JP2012186540A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】2個の画素が設けられたセルUC1と、2個の画素で共有され、それらの画素から読み出された信号を増幅する増幅トランジスタTbと、2個の画素で共有され、それらの画素から読み出された信号をリセットするリセットトランジスタTcと、リセットトランジスタTcのドレインを異なる行間で別駆動する行走査回路1とを設ける。
更に、リセットトランジスタのドレイン拡散層部と増幅トランジスタのドレイン拡散層部を異なる画素共有単位隣接セル間で共有させる。
【選択図】 図1
Description
図1は、第1実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。
図1において、この固体撮像装置には、セルUC1が行方向および列方向にマトリックス状に配置されている。ここで、各セルUC1には、2個のフォトダイオードPD1、PD2、2個の読み出しトランジスタTd1、Td2、1個のリセットトランジスタTc、1個のフローティングディフュージョンFDおよび1個の増幅トランジスタTbが設けられている。
図2において、例えば、M行目の画素から信号を読み出すものとすると、リセット制御線HSにリセット信号RESET2が与えられることで、リセットトランジスタTcがオンし、フローティングディフュージョンFDの電荷がリセットされる。そして、フローティングディフュージョンFDのリセットレベルに応じた電圧が増幅トランジスタTbのゲートにかかり、増幅トランジスタTbのゲートに印加された電圧にN(Nは正の整数)列目の垂直信号線VLの電圧が追従することで、リセットレベルの画素信号VSig1がN列目の垂直信号線VLに出力される。なお、増幅トランジスタTbは、垂直信号線VLに接続された負荷トランジスタとソースフォロアを構成することができる。
図3において、半導体基板には、2個のフォトダイオードPD1、PD2がセルUC1単位で縦方向に並べて配置されている。そして、フォトダイオードPD1、PD2に隣接するようにフローティングディフュージョンFDが配置されている。
図4は、第2実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。
図4において、この固体撮像装置には、セルUC1が行方向および列方向にマトリックス状に配置されている。なお、図4のセルUC1の構成は図1のセルUC1の構成と同様である。ただし、図4のN+1列目のセルUC1´は、N列目のセルUC1に対して縦方向上側に1画素分だけずらされて配置され、図4のN+1列目のセルUC1´´は、N列目のセルUC1に対して縦方向下側に1画素分だけずらされて配置されている。
図5において、例えば、N列目かつM行目の画素から信号を読み出すものとすると、リセット制御線HSにリセット信号RESET2が与えられることで、セルUC1のリセットトランジスタTcがオンし、セルUC1のフローティングディフュージョンFDの電荷がリセットされる。そして、セルUC1のフローティングディフュージョンFDのリセットレベルに応じた電圧がセルUC1の増幅トランジスタTbのゲートにかかり、セルUC1の増幅トランジスタTbのゲートに印加された電圧にN列目の垂直信号線VLの電圧が追従することで、リセットレベルの画素信号VSig1がN列目の垂直信号線VLに出力される。
図6において、固体撮像装置のセルUC1のレイアウト構成は、図3のレイアウト構成と同様である。ただし、N+1列目のセルUC1のリセットトランジスタTc、フローティングディフュージョンFDおよび増幅トランジスタTbは、N列目のセルUC1のリセットトランジスタTc、フローティングディフュージョンFDおよび増幅トランジスタTbに対して2画素分だけ縦方向にずらして配置されている。
図7は、第3実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。
図7において、この固体撮像装置には、セルUC2が行方向および列方向にマトリックス状に配置されている。ここで、各セルUC2には、4個のフォトダイオードPD1〜PD4、4個の読み出しトランジスタTd1〜Td4、1個のリセットトランジスタTc、1個のフローティングディフュージョンFDおよび1個の増幅トランジスタTbが設けられている。
図8において、例えば、M+2行目の画素から信号を読み出すものとすると、リセット制御線HS1、HS2にリセット信号RESET1、RESET2がそれぞれ与えられることで、セルUC2、UC2´のリセットトランジスタTcがそれぞれオンし、セルUC2、UC2´のフローティングディフュージョンFDの電荷がそれぞれリセットされる。そして、セルUC2のフローティングディフュージョンFDのリセットレベルに応じた電圧がセルUC2の増幅トランジスタTbのゲートにかかり、セルUC2の増幅トランジスタTbのゲートに印加された電圧にN列目の垂直信号線VLの電圧が追従することで、リセットレベルの画素信号VSig1がN列目の垂直信号線VLに出力される。
図9において、半導体基板には、4個のフォトダイオードPD1〜PD4がセルUC2単位で縦方向に並べて配置されている。そして、フォトダイオードPD1、PD2に隣接するように不純物拡散層F3が配置され、フォトダイオードPD3、PD4に隣接するようにフローティングディフュージョンFDが配置されている。
図10は、第4実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。
図10において、この固体撮像装置には、セルUC2が行方向および列方向にマトリックス状に配置されている。なお、図10のセルUC2の構成は図7のセルUC2の構成と同様である。ただし、図10のN+1列目のセルUC2´は、N列目のセルUC2に対して縦方向上側に2画素分だけずらされて配置され、図10のN+1列目のセルUC2´´は、N列目のセルUC2に対して縦方向下側に2画素分だけずらされて配置されている。
図11において、例えば、N列目かつM+2行目の画素から信号を読み出すものとすると、リセット制御線HS1にリセット信号RESET2が与えられることで、セルUC2のリセットトランジスタTcがオンし、セルUC2のフローティングディフュージョンFDの電荷がリセットされる。そして、セルUC2のフローティングディフュージョンFDのリセットレベルに応じた電圧がセルUC2の増幅トランジスタTbのゲートにかかり、セルUC2の増幅トランジスタTbのゲートに印加された電圧にN列目の垂直信号線VLの電圧が追従することで、リセットレベルの画素信号VSig1がN列目の垂直信号線VLに出力される。
図12において、固体撮像装置のセルUC2のレイアウト構成は、図9のレイアウト構成と同様である。ただし、N列目のセルUC2の不純物拡散層F3とフローティングディフュージョンFDとを接続する配線H11が、N+1列目では2行分だけ縦方向にずらされることで、セルUC2、UC2´、UC2´´が千鳥配置されている。
Claims (7)
- K(Kは2以上の整数)個の画素が設けられたセルと、
前記K個の画素で共有され、前記画素から読み出された信号を増幅する増幅トランジスタと、
前記K個の画素で共有され、前記画素から読み出された信号をリセットするリセットトランジスタと、
リセットトランジスタのドレイン電源と増幅トランジスタのドレイン電源を別電源としつつ、前記リセットトランジスタのドレインを異なる行間で別駆動する行走査回路とを備えることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記リセットトランジスタのドレイン拡散層および前記増幅トランジスタのドレイン拡散層は、縦方向の異なる隣接セル間で共有されていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記セルには縦方向に配列された2個の画素が設けられ、前記セルは縦方向の隣接セル間で鏡像関係になるように配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。
- 奇数列のセルは偶数列のセルに対して、前記増幅トランジスタおよび前記リセットトランジスタが2画素分だけずらされていることを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。
- 前記セルには縦方向に配列された4個の画素が設けられ、奇数列のセルは偶数列のセルに対して点対称になるように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記セルには縦方向に配列された4個の画素が設けられ、奇数列の第1のセルのリセットトランジスタのドレイン拡散層は、横方向に隣接する偶数列の第2のセルのリセットトランジスタのドレイン拡散層と共有され、前記第1のセルの増幅トランジスタのドレイン拡散層は、前記第2のセルと縦方向に隣接する偶数列の第3のセルの増幅トランジスタのドレイン拡散層と共有されていることを特徴とする請求項5に記載の固体撮像装置。
- 前記第1のセルは前記第2のセルに対して縦方向に2画素分だけずらされていることを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。
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TW101104054A TWI511560B (zh) | 2011-03-03 | 2012-02-08 | Solid state camera device |
US13/370,710 US8760546B2 (en) | 2011-03-03 | 2012-02-10 | Solid state imaging apparatus with a shared drain diffusion layer by adjacent cells |
CN201210030582.9A CN102655573B (zh) | 2011-03-03 | 2012-02-10 | 固体拍摄装置 |
US14/808,999 USRE46660E1 (en) | 2011-03-03 | 2015-07-24 | Solid state imaging apparatus with a shared drain diffusion layer by adjacent cells |
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---|---|---|---|
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101455517B1 (ko) | 2012-07-13 | 2014-10-27 | 가부시끼가이샤 도시바 | 고체 촬상 장치 |
WO2021251009A1 (ja) * | 2020-06-09 | 2021-12-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9165959B2 (en) * | 2013-02-25 | 2015-10-20 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with pixel units having mirrored transistor layout |
TWI696278B (zh) | 2015-03-31 | 2020-06-11 | 日商新力股份有限公司 | 影像感測器、攝像裝置及電子機器 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008546199A (ja) * | 2005-06-01 | 2008-12-18 | イーストマン コダック カンパニー | 対称配置された電界効果トランジスタを有する画素 |
JP2009026984A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
JP2010103667A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 |
JP2010521812A (ja) * | 2007-03-15 | 2010-06-24 | イーストマン コダック カンパニー | 画素面積が低減された画像センサ |
JP2010141638A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Sony Corp | 撮像装置 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6350663B1 (en) * | 2000-03-03 | 2002-02-26 | Agilent Technologies, Inc. | Method for reducing leakage currents of active area diodes and source/drain diffusions |
US20040113151A1 (en) * | 2002-10-11 | 2004-06-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | CMOS image sensor |
KR100618245B1 (ko) * | 2003-02-13 | 2006-09-01 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 고체촬상장치, 그 구동방법 및 이를 이용한 카메라 |
JP4075773B2 (ja) | 2003-11-05 | 2008-04-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
US7087883B2 (en) * | 2004-02-04 | 2006-08-08 | Omnivision Technologies, Inc. | CMOS image sensor using shared transistors between pixels with dual pinned photodiode |
JP4539176B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2010-09-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2006049611A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Iwate Toshiba Electronics Co Ltd | Cmosイメージセンサ |
KR100630704B1 (ko) * | 2004-10-20 | 2006-10-02 | 삼성전자주식회사 | 비평면 구조의 트랜지스터를 구비한 cmos 이미지 센서및 그 제조 방법 |
US8120077B2 (en) * | 2004-12-16 | 2012-02-21 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device comprising doped channel stop at isolation regions to suppress noise |
JP4768305B2 (ja) * | 2005-04-15 | 2011-09-07 | 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2007202035A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
US7764315B2 (en) * | 2006-08-24 | 2010-07-27 | Dalsa Corporation | CMOS imaging facility and a modular array for use in such a facility |
JP2008124237A (ja) | 2006-11-13 | 2008-05-29 | Sony Corp | 撮像装置およびカメラ |
JP2008244021A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびそれを用いたカメラ |
JP5111140B2 (ja) * | 2008-02-06 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置、及び撮像システム |
US20090295965A1 (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | Himax Imaging, Inc. | Method and circuit for driving active pixels in a cmos imager device |
JP2010016056A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Canon Inc | 光電変換装置 |
TWI433307B (zh) * | 2008-10-22 | 2014-04-01 | Sony Corp | 固態影像感測器、其驅動方法、成像裝置及電子器件 |
JP5029624B2 (ja) * | 2009-01-15 | 2012-09-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP5359315B2 (ja) * | 2009-01-28 | 2013-12-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 |
JP5126291B2 (ja) * | 2010-06-07 | 2013-01-23 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子 |
JP5458043B2 (ja) * | 2011-03-08 | 2014-04-02 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
-
2011
- 2011-03-03 JP JP2011046478A patent/JP5377549B2/ja active Active
-
2012
- 2012-02-08 TW TW101104054A patent/TWI511560B/zh active
- 2012-02-10 US US13/370,710 patent/US8760546B2/en not_active Ceased
- 2012-02-10 CN CN201210030582.9A patent/CN102655573B/zh active Active
-
2015
- 2015-07-24 US US14/808,999 patent/USRE46660E1/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008546199A (ja) * | 2005-06-01 | 2008-12-18 | イーストマン コダック カンパニー | 対称配置された電界効果トランジスタを有する画素 |
JP2010521812A (ja) * | 2007-03-15 | 2010-06-24 | イーストマン コダック カンパニー | 画素面積が低減された画像センサ |
JP2009026984A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
JP2010103667A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 |
JP2010141638A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Sony Corp | 撮像装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101455517B1 (ko) | 2012-07-13 | 2014-10-27 | 가부시끼가이샤 도시바 | 고체 촬상 장치 |
WO2021251009A1 (ja) * | 2020-06-09 | 2021-12-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI511560B (zh) | 2015-12-01 |
CN102655573B (zh) | 2015-06-10 |
US20120224089A1 (en) | 2012-09-06 |
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