JP2012204583A - トンネルトランジスタの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ゲート絶縁膜及びゲート電極が積層された半導体基板上に第1の絶縁膜を形成しリソグラフィにより第1の絶縁膜の端部に第1の絶縁膜とは薬品選択性が異なりゲート電極位置を画定する第2の絶縁膜を形成する工程と、第1及び第2の絶縁膜をマスクにゲート電極の一端を画定する工程と、第1及び第2の絶縁膜をマスクにして第1導電型不純物を半導体基板に導入しソースを形成する工程と、半導体基板全面に第1の絶縁膜とは薬品選択性が異なる第3の絶縁膜を被覆する工程と、該第3の絶縁膜の一部を除去することにより該第1の絶縁膜を選択的に除去する工程と、第2及び第3の絶縁膜をマスクにしてゲート電極を形成した後、第2導電型不純物を半導体基板に導入しドレインを形成する工程を含むトンネルトランジスタの製造方法。
【選択図】図8
Description
平面型トンネルトランジスタの製造方法は、例えば特許文献1、2に記載されている。
したがって本発明は、複雑なマスク工程を必要とすることなく、1回のリソグラフィ工程によるセルフアラインで、トンネルトランジスタを製造する方法を提供することを課題とする。
(1)ゲート絶縁膜となる層及びゲート電極となる層が積層された半導体基板上に第1の膜を形成しリソグラフィにより第2の膜の形成位置を画定する工程と、第1の膜の端部に第1の膜とは薬品選択性が異なりゲート電極位置を画定する第2の膜を形成する工程と、第1及び第2の膜をマスクにゲート絶縁膜となる層及びゲート電極となる層を選択的に除去してゲート絶縁膜及びゲート電極の一端を画定する工程と、第1及び第2の膜をマスクにして第1導電型又は第2導電型の不純物を半導体基板に導入しソース又はドレインを形成する工程と、半導体基板全面に第1の膜とは薬品選択性が異なる第3の膜を被覆する工程と、該第3の膜の一部を除去することにより第1の膜の表面を露出する工程と、該第1の膜を選択的に除去する工程と、第2及び第3の膜をマスクにしてゲート絶縁膜となる層及びゲート電極となる層を選択的に除去し、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成した後、第2導電型又は第1導電型の不純物を半導体基板に導入しドレイン又はソースを形成する工程を含むことを特徴とするトンネルトランジスタの製造方法。
(2)ゲート絶縁膜となる層及びゲート電極となる層が積層された半導体基板上に第1の絶縁膜を形成しリソグラフィにより第2の絶縁膜の形成位置を画定する工程と、第1の絶縁膜の端部に第1の絶縁膜とは薬品選択性が異なりゲート電極位置を画定する第2の絶縁膜を形成する工程と、第1及び第2の絶縁膜をマスクにゲート絶縁膜となる層及びゲート電極となる層を選択的に除去してゲート絶縁膜及びゲート電極の一端を画定する工程と、第1及び第2の絶縁膜をマスクにして第1導電型又は第2導電型の不純物を半導体基板に導入しソース又はドレインを形成する工程と、半導体基板全面に第1の絶縁膜とは薬品選択性が異なる第3の絶縁膜を被覆する工程と、該第3の絶縁膜の一部を除去することにより第1の絶縁膜の表面を露出する工程と、該第1の絶縁膜を選択的に除去する工程と、第2及び第3の絶縁膜をマスクにしてゲート絶縁膜となる層及びゲート電極となる層を選択的に除去し、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成した後、第2導電型又は第1導電型の不純物を半導体基板に導入しドレイン又はソースを形成する工程を含むことを特徴とするトンネルトランジスタの製造方法。
(3)上記第2導電型又は第1導電型の不純物を半導体基板に導入しドレイン又はソースを形成する工程において、上記第2導電型又は第1導電型の不純物は、半導体基板に斜めイオン注入して導入することを特徴とする(2)に記載のトンネルトランジスタの製造方法。
(4)上記第2及び第3の絶縁膜をマスクにして第2導電型又は第1導電型の不純物を半導体基板に導入しドレイン又はソースを形成する工程の後に、上記第2及び第3の絶縁膜を除去する工程、及びドレイン又はソース上に金属層を堆積し、加熱することによりドレイン又はソースの一部に金属・半導体合金電極を形成する工程をさらに含むことを特徴とする(2)又は(3)に記載のトンネルトランジスタの製造方法。
(5)上記半導体基板はSi基板であることを特徴とする(2)ないし(4)のいずれかに記載のトンネルトランジスタの製造方法。
(6)上記金属・半導体合金電極は、NiSi2であることを特徴とする(4)又は(5)に記載のトンネルトランジスタの製造方法。
さらに、リソグラフィの位置精度に依存せずゲート長を決定できるので、微細なトンネルトランジスタの製造が可能となる。
本発明に係るトンネルトランジスタの製造工程について、図1〜8を参照して詳細に説明する。
実施例では、半導体基板1としてSi基板を用い、その上にゲート絶縁層2としてHfAlOx(ハフニウムアルミニウムオキサイド)をALD法によって堆積し、さらにゲート電極層3としてTaN(タンタルナイトライド)とポリシリコンの2層をそれぞれスパッタ法及びCVD法で堆積する。さらに第1の膜4として実施例ではSiN(シリコンナイトライド)をCVD法で堆積する。
実施例では、リソグラフィはネガレジストを用いた液浸リソグラフィ法で、エッチングは反応性イオンエッチングで行う。
実施例では、SiO2をCVD法で堆積し、これを反応性イオンエッチングにより堆積膜厚等量分だけエッチングし、サイドウォールを形成する。この加工された第2の膜5によってトンネルトランジスタのゲート位置が画定される。
次にトンネルトランジスタのソース又はドレインとなる領域の半導体基板1を表出させ、第1又は第2の導電型の不純物を導入しソース又はドレイン領域を形成する(図3参照)。
次に第3の膜6を加工し、第1の膜4を露出させる(図5参照)。例えば、CMP(化学機械研磨)によって行う。
実施例では、リン酸(H3PO4)によってSiN(第1の膜4)をSiO2(第2の膜5及び第3の膜6)と選択的に除去する。
なお、この実施例では図中でゲート電極の左側をソース、右側をドレインとしたが、逆であっても問題はない。
本発明に係るトンネルトランジスタの製造工程の変形例について、図9〜10を参照して説明する。
最終的なトンネルトランジスタの構造を図10に示す。
オフセットドレイン構造の効果については例えば特許文献3(特開2008−252086号公報)に記載されている。
なお、図3における不純物導入時に斜めイオン注入法を用いれば、領域7をドレインとする場合にもオフセットドレイン構造をもつトンネルトランジスタを作製できる。
本発明に係るトンネルトランジスタの製造工程の他の変形例について、図11〜12を参照して説明する。
次に図11の状態にあるトンネルトランジスタに加熱をすることで、ソース及びドレイン領域にシリサイド12が形成される。このときソース及びドレイン領域にある不純物はシリサイド端に濃縮され、その後金属層11を除去することでメタルソースドレイン型のトンネルトランジスタが作製される(図12参照)。
メタルソースドレイン型のトンネルトランジスタの効果については、例えば特許文献4(特開2006−147861号公報)に記載されている。
また本発明によれば、平面型トンネルトランジスタのみではなく、FinFETのような立体構造を有するトンネルトランジスタにも適用可能である。
さらにソース、ドレイン領域の形成は、例えば、イオン注入、固相ドーピング、メタルソースドレインによることもできる。
2 ゲート絶縁膜となる層
3 ゲート電極となる層
4 第1の膜
5 第2の膜
6 第3の膜
7 トンネルトランジスタのソース又はドレイン
8 トンネルトランジスタのドレイン又はソース
9 トンネルトランジスタのゲート絶縁膜
10 トンネルトランジスタのゲート電極
11 金属層
12 シリサイド
Claims (6)
- ゲート絶縁膜となる層及びゲート電極となる層が積層された半導体基板上に第1の膜を形成しリソグラフィにより第2の膜の形成位置を画定する工程と、第1の膜の端部に第1の膜とは薬品選択性が異なりゲート電極位置を画定する第2の膜を形成する工程と、第1及び第2の膜をマスクにゲート絶縁膜となる層及びゲート電極となる層を選択的に除去してゲート絶縁膜及びゲート電極の一端を画定する工程と、第1及び第2の膜をマスクにして第1導電型又は第2導電型の不純物を半導体基板に導入しソース又はドレインを形成する工程と、半導体基板全面に第1の膜とは薬品選択性が異なる第3の膜を被覆する工程と、該第3の膜の一部を除去することにより第1の膜の表面を露出する工程と、該第1の膜を選択的に除去する工程と、第2及び第3の膜をマスクにしてゲート絶縁膜となる層及びゲート電極となる層を選択的に除去し、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成した後、第2導電型又は第1導電型の不純物を半導体基板に導入しドレイン又はソースを形成する工程を含むことを特徴とするトンネルトランジスタの製造方法。
- ゲート絶縁膜となる層及びゲート電極となる層が積層された半導体基板上に第1の絶縁膜を形成しリソグラフィにより第2の絶縁膜の形成位置を画定する工程と、第1の絶縁膜の端部に第1の絶縁膜とは薬品選択性が異なりゲート電極位置を画定する第2の絶縁膜を形成する工程と、第1及び第2の絶縁膜をマスクにゲート絶縁膜となる層及びゲート電極となる層を選択的に除去してゲート絶縁膜及びゲート電極の一端を画定する工程と、第1及び第2の絶縁膜をマスクにして第1導電型又は第2導電型の不純物を半導体基板に導入しソース又はドレインを形成する工程と、半導体基板全面に第1の絶縁膜とは薬品選択性が異なる第3の絶縁膜を被覆する工程と、該第3の絶縁膜の一部を除去することにより第1の絶縁膜の表面を露出する工程と、該第1の絶縁膜を選択的に除去する工程と、第2及び第3の絶縁膜をマスクにしてゲート絶縁膜となる層及びゲート電極となる層を選択的に除去し、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成した後、第2導電型又は第1導電型の不純物を半導体基板に導入しドレイン又はソースを形成する工程を含むことを特徴とするトンネルトランジスタの製造方法。
- 上記第2導電型又は第1導電型の不純物を半導体基板に導入しドレイン又はソースを形成する工程において、上記第2導電型又は第1導電型の不純物は、半導体基板に斜めイオン注入して導入することを特徴とする請求項2に記載のトンネルトランジスタの製造方法。
- 上記第2及び第3の絶縁膜をマスクにして第2導電型又は第1導電型の不純物を半導体基板に導入しドレイン又はソースを形成する工程の後に、上記第2及び第3の絶縁膜を除去する工程、及びドレイン又はソース上に金属層を堆積し、加熱することによりドレイン又はソースの一部に金属・半導体合金電極を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項2又は3に記載のトンネルトランジスタの製造方法。
- 上記半導体基板はSi基板であることを特徴とする請求項2ないし請求項4のいずれか1項に記載のトンネルトランジスタの製造方法。
- 上記金属・半導体合金電極は、NiSi2であることを特徴とする請求項4又は5に記載のトンネルトランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011067536A JP2012204583A (ja) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | トンネルトランジスタの製造方法 |
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JP2012204583A true JP2012204583A (ja) | 2012-10-22 |
Family
ID=47185237
Family Applications (1)
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JP2011067536A Pending JP2012204583A (ja) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | トンネルトランジスタの製造方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2012204583A (ja) |
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