JP2005517903A - 集積回路測定用のプロファイル精密化 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2000年11月28日付けで出願されたJakatdar他による「グレーティングプロファイルのリアルタイムライブラリ生成システム及び方法(System and Method for Real−Time Library Generation of Grating Profiles)」という名称の同時係属中の米国特許出願第09/727530号、2001年1月25日に出願されたNiu他による「急速厳密結合波解析のためのレイヤ内演算のキャッチング(Caching of Intra−Layer Calculations for Rapid Rigorous Coupled−Wave Analyses)」という名称の同時係属中の米国特許出願第09/764,780号、2000年12月14日付けで出願されたDoddi他による「グレーティングプロファイル分類システム及び方法(System and method for Grating Profile Classification)」という名称の同時係属中の米国特許出願第09/737,705号、及び2001年8月6日付けで出願された「回帰ベースライブラリ生成プロセスによる動的学習方法及びシステム(Method and System of Dynamic Learning Through a Regression−Based Library Generation Process)」という名称の同時係属中の米国特許出願第09/923,578号に関連するものであり、これらの出願は、いずれも本出願の譲受人によって所有されており、これらの内容は、本引用により、本明細書に包含される。
|0−b1|≦T1の比較
・
・
|βL/2−bL|≦TLの比較
・
・
|0−bK|≦TKの比較 (2.10)
ここで、ΔS及びΔPは、次のとおりである。
ΔP=(ΔP1,ΔP2,...ΔPK) (5.80)
Claims (76)
- 計測信号から集積回路構造のプロファイルを決定するプロファイル決定方法であって、
構造からの信号を測定装置によって計測するステップであって、前記計測によって計測信号を生成するステップと、
プロファイルデータ空間内において前記計測信号のベストマッチを選択するステップであって、該プロファイルデータ空間は、特定範囲の非線形性を有するデータポイントを具備し、該データポイントは、プロファイルパラメータ及び関連する信号を表しており、該
プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の前記プロファイルを特徴付けており、前記ベストマッチは、前記計測信号に最も近い信号を有する前記プロファイルデータ空間のデータポイントであるステップと、
精密化手順を使用し、前記選択された信号の前記プロファイルパラメータに基づいて前記計測信号に対応する精密なプロファイルパラメータを決定するステップと、
を有し、
前記精密化手順は、前記計測信号、前記ベストマッチ信号と関連付けられたデータ、及び前記プロファイルデータ空間からのその他のデータ及び/又は前記プロファイルデータ空間から導出されたその他のデータを使用して精密化されたプロファイルパラメータを決定するべく設計された一連のステップを有するプロファイル決定方法。 - 前記特定範囲の非線形性を有するデータポイントを具備する前記プロファイルデータ空間内において前記計測信号の前記ベストマッチを選択するステップは、
前記プロファイルデータ空間のデータポイント間における前記非線形性の範囲を特定するステップと、
前記特定範囲の非線形性が前記プロファイルデータ空間の前記データポイント間に存在することを検証するステップと、
を有する請求項1記載のプロファイル決定方法。 - 前記プロファイルデータ空間のデータポイント間における前記非線形性の範囲を指定するステップは、それぞれのプロファイルパラメータごとに閾値偏差を設定するステップを有する請求項2記載のプロファイル決定方法。
- 前記特定範囲の非線形性が前記プロファイルデータ空間の前記データポイント間に存在することを検証するステップは、
前記プロファイルデータ空間内のデータポイントの精密な分解能を算出するステップであって、該精密な分解能は、前記特定範囲の非線形性が前記データポイント間に存在するように設計されているステップと、
前記算出された精密な分解能を使用して前記プロファイルデータ空間の前記データポイントを生成するステップと、
を有する請求項2記載のプロファイル決定方法。 - 前記プロファイルデータ空間内のデータポイントの前記精密な分解能を算出するステップは、
感度行列を算出するステップであって、前記感度行列は、前記プロファイルパラメータの変化によって起きる前記信号の変化の尺度であるステップと、
前記プロファイルデータ空間のデータポイント間における前記関連付けられた範囲の非線形性を維持しつつ、それぞれのプロファイルパラメータごとに最大の精密化済み分解能を決定するステップと、
を有する請求項4記載のプロファイル決定方法。 - 前記測定装置は、光学測定装置、電子測定装置、電気測定装置、又は機械測定装置である請求項1記載のプロファイル決定方法。
- 前記計測信号に対応する精密なプロファイルパラメータを決定するステップは、
前記プロファイルデータ空間において多面体を選択するステップであって、該多面体は、ベストマッチのデータポイントを含むと共に、前記ベストマッチデータポイントに隣接する選択されたプロファイルパラメータデータポイントに対応する角を具備しているステップと、
総費用関数を最小化するステップであって、該総費用関数は、前記計測信号に対する前記選択されたプロファイルパラメータデータポイントに対応する信号の費用関数と前記計測信号に対する前記ベストマッチ信号の費用関数を有しているステップと、
を有する請求項1記載のプロファイル決定方法。 - 前記選択された多面体は、それぞれのプロファイルパラメータと関連付けられている1つの角を具備する請求項7記載のプロファイル決定方法。
- 前記選択された多面体は、それぞれのプロファイルパラメータと関連付けられている2つの角を具備する請求項7記載のプロファイル決定方法。
- 前記総費用関数を最小化するステップは、
重み付けベクトルの組を選択するステップであって、それぞれの重み付けベクトルは、ベクトル要素を具備しており、それぞれのベクトル要素は、選択されたデータポイントに対応する信号に関連付けられているステップと、
前記重み付けベクトルの組のそれぞれの重み付けベクトルごとに前記総費用関数を算出するステップと、
最小総費用関数をもたらす前記重み付けベクトルを選択するステップと、
を有する請求項7記載のプロファイル決定方法。 - 前記最小総費用関数と関連付けられている前記重み付けベクトルを使用して前記精密なプロファイルパラメータを算出するステップをさらに有する請求項10記載のプロファイル決定方法。
- 前記計測信号に対応する精密なプロファイルパラメータを決定するステップは、
感度行列を算出するステップであって、該感度行列は、前記プロファイルパラメータの変化によって起きる前記信号の変化の尺度であるステップと、
前記算出された感度行列を使用して前記プロファイルパラメータの調整値を決定するステップと、
前記プロファイルパラメータの前記調整値を前記プロファイルデータ空間内の前記ベストマッチデータポイントの対応するプロファイルパラメータに加算することにより、前記精密なプロファイルパラメータを算出するステップと、
を有する請求項1記載のプロファイル決定方法。 - 前記プロファイルパラメータの前記調整値を決定するステップは、
前記計測信号と前記ベストマッチ信号の差を算出するステップと、
前記計測信号と前記ベストマッチ信号の前記差と前記算出された感度行列を使用して前記調整値を算出するステップと、
を有する請求項12記載のプロファイル決定方法。 - 前記精密なプロファイルパラメータを決定する前記精密化手順は、双線形精密化、ラグランジュ精密化、3次スプライン精密化、エイトケン精密化、加重平均精密化、マルチ二次精密化、双3次精密化、Turran精密化、ウェーブレット精密化、ベッセル精密化、Everett精密化、有限差分精密化、ガウス精密化、エルミート精密化、ニュートンの差分商精密化、接触精密化、又はThieleの精密化アルゴリズムを利用する請求項1記載のプロファイル決定方法。
- 計測信号から集積回路構造のプロファイルを決定するプロファイル決定方法であって、
構造からの信号を測定装置によって計測するステップであって、前記計測によって計測信号を生成するステップと、
前記計測信号をクラスタ代表の信号と比較することにより、前記計測信号のベストマッチを選択するステップであって、該クラスタ代表は、プロファイルデータ空間のデータポイントのクラスタから選択されており、前記クラスタ代表は、信号をプロファイルパラメータに変換するべく構成された関連する調整乗数行列を具備し、前記プロファイルデータ空間の前記データポイントは、特定範囲の非線形性を具備しており、前記データポイントは、プロファイルパラメータ及び関連する信号を表しており、前記プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の前記プロファイルを特徴付けているステップと、
前記計測信号と調整乗数行列を乗算することにより、精密なプロファイルパラメータを算出するステップと、
を有するプロファイル決定方法。 - 前記計測信号をクラスタ代表の信号と比較することによって前記計測信号の前記ベストマッチを選択するステップは、
前記プロファイルデータ空間のデータポイントを前記クラスタにグループ化するステップと、
それぞれのクラスタごとに前記クラスタ代表を選択するステップと、
それぞれのクラスタの前記グラスタ代表のそれぞれのプロファイルパラメータごとに前記調整乗数行列を導出するステップと、
を有する請求項15記載のプロファイル決定方法。 - 事前設定された基準に照らし、前記精密なプロファイルパラメータと前記ベストマッチ信号の前記プロファイルパラメータ間の精度をテストするステップと、
前記精密なプロファイルパラメータが前記事前設定基準を満足しない場合に、補正を適用するステップと、
をさらに有する請求項15記載の方法。 - 計測信号から集積回路構造のプロファイルを決定するプロファイル決定方法であって、
構造からの信号を測定装置によって計測するステップであって、前記計測によって計測信号を生成するステップと、
前記計測信号に最も近い特定された数のデータ空間のデータポイントを選択するステップであって、該データ空間の前記データポイントは、プロファイルパラメータ及び関連する信号を表しており、該プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の前記プロファイルを特徴付けており、前記データ空間の前記データポイントは、特定範囲の非線形性を具備しているステップと、
調整乗数を導出するステップであって、該調整乗数は、前記選択された数のデータポイントに関連付けられている信号を対応するプロファイルパラメータに変換するべく構成されているステップと、
前記計測信号と前記調整乗数を乗算することにより、前記計測信号に対応する精密なプロファイルパラメータを算出するステップと、
を有するプロファイル決定方法。 - 計測信号から集積回路構造のプロファイルを決定する方法であって、
構造からの信号を測定装置によって計測するステップであって、前記計測によって計測信号を生成するステップと、
プロファイルデータ空間内において前記計測信号のベストマッチを選択するステップであって、該プロファイルデータ空間は、特定範囲の非線形性を有するデータポイントを具備し、該データポイントは、プロファイルパラメータ及び関連する信号を表しており、該プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の前記プロファイルを特徴付けており、前記ベストマッチは、前記計測信号に最も近い信号を有する前記プロファイルデータ空間のデータポイントであるステップと、
前記ベストマッチに最も近い指定された数のデータポイントを選択するステップと、
前記選択されたデータポイントに関連付けられているデータを使用することにより、調整乗数を導出するステップであって、該調整乗数は、前記選択されたデータポイントの信号を対応するプロファイルパラメータに変換するべく構成されているステップと、
前記計測信号と前記調整乗数を乗算することにより、前記計測信号に対応する精密なプロファイルパラメータを算出するステップと、
を有する方法。 - 集積回路構造のプロファイルの決定に使用するプロファイル精密化のパラメータを調整するパラメータ調整方法において、
精密化手順と、特定の分解能で生成されたプロファイルデータ空間を使用することにより、計測信号に対応する精密なプロファイルパラメータを決定するステップであって、前記プロファイルデータ空間は、データポイントを具備し、該データポイントは、プロファイルパラメータ及び関連する信号を表しており、該プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の前記プロファイルを特徴付けているステップと、
前記プロファイルパラメータを対応する算出信号に変換するための乗数を導出するステップであって、前記導出においては、選択されたデータポイントと関連付けられているデータを使用するステップと、
前記乗数と前記計測信号の前記精密なプロファイルパラメータを使用して信号を算出するステップと、
前記計測信号に対する前記算出信号の適合度と前記計測信号に対する前記プロファイルデータ空間のベストマッチ信号の適合度を比較するステップであって、前記ベストマッチ信号は、前記計測信号を前記プロファイルデータ空間のデータポイントに関連付けられている信号と比較することによって取得されるステップと、
前記計測信号に最も近い算出信号を選択するステップと、
を有し、
前記精密化手順は、前記計測信号、前記ベストマッチ信号と関連付けられているデータ、及び前記プロファイルデータ空間からのその他のデータ及び/又は前記プロファイルデータ空間から導出されたその他のデータを使用して精密なプロファイルパラメータを決定するべく設計された一連のステップを有しているパラメータ調整方法。 - 前記適合度比較を比較するステップは、前記計測信号に対する前記算出信号の費用関数と前記計測信号に対する前記ベストマッチ信号の費用関数を比較することによって実行される請求項20記載のパラメータ調整方法。
- 補正操作を実行し、前記計測信号に対する前記算出信号の適合度を改善するステップをさらに有する請求項20記載のパラメータ調整方法。
- 前記補正を実行するステップは、原分解能よりも高い分解能で前記プロファイルデータ空間を再生成するステップを有する請求項22記載のパラメータ調整方法。
- 前記補正操作を実行するステップは、前記精密化手順を別の精密化手順に変更するステップを有する請求項20記載のパラメータ調整方法。
- 計測信号から集積回路構造のプロファイルを決定するプロファイル決定方法であって、
構造からの信号を測定装置によって計測するステップであって、前記計測によって計測信号を生成するステップと、
プロファイルデータ空間内において前記計測信号のベストマッチを選択するステップであって、前記データポイントは、プロファイルパラメータ及び関連する信号を表しており、該プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の前記プロファイルを特徴付けており、前記ベストマッチは、前記計測信号に最も近い信号を有する前記プロファイルデータ空間のデータポイントであるステップと、
前記プロファイルデータ空間のサブセット内において第1データポイントを選択するステップであって、該プロファイルデータ空間サブセットは、前記計測信号と、前記ベストマッチ信号に関連付けられている前記データポイントに隣接するデータポイントを含んでいるステップと、
前記選択された第1データポイントに対応するプロファイルパラメータにより、構造からの信号をシミュレートするステップと、
プロファイル精密化事前設定基準を満足していることを検証するステップであって、前記プロファイル精密化事前設定基準は、前記計測信号に対する前記シミュレート信号の適合度の尺度を有しているステップと、
前記プロファイル精密化事前設定基準を満足する前記シミュレート信号に関連付けられているプロファイルパラメータを抽出するステップと、
を有するプロファイル決定方法。 - 前記プロファイル精密化事前設定基準を満足していることを検証するステップは、
誤差測定基準が前記プロファイル精密化事前設定基準内にあるかどうかをテストするステップであって、前記誤差測定基準により、前記計測信号に対する前記シミュレート信号の適合度を計測するステップと、
前記誤差測定基準が前記プロファイル精密化事前設定基準から外れている場合に、最適化法を実行して前記データ空間サブセット内において次のデータポイントを選択し、前記次のデータポイントを使用して次のシミュレート信号を決定するステップと、
を有する請求項25記載のプロファイル決定方法。 - 前記最適化法を実行して前記データ空間サブセット内において前記次のデータポイントを選択するステップは、グローバル最適化法及び/又はローカル最適化法を適用するステップを伴っている請求項26記載のプロファイル決定方法。
- 前記プロファイルデータ空間には、測定シミュレーションプロセスによって生成されたデータポイントが含まれており、前記測定シミュレーションプロセスにより、プロファイルパラメータの組から構造からの信号を算出する請求項25記載のプロファイル決定方法。
- 計測信号から集積回路構造のプロファイルを決定するプロファイル決定方法において、
構造からの信号を測定装置によって計測するステップであって、前記計測によって計測信号を生成するステップと、
プロファイルデータ空間内において前記計測信号のベストマッチを選択するステップであって、前記データポイントは、プロファイルパラメータ及び関連する信号を表しており、該プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の前記プロファイルを特徴付けており、前記ベストマッチは、前記計測信号に最も近い信号を有する前記プロファイルデータ空間のデータポイントであるステップと、
感度行列を算出するステップであって、前記感度行列は、前記プロファイルパラメータの変化によって起きる前記信号の変化の尺度であるステップと、
前記算出された感度行列と前記ベストマッチプロファイルパラメータを使用して精密なプロファイルパラメータの第1の組を決定するステップと、
前記精密なプロファイルパラメータの第1の組を使用して第1信号をシミュレートするステップと、
前記算出された感度行列と前記精密なプロファイルパラメータの第1の組を使用して精密なプロファイルパラメータの第2の組を決定するステップと、
を有するプロファイル決定方法。 - 前記精密なプロファイルパラメータの第2の組を使用して第2信号をシミュレートするステップと、
前記算出された感度行列と前記精密なプロファイルパラメータの第2の組を使用して精密なプロファイルパラメータの第3の組を決定するステップと、
をさらに有する請求項29記載のプロファイル決定方法。 - 計測信号から集積回路構造のプロファイルを決定するプロファイル決定方法において、
構造からの信号を測定装置によって計測するステップであって、前記計測によって計測信号を生成するステップと、
プロファイルデータ空間内において前記計測信号のベストマッチを選択するステップであって、前記データポイントは、プロファイルパラメータ及び関連する信号を表しており、該プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の前記プロファイルを特徴付けており、前記ベストマッチは、前記計測信号に最も近い信号を有する前記プロファイルデータ空間のデータポイントであるステップと、
精密化手順を使用して精密なプロファイルパラメータの第1の組を決定するステップであって、該精密化手順は、前記計測信号、前記ベストマッチ信号に関連付けられているデータ、及び前記プロファイルデータ空間からのその他のデータ及び/又は前記プロファイルデータ空間から導出されたその他のデータを使用して精密なプロファイルパラメータを決定するべく設計された一連のステップであるステップと、
前記精密なプロファイルパラメータの第1の組の周辺において前記プロファイルパラメータの範囲を設定するステップと、
前記精密なプロファイルパラメータの第1の組の周辺に設定された前記範囲を使用して第2プロファイルデータ空間を生成するステップと、
前記精密化手順を使用して精密なプロファイルパラメータの第2の組を決定するステップと、
を有し、
前記精密化手順は、前記計測信号、前記ベストマッチ信号に関連付けられているデータ、前記プロファイルデータ空間からのその他のデータ及び/又は前記プロファイルデータ空間から導出されたその他のデータを使用して精密なプロファイルパラメータを決定するべく設計された一連のステップを有しているプロファイル決定方法。 - 前記精密なプロファイルパラメータの第2の組の周辺に設定された前記範囲を使用して第3プロファイルデータ空間を生成するステップと、
前記精密化手順を使用して精密なプロファイルパラメータの第3の組を決定するステップと、
をさらに有する請求項31記載のプロファイル決定方法。 - 計測された回折スペクトルから集積回路構造のプロファイルを決定するプロファイル決定方法において、
構造からの回折スペクトルを測定装置によって計測するステップであって、前記計測によって計測回折スペクトルを生成するステップと、
プロファイルライブラリ内において前記計測回折スペクトルのベストマッチを選択するステップであって、該プロファイルライブラリは、特定範囲の非線形性を有するインスタンスを具備し、該プロファイルライブラリインスタンスは、プロファイルパラメータ及び関連する回折スペクトルを含み、該プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の前記プロファイルを特徴付けており、前記ベストマッチは、前記計測回折スペクトルに最も近い回折スペクトルを有する前記プロファイルライブラリのインスタンスである、ステップと、
精密化手順を使用し、前記選択された信号の前記プロファイルパラメータに基づいて前記計測信号に対応する精密なプロファイルパラメータを決定するステップと、
を有し、
前記精密化手順は、前記計測信号、前記ベストマッチ信号に関連付けられているデータ、前記プロファイルデータ空間からのその他のデータ及び/又は前記プロファイルデータ空間から導出されたその他のデータを使用して精密なプロファイルパラメータを決定するべく設計された一連のステップを有しているプロファイル決定方法。 - 前記プロファイルライブラリ内において計測回折スペクトルのベストマッチを選択するステップは、
前記プロファイルライブラリのインスタンス間における前記非線形性の範囲を特定するステップと、
前記特定範囲の非線形性が前記プロファイルライブラリの前記インスタンス間に存在していることを検証するステップと、
を有する請求項33記載のプロファイル決定方法。 - 前記非線形性の範囲を特定するステップは、それぞれのプロファイルパラメータごとに閾値偏差を設定するステップを有している請求項34記載のプロファイル決定方法。
- 前記特定範囲の非線形性が前記プロファイルライブラリの前記インスタンス間に存在していることを検証するステップは、
前記プロファイルライブラリ内のインスタンスの精密な分解能を算出するステップであって、前記精密な分解能は、前記特定範囲の非線形性が前記プロファイルライブラリ内の前記インスタンス間に存在するようにするべく設計されているステップと、
プロファイルパラメータ範囲と前記算出された精密な分解能を使用して前記プロファイルライブラリを生成するステップと、
を有する請求項34記載のプロファイル決定方法。 - 前記プロファイルライブラリ内のインスタンスの前記精密な分解能を算出するステップは、
感度行列を算出するステップであって、前記感度行列は、前記プロファイルパラメータの変化によって誘発される前記信号の変化の尺度であるステップと、
前記プロファイルライブラリのインスタンス間における前記特定範囲の非線形性を維持しつつ、プロファイルパラメータの最大精密化済み分解能を決定するステップと、
を有する請求項36記載のプロファイル決定方法。 - 前記計測信号に対応する精密なプロファイルパラメータを決定するステップは、
プロファイルデータ空間内において多面体を選択するステップであって、該プロファイルデータ空間は、前記プロファイルライブラリのインスタンスを表すデータポイントを具備し、前記多面体は、前記ベストマッチデータポイントを含むと共に、前記ベストマッチデータポイントに隣接する選択されたデータポイントに対応する角を具備し、前記ベストマッチデータポイントは、前記プロファイルライブラリの前記ベストマッチインスタンスに対応しているステップと、
総費用関数を最小化するステップであって、前記総費用関数は、前記計測回折スペクトルに対する前記選択されたデータポイントに対応する前記回折スペクトルの費用関数と、前記計測回折スペクトルに対する前記ベストマッチ回折スペクトルの費用関数を有しているステップと、
を有する請求項33記載のプロファイル決定方法。 - 前記選択された多面体は、それぞれのプロファイルパラメータと関連付けられている1つの角を具備している請求項38記載のプロファイル決定方法。
- 前記選択された多面体は、それぞれのプロファイルパラメータと関連付けられている2つの角を具備している請求項38記載のプロファイル決定方法。
- 前記総費用関数を最小化するステップは、
重み付けベクトルの組を選択するステップであって、それぞれの重み付けベクトルは、ベクトル要素を具備し、それぞれのベクトル要素は、選択されたデータポイントに対応する前記回折スペクトルに関連付けられているステップと、
前記重み付けベクトルの組の重み付けベクトルを使用して前記総費用関数を算出するステップと、
前記最小総費用関数に関連付けられた前記重み付けベクトルを選択するステップと、
を有する請求項38記載のプロファイル決定方法。 - 前記最小総費用関数と関連付けられている前記重み付けベクトルを使用して前記精密なプロファイルパラメータを算出するステップをさらに有する請求項41記載のプロファイル決定方法。
- 前記計測信号に対応する精密なプロファイルパラメータを決定するステップは、
感度行列を算出するステップであって、前記感度行列は、前記プロファイルパラメータの変化によって起きる前記信号の変化の尺度であるステップと、
前記感度行列を使用して前記プロファイルパラメータの調整値を決定するステップと、
前記プロファイルパラメータの前記調整値を前記プロファイルライブラリ内の前記ベストマッチインスタンスの対応するプロファイルパラメータに加算することにより、前記精密なプロファイルパラメータを算出するステップと、
を有する請求項33記載のプロファイル決定方法。 - 前記プロファイルパラメータの前記調整値を決定するステップは、
前記計測信号と前記ベストマッチスペクトルの差を算出するステップと、
前記計測スペクトルと前記ベストマッチスペクトルの前記差と前記算出された感度行列を使用して前記調整値を算出するステップと、
を有する請求項43記載のプロファイル決定方法。 - 前記精密なプロファイルパラメータを決定するための前記精密化手順は、双線形精密化、ラグランジュ精密化、3次スプライン精密化、エイトケン精密化、加重平均精密化、マルチ二次精密化、双3次精密化、Turran精密化、ウェーブレット精密化、ベッセル精密化、Everett精密化、有限差分精密化、ガウス精密化、エルミート精密化、ニュートンの差分商精密化、接触精密化、又はThieleの精密化アルゴリズムを利用する請求項33記載のプロファイル決定方法。
- 計測された回折スペクトルから集積回路構造のプロファイルを決定するプロファイル決定方法において、
構造からの回折スペクトルを測定装置によって計測するステップであって、前記計測によって計測回折スペクトルを生成するステップと、
前記計測回折スペクトルをクラスタ代表の回折スペクトルと比較することにより、前記計測回折スペクトルのベストマッチを選択するステップであって、前記クラスタ代表は、前記回折スペクトルをプロファイルパラメータに変換するべく構成された関連付けられている調整乗数行列を具備し、前記クラスタ代表は、プロファイルライブラリのインスタンスのクラスタから選択されており、前記プロファイルライブラリの前記インスタンスは、回折スペクトルとプロファイルパラメータを含み、前記プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の前記プロファイルを特徴付けており、前記プロファイルライブラリの前記インスタンスは、特定範囲の非線形性を有するように生成されているステップと、
前記計測回折スペクトルと前記調整乗数行列を乗算することにより、精密なプロファイルパラメータを算出するステップと、
を有するプロファイル決定方法。 - 前記計測回折スペクトルをクラスタ代表の回折スペクトルと比較することによって前記計測回折スペクトルの前記ベストマッチを選択するステップは、
前記プロファイルライブラリのインスタンスを前記クラスタにグループ化するステップと、
それぞれのクラスタごとに前記クラスタ代表を選択するステップと、
それぞれのクラスタの前記クラスタ代表のそれぞれのプロファイルパラメータ値ごとに前記調整乗数行列を導出するステップと、
を有する請求項46記載のプロファイル決定方法。 - 事前設定された基準に照らし、前記精密なプロファイルパラメータと前記ベストマッチ信号の前記プロファイルパラメータ間の精度をテストするステップと、
前記精密なプロファイルパラメータが前記事前設定基準を満足していない場合に、補正操作を適用するステップと、
をさらに有する請求項46記載のプロファイル決定方法。 - 計測された回折スペクトルから集積回路構造のプロファイルを決定するプロファイル決定方法において、
構造からの回折スペクトルを測定装置によって計測するステップであって、前記計測によって計測回折スペクトルを生成するステップと、
前記計測回折スペクトルに最も近い指定された数のプロファイルライブラリインスタンスを選択するステップであって、前記プロファイルライブラリインスタンスは、回折スペクトルとプロファイルパラメータを含み、前記プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の前記プロファイルを特徴付けており、前記プロファイルライブラリインスタンスは、特定範囲の非線形性を有するように生成されているステップと、
調整乗数を導出するステップであって、前記調整乗数は、前記選択された数のプロファイルライブラリインスタンスの回折スペクトルを対応するプロファイルパラメータに変換するべく構成されているステップと、
前記計測回折スペクトルと前記調整乗数を乗算することにより、精密なプロファイルパラメータを算出するステップと、
を有するプロファイル決定方法。 - 計測された回折スペクトルから集積回路構造のプロファイルを決定するプロファイル決定方法において、
構造からの回折スペクトルを測定装置によって計測するステップであって、前記計測によって計測回折スペクトルを生成するステップと、
プロファイルライブラリ内において前記計測回折スペクトルのベストマッチを選択するステップであって、前記プロファイルライブラリは、特定範囲の非線形性を有するインスタンスを具備し、前記プロファイルライブラリインスタンスは、プロファイルパラメータ及び関連する回折スペクトルを含み、前記プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の前記プロファイルを特徴付けており、前記ベストマッチは、前記計測回折スペクトルに最も近い回折スペクトルを有する前記プロファイルライブラリのインスタンスである、ステップと、
前記ベストマッチスペクトルに最も近い指定された数のプロファイルライブラリインスタンスを選択するステップと、
調整乗数を導出するステップであって、前記調整乗数は、前記選択された数のプロファイルライブラリインスタンスの回折スペクトルを対応するプロファイルパラメータに変換するべく構成されているステップと、
前記計測回折スペクトルと前記調整乗数を乗算することによって精密なプロファイルパラメータを算出するステップと、
を有することを特徴とするプロファイル決定方法。 - 集積回路構造のプロファイルの決定に使用するプロファイル精密化のパラメータを調整するパラメータ調整方法であって、
構造からの回折スペクトルを測定装置によって計測するステップであって、前記計測によって計測回折スペクトルを生成するステップと、
精密化手順と、特定された分解能で生成されたプロファイルライブラリを使用することにより、前記計測回折スペクトルに対応する精密なプロファイルパラメータを決定するステップであって、前記プロファイルライブラリは、インスタンスを具備し、該インスタンスは、プロファイルパラメータ及び関連する回折スペクトルを具備し、該プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の前記プロファイルを特徴付けており、前記精密化手順は、前記計測回折スペクトル、前記ベストマッチ回折スペクトルと関連付けられているデータ、及び前記プロファイルライブラリからのその他のデータ及び/又は前記プロファイルライブラリから導出されたその他のデータを使用して精密なプロファイルパラメータを決定するべく設計された一連のステップであるステップと、
前記プロファイルパラメータを対応する算出回折スペクトルに変換するための乗数を導出するステップであって、前記導出においては、前記プロファイルライブラリの選択されたインスタンスに関連付けられているデータを使用するステップと、
前記乗数と前記計測回折スペクトルの前記精密なプロファイルパラメータを使用して回折スペクトルを算出するステップと、
前記計測回折スペクトルに対する前記算出回折スペクトルの適合度と前記計測回折スペクトルに対する前記プロファイルライブラリのベストマッチ回折スペクトルの適合度を比較するステップであって、前記ベストマッチ回折スペクトルは、前記計測回折スペクトルを前記プロファイルライブラリのインスタンスと関連付けられている回折スペクトルと比較し、前記計測回折スペクトルに最も近い回折スペクトルを選択することによって取得されるステップと、
を有するパラメータ調整方法。 - 前記適合度比較は、前記計測回折スペクトルに対する前記算出回折スペクトルの費用関数と前記計測回折スペクトルに対する前記ベストマッチ回折スペクトルの費用関数を比較することによって実行される請求項51記載のパラメータ調整方法。
- 補正を実行し、前記計測回折スペクトルに対する前記算出回折スペクトルの適合度を改善するステップをさらに有する請求項51記載のパラメータ調整方法。
- 前記補正を実行するステップは、原分解能よりも高い分解能で前記プロファイルライブラリを再生成するステップを有する請求項53記載のパラメータ調整方法。
- 前記補正を実行するステップは、前記精密化手順を別の精密化手順に変更するステップを有する請求項53記載のパラメータ調整方法。
- 計測された回折スペクトルから集積回路構造のプロファイルを決定する方法において、
構造からの回折スペクトルを測定装置によって計測するステップであって、前記計測によって計測回折スペクトルを生成するステップと、
プロファイルライブラリ内において前記計測回折スペクトルのベストマッチを選択するステップであって、前記プロファイルライブラリは、特定範囲の非線形性を有するインスタンスを具備し、前記プロファイルライブラリインスタンスは、プロファイルパラメータ及び関連する回折インスタンスを含み、前記プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の前記プロファイルを特徴付けており、前記ベストマッチは、前記計測回折スペクトルに最も近い回折スペクトルを有する前記プロファイルライブラリのインスタンスであるステップと、
前記データ空間のサブセット内において第1データポイントを選択するステップであって、前記データ空間サブセットは、前記ベストマッチ回折スペクトルの前記プロファイルパラメータと、前記ベストマッチ回折スペクトルのプロファイルパラメータに隣接したプロファイルパラメータを含んでいるステップと、
前記選択された第1データポイントに対応するプロファイルパラメータによって構造からの回折スペクトルをシミュレートするステップと、
プロファイル精密化事前設定基準を満足していることを検証するステップであって、前記プロファイル精密化事前設定基準は、前記計測回折スペクトルに対する前記シミュレート回折スペクトルの適合度の尺度を有しているステップと、
前記精密化事前設定基準を満足する前記シミュレート回折スペクトルに関連付けられているプロファイルパラメータを抽出するステップと、
を有するプロファイル決定方法。 - 前記プロファイル精密化事前設定基準を満足していることを検証するステップは、
誤差測定基準が前記プロファイル精密化事前設定基準内にあるかどうかをテストするステップであって、前記誤差測定基準により、前記計測スペクトルに対する前記シミュレート回折スペクトルの適合度を計測するステップと、
前記誤差測定基準が前記プロファイル精密化事前設定基準から外れている場合に、最適化法を実行し、前記データ空間サブセット内において次のデータポイントを選択し、該次のデータポイントを使用して次のシミュレート回折スペクトルを決定するステップと、
を有する請求項56記載のプロファイル決定方法。 - 最適化法を実行し前記データ空間サブセット内において前記次のデータポイントを選択するステップは、グローバル最適化法及び/又はローカル最適化法を適用するステップを伴っている請求項57記載のプロファイル決定方法。
- 前記データ空間には、光学測定シミュレーションプロセスによって生成されたデータポイントが含まれており、前記光学測定シミュレーションプロセスにより、特定された分解能を有するプロファイルパラメータの組から構造からの回折スペクトルを算出する請求項56記載のプロファイル決定方法。
- 計測された回折スペクトルから集積回路構造のプロファイルを決定する方法において、
構造からの回折スペクトルを測定装置によって計測するステップであって、前記計測によって計測回折スペクトルを生成するステップと、
プロファイルライブラリ内において前記計測回折スペクトルのベストマッチを選択するステップであって、該プロファイルライブラリは、特定範囲の非線形性を有するインスタンスを具備し、該プロファイルライブラリインスタンスは、プロファイルパラメータ及び関連する回折スペクトルを含み、前記プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の前記プロファイルを特徴付けており、前記ベストマッチは、前記計測回折スペクトルに最も近い回折スペクトルを有する前記プロファイルライブラリのインスタンスである、ステップと、
感度行列を算出するステップであって、前記感度行列は、前記プロファイルパラメータの変化によって起きる前記回折スペクトルの変化の尺度であるステップと、
前記算出された感度行列と前記ベストマッチプロファイルパラメータを使用して精密なプロファイルライブラリの第1の組を決定するステップと、
前記精密なプロファイルパラメータの第1の組を使用して第1の回折スペクトルをシミュレートするステップと、
前記算出された感度行列と前記精密なプロファイルパメータの第1の組を使用して精密なプロファイルパラメータの第2の組を決定するステップと、
を有するプロファイル決定方法。 - 前記精密なプロファイルパラメータの第2の組を使用して第2の回折スペクトルをシミュレートするステップと、
前記算出された感度行列と前記精密なプロファイルパラメータの第2の組を使用して精密なプロファイルパラメータの第3の組を決定するステップと、
をさらに有する請求項60記載のプロファイル決定方法。 - 計測された回折スペクトルから集積回路構造のプロファイルを決定する方法において、
構造からの回折スペクトルを測定装置によって計測するステップであって、前記計測によって計測回折スペクトルを生成するステップと、
プロファイルライブライ内において前記計測回折スペクトルのベストマッチを選択するステップであって、前記プロファイルライブラリは、特定範囲の非線形性を有するインスタンスを具備し、該プロファイルライブラリインスタンスは、プロファイルパラメータ及び関連する回折スペクトルを含み、該プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の前記プロファイルを特徴付けており、前記ベストマッチは、前記計測回折スペクトルに最も近い回折スペクトルを有する前記プロファイルライブラリのインスタンスであるステップと、
精密化手順を使用し、精密なプロファイルパラメータの第1の組を決定するステップであって、前記精密化手順は、前記計測回折スペクトル、前記ベストマッチ回折スペクトルに関連付けられているデータ、及び前記プロファイルライブラリからのその他のデータ及び/又は前記プロファイルライブラリから導出されたその他のデータを使用して精密なプロファイルパラメータを決定するべく設計された一連のステップであるステップと、
前記精密なプロファイルパラメータの第1の組の周辺において前記プロファイルパラメータの範囲を設定するステップと、
前記精密なプロファイルパラメータの第1の組の周辺に設定された前記範囲を使用して第2プロファイルライブラリを生成するステップと、
精密化手順を使用し、精密なプロファイルパラメータの第2の組を決定するステップと、
を有するプロファイル決定方法。 - 計測された信号から集積回路構造のプロファイルを決定するプロファイル決定システムにおいて、
計測信号を伝送し精密なプロファイルパラメータを受信するべく構成されたプロファイルクエリ装置であって、前記計測信号は、集積回路構造から取得され、前記プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の可能なプロファイルを特徴付けているプロファイルクエリ装置と、
特定範囲の非線形性を有するデータポイントを具備するプロファイルデータ空間であって、前記データポイントは、プロファイルパラメータ及び関連する信号を表しているプロファイルデータ空間と、
前記プロファイルデータ空間内において前記計測信号のベストマッチを選択するべく構成されたプロファイル評価器であって、前記ベストマッチは、前記計測信号に最も近い信号を有する前記プロファイルデータ空間のデータポイントであり、前記プロファイル評価器は、精密化手順を実行して前記精密なプロファイルパラメータを決定するべく構成されている、プロファイル評価器と、
を有し、前記精密化手順は、前記計測信号、前記ベストマッチ信号に関連付けられているデータ、及び前記プロファイルデータ空間からのその他のデータ及び/又は前記プロファイルデータ空間から導出されたその他のデータを使用して精密なプロファイルパラメータを決定するべく設計された一連のステップを有しているプロファイル決定システム。 - 前記プロファイル評価器は、前記プロファイルデータ空間内において多面体を選択するべく構成されており、該多面体は、前記ベストマッチデータポイントを含むと共に、前記ベストマッチデータポイントに隣接する選択されたプロファイルパラメータデータポイントに対応する角を具備しており、
前記プロファイル評価器は、総費用関数を最小化するべく構成されており、前記総費用関数は、前記計測信号に対する前記選択されたプロファイルパラメータデータポイントに対応する信号の費用関数と前記計測信号に対する前記ベストマッチ信号の費用関数とを有している請求項63記載のプロファイル決定システム。 - 前記プロファイル評価器は、感度行列を算出するべく構成されており、前記感度行列は、前記プロファイルパラメータの変化によって起きる前記信号の変化の尺度であり、
前記プロファイル評価器は、前記算出された感度行列を使用して前記プロファイルパラメータの調整値を決定するべく構成されており、
前記プロファイル評価器は、前記プロファイルパラメータの前記調整値を前記プロファイルデータ空間内の前記ベストマッチデータポイントの対応するプロファイルパラメータに加算することにより、前記精密なプロファイルパラメータを算出するべく構成されている請求項63記載のプロファイル決定システム。 - 前記プロファイル評価器は、前記計測信号をクラスタ代表の信号と比較することにより、計測信号のベストマッチを選択するべく構成されており、前記クラスタ代表は、プロファイルデータ空間のデータポイントのクラスタから選択され、該プロファイルデータ空間のデータポイントは、特定範囲の非線形性を具備し、該データポイントは、プロファイルパラメータ及び関連する信号を表しており、該プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の前記プロファイルを特徴付けており、
前記プロファイル評価器は、前記計測信号と調整乗数行列を乗算することによって精密なプロファイルパラメータを算出するべく構成されており、前記調整乗数行列は、前記信号をプロファイルパラメータに変換する請求項63記載のプロファイル決定システム。 - 前記プロファイル評価器は、計測信号に最も近い、データ空間の特定された数のデータポイントを選択するべく構成されており、前記データ空間の前記データポイントは、データ空間のプロファイルパラメータ及び関連する信号を表しており、前記プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の前記プロファイルを特徴付けており、前記データ空間の前記データポイントは、特定範囲の非線形性を備えており、
前記プロファイル評価器は、調整乗数を導出するべく構成されており、前記調整乗数は、前記選択された数のデータポイントに関連付けられている信号を対応するプロファイルパラメータに変換し、
前記プロファイル評価器は、前記計測信号と前記調整乗数を乗算することによって前記計測信号に対応する精密なプロファイルパラメータを算出するべく構成されている請求項63記載のプロファイル決定システム。 - 前記プロファイル評価器は、プロファイルデータ空間内において計測信号のベストマッチを選択するべく構成されており、前記データポイントは、プロファイルパラメータ及び関連する信号を表しており、該プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の前記プロファイルを特徴付けており、前記ベストマッチは、前記計測信号に最も近い信号を有する前記プロファイルデータ空間のデータポイントであり、
前記プロファイル評価器は、前記プロファイルデータ空間のサブセット内において第1データポイントを選択するべく構成されており、該プロファイルデータ空間サブセットは、前記計測信号と、前記ベストマッチ信号と関連付けられている前記データポイントに隣接するデータポイントを含んでおり、
前記プロファイル評価器は、前記選択された第1データポイントに対応するプロファイルパラメータによって構造からの信号をシミュレートするべく構成されており、
前記プロファイル評価器は、プロファイル精密化事前設定基準を満足させるように構成されており、前記プロファイル精密化事前設定基準は、前記計測信号に対する前記シミュレート信号の適合度の尺度を有しており、
前記プロファイル評価器は、前記プロファイル精密化事前設定基準を満足する前記シミュレート信号に関連付けられているプロファイルパラメータを抽出するべく構成されている請求項63記載のプロファイル決定システム。 - 前記プロファイル評価器は、プロファイルデータ空間内において計測信号のベストマッチを選択するべく構成されており、前記データポイントは、プロファイルパラメータ及び関連する信号を表しており、該プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の前記プロファイルを特徴付けており、前記ベストマッチは、前記計測信号に最も近い信号を有する前記プロファイルデータ空間のデータポイントであり、
前記プロファイル評価器は、感度行列を算出するべく構成されており、前記感度行列は、前記プロファイルパラメータの変化によって起きる前記信号の変化の尺度であり、
前記プロファイル評価器は、前記算出された感度行列と前記ベストマッチプロファイルパラメータを使用して精密なプロファイルパラメータの第1の組を決定するべく構成されており、
前記プロファイル評価器は、前記精密なプロファイルパラメータの第1の組を使用して第1信号をシミュレートするべく構成されており、
前記プロファイル評価器は、前記算出された感度行列と前記精密なプロファイルパラメータの第1の組を使用し、精密なプロファイルパラメータの第2の組を決定するべく構成されている請求項63記載のプロファイル決定システム。 - 前記プロファイル評価器は、プロファイルデータ空間内において計測信号のベストマッチを選択するべく構成されており、前記データポイントは、プロファイルパラメータ及び関連する信号を表しており、該プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の前記プロファイルを特徴付けており、前記ベストマッチは、前記計測信号に最も近い信号を有する前記プロファイルデータ空間のデータポイントであり、
前記プロファイル評価器は、精密化手順を使用して精密なプロファイルパラメータの第1の組を決定するべく構成されており、前記精密化手順は、前記計測信号、前記ベストマッチ信号に関連付けられているデータ、及び前記プロファイルデータ空間からのその他のデータ及び/又は前記プロファイルデータ空間から導出されたその他のデータを使用して精密なプロファイルパラメータを決定するべく設計された一連のステップであり、
前記プロファイル評価器は、前記精密なプロファイルパラメータの第1の組の周辺において前記プロファイルパラメータの範囲を設定するべく構成されており、
前記プロファイル評価器は、前記精密なプロファイルパラメータの第1の組の周辺に設定された前記範囲を使用して第2のプロファイルデータ空間を生成するべく構成されており、
前記プロファイル評価器は、前記精密化手順を使用して精密なプロファイルパラメータの第2の組を決定するべく構成されている請求項63記載のプロファイル決定システム。 - 前記プロファイル評価器は、双線形精密化、ラグランジュ精密化、3次スプライン精密化、エイトケン精密化、加重平均精密化、マルチ二次精密化、双3次精密化、Turran精密化、ウェーブレット精密化、ベッセル精密化、Everett精密化、有限差分精密化、ガウス精密化、エルミート精密化、ニュートンの差分商精密化、接触精密化、又はThiele精密化アルゴリズムを利用する精密化手順を実行するべく構成されている請求項63記載のプロファイル決定システム。
- 複数の精密化エンジンを利用して計測信号から集積回路構造のプロファイルを決定するプロファイル決定システムにおいて、
計測された信号を伝送し精密なパラメータを受信するべく構成されたプロファイルクエリ装置であって、前記計測信号は、集積回路構造から取得され、前記プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の可能なプロファイルを特徴付けている、プロファイルクエリ装置と、
プロファイルパラメータ及び関連する信号を具備するデータポイントを保存するべく構成されたプロファイルデータ空間と、
複数の精密化手順を起動して精密なプロファイルパラメータの複数の組を決定するべく構成されたプロイファイル評価器であって、ベストマッチ信号を選択するべく構成されており、前記ベストマッチは、前記計測信号に最も近い信号を有する前記プロファイルデータ空間のデータポイントであり、前記プロファイル評価器は、指定された選択基準に基づいて、前記精密なプロファイルパラメータの複数の組から精密なプロファイルパラメータの1つの組を選択するべく構成されている、プロファイル評価器と、
を有し、
前記精密化手順は、前記計測信号、前記ベストマッチ信号に関連付けられているデータ、前記プロファイルデータ空間からのその他のデータ及び/又は前記プロファイルデータ空間から導出されたその他のデータを使用して精密なプロファイルパラメータを決定するべく設計された一連のステップを有しているプロファイル決定システム。 - 測定装置によって生成された計測信号から集積回路構造のプロファイルを決定するプロファイル決定システムにおいて、
集積回路構造からの信号を計測し前記計測信号を伝送するべく構成された測定装置であって、前記計測信号は、集積回路構造から取得され、前記プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の可能なプロファイルを特徴付ける測定装置と、
プロファイルパラメータに関するクエリを伝送し、精密なプロファイルパラメータを受信するべく構成されたプロファイルクエリ装置と、
データポイントを格納するべく構成されたプロファイルデータ空間であって、前記データポイントは、信号及び関連するプロファイルパラメータを具備するプロファイルデータ空間と、
前記プロファイルデータ空間内において前記計測信号のベストマッチを選択するべく構成されたプロファイル評価器であって、前記ベストマッチは、前記計測信号に最も近い信号を有する前記プロファイルデータ空間のデータポイントであり、前記プロファイル評価器は、複数の精密化手順を起動して精密なプロファイルパラメータの複数の組を決定するべく構成されており、特定された選択基準に基づいて、前記精密なプロファイルパラメータの複数の組から精密なプロファイルパラメータの1つの組を選択するべく構成されており、且つ、前記精密なプロファイルパラメータを前記プロファイルクエリ装置に伝送するべく構成されているプロファイル評価器と、
を有し、
前記精密化手順は、前記計測信号、前記ベストマッチ信号に関連付けられているデータ、及び前記プロファイルデータ空間からのその他のデータ及び/又は前記プロファイルデータ空間から導出されたその他のデータを使用して精密なプロファイルパラメータを決定するべく設計された一連のステップを有しているプロファイル決定システム。 - 前記測定装置は、光学測定装置、電子測定装置、電気測定装置、又は機械測定装置である請求項73記載のプロファイル決定システム。
- 以下のステップを実行するべくコンピュータに命令することにより、計測信号から集積回路構造のプロファイルを決定するコンピュータ実行可能コードを含むコンピュータ可読記憶媒体であって、
そのステップは、
プロファイルデータ空間内において計測信号のベストマッチを選択するステップであって、前記計測信号は、集積回路構造から取得され、前記プロファイルデータ空間は、特定範囲の非線形性を有するデータポイントを具備し、前記データポイントは、プロファイルパラメータ及び関連する信号を表しており、前記プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の前記プロファイルを特徴付けており、前記ベストマッチは、前記計測信号に最も近い信号を有する前記プロファイルデータ空間のデータポイントであるステップと、
精密化手順を実行し、前記計測信号に対応する精密なプロファイルパラメータを決定するステップとを有し、
前記精密化手順は、前記計測信号、前記ベストマッチ信号に関連付けられているデータ、及び前記プロファイルデータ空間からのその他のデータ及び/又は前記プロファイルデータ空間から導出されたその他のデータを使用して精密なプロファイルパラメータを決定するべく設計された一連のステップを有しているコンピュータ可読記憶媒体。 - 以下のステップを実行するべくコンピュータに命令することにより、計測信号から集積回路構造のプロファイルを決定するコンピュータ実行可能コードを含むコンピュータ記憶媒体であって、
そのステップは、
プロファイルライブラリ内において計測回折スペクトルのベストマッチを選択するステップであって、前記計測スペクトルは、集積回路構造から取得され、前記プロファイルライブラリは、特定範囲の非線形性を有するインスタンスを具備し、前記プログラムライブラリインスタンスは、プロファイルパラメータ及び関連する回折スペクトルを含み、前記プロファイルパラメータは、前記集積回路構造の前記プロファイルを特徴付けており、前記ベストマッチは、前記計測回折スペクトルに最も近い回折スペクトルを有する前記プロファイルライブラリのインスタンスであるステップと、
精密化手順を実行し、前記計測スペクトルに対応する精密なプロファイルパラメータを決定するステップとを有し、
前記精密化手順は、前記計測信号、前記ベストマッチ信号に関連付けられているデータ、及び前記プロファイルデータ空間からのその他のデータ及び/又は前記プロファイルデータ空間から導出されたその他のデータを使用して精密なプロファイルパラメータを決定するべく設計された一連のステップを有しているコンピュータ可読記憶媒体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/075,904 US6609086B1 (en) | 2002-02-12 | 2002-02-12 | Profile refinement for integrated circuit metrology |
PCT/US2003/003955 WO2003068889A1 (en) | 2002-02-12 | 2003-02-10 | Profile refinement for integrated circuit metrology |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005517903A true JP2005517903A (ja) | 2005-06-16 |
Family
ID=27732454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003568005A Pending JP2005517903A (ja) | 2002-02-12 | 2003-02-10 | 集積回路測定用のプロファイル精密化 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6609086B1 (ja) |
EP (1) | EP1483355A4 (ja) |
JP (1) | JP2005517903A (ja) |
KR (1) | KR100910003B1 (ja) |
CN (1) | CN100424711C (ja) |
AU (1) | AU2003215141A1 (ja) |
TW (1) | TWI221566B (ja) |
WO (1) | WO2003068889A1 (ja) |
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Families Citing this family (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6785638B2 (en) * | 2001-08-06 | 2004-08-31 | Timbre Technologies, Inc. | Method and system of dynamic learning through a regression-based library generation process |
US7945393B2 (en) * | 2002-01-10 | 2011-05-17 | Chemimage Corporation | Detection of pathogenic microorganisms using fused sensor data |
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US7136796B2 (en) * | 2002-02-28 | 2006-11-14 | Timbre Technologies, Inc. | Generation and use of integrated circuit profile-based simulation information |
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- 2003-02-10 AU AU2003215141A patent/AU2003215141A1/en not_active Abandoned
- 2003-02-10 KR KR1020047012519A patent/KR100910003B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-02-10 TW TW092102714A patent/TWI221566B/zh active
- 2003-02-10 CN CNB03808175XA patent/CN100424711C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-02-10 WO PCT/US2003/003955 patent/WO2003068889A1/en active Application Filing
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WO2003068889A1 (en) | 2003-08-21 |
TWI221566B (en) | 2004-10-01 |
CN100424711C (zh) | 2008-10-08 |
KR20040081792A (ko) | 2004-09-22 |
AU2003215141A1 (en) | 2003-09-04 |
EP1483355A2 (en) | 2004-12-08 |
US6609086B1 (en) | 2003-08-19 |
WO2003068889A8 (en) | 2003-11-13 |
EP1483355A4 (en) | 2007-05-16 |
AU2003215141A8 (en) | 2003-09-04 |
TW200302971A (en) | 2003-08-16 |
CN1646661A (zh) | 2005-07-27 |
KR100910003B1 (ko) | 2009-07-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050309 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080729 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091006 |