JP2012204348A - スピン伝導素子及び磁気ヘッド - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
本発明に係るスピン伝導素子(磁気センサー1)は、半導体で構成されるチャンネル層10と、チャンネル層10上に形成された強磁性層20A、20Bと、チャンネル層10と強磁性層20A、20Bとの間に介在するように形成されたトンネル層22A、22Bとを備え、トンネル層22A、22Bが、MgOのMgの一部がZnで置換された材料で構成されている。発明者らの研究によれば、MgOのMgの一部をZnで置換したトンネル材料において、面積抵抗の低下が観測された。そのため、トンネル層22A、22Bを、MgOのMgの一部がZnで置換された材料で構成することにより、トンネル層22A、22Bの面積抵抗の低減が図られる。
【選択図】 図2
Description
Claims (9)
- 半導体で構成されるチャンネル層と、
前記チャンネル層上に形成された強磁性層と、
前記チャンネル層と前記強磁性層との間に介在するように形成されたトンネル層と
を備え、
前記トンネル層が、MgOのMgの一部がZnで置換された材料で構成されている、スピン伝導素子。 - 前記トンネル層の構成材料におけるZn濃度が5〜30原子パーセントである、請求項1に記載のスピン伝導素子。
- 前記チャンネル層と前記トンネル層との界面の少なくとも一部が格子整合している、請求項1または2に記載のスピン伝導素子。
- 前記トンネル層の膜厚が1.0〜2.5nmである、請求項1−3のいずれか一項に記載のスピン伝導素子。
- 前記強磁性層が単磁区化されている、請求項1−4のいずれか一項に記載のスピン伝導素子。
- 前記強磁性層が形状異方性により磁化の方位が固定されている、請求項5に記載のスピン伝導素子。
- 前記強磁性層は反強磁性膜で磁化の方位が固定されている、請求項5に記載のスピン伝導素子。
- 前記強磁性層はシンセティック膜によって磁化の方位が固定されている、請求項5に記載のスピン伝導素子。
- 請求項1−8のいずれか一項に記載のスピン伝導素子を備える、磁気ヘッド。
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