JP2012204835A - 構造の電磁散乱特性を計算し、近似構造を再構築する方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電流密度Jの体積積分式を解くには、Jの近似解を求めるように、E及びJの連続成分を選択することにより、電場ES及び電流密度Jに関連するベクトル場FSの暗示的構築を使用し、Fは1つ又は複数の材料境界にて連続している。Fは、少なくとも1つの方向x、yに関して少なくとも1つの有限フーリエ級数で表され、体積積分式を数値的に解くステップは、Fの畳み込みによってJの成分を決定することを含み、畳み込み演算子Mは、両方向の材料及び幾何構造の特性を含む。Jは、両方向に関して少なくとも1つの有限フーリエ級数で表すことができる。連続成分は、E及びJに作用する畳み込み演算子PT及びPNを使用して抽出することができる。
【選択図】図7
Description
・測定データと推定した散乱設定から計算したデータとの差のガウス・ニュートンの最小化
・散乱設定のパラメータ化した形状、例えばコンタクトホールの半径及び高さ
・パラメータ更新毎の前方問題の解(例えば計算した反射係数)の十分に高い精度
1.ステップモードにおいては、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードにおいては、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。
3.別のモードでは、マスクテーブルMTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
[0072] 上述したように、ターゲットは基板の表面上にある。このターゲットは、2Dアレイの回折格子又は実質的に矩形の構造で一連の線の形状をとることが多い。メトロロジーにおける厳密光回折理論の目的は、ターゲットから反射する回折スペクトルの効率的な計算である。すなわち、CD(クリティカルディメンション)の均一性及びオーバレイのメトロロジーに対してターゲット形状の情報を取得する。オーバレイのメトロロジーとは、基板上の2つの層が位置合わせされているか否かを決定するために2つのターゲットのオーバレイを測定する測定システムである。CDの均一性とは、リソグラフィ装置の露光システムがいかに機能しているかを決定するために、単にスペクトルの回折格子の均一性を測定することである。特にCD、すなわち、クリティカルディメンションとは、基板に「書かれる」オブジェクトの幅であり、リソグラフィ装置が物理的に基板に書くことができる限界である。
[0099] 厳密回折モデリングでは、材料の界面全体に不連続の成分を有するE及びD場ではなく、材料の界面全体で連続的な補助中間場Fを導入することによって解の収束を抜本的に改善できることが実証されている[1]。収束が改善されると、より少ない計算費用で、より正確な回答につながる。これは光学スキャトロメータで、特に2D周期的回折格子における主要な問題の一つである。
[0102] RCWAの主要な問題の一つは、2D周期的構造のために大量の中央処理装置(CPU)の時間及びメモリが必要なことである。何故なら、固有値/固有ベクトルのシーケンスの問題を解決し、連結しなければならないからである。FDTD及びFEMの場合も、CPUの時間が通常はかかりすぎる。
残差をrn=b−Axnと定義する。
残差を介して更新ベクトルνnを計算する。
解を更新する:xn+1=xn+αnνn
残差を更新するrn+1=rn−αnAνn
[0152] 上述したように、[1]で導入したような法線ベクトル場の概念は、幾つかの計算のフレームワーク、特に差動法(DM)及びRCWA(Rigorous Coupled Wave Analysis)に採用されている。この概念の基本思想は、法線ベクトル場が電場E及び電束密度Dの成分に対するフィルタとして作用できるということである。このフィルタを介して、相補的であるE及びD両方の連続成分を抽出し、いかなる場所でも連続的なベクトル場Fを構築することができるが、場合によっては調査中の散乱オブジェクトの幾何学的な縁及び隅に対応する隔離された点及び線がある。一般的な3D処理の後、セクション3は、2D法線ベクトル場(ウェーハの(x,y)面で)を詳細に分析する。後者は、RCWAに採用されたスライシング戦略と同様の、ウェーハの垂線(z軸)に沿った3Dの幾何形状のスライシング戦略と適合性がある。
[0154] この検討にとって適切な開始点が論文[1]に見られる。そこで進められている主要思想の一つは、計算のドメイン全体にわたって法線ベクトル場n(x,y,z)を導入することである。この法線ベクトル場は以下の2つの条件を満足する。
・全材料界面に対して直交方向を指す。
・空間の各点に単位長を有する。
したがって、Eと一方ではDと、他方ではFとの関係、すなわち、[1]の表記法を確立することが極めて重要であり、その思想は以下の関係式を確立することである。
2.1投影演算子のフレームワーク
[0159] 電場及び電束密度の成分を除去する手順を形式化するために、下式のように演算子Pnを導入する。
[0161] 法線ベクトル場の数学的表現[1]の概念に導入する最初の改良点は、ベクトル場Fの成分をスケーリングする可能性である。このスケーリングには多くの形態があり得るが、単純にするために、ベクトル場Fの法線成分のスケーリングについて検討する。すなわち、下式である。
[0162] 次に、ベクトル場Fから式(4)の演算子を構築するために、これらの演算子Pn及びPTを使用できる方法を示す。そのために、一方では電場と電束密度との空間ドメインの関係、他方ではベクトル場Fの定義から開始する。下式を有する。
(PnMεPn)−1(PnMεPn)=Pnとなる。
[0174] 電磁散乱の他のモデリング方法では、媒体パラメータの非等方性の方向は、散乱オブジェクトの幾何形状を考慮せずにグローバル座標系に関して表現される。
[0188] 以上で、法線ベクトル場は、ベクトル場Fの成分間に適切なスケーリングを選択することにより、局所化される可能性を有することが観察されている。しかし、典型的なマクスウェルのソルバでは、接線ベクトル場及び法線ベクトル場はソルバの成分を表さない。多くの場合は、例えばVIM、RCWA、又は差動法にて、デカルト基底の方が適切である。投影演算子はベクトル場の基底を変化させないので、マクスウェルソルバに必要な基底に到達するために、電場及び電束密度の追加の変換が必要になることがある。誘電率演算子Mεにも同様のことが言え、これは通常、デカルト座標で表される。したがって、基底が異なる場合は、演算子Mεも変換しなければならない。演算子MζもMεを含むことが分かっている。しかし、Mζはスカラー乗法であるので、その最終形は選択した基底に依存しない。さらに、式(6)で与えられたような投影演算子Pnの定義は、選択された基底に依存しないが、その実際の行列表現は法線ベクトル場について選択された基底に依存する。したがって、Pnを基底に依存しない演算子として書くことにする。
[0194] 考慮すべき非常に重要なクラスは、等方性媒体である。このような媒体の場合、乗法演算子Mεは、場の各成分に等しく作用するスカラー乗数である。したがって、変換TnはMεに影響しない。さらに、Cε及びεCεの式は、非常に単純化される。等方性の場合、次にデカルト座標のF、さらにE及びDの表現結果について考察する。この状態で下式がある。
・αを1/εb、すなわち、(局所)背景誘電率の逆数と等しい定数となるように選択する。その結果、誘導率が背景誘導率とは異なる領域(region)、すなわち、コントラスト関数がゼロ以外である領域では法線ベクトル場しか必要なくなる。この選択肢は、回折格子構造に媒体が2つしか存在せず、その一方が背景材料である場合に、特に興味深い。
・第2の選択肢も、αを定数となるように選択する。しかし、回折格子の構造に応じて、異なる定数を選択した方が都合がよいこともある。重要な場合は、背景の誘電率がユニットセルの境界をまたがないドメイン(domain)で生じる回折格子である。これは例えば、レジスト内の円形コンタクトホールの場合であり、コンタクトホールの充填材料が背景媒体として選択される。これで、この選択は、円上の法線ベクトル場の式の単純化につながり、反対に、円を残したユニットセルの法線ベクトル場では、結果となる積分の計算がはるかに困難になる。
・第3の選択肢は、元の逆誘導率関数の平滑化した版となるように、例えばトライリニア補間又はガウス窓による平均化を介して、αを連続関数とすることである。その場合は、材料間の界面のすぐ近傍でのみ法線ベクトル場が必要となり、さらに局所化される。しかし、その結果である計算すべき積分は、通常、さらに困難である。1つの誘電率から他の誘電率へと徐々に変化する遷移を開始する位置を選択することにより、最終的に2つの媒体間にある界面の一方側でのみ必要とされる局所法線ベクトル場になることが可能である。
[0198] 次に、場と材料の相互作用演算子
[0205] 問題の第2の重要なクラスは、回折格子材料が複屈折材料の特性を有し、非等方性の軸がz軸である、すなわち、下式の場合である。
[0209] このセクションでは、2つの基本的な2次元形状、すなわち、矩形及び楕円形のCε及びεCεのスペクトル表現を導出しなければならない。これらの形状は、2Dウェーハメトロロジー構造の一体又は基本的ビルディングブロックとして遭遇することが多い。この導出は、Cε及びεCεの法線ベクトル場(NV)の構築、及びその後の行列要素のフーリエ積分の計算を示す。所与の外形について、一意の法線ベクトル場はない。単位長を有し、外形に対して垂直である無限に多くのNV場を構築することができる。特定の選択肢にするための重要な動機は、Cε及びεCεのフーリエ係数の解析式を導出する可能性であることが分かるはずである。また、NV場の特異点の数を最小化して、フーリエ級数の収束を最適化しなければならない。楕円形及び矩形は、フーリエ積分の解析式を有するほど恵まれている。
[0210] 2次元では、格子の周期性がブラヴェ格子ベクトル(a1,a2)で記述される。
[0223] 楕円及び矩形のような基本的形状の場合、Γij積分の計算は、ローカル座標系に変換することによってさらに単純化することができる。
・オフセットの効果を述べる定位相因子
・ブラヴァ格子に対するオブジェクトの方向を述べる有効波数ベクトル
・Γijは、ローカル座標系の3つのΓ”ij全部の線形結合になる。
[0233] 楕円のNV場を生成するために2つの周知の方法がある。
・楕円座標系を介する。
・等角写像を介する。
[0248] 矩形の連続NV場の生成は楕円の場合ほど明瞭ではない。[3]は、このためにシュワルツ・クリストッフェル変換の使用を提案している[4]。矩形についてこの解を密に近似するNV場は下式である。
[0254] 矩形のNV場生成に関する前のセクションは、比較的任意の形状に関してNV場を生成する非常に強力な方法を示している。これらの形状は、Γij積分が高速計算に適した閉じた形態を有する基本形状に分解することができる。特定のフーリエモード指数にて各基本形状について関連するΓij積分を合計することにより、Cε及びεCεのスペクトル表示を容易に取得することができる。言うまでもなく、基本形状のクラスは、関連するより複雑な形状をすべて生成するほど重文に大きくなければならない。基本形状のクラスは、以下のいずれかを含む。(A)定数NV場を有する三角形。1つの界面が材料界面である場合、NV場はこの界面に垂直でなければならない。材料界面がない場合、NV場は任意に選択することができる。
(B)定数NV場を有する台形(矩形は特殊な場合である)。1つの界面が材料界面である場合、NV場はこの界面に垂直でなければならない。材料界面がない場合、NV場は任意に選択することができる。(C)半径方向NV場及び円の辺に沿った材料界面を有する円弧。
[0262] 本セクションでは、形状頂点の座標で表される3つの基本ビルディングブロックについて、Γij積分の閉じた形態の式を導出する。
[0263] 図19は、回転してシフトした三角形をNV場及びローカル座標系で示す。
[0268] 図20は、回転してシフトした台形をNV場及びローカル座標系で示す。
[0274] 円弧は、原点A、下半径終点B及び切片角度φSを有する円の切片と定義される。
[0280] 特定の状況、例えば珍しい散乱幾何形状の場合又は複数の材料が相互の間に接続界面を有する場合は、メッシング要素の数が少なくなり、電場のスペクトル基底及び電束密度に迅速な収束を示すメッシング戦略を適用することが困難なことがある。このような場合は、場と材料の相互作用演算子のフーリエ係数を生成するために、より一般的な方法が必要なことがある。このような方法の一つは、数値求積法を採用して、形態(54)の積分を評価することである。これで、求積法の法則は、幾つかの点にて積分の関数値を引き出し、所望の積分の近似に到達する。考察中のコンポーネントを見てみると、任意の(x,y)点にて法線ベクトル場の誘電率、指数関数、及びデカルト成分を評価する必要があることが分かる。これは、前者の2つの関数については些細なことであるが、後者については些細なことではない。以前に導入したスケーリングにより、法線ベクトル場はαε≠1であるドメインでしか必要ではない。さらに、全フーリエ指数(m1,m2)のフーリエ係数は、同じ求積法の法則及び関数評価により取得できるが、指数関数は全フーリエ指数について評価されることが分かる。したがって、主要な関心事は、任意の位置で法線ベクトル場を評価することである(αε≠1であると仮定する)。
[0283] 標準的な散乱データ補間アルゴリズムは、いわゆるラジアル基底関数、すなわち、データ点と補間点との距離にのみ依存する基底関数を使用する。一般的な補間の問題では、これは通常、良好な考えである。何故なら、近くのデータが遠いデータと比較して大きい影響を補間データに与えることができるからである。しかし、周期的な環境では、データ点と補間点との距離も周期的になる。このことを考慮に入れないと、周期的境界をまたがる補間が人為的不連続を導入することがあり、これは、特定の求積法の法則の収束、又は法線ベクトル場に投影された電磁場の解の収束さえ低下させることがある。したがって、ラジアル基底関数での散乱データ補間の代替法を探している。重要な考えは、構成の周期性を示す周期距離関数を生成し、この関数で距離関数を置換することである。
[0284] 正規ユークリッド空間
1.d(x,x’)≧0(負ではない)
2.x=x’である場合、及びその場合のみd(x,x’)=0(識別不能の恒等式)
3.d(x,x’)=d(x’,x)(対称)
4.d(x,x”)≦d(x,x’)+d(x’,x”)(三角不等式)
従って|f(・)|は1次元周期距離関数、すなわち、下式を生成する。
[0290] 散乱データ補間アルゴリズムに、基底関数φ(r)、r≧0を導入する。例えばβ>0の状態でφ(r)=exp(−βr2)である。さらに、1組のデータ点rn及び対応する関数値F(rn)、n∈{1,...,N}が提供される。次に、アルゴリズムが係数cnを決定し、従ってすべてのn=1,...,Nに対して下式になる。
[0292] 以上のセクションでは、ポポフ及びネヴィエールによって定義されたベクトル場のスケーリング関数及び基底変換を導入することにより、連続ベクトル場Fの構造中の局所法線ベクトル場の概念を得た。法線ベクトル場の局所化が、例えば回折格子の幾何形状の段階的近似により、いかなる場所でも法線ベクトル場に直交する固定異常軸を有する等方性媒体及び複屈折媒体について示された。次に、局所法線ベクトル場の概念を任意の非等方性媒体の最も一般的な場合に引き継ぐ。しかし、スカラー関数によるスケーリングには、最も一般的な場合を扱うのに十分な柔軟性がない。一般的な非等方性媒体の場合を扱うために、まずベクトル場Fの定義を修正する。Fのこの新しい定義は下式によって与えられる。
1.リーの法則及び代替方法
[0299] 以上の公式化は法線ベクトル場の公式化を指すことに留意されたい。しかし、上記は、矩形の幾何形状に適切なリーの公式化にも拡大することができる。このリーの公式化の対応する演算子について以下で説明する。
2.畳み込み構造を維持する修正リーの法則及び法線ベクトル場の公式化の代替方法
[0302] 2Dの周期性がある周期構造についてリーによって導出された法則以前に、ララン[13]が、誘電率行列Mεの重み付き平均式([13]でE及び逆誘電率行列(Minv(ε))−1([13]でP−1とされている)の逆行列とされている)を提案している。この作業方法では、電場Eと補助ベクトル場Fとの組合せで作業することができる。後者のベクトル場は、(Minv(ε))−1とEとの積に遭遇する点にて導入され、第1の行列ベクトル積に到達して、コントラスト電流密度J又はそのスケーリングした対応物qを計算する。
[0305] 交差した回折格子の場合、リー[10,11]は、対応する相互作用行列が(ブロック)テプリッツ行列と逆(ブロック)テプリッツ行列の積の合計で構成されている場合、場と材料との相互作用がスペクトル基底でよりよく捕捉されることを示している。(ブロック)テプリッツ行列は通常、「ローランの法則」の表示と呼ばれ、これは標準離散畳み込みに対応する。逆(ブロック)テプリッツ行列を通常、「逆法則」と呼ぶ。逆法則は、場の成分が材料界面にまたがって不連続である場合は常に適用され、ローランの法則は場の成分が材料界面にまたがって連続している場合に適用される。これらの規則は往々にして「リーの法則」と呼ばれる。(ブロック)テプリッツ行列によってFFTの形態の有効行列ベクトル積が可能になるが、逆テプリッツ行列はテプリッツの形態を有さず、したがって高速行列ベクトル積が容易に形成されない。したがって、補助ベクトル場の考えを拡大することにより、制約とともに追加の補助場を導入して、(ブロック)テプリッツ行列の逆数も考慮に入れた有効行列ベクトル積に到達することができる。
[0314] セクション2.2の結論は、各投影演算子
[0325] 次に、xy面の回折格子の断面が、誘電率εbの背景媒体に埋め込まれた等方性誘電率の単一の矩形ブロック(ブリックとも呼ばれる)で構成される特有の場合について考察する。上述した定義で、この場合の誘電率関数及び逆誘電率関数を下式のように書くことができる。
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ベッセル関数のラジアル積分
ラジアル積分すると、以下の積分の閉じた形態の式が発見される。
(n≧0)の場合、
n+1=2k−1を代入して積分すると、下式が与えられる。
奇数ベッセル関数のラジアル積分にも、同じ推論を適用することができる。式(A2)にn+1≡2k+1を代入し、式(A3)にn+1≡2kを代入して積分すると、以下の繰り返し積分が与えられる。
角積分
角積分の最も一般的な形態は、下式のように書かれる。
・円弧
・完全楕円
円の場合はe=1であり、これは積分を非常に単純化する。
被積分関数の対称性を調べると、下式のことを示すことができる。
同じ対称性引数で、下式のことを示すことができる。
Claims (15)
- 構造の電磁散乱特性を計算する方法であって、前記構造が、材料境界にて電磁場に少なくとも1つの不連続を引き起こすような様々な特性の材料を含み、当該方法が、
(a)前記電磁場の連続成分及び前記電磁場に対応するスケーリング電磁束密度の連続成分で演算するために、コントラスト電流密度の体積積分式を、場と材料の相互作用演算子を使用して前記コントラスト電流密度の成分を決定することによって、数値的に解くステップであって、前記スケーリング電磁束密度が、前記電磁場及び前記コントラスト電流密度の不連続成分のスケーリング合計として形成される、ステップと、
(b)前記コントラスト電流密度の前記決定された成分を使用して、前記構造の電磁散乱特性を計算するステップと、
を含む、方法。 - (a)前記電磁場の前記連続成分を抽出するために第1の連続成分抽出演算子を使用するステップと、
(b)前記スケーリング電磁束密度の前記連続成分を抽出するために第2の連続成分抽出演算子を使用するステップと、
をさらに含み、
前記場と材料の相互作用演算子が前記抽出された連続成分で演算する、
請求項1に記載の方法。 - 前記構造が少なくとも1方向に周期的であり、前記電磁場の前記連続成分、前記スケーリング電磁束密度の前記連続成分、前記コントラスト電流密度の前記成分、及び前記場と材料の相互作用演算子が、前記少なくとも1つの方向に対して、少なくとも1つの個々の有限フーリエ級数によってスペクトルドメインで表され、前記方法が、フーリエ係数を計算することによって、前記場と材料の相互作用演算子の係数を決定するステップをさらに含む、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記電磁場の前記連続成分及び前記スケーリング電磁束密度の前記連続成分から、前記材料境界にて連続しているベクトル場を形成するステップをさらに含み、前記コントラスト電流密度の成分を決定する前記ステップが、前記ベクトル場で演算するために場と材料の相互作用演算子を使用することによって実行される、請求項1乃至3のいずれかに記載の方法。
- (a)前記材料境界に関して画定された前記構造の領域に局所法線ベクトル場を生成するステップと、
(b)前記材料境界に対して接線方向の前記電磁場の連続成分を選択し、前記材料境界に対して法線方向の対応する電磁束密度の連続成分を選択するために、前記法線ベクトル場を使用することによって前記ベクトル場を構築することと、
(c)前記場と材料の相互作用演算子の係数を決定するために、前記領域で前記法線ベクトル場の局所積分を実行するステップと、
をさらに含む、請求項4に記載の方法。 - (a)前記材料境界に関して画定された前記構造の領域で局所ベクトル場を生成するステップと、
(b)前記材料境界に対して法線方向の前記電磁場の前記不連続成分、及び前記材料境界に対して法線方向の前記コントラスト電流密度の前記不連続成分を選択するために、前記法線ベクトル場を使用するステップと、
(c)前記場と材料の相互作用演算子の係数を決定するために、前記領域で前記法線ベクトル場の局所積分を実行するステップと、
をさらに含む、請求項1から3のいずれかに記載の方法。 - 前記局所法線ベクトル場を生成する前記ステップが、前記連続成分のうち少なくとも1つをスケーリングすることを含む、請求項5から6のいずれかに記載の方法。
- 前記局所法線ベクトル場を生成する前記ステップが、変換演算子を前記ベクトル場で直接使用して前記ベクトル場を前記法線ベクトル場に依存する基底から前記法線ベクトル場に依存しない基底へと変換することを含む、請求項5に従属の請求項5に記載の方法。
- 局所法線ベクトル場を生成する前記ステップが、前記領域を、それぞれが個々の法線ベクトル場を有する複数の部分領域に分解することを含み、局所積分を実行する前記ステップが、前記部分領域それぞれの前記個々の法線ベクトル場のそれぞれで積分することを含む、請求項5から8のいずれかに記載の方法。
- 前記局所法線ベクトル場が生成されて、前記材料境界に局所的である前記領域内で、前記材料境界に対して法線方向の誘電率の成分、及び前記材料境界に対して接線方向の誘電率の少なくとも1つの他の異なる成分を使用して、前記電磁束密度を前記電場に関連させるステップをさらに含む、請求項5又は9のいずれかに記載の方法。
- 放射線によるオブジェクトの照明で生じる検出された電磁散乱特性からオブジェクトの近似構造を再構築する方法であって、
(a)少なくとも1つの構造パラメータを推定するステップと、
(b)前記少なくとも1つの構造パラメータから少なくとも1つのモデル電磁散乱特性を決定するステップと、
(c)前記検出された電磁散乱特性を前記少なくとも1つのモデル電磁散乱特性と比較するステップと、
(d)前記比較の結果に基づいて近似オブジェクト構造を決定するステップと、
を含み、
(e)前記モデル電磁散乱特性が、請求項1乃至10のいずれかに記載の方法を使用して決定される、方法。 - 複数の前記モデル電磁散乱特性をライブラリ内で構成するステップをさらに含み、前記比較ステップが、前記検出された電磁散乱特性を前記ライブラリの内容と一致させることを含む、請求項11に記載の方法。
- 少なくとも1つのモデル電磁散乱特性を決定する前記ステップと、前記検出された電磁散乱特性を比較する前記ステップとを反復することをさらに含み、前記構造パラメータが以前の反復で比較した前記ステップの前記結果に基づいて更新される、請求項11又は12に記載の方法。
- オブジェクトの近似構造を再構築する検査装置であって、
(a)前記オブジェクトを放射線で照明するように構成された照明システムと、
(b)前記照明から生じた電磁散乱特性を検出するように構成された検出システムと、
(c)(i)少なくとも1つの構造パラメータを推定し、
(ii)前記少なくとも1つの構造パラメータから少なくとも1つのモデル電磁散乱特性を決定し、
(iii)前記検出された電磁散乱特性を前記少なくとも1つのモデル電磁散乱特性と比較し、
(iv)前記検出された電磁散乱特性と前記少なくとも1つのモデル電磁散乱特性との差から近似オブジェクト構造を決定するように構成された処理装置と、
を備え、
前記処理装置が、請求項1乃至10のいずれかに記載の方法を使用して、前記モデル電磁散乱特性を決定するように構成される、検査装置。 - 構造の電磁散乱特性を計算するために機械可読命令の1つ又は複数のシーケンスを含み、前記命令が1つ又は複数の処理装置に請求項1から10のいずれかに記載の方法を実行させるようになされている、コンピュータプログラム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161466566P | 2011-03-23 | 2011-03-23 | |
US61/466,566 | 2011-03-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012204835A true JP2012204835A (ja) | 2012-10-22 |
JP5331221B2 JP5331221B2 (ja) | 2013-10-30 |
Family
ID=45977165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012060219A Active JP5331221B2 (ja) | 2011-03-23 | 2012-03-16 | 構造の電磁散乱特性を計算し、近似構造を再構築する方法及び装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9116834B2 (ja) |
EP (1) | EP2515168B1 (ja) |
JP (1) | JP5331221B2 (ja) |
KR (1) | KR101351453B1 (ja) |
CN (1) | CN102692823B (ja) |
IL (1) | IL218588A (ja) |
SG (1) | SG184675A1 (ja) |
TW (1) | TWI456337B (ja) |
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- 2012-03-12 EP EP12158979.0A patent/EP2515168B1/en active Active
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A977 | Report on retrieval |
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