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置及びカメラ |
US10785420B2 (en) | 2017-07-13 | 2020-09-22 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device and camera for minimizing a digital gain value to be multiplied and suppressing noise |
CN111541853A (zh) * | 2020-05-09 | 2020-08-14 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种基于通道分离的大面阵彩色cmos图像传感器辐照后暗电流评估方法 |
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