JP2012211314A - 半導体ウエハ等加工用粘着テープ - Google Patents

Abstract

【課題】安定して帯電を抑制することができる半導体ウエハ等加工用粘着テープを提供する。
【解決手段】半導体ウエハ等加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１００は、基層２００と、粘着層３００とを備える。粘着層３００は、基層２００上に形成される。また、粘着層３００は、該粘着層３００を硬化させる硬化成分を含有する。基層２００は、主に、樹脂から成る。樹脂には、高分子型帯電防止剤が練り込まれている。高分子型帯電防止剤のＭＦＲが、ＪＩＳ Ｋ７２１０に準拠して１９０℃、２１．１８Ｎの測定条件で測定したとき、１０．０ｇ／１０ｍｉｎ以上１５．０ｇ／１０ｍｉｎ以下である。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウエハ等加工用粘着テープに関する。

従前から、半導体ウエハやパッケージ品のダイシング加工に用いられる半導体ウエハ等の加工用粘着テープ（以下、「ダイシングテープ」という）が種々提案されている。一般に、ダイシングテープでは基層上に粘着層が形成されており、この粘着層により半導体ウエハ等が固定される。半導体ウエハ等のダイシング加工後、半導体チップを容易にピックアップすることができるように、粘着層には通常、光硬化型樹脂、光重合開始剤、および架橋剤などが添加されている。つまり、ダイシング加工後、粘着層に光が照射されると、これらの成分が硬化して粘着層の粘着性が低下し、半導体チップのピックアップが容易となる。

ところで、半導体チップ等の製造工程において、ダイシングテープが帯電すると、製品破壊または作業上の不具合が発生するという問題がある。例えば、セパレータをダイシングテープから剥離するときや、ダイシング時のブレードとダイシングテープとが接触したときにダイシングテープが帯電しやすい。また、ダイシング後にダイシングテープを吸着テーブルから取り外すときや、チップまたはパッケージをピックアップするときにダイシングテープが帯電することもある。

そこで、例えば、特許文献１には、基材層の片面に粘着層を有し、他方の面に摩擦低減剤を含有する帯電防止層を有するダイシングテープが開示されている。このダイシングテープは、帯電防止層によって帯電を抑制することができる。

特開２００７−９９９８４号公報

しかし、外部に露出する層である帯電防止層は、機械などと接触して擦れることにより、基材層から剥離するおそれがある。そのため、上記のダイシングテープでは、安定して帯電を抑制することができないおそれがある。

本発明の目的は、安定して帯電を抑制することができる半導体ウエハ等加工用粘着テープを提供することである。

（１） 本発明に係る半導体ウエハ等加工用粘着テープは、基層と、粘着層とを備える。粘着層は、基層上に形成される。また、粘着層は、該粘着層を硬化させる硬化成分を含有する。基層は、主に、樹脂から成る。樹脂には、高分子型帯電防止剤が練り込まれ、分散している。高分子型帯電防止剤のＭＦＲが、ＪＩＳ Ｋ７２１０に準拠して１９０℃、２１．１８Ｎの測定条件で測定したとき、１０．０ｇ／１０ｍｉｎ以上１５．０ｇ／１０ｍｉｎ以下である。

この高分子型帯電防止剤は、樹脂に練り込まれ、基層中に分散している。そのため、基層が機械などと接触して擦れても、基層から高分子型帯電防止剤が脱落しにくい。よって、この半導体ウエハ等加工用粘着テープは、安定して帯電を抑制することができる。さらに、この高分子型帯電防止剤は、高分子型ではない従来の帯電防止剤に比べて、帯電防止効果を発現する分子鎖が長い。そのため、この半導体ウエハ等加工用粘着テープは、良好な帯電防止性能を有する。

高分子型帯電防止剤のＭＦＲの値が１０．０ｇ／１０ｍｉｎ以上である半導体ウエハ等加工用粘着テープは、加工性の低下を抑制することができることが明らかとなった。また、高分子型帯電防止剤のＭＦＲの値が１５．０ｇ／１０ｍｉｎ以下である半導体ウエハ等加工用粘着テープは、粘着層の粘着力の低下を抑制することができる。

（２） 上述（１）の半導体ウエハ等加工用粘着テープでは、印加電圧±５０００Ｖにおける１％減衰時間が０．１５秒以内であることが好ましい。

この半導体ウエハ等加工用粘着テープの印加電圧±５０００Ｖにおける１％減衰時間は、０．１５秒以内である。１％減衰時間とは、半導体ウエハ等加工用粘着テープの電圧が５０００Ｖから５０Ｖまで減衰するのにかかる時間、または−５０００Ｖから−５０Ｖまで減衰するのにかかる時間をいう。この半導体ウエハ等加工用粘着テープは、従来の半導体ウエハ等加工用粘着テープに比べて減衰時間が短くなりやすい。そのため、この半導体ウエハ等加工用粘着テープは、帯電をより抑制することができる。

（３） 上述（１）または（２）の半導体ウエハ等加工用粘着テープでは、高分子型帯電防止剤の融点は、１４０℃以上であることが好ましい。

この高分子型帯電防止剤は、従来の高分子型帯電防止剤に比べて融点が高い。この高分子型帯電防止剤によって、基層の溶融粘度が高くなることで基層の押出加工性が良好となる。さらに、低分子量成分のブリードまたは汚染の発生を抑制する。

（４）上述（１）〜（３）の半導体ウエハ等加工用粘着テープでは、樹脂がポリプロピレンとエラストマーとの混合物であることが好ましい。

（５）上述（１）〜（３）の半導体ウエハ等加工用粘着テープでは、樹脂が、ポリエチレンとエラストマーとの混合物であることが好ましい。

（６）上述（１）〜（５）の半導体ウエハ等加工用粘着テープでは、高分子型帯電防止剤に対して重量比率で、カチオンを１００ｐｐｍ以下およびアニオンを１００ｐｐｍ以下含有することが好ましい。

本発明に係る半導体ウエハ等加工用粘着テープは、安定して帯電を抑制することができる。

本発明の一実施形態に係るダイシングテープの断面図である。

図１に示されるように、本発明の一実施形態に係る半導体ウエハ等加工用粘着テープ（以下、「ダイシングテープ」という）１００は、主に、基層２００および粘着層３００から構成される。以下、基層２００および粘着層３００について、それぞれ詳しく説明する。

＜基層＞
基層２００は、主に、高分子型帯電防止剤が練り込まれた材料樹脂から成る。この基層２００は、粘着層３００を支持する役目を担っている。また、この基層２００は、ダイシング工程後に実施されるエキスパンド工程において、引延しに耐え得るだけの強度を有する。エキスパンド工程とは、ダイシングテープ１００を引き伸ばし、チップ間隔を拡張する工程である。このエキスパンド工程の目的は、ピックアップの際にチップの認識性を高めること、および隣接するチップ同士の接触によるデバイスの破損を防止することである。

材料樹脂は、通常のフィルム成形方法によってフィルムに成形される。この材料樹脂として、光（可視光線、近赤外線、紫外線、Ｘ線、電子線など）を透過するものであれば特に限定されず、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、エチレン・酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリアルキレンテレフタレート系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物が用いられる。

特に、材料樹脂として、高分子型帯電防止剤との相性から、ポリプロピレンとエラストマーとの混合物、またはポリエチレンとエラストマーとの混合物が用いられることが好ましい。ポリプロピレンとエラストマーとの混合物、またはポリエチレンとエラストマーとの混合物は、ダイシングテープに特に優れた伸びを与え、エキスパンド工程時の破断を抑える効果が高いため、特に好適に用いられる。また、ポリプロピレンとエラストマーとの混合物、またはポリエチレンとエラストマーとの混合物を用いたダイシングテープは、耐熱性に優れ、８０℃などの環境下においても溶融しにくく、かつ高温保管（６０℃、３日程度）後でも、基層が切れにくい。
また、このエラストマーとして、一般式（１）で示されるポリスチレンセグメントと一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンセグメントとから成るブロック共重合体が好ましい。

（式（１）中、ｎは２以上の整数）

（式（２）中、ｎは２以上の整数）

高分子型帯電防止剤は、該高分子型帯電防止剤に対して重量比率で、カチオンを１００ｐｐｍ以下含有し、かつ、アニオンを１００ｐｐｍ以下含有するポリエーテル／ポリオレフィンブロックポリマー等である。なお、高分子型帯電防止剤は、該高分子型帯電防止剤に対して重量比率で、カチオンを９０ｐｐｍ以下含有し、かつ、アニオンを９０ｐｐｍ以下含有することが好ましく、カチオンを８０ｐｐｍ以下含有し、かつ、アニオンを８０ｐｐｍ以下含有することがより好ましい。高分子型帯電防止剤は、該高分子型帯電防止剤に対して重量比率で、カチオンを１００ｐｐｍ以下含有し、かつ、アニオンを１００ｐｐｍ以下含有するとき、粘着層３００は高分子型帯電防止剤のイオンによって汚染されにくい。また、カチオンを１００ｐｐｍ以下含有し、かつ、アニオンを１００ｐｐｍ以下含有することにより、半導体での回路不良が低減され、輸送等における高温保管時の粘着力が安定する。この高分子型帯電防止剤には、従来の高分子型帯電防止剤と比べてイオンの溶出が少ない低イオン溶出タイプ、または実質的にイオンが溶出しないイオンフリータイプがある。高分子型帯電防止剤に含有されるカチオンは、ナトリウムイオン、カリウムイオン等であり、アニオンは、硫酸イオン等である。

高分子型帯電防止剤のメルトマスフローレート（以下、「ＭＦＲ」という）は、ＪＩＳ Ｋ７２１０に準拠して１９０℃、２１．１８Ｎの測定条件で測定したとき、１０．０ｇ／１０ｍｉｎ以上１５．０ｇ／１０ｍｉｎ以下であることが好ましく、１２．０ｇ／１０ｍｉｎ以上１４．０ｇ／１０ｍｉｎ以下であることがより好ましい。高分子型帯電防止剤のＭＦＲは１０．０ｇ／１０ｍｉｎ以上１５．０ｇ／１０ｍｉｎ以下であるとき、ダイシングテープ１００の加工性の低下が抑制され、かつ、粘着層３００の粘着力の低下が抑制される。高分子型帯電防止剤の融点は、１４０℃以上であることが好ましく、１５０℃以上であることがより好ましく、１６０℃以上であることがさらに好ましい。高分子型帯電防止剤の融点は１４０℃以上であるとき、基層２００の押出加工性が良好となる。

基層２００の厚みは、特に限定されないが、５０μｍ以上３００μｍ以下であるのが好ましく、８０μｍ以上２００μｍ以下であるのがより好ましい。基層２００の厚みが５０μｍ以上３００μｍ以下であるとき、ダイシングテープ１００はダイシング工程またはエキスパンド工程における作業性に優れる。

基層２００の製法として、特に限定されないが、カレンダー法、押出成形法などの一般的な成形方法が用いられる。基層２００の表面には、粘着層３００を構成する材料と反応する官能基、例えば、ヒドロキシル基またはアミノ基などが露出していることが好ましい。また、基層２００と粘着層３００との密着性を向上するために、基層２００の表面をコロナ処理またはアンカーコート等で表面処理しておくのが好ましい。

＜粘着層＞
粘着層３００は、ダイシング工程において半導体ウエハ等を粘着して支持する役目を担っている。この粘着層３００は、ダイシング工程後、光が照射されると、半導体ウエハ等の切断片を容易に剥離させることができる状態となる。なお、使用前のダイシングテープ１００では、通常、粘着層３００が離型フィルムで保護されている。

粘着層３００は、基層２００の片側の面上に形成されている（図１参照）。なお、粘着層３００の材料である樹脂溶液は、通常、ダイコート、カーテンダイコート、グラビアコート、コンマコート、バーコート、またはリップコート等の塗布方法により基層２００に塗布される。乾燥後の粘着層３００の厚みは、特に限定されないが、５μｍ以上３０μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以上２０μｍ以下であるのがより好ましい。乾燥後の粘着層３００の厚みは５μｍ以上３０μｍ以下であるとき、粘着層３００は、良好な粘着力を有し、かつ、紫外線または電子線などを照射された後では、良好な剥離性を有する。

粘着層３００は、主に、ベース樹脂、および粘着層３００を硬化させる硬化成分から構成されている。なお、この粘着層３００には、任意成分として、帯電防止剤、および粘着付与剤などが含まれていてもよい。以下、各成分についてそれぞれ詳述する。

（１）ベース樹脂
ベース樹脂としては、アクリル系樹脂、シリコン系樹脂またはウレタン系樹脂等の粘着層成分として用いられる公知のものを用いることができるが、耐熱性およびコストの観点からアクリル系樹脂を用いることが好ましい。

（２）硬化成分
硬化成分は、例えば、光が照射されると硬化する。この硬化によってベース樹脂が硬化成分の架橋構造に取り込まれた結果、粘着層３００の粘着力が低下する。このような硬化成分として、例えば、紫外線、電子線などのエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が用いられる。具体的に、硬化成分として、特に限定されないが、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート等、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート（オリゴマー）等が用いられる。なお、これらの中でもウレタンアクリレートが好ましい。

また、硬化成分には、特に限定されないが、重量平均分子量の異なる２つ以上の硬化成分が混合されているのが好ましい。このような硬化成分を利用すれば、光照射による樹脂の架橋度を制御し、ピックアップ性を向上させることができるからである。また、このような硬化成分として、例えば、第１の硬化成分と、第１の硬化成分よりも重量平均分子量が大きい第２の硬化成分との混合物などが用いられてもよい。

さらに、硬化成分には、光重合開始剤、架橋剤などが含まれていてもよい。光重合開始剤は、硬化成分の重合開始を容易とするために添加される。光重合開始剤として、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン等が挙げられる。

硬化成分は、ベース樹脂１００重量部に対して２０重量部以上２００重量部以下で配合されることが好ましく、５０重量部以上１５０重量部以下で配合されることがさらに好ましい。上記のように硬化成分の配合量を調整することによって、ダイシングテープ１００のピックアップ性は好適なものとなる。

架橋剤として、例えば、エポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤などが挙げられる。これらの中でもイソシアネート系架橋剤が好ましい。

イソシアネート系架橋剤として、特に限定されないが、例えば、多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体、ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類などで封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物などが挙げられる。

多価イソシアネートとして、例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート等が用いられる。これらの中でも２，４−トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート及びヘキサメチレンジイソシアネートから成る群より選択される少なくとも１種の多価イソシアネートが好ましい。

架橋剤は、ベース樹脂１００重量部に対して５重量部以上５０重量部以下で配合されることが好ましい。上記のように架橋剤の配合量を調整することによって、ダイシングテープ１００のピックアップ性は好適なものとなる。

（３）帯電防止剤
帯電防止剤として、特に限定されないが、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両イオン性界面活性剤などの界面活性剤が用いられる。また、温度依存性を示さない帯電防止剤として、例えば、カーボンブラック、銀、ニッケル、アンチモンドープスズ酸化物、スズドープインジウム酸化物などの粉体が用いられる。これらの中でも、カーボンブラック、銀、アンチモンドープスズ酸化物、スズドープインジウム酸化物が好ましい。

（４）粘着付与剤
粘着付与剤として、特に限定されないが、例えば、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂などが用いられる。これらの中でも、フェノール樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂が好ましい。

＜ダイシングテープの１％減衰時間＞
ダイシングテープ１００では、印加電圧±５０００Ｖにおける１％減衰時間が０．１５秒以内であり、好ましくは０．１０秒以内であり、より好ましくは０．０５秒以内である。１％減衰時間とは、ダイシングテープ１００の電圧が５０００Ｖから５０Ｖまで減衰するのにかかる時間、または−５０００Ｖから−５０Ｖまで減衰するのにかかる時間をいう。

＜使用方法＞
ダイシングテープ１００の使用方法は、公知の方法を用いることができる。例えば、ダイシングテープ１００を半導体ウエハに貼り付けて固定した後、回転丸刃で半導体デバイスを素子小片ごとに切断する。切断後、ダイシングテープ１００の基層２００側から紫外線または電子線などを照射する。紫外線または電子線などを照射後、専用治具を用いてダイシングテープ１００を放射状に拡張してチップ間を一定間隔に広げた後、半導体デバイスをニードル等で突き上げる。突き上げられた半導体デバイスは、真空コレットまたはエアピンセットによる吸着などでピックアップされた後、マウンティングされるか、またはトレイに収納される。
本発明の半導体ウェハ等加工用粘着テープは、ダイシングテープ以外に、バックグラインドテープ、プリント基板保護テープなどのエレクトロニクス用途、窓ガラス保護用フィルム、装飾用マーキングフィルム、医療、衛生用薬剤の基材などが挙げられる。

＜本実施形態における効果＞
この高分子型帯電防止剤は、樹脂に練り込まれ、基層２００中に分散している。そのため、基層２００が機械などと接触して擦れても、基層２００から高分子型帯電防止剤が脱落しにくい。よって、ダイシングテープ１００は、安定して帯電を抑制することができる。さらに、この高分子型帯電防止剤は、高分子型ではない従来の帯電防止剤に比べて、帯電防止効果を発現する分子鎖が長い。そのため、ダイシングテープ１００は、良好な帯電防止性能を有する。

高分子型帯電防止剤のＭＦＲの値が１０．０ｇ／１０ｍｉｎ以上であるダイシングテープ１００は、加工性の低下を抑制することができる。さらに、高分子型帯電防止剤のＭＦＲの値が１５．０ｇ／１０ｍｉｎ以下であるダイシングテープ１００は、粘着層３００の粘着力の低下を抑制することができる。

ダイシングテープ１００の印加電圧±５０００Ｖにおける１％減衰時間は、０．１５秒以内である。１％減衰時間とは、ダイシングテープ１００の電圧が５０００Ｖから５０Ｖまで減衰するのにかかる時間、または−５０００Ｖから−５０Ｖまで減衰するのにかかる時間をいう。ダイシングテープ１００は、従来のダイシングテープに比べて減衰時間が短くなりやすい。そのため、ダイシングテープ１００は、帯電をより抑制することができる。

この高分子型帯電防止剤は、従来の高分子型帯電防止剤に比べて融点が高い。この高分子型帯電防止剤によって、基層２００の溶融粘度が高くなることで基層２００の押出加工性が良好となる。さらに、低分子量成分のブリードまたは汚染の発生を抑制する。

次に、本発明のダイシングテープ１００に係る実施例１、２と、比較例１〜５とについて説明する。なお、実施例によって本発明は何ら限定されるものではない。

（実施例１）
＜ダイシングテープの作製＞
基層２００を構成する材料として、ポリプロピレン６０重量部、一般式（１）で示されるポリスチレンセグメントと一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンセグメントとから成るブロック共重合体４０重量部、ＭＦＲが１２ｇ／１０ｍｉｎである高分子型帯電防止剤のポリエーテル／ポリオレフィンブロックポリマー（三洋化成工業株式会社製、品名：ペレスタット２３０）１５重量部を準備した。なお、ＭＦＲの測定は、ＪＩＳ Ｋ７２１０に準拠して１９０℃、２１．１８Ｎの測定条件で行った。

（式（１）中、ｎは２以上の整数）

（式（２）中、ｎは２以上の整数）

上記の基層２００を構成する材料を２軸混練機で混練した後、混練したものを押出し機で押し出して、厚み１００μｍの基層２００を作製した。

粘着層３００のベース樹脂として、第１の共重合体を１０重量部と、第２の共重合体を９０重量部とを準備した。第１の共重合体として、アクリル酸ブチル７０重量部と、アクリル酸２−エチルヘキシル２５重量部と、酢酸ビニル５重量部とを共重合させて得られた重量平均分子量が５０００００の共重合体を用いた。第２の共重合体として、アクリル酸２−エチルヘキシル５０重量部と、アクリル酸ブチル１０重量部と、酢酸ビニル３７重量部と、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル３重量部とを共重合させて得られた重量平均分子量が３０００００の共重合体を用いた。

粘着層３００の硬化成分として、重量平均分子量が１１０００の２官能ウレタンアクリレートと、重量平均分子量が５００の５官能アクリレートモノマーとを、ベース樹脂１００重量部に対してそれぞれ３０重量部ずつ準備した。粘着層３００の光重合開始剤として、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンを、ベース樹脂１００重量部に対して５重量部準備した。粘着層３００の架橋剤として、ポリイソシアネート系架橋剤を、ベース樹脂１００重量部に対して６重量部準備した。

上記の粘着層３００のベース樹脂、硬化成分、光重合開始剤、および架橋剤が配合された樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着層３００の厚みが１０μｍになるようにして基層２００にバーコート塗工した後、８０℃で５分間乾燥させて、所望のダイシングテープ１００を得た。

＜帯電防止剤の脱落性の評価＞
得られたダイシングテープ１００について、ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６に準拠して、クロスカット法による帯電防止剤の脱落性の評価を行った。クロスカット法では、ダイシングテープ１００に１ｍｍ間隔の碁盤目状の切り込みを入れた後、ダイシングテープ１００に既定のテープを貼付けてから剥離し、その試験結果を分類した。規格に基づき、どの格子の目も剥がれない場合は「分類０」とし、剥がれた場合は「分類１〜５」とした。そして、クロスカット法の結果が「分類０」であれば○、それ以外であれば×とした。

上記の評価を行った結果、ダイシングテープ１００のクロスカット法の結果は、「分類０」であった。そのため、ダイシングテープ１００の帯電防止剤の脱落性の評価は○であった（下記表１参照）。

＜表面抵抗値および体積抵抗値の測定＞
粘着層３００が設けられる前の基層２００について、静電気減衰時間測定器（electro-tech system社製、品名：STATIC DECAY METER MODEL406C）を用いて、表面抵抗値および体積抵抗値の測定を行った。表面抵抗値については、基層２００の粘着層３００が設けられる面の表面抵抗値、およびその面と反対側の面の表面抵抗値をそれぞれ測定した。

上記の測定を行った結果、基層２００のいずれの面の表面抵抗値も１．０Ｅ＋１０Ω／□であり、体積抵抗値が１．０Ｅ＋１２Ωｍであった（下記表１参照）。

＜１％減衰時間の測定＞
得られたダイシングテープ１００について、ＭＩＬ−Ｂ−８１７０５Ｃに準拠して、１％減衰時間の測定を行った。具体的には、静電気減衰時間測定器（electro-tech system社製、品名：STATIC DECAY METER MODEL406C）を用いて、ダイシングテープ１００に５０００Ｖの電圧を印加し、ダイシングテープ１００の電圧が５０００Ｖから５０Ｖまで減衰するのにかかる時間の測定を行った。この測定を、ダイシングテープ１００の基層２００側の面、粘着層３００側の面についてそれぞれ行った。

上記の測定を行った結果、基層２００側の面の１％減衰時間が０．０４秒であり、粘着層３００側の面の１％減衰時間が０．０４秒であった（下記表１参照）。

＜粘着力比率の評価＞
作製後７日間以上が経過したダイシングテープ１００を半導体ウエハに貼着した。半導体ウエハを貼着後、常温で２０分間保管したダイシングテープ１００の半導体ウエハに対する粘着力（以下、「第１の粘着力」という）を１８０°剥離試験により測定した。さらに、４０℃で１週間保管したダイシングテープ１００を半導体ウエハに貼着後、常温で２０分間保管した際の半導体ウエハに対する粘着力（以下、「第２の粘着力」という）を１８０°剥離試験により測定した。

１８０°剥離試験は、万能試験機（株式会社エー・アンド・デイ製、品名：テンシロン）を用いて、環境温度：２３℃、環境圧力：常圧、引張速度：３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下で行われた。そして、得られた粘着力チャートの平均値を粘着層３００の粘着力（ｃＮ／２５ｍｍ）とした。測定した第１の粘着力と第２の粘着力との比（第１の粘着力／第２の粘着力）が、０．５以上２．０以下のものを○、それ以外のものを×で評価した。粘着力比率の評価が○のダイシングテープ１００では、４０℃の高温で保管しても基層２００から低分子量成分がブリードしにくく、粘着層３００の粘着力が下がりにくい。

上記の評価を行った結果、第１の粘着力が１６０ｃＮ／２５ｍｍであり、第２の粘着力が１２０ｃＮ／２５ｍｍであった。そのため、ダイシングテープ１００の粘着力比率の評価は○であった（下記表１参照）。

＜半導体ウエハの帯電圧の評価＞
除電した半導体ウエハを除電したダイシングテープ１００に貼付けた後、半導体ウエハの表面から１０ｍｍの距離で、表面電位計（ＳＵＮＸ社製、品名：Ｓ１ＨＳ）を用いて帯電圧を測定した。測定した帯電圧の絶対値が、５０Ｖ未満であれば○、５０Ｖ以上１００Ｖ未満であれば△、１００Ｖ以上であれば×で評価した。

上記の評価を行った結果、半導体ウエハの帯電圧が−６Ｖであった。そのため、半導体ウエハの帯電圧の評価は○であった（下記表１参照）。

＜フィルム加工性の評価＞
ダイシングテープ１００について、目視での外観が均一であり、かつ、１ｍ×１ｍ範囲の厚み公差が５μｍ未満であれば○、目視での外観が均一であり、１ｍ×１ｍ範囲の厚み公差が５μｍ以上であれば△、目視での外観が不均一であれば×で評価した。

上記の評価を行った結果、目視でのダイシングテープ１００の外観が均一であり、かつ、１ｍ×１ｍ範囲の厚み公差が３μｍであった。そのため、フィルム加工性の評価は○であった（下記表１参照）。

（実施例２）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングテープ１００を得た。基層２００を構成する材料として、ＭＦＲが１２ｇ／１０ｍｉｎである高分子型帯電防止剤のポリエーテル／ポリオレフィンブロックポリマー（三洋化成工業株式会社製、品名：ペレスタット２１２）を準備した。

このダイシングテープ１００について、実施例１と同様にして、帯電防止剤の脱落性の評価、表面抵抗値および体積抵抗値の測定、１％減衰時間の測定、粘着力比率の評価、半導体ウエハの帯電圧の評価、フィルム加工性の評価を行った。

その結果、本実施例に係るダイシングテープ１００のクロスカット法の結果は「分類０」であり、帯電防止剤の脱落性の評価は○であった。基層２００のいずれの面の表面抵抗値も１．０Ｅ＋１１Ω／□であり、体積抵抗値が１．０Ｅ＋１３Ωｍであった。基層２００側の面の１％減衰時間が０．０２秒であり、粘着層３００側の面の１％減衰時間が０．０２秒であった。第１の粘着力が１５０ｃＮ／２５ｍｍであり、第２の粘着力が１１０ｃＮ／２５ｍｍであり、ダイシングテープ１００の粘着力比率の評価は○であった。半導体ウエハの帯電圧が−４Ｖであり、半導体ウエハの帯電圧の評価は○であった。目視でのダイシングテープ１００の外観が均一であり、かつ、１ｍ×１ｍ範囲の厚み公差が３μｍであり、フィルム加工性の評価は○であった（下記表１参照）。

（比較例１）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングテープを得た。基層２００を構成する材料として、帯電防止剤（花王株式会社製、品名：エレクトロストリッパーＡＣ）を準備した。この帯電防止剤を、基層２００中に練り込むのではなく、基層２００の粘着層３００が設けられる面と反対側の面に塗布した。

このダイシングテープについて、実施例１と同様にして、帯電防止剤の脱落性の評価、表面抵抗値および体積抵抗値の測定、１％減衰時間の測定、粘着力比率の評価、半導体ウエハの帯電圧の評価、フィルム加工性の評価を行った。なお、表面抵抗値および体積抵抗値の測定は、帯電防止剤が塗布された状態の基層２００について行った。

その結果、本比較例に係るダイシングテープのクロスカット法の結果は「分類５」であり、帯電防止剤の脱落性の評価は×であった。基層２００の粘着層３００が設けられる面の表面抵抗値が１．０Ｅ＋１４Ω／□であり、反対側の面の表面抵抗値が１．０Ｅ＋１０Ω／□であり、体積抵抗値が１．０Ｅ＋１５Ωｍであった。基層２００側の面の１％減衰時間が０．０６秒であり、粘着層３００側の面は減衰しなかった。第１の粘着力が１６５ｃＮ／２５ｍｍであり、第２の粘着力が１４５ｃＮ／２５ｍｍであり、ダイシングテープ１００の粘着力比率の評価は○であった。半導体ウエハの帯電圧が−７８Ｖであり、半導体ウエハの帯電圧の評価は△であった。目視でのダイシングテープ１００の外観が不均一であり、かつ、１ｍ×１ｍ範囲の厚み公差が２μｍであり、フィルム加工性の評価は○であった（下記表１参照）。

（比較例２）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングテープを得た。基層２００を構成する材料として、帯電防止剤（花王株式会社製、品名：エレクトロストリッパーＡＣ）を準備した。この帯電防止剤を、基層２００中に練り込むのではなく、基層２００の両面に塗布した。

このダイシングテープについて、実施例１と同様にして、帯電防止剤の脱落性の評価、表面抵抗値および体積抵抗値の測定、１％減衰時間の測定、粘着力比率の評価、半導体ウエハの帯電圧の評価、フィルム加工性の評価を行った。なお、表面抵抗値および体積抵抗値の測定は、帯電防止剤が塗布された状態の基層２００について行った。

その結果、本比較例に係るダイシングテープのクロスカット法の結果は「分類５」であり、帯電防止剤の脱落性の評価は×であった。基層２００のいずれの面の表面抵抗値も１．０Ｅ＋１０Ω／□であり、体積抵抗値が１．０Ｅ＋１５Ωｍであった。基層２００側の面の１％減衰時間が０．０６秒であり、粘着層３００側の面の１％減衰時間が０．０６秒であった。第１の粘着力が１５５ｃＮ／２５ｍｍであり、第２の粘着力が６０ｃＮ／２５ｍｍであり、ダイシングテープ１００の粘着力比率の評価は×であった。半導体ウエハの帯電圧がー５３Ｖであり、半導体ウエハの帯電圧の評価は△であった。目視でのダイシングテープ１００の外観が不均一であり、かつ、１ｍ×１ｍ範囲の厚み公差が２μｍであり、フィルム加工性の評価は○であった（下記表１参照）。

（比較例３）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングテープを得た。基層２００を構成する材料として、帯電防止剤を用いなかった。すなわち、ダイシングテープに帯電防止処理を施さなかった。

このダイシングテープについて、実施例１と同様にして、表面抵抗値および体積抵抗値の測定、１％減衰時間の測定、粘着力比率の評価、半導体ウエハの帯電圧の評価、フィルム加工性の評価を行った。なお、比較例３においては、ダイシングテープに帯電防止処理を施していないので、帯電防止剤の脱落性の評価は行わなかった。

その結果、本比較例に係る基層２００のいずれの面の表面抵抗値も１．０Ｅ＋１４Ω／□であり、体積抵抗値が１．０Ｅ＋１６Ω／□であった。基層２００側の面、および粘着層３００側の面はいずれも減衰しなかった。第１の粘着力が１７０ｃＮ／２５ｍｍであり、第２の粘着力が１６５ｃＮ／２５ｍｍであり、ダイシングテープ１００の粘着力比率の評価は○であった。半導体ウエハの帯電圧がー２４５Ｖであり、半導体ウエハの帯電圧の評価は×であった。目視でのダイシングテープ１００の外観が均一であり、かつ、１ｍ×１ｍ範囲の厚み公差が２μｍであり、フィルム加工性の評価は○であった（下記表１参照）。

（比較例４）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングテープを得た。基層２００を構成する材料として、ＭＦＲが３０ｇ／１０ｍｉｎである帯電防止剤（三洋化成工業株式会社製、品名：ペレスタット３００）を準備した。

このダイシングテープについて、実施例１と同様にして、帯電防止剤の脱落性の評価、表面抵抗値および体積抵抗値の測定、１％減衰時間の測定、粘着力比率の評価、半導体ウエハの帯電圧の評価、フィルム加工性の評価を行った。

その結果、本比較例に係るダイシングテープのクロスカット法の結果は「分類０」であり、帯電防止剤の脱落性の評価は○であった。基層２００のいずれの面の表面抵抗値も１．０Ｅ＋１０Ω／□であり、体積抵抗値が１．０Ｅ＋１２Ωｍであった。基層２００側の面の１％減衰時間が０．０４秒であり、粘着層３００側の面の１％減衰時間が０．０４秒であった。第１の粘着力が１４０ｃＮ／２５ｍｍであり、第２の粘着力が５５ｃＮ／２５ｍｍであり、ダイシングテープ１００の粘着力比率の評価は×であった。半導体ウエハの帯電圧が−２３Ｖであり、半導体ウエハの帯電圧の評価は○であった。目視でのダイシングテープ１００の外観が均一であり、かつ、１ｍ×１ｍ範囲の厚み公差が３μｍであり、フィルム加工性の評価は○であった（下記表１参照）。

（比較例５）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングテープを得た。基層２００を構成する材料として、ＭＦＲが７ｇ／１０ｍｉｎである帯電防止剤（三洋化成工業株式会社製、品名：ペレスタットＶＨ２）を準備した。

このダイシングテープについて、実施例１と同様にして、帯電防止剤の脱落性の評価、表面抵抗値および体積抵抗値の測定、１％減衰時間の測定、粘着力比率の評価、半導体ウエハの帯電圧の評価、フィルム加工性の評価を行った。

その結果、本比較例に係るダイシングテープのクロスカット法の結果は「分類０」であり、帯電防止剤の脱落性の評価は○であった。基層２００のいずれの面の表面抵抗値が１．０Ｅ＋１０Ω／□であり、体積抵抗値が１．０Ｅ＋１２Ωｍであった。基層２００側の面の１％減衰時間が０．０４秒であり、粘着層３００側の面の１％減衰時間が０．０４秒であった。第１の粘着力が１６５ｃＮ／２５ｍｍであり、第２の粘着力が１３０ｃＮ／２５ｍｍであり、ダイシングテープの粘着力比率が○であった。半導体ウエハの帯電圧が−１８Ｖであり、半導体ウエハの帯電圧の評価は○であった。目視でのダイシングテープ１００の外観が不均一であり、かつ、１ｍ×１ｍ範囲の厚み公差が７μｍであり、フィルム加工性の評価は△であった（下記表１参照）。

実施例１、２に係るダイシングテープ１００では、基層２００側の面の１％減衰時間および粘着層３００側の面の１％減衰時間の両方とも０．０４秒以内であり、かつ、帯電防止剤の脱落性の評価、粘着力比率の評価、半導体ウエハの帯電圧の評価、フィルム加工性の評価が全て○であった。これに対して、比較例１〜３に係るダイシングテープでは、基層２００側の面の１％減衰時間および粘着層３００側の面の１％減衰時間の両方とも０．０４秒を超えていた。また、比較例１〜５に係るダイシングテープでは、帯電防止剤の脱落性の評価、粘着力比率の評価、半導体ウエハの帯電圧の評価、フィルム加工性の評価のうちの少なくとも１つが△または×であった。

本発明に係る半導体ウエハ等加工用粘着テープは、安定して帯電を抑制することができる。

１００ 半導体ウエハ等加工用粘着テープ（ダイシングテープ）
２００ 基層
３００ 粘着層

Claims (7)

1. 基層と、
   前記基層上に形成される粘着層とを備え、
   前記粘着層は、該粘着層を硬化させる硬化成分を含有し、
   前記基層は、主に、高分子型帯電防止剤が練り込まれた樹脂から成り、
   前記高分子型帯電防止剤のメルトマスフローレート（ＭＦＲ）が、ＪＩＳ Ｋ７２１０に準拠して１９０℃、２１．１８Ｎの測定条件で測定したとき、１０．０ｇ／１０ｍｉｎ以上１５．０ｇ／１０ｍｉｎ以下である半導体ウエハ等加工用粘着テープ。
2. 基層と、
   前記基層上に形成される粘着層とを備え、
   前記粘着層は、該粘着層を硬化させる硬化成分を含有し、
   前記基層は、主に、高分子型帯電防止剤が分散した樹脂から成り、
   前記高分子型帯電防止剤のメルトマスフローレート（ＭＦＲ）が、ＪＩＳ Ｋ７２１０に準拠して１９０℃、２１．１８Ｎの測定条件で測定したとき、１０．０ｇ／１０ｍｉｎ以上１５．０ｇ／１０ｍｉｎ以下である半導体ウエハ等加工用粘着テープ。
3. 印加電圧±５０００Ｖにおける１％減衰時間が０．１５秒以内である請求項１または２に記載の半導体ウエハ等加工用粘着テープ。
4. 前記高分子型帯電防止剤の融点は、１４０℃以上である請求項１または２に記載の半導体ウエハ等加工用粘着テープ。
5. 前記樹脂が、ポリプロピレンとエラストマーとの混合物である請求項１または２に記載の半導体ウエハ等加工用粘着テープ。
   
6. 前記樹脂が、ポリエチレンとエラストマーとの混合物である請求項１または２に記載の半導体ウエハ等加工用粘着テープ。
7. 前記高分子型帯電防止剤に対して重量比率で、カチオンを１００ｐｐｍ以下およびアニオンを１００ｐｐｍ以下含有する請求項１または２に記載の半導体ウエハ等加工用粘着テープ。