TWI511560B - Solid state camera device - Google Patents

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Description

固態攝像裝置
本發明主張JP2011-46478之優先權(申請日：2011年3月3日)，內容亦引用其全部內容。
本實施形態通常關於固態攝像裝置。
採用複數畫素共有構造而實現畫素之微細化的CMOS影像感測器之中，將CMOS影像感測器之重置電晶體及放大電晶體之各汲極電源設為個別電源，而減低畫素之驅動負荷的方法存在。
於該方法，和共通驅動重置電晶體之汲極電源與放大電晶體之汲極電源時相比，垂直信號線之容量負荷變小，可以進行高速動作。但是，於該方法，係對全部畫素之重置電晶體同時輸入脈衝加以驅動，而使重置電晶體之汲極電源之負荷變大。
本發明所欲解決的課題在於提供，可將重置電晶體之汲極電源與放大電晶體之汲極電源設為個別電源之同時，針對上述重置電晶體之汲極，依據不同行間進行個別驅動，而減低重置電晶體之汲極電源之負荷，較習知更能削減 佈局面積的固態攝像裝置。
依據實施形態之固態攝像裝置，係具備：設有K(K為2以上之整數)個畫素的格；放大電晶體，係於上述格被上述K個畫素所共有，用於放大由上述畫素被讀出的信號；重置電晶體，係於上述格被上述K個畫素所共有，用於重置由上述畫素被讀出的信號；及行掃描電路，係以重置電晶體之汲極電源以及放大電晶體之汲極電源設為個別電源之同時，對應於不同行間針對上述重置電晶體之汲極進行個別驅動。
依據上述構成之固態攝像裝置，藉由將重置電晶體之汲極電源與放大電晶體之汲極電源設為個別電源之同時，針對上述重置電晶體之汲極依據不同行間進行個別驅動，而可以減低重置電晶體之汲極電源之負荷，相較於習知技術更能削減佈局面積。
依據實施形態之固態攝像裝置，係設有格；放大電晶體；重置電晶體；及行掃描電路；格係設有K(K為2以上之整數)個畫素。放大電晶體，係於上述格被上述K個畫素共有，用於放大由上述畫素被讀出的信號。重置電晶 體，係於上述格被上述K個畫素共有，用於重置由上述畫素被讀出的信號。行掃描電路，係依據不同行間針對上述重置電晶體之汲極進行個別驅動。
以下參照圖面說明實施形態之固態攝像裝置，但彼等實施形態並非用來限定本發明。
(第1實施形態)
圖1係表示第1實施形態之固態攝像裝置之概略構成之方塊圖。
於圖1，於該固態攝像裝置，格UC1係於行方向及列方向以矩陣狀被配置。於此，於各格UC1係設有：2個光二極體PD1、PD2，2個讀出電晶體Td1、Td2，1個重置電晶體Tc，1個浮置擴散部FD及1個放大電晶體Tb。
於此，各光二極體PD1、PD2，可依畫素單位將來自攝像對象之光轉換為電氣信號。讀出電晶體Td1、Td2，可以將光二極體PD1、PD2實施光電轉換後的信號分別予以讀出。重置電晶體Tc，係被光二極體PD1、PD2共有，可將由光二極體PD1、PD2讀出的信號予以重置。浮置擴散部FD，係被光二極體PD1、PD2共有，可對由光二極體PD1、PD2讀出的信號進行檢測。放大電晶體Tb，係被光二極體PD1、PD2共有，係對由光二極體PD1、PD2讀出的信號進行放大。
光二極體PD1、PD2，係於縱向被並列配置，光二極體PD1可配置於第M(M為正整數)行，光二極體PD2 可配置於第M+1行。另外，浮置擴散部FD，係於讀出電晶體Td1、Td2之汲極被共有。另外，讀出電晶體Td1、Td2之源極分別連接於光二極體PD1、PD2。重置電晶體Tc之源極係連接於浮置擴散部FD。
另外，格UC1係於縱向之鄰接格間以成為鏡像關係(mirror image)的方式被配置。格UC1之重置電晶體Tc之汲極及放大電晶體Tb之汲極，係於縱向之不同鄰接格間被共有。例如重置電晶體Tc之汲極，可與格UC1之上側之鄰接格共有，放大電晶體Tb之汲極，可與格UC1之下側之鄰接格共有。
另外，於該固態攝像裝置，係對應於每一行設置針對畫素進行掃描的行掃描電路1之同時，設置將由各畫素讀出的信號傳送至每一列的垂直信號線VL。於行掃描電路1，係連接著汲極電源線HD、重置控制線HS及讀出控制線HR1、HR2。於此，讀出控制線HR1、HR2係對應於每一行被設置，分別連接於讀出電晶體Td1、Td2之閘極。重置控制線HS，係對應於2行以1條之比例予以設置，被連接於重置電晶體Tc之閘極。又，重置控制線HS，可以每隔縱向之4畫素分將各2條予以鄰接配置。汲極電源線HD，係對應於4行以1條之比例予以設置，被連接於置電晶體Tc之閘極。又，汲極電源線HD，可配置於呈鄰接被配置的2條重置控制線HS之間。於此，行掃描電路1，係對重置電晶體Tc之汲極可於不同行間進行個別驅動。另外，行掃描電路1，可對重置電晶體Tc之汲極以及 放大電晶體Tb之汲極進行個別驅動。例如行掃描電路1，可對應於各行進行重置電晶體Tc之汲極之驅動。但是，重置電晶體Tc之汲極於縱向之2個鄰接畫素間被共有時，可對應於每2行針對重置電晶體Tc之汲極進行驅動。另外，重置電晶體Tc之汲極被縱向之4個鄰接畫素間所共有時，可對應於每4行來驅動重置電晶體Tc之汲極。
放大電晶體Tb之閘極係連接於浮置擴散部FD，放大電晶體Tb之源極係連接於垂直信號線VL，放大電晶體Tb之汲極係連接於汲極電源AVDD。
又，汲極電源AVDD，可以共通連接於該固態攝像裝置之全部格UC1之放大電晶體Tb之汲極。另外，汲極電源AVDD之電壓可以設定於固定值。
圖2係表示圖1之固態攝像裝置之讀出動作時序圖。
於圖2，例如設為由第M行之畫素讀出信號，當重置信號RESET2被供給至重置控制線HS時，重置電晶體Tc被設為ON(導通)，浮置擴散部FD之電荷被重置。之後，浮置擴散部FD之重置位準所對應的電壓被施加於放大電晶體Tb之閘極，第N(N為正整數)列之垂直信號線VL之電壓則從動於放大電晶體Tb之閘極所施加的電壓，而使重置位準之畫素信號VSig1輸出至第N列之垂直信號線VL。又，放大電晶體Tb，係和連接於垂直信號線VL的負荷電晶體而構成源極隨耦器。
接著，讀出信號READ3被供給至讀出控制線HR1， 而使讀出電晶體Td1被設為ON，光二極體PD1檢測的電荷將被傳送至浮置擴散部FD。之後，浮置擴散部FD之信號位準所對應的電壓被施加於放大電晶體Tb之閘極，藉由第N列之垂直信號線VL之電壓之從動於放大電晶體Tb之閘極被施加的電壓，而使信號位準之畫素信號VSig1被輸出至第N列之垂直信號線VL。
接著，重置信號RESET2被供給至重置控制線HS，而使重置電晶體Tc被設為ON。此時，藉由對第M行之汲極電源線HD供給汲極脈衝DRAIN1，而使浮置擴散部FD之電位被設為L(低)位準。
於此，當浮置擴散部FD之電位被設為L位準時，放大電晶體Tb係被設為OFF，各畫素被切離垂直信號線VL。因此，在由各畫素讀出信號後，藉由將格UC1之浮置擴散部FD之電位設為電源電位，則可以防止讀出對象畫素以外的畫素之信號所引起的垂直信號線VL之被驅動。
於此，藉由不同行間對汲極電源線HD進行個別驅動，可以減低重置電晶體Tc之汲極電源之負荷。
另外，藉由將汲極電源線HD由汲極電源AVDD予以分離，可縮小垂直信號線VL之容量負荷，實現高速動作，可將放大電晶體Tb之汲極電位予以固定，減少垂直信號線VL之電位之擺動，減低雜訊。
另外，格UC1之重置電晶體Tc之汲極及放大電晶體Tb之汲極，係於縱向之不同鄰接格間被共有，因此可於橫向及縱向分別等間隔配置畫素之同時，可削減佈局面積 。
另外，格UC1之重置電晶體Tc之汲極係於縱向之鄰接格間被共有，因此於縱向之鄰接格間可以共有汲極電源線HD，汲極電源線HD之個數可以減半。
圖3係表示圖1之固態攝像裝置之畫素陣列部之佈局構成之平面圖。
於圖3，於半導體基板係對應於格UC1單位將2個光二極體PD1、PD2並列配置於縱向。之後，以和光二極體PD1、PD2呈鄰接的方式配置浮置擴散部FD。
之後，於光二極體PD1與浮置擴散部FD之間配置閘極電極G1，於光二極體PD2與浮置擴散部FD之間配置閘極電極G2。又，閘極電極G1、G2可以分別構成讀出電晶體Td1、Td2。
另外，在和上側鄰接格之境界被配置雜質擴散層F1，於浮置擴散部FD與雜質擴散層F1之間配置閘極電極G0。又，閘極電極G0係構成重置電晶體Tc。
另外，於縱向以和浮置擴散部FD呈鄰接的方式配置雜質擴散層F2，於縱向以和雜質擴散層F2呈鄰接的方式配置雜質擴散層F3。之後，於雜質擴散層F2、F3間配置閘極電極G3。又，閘極電極G3可以構成放大電晶體Tb。
另外，格UC1之重置電晶體Tc及放大電晶體Tb，係配置於第N列之光二極體PD1、PD2與第N+1列之光二極體PD1、PD2之間。
浮置擴散部FD係介由配線H1連接於閘極電極G3。雜質擴散層F2係介由配線H2連接於垂直信號線VL。汲極電源線HD係連接於雜質擴散層F1。
重置控制線HS係連接於閘極電極G0。讀出控制線HR1、HR2，係分別連接於閘極電極G1、G2。電源線VD係連接於雜質擴散層F3。該電源線VD可供給汲極電源AVDD。
又，讀出電晶體Td1、Td2，重置電晶體Tc，浮置擴散部FD及放大電晶體Tb係配置於半導體基板之表面側，光二極體PD1、PD2可配置於半導體基板之背面側。此種背面照射型時，可使重置控制線HS、讀出控制線HR1、HR2及電源線VD等配線，以和光二極體PD1、PD2重疊的方式予以配置，可提升配線之佈局之自由度。
又，可以將讀出電晶體Td1、Td2、重置電晶體Tc、浮置擴散部FD及放大電晶體Tb，連同光二極體PD1、PD2配置於半導體基板之表面側。此種表面照射型時，為了不妨礙光之射入光二極體PD1、PD2，可以迴避光二極體PD1、PD2，而將重置控制線HS、讀出控制線HR1、HR2及電源線VD等配線予以配置。
於此，使格UC1之重置電晶體Tc之汲極擴散層，和上側之鄰接格之重置電晶體Tc之汲極擴散層被共有，使格UC1之放大電晶體Tb之汲極擴散層，和下側之鄰接格之放大電晶體Tb之汲極擴散層被共有，結果可於橫向及縱向分別以等間隔配置畫素之同時，可削減佈局面積。
(第2實施形態)
圖4係表示第2實施形態之固態攝像裝置之概略構成之方塊圖。
於圖4，係於該固態攝像裝置，使格UC1以矩陣狀被配置於行方向及列方向。又，圖4之格UC1之構成係和圖1之格UC1之構成同樣。但是，圖4之第N+1列之格UC1'，相對於第N列之格UC1，係於縱向上側偏移1畫素分而被配置，圖4之第N+1列之格UC1"，相對於第N列之格UC1，係於縱向下側偏移1畫素分被配置。
另外，於第N+1列之格UC1'，汲極電源線HD'及重置控制線HS'，相對於第N列之格UC1之汲極電源線HD及重置控制線HS係個別被設置。另外，於第N+1列之格UC1"，汲極電源線HD'及重置控制線HS"，相對於第N列之格UC1之汲極電源線HD1及重置控制線HS1，係個別被設置。又，汲極電源線HD'，係於格UC1'、UC1"間被共有。
於此，重置控制線HS'係連接於第N+1列之格UC1'之重置電晶體Tc之閘極。重置控制線HS"係連接於第N+1列之格UC1"之重置電晶體Tc之閘極。汲極電源線HD'係連接於第N+1列之格UC1'、UC1"之重置電晶體Tc之汲極。
另外，於第N+1列之格UC1'，讀出控制線HR1係連接於讀出電晶體Td2之閘極，讀出控制線HR2係連接於 電晶體Td1之閘極。
另外，於該固態攝像裝置，係取代圖1之行掃描電路1改設行掃描電路2。該行掃描電路2，係連接著汲極電源線HD、HD'，重置控制線HS、HS'、HS"及讀出控制線HR1、HR2。於此，行掃描電路2，可以依每一行獨立於放大電晶體Tb之汲極，而對重置電晶體Tc之汲極進行驅動。此時，由第M行之畫素讀出信號時，可以汲極電源線HD、HD'為一組進行驅動。
圖5係表示圖4之固態攝像裝置之讀出動作時序圖。
於圖5，例如設為由第N列、而且第M行之畫素讀出信號，藉由重置信號RESET2被供給至重置控制線HS，而使格UC1之重置電晶體Tc被設為ON，則格UC1之浮置擴散部FD之電荷被重置。之後，格UC1之浮置擴散部FD之重置位準所對應的電壓，係被施加於格UC1之放大電晶體Tb之閘極，藉由第N列之垂直信號線VL之電壓之從動於格UC1之放大電晶體Tb之閘極所施加的電壓，而使重置位準之畫素信號VSig1被輸出至第N列之垂直信號線VL。
此時，藉由對重置控制線HS'供給重置信號RESET3，而使格UC1'之重置電晶體Tc被設為ON，格UC1'之浮置擴散部FD之電荷被重置。之後，格UC1'之浮置擴散部FD之重置位準所對應的電壓，係被施加於格UC1'之放大電晶體Tb之閘極，藉由第N+1列之垂直信號線VL之電壓之從動於格UC1'之放大電晶體Tb之閘極所施加的電壓 ，而使重置位準之畫素信號VSig2被輸出至第N+1列之垂直信號線VL。
接著，藉由對讀出控制線HR1供給讀出信號READ3，而使格UC1之讀出電晶體Td1被設為ON，格UC1之光二極體PD1所檢測出的電荷將被傳送至格UC1之浮置擴散部FD。之後，格UC1之浮置擴散部FD之信號位準所對應的電壓被施加於格UC1之放大電晶體Tb之閘極，第N列之垂直信號線VL之電壓之從動於格UC1之放大電晶體Tb之閘極被施加的電壓，而使信號位準之畫素信號VSig1被輸出至第N列之垂直信號線VL。
另外，藉由對讀出控制線HR1供給讀出信號READ3，而使格UC1'之讀出電晶體Td2被設為ON，格UC1'之光二極體PD2所檢測出的電荷將被傳送至格UC1'之浮置擴散部FD。之後，格UC1'之浮置擴散部FD之信號位準所對應的電壓，會被施加於格UC1'之放大電晶體Tb之閘極，藉由第N+1列之垂直信號線VL之電壓之從動於格UC1'之放大電晶體Tb之閘極被施加的電壓，而使信號位準之畫素信號VSig2被輸出至第N+1列之垂直信號線VL。
接著，藉由對重置控制線HS供給重置信號RESET2，使格UC1之重置電晶體Tc被設為ON。此時，於汲極電源線HD被供給汲極脈衝DRAIN1，而使格UC1之浮置擴散部FD之電位被設為L位準。
另外，藉由對重置控制線HS'供給重置信號RESET3 ，而使格UC1'之重置電晶體Tc被設為ON。此時，於汲極電源線HD'被供給汲極脈衝DRAIN2，而使格UC1'之浮置擴散部FD之電位被設為L位準。
接著，設為由第N列、且第M+1行之畫素讀出信號時，藉由對重置控制線HS供給重置信號RESET2，而使格UC1之重置電晶體Tc被設為ON，格UC1之浮置擴散部FD之電荷被重置。之後，格UC1之浮置擴散部FD之重置位準所對應的電壓，將被施加於格UC1之放大電晶體Tb之閘極，藉由第N列之垂直信號線VL之電壓之從動於格UC1之放大電晶體Tb之閘極所施加的電壓，而使重置位準之畫素信號VSig1被輸出至第N列之垂直信號線VL。
此時，於重置控制線HS"被供給重置信號RESET4，而使格UC1"之重置電晶體Tc被設為ON，格UC1"之浮置擴散部FD之電荷被重置。之後，格UC1"之浮置擴散部FD之重置位準所對應的電壓會被施加於格UC1"之放大電晶體Tb之閘極，藉由第N+1列之垂直信號線VL之電壓之從動於格UC1"之放大電晶體Tb之閘極所施加的電壓，而使重置位準之畫素信號VSig2被輸出至第N+1列之垂直信號線VL。
接著，藉由對讀出控制線HR2供給讀出信號READ4，而使格UC1之讀出電晶體Td2被設為ON，格UC1之光二極體PD2所檢測出的電荷被傳送至格UC1之浮置擴散部FD。之後，格UC1之浮置擴散部FD之信號位準所對 應的電壓會被施加於格UC1之放大電晶體Tb之閘極，藉由第N列之垂直信號線VL之電壓之從動於格UC1之放大電晶體Tb之閘極所施加的電壓，而使信號位準之畫素信號VSig1被輸出至第N列之垂直信號線VL。
另外，藉由對讀出控制線HR2供給讀出信號READ4，而使格UC1"之讀出電晶體Td1被設為ON，格UC1"之光二極體PD1所檢測出的電荷被傳送至格UC1"之浮置擴散部FD。之後，格UC1"之浮置擴散部FD之信號位準所對應的電壓會被施加於格UC1"之放大電晶體Tb之閘極，藉由第N+1列之垂直信號線VL之電壓之從動於格UC1"之放大電晶體Tb之閘極所施加的電壓，而使信號位準之畫素信號VSig2被輸出至第N+1列之垂直信號線VL。
接著，藉由對重置控制線HS供給重置信號RESET2，而使格UC1之重置電晶體Tc被設為ON。此時，藉由對汲極電源線HD供給汲極脈衝DRAIN1，而使格UC1之浮置擴散部FD之電位被設為L位準。
另外，藉由對重置控制線HS"供給重置信號RESET4，而使格UC1"之重置電晶體Tc被設為ON。此時，於汲極電源線HD'被供給汲極脈衝DRAIN2，而使格UC1"之浮置擴散部FD之電位被設為L位準。
以下，由次一行讀出信號時亦同樣動作。
於此，藉由在第N列及第N+1列使格於縱向呈偏移配置，可使綠色彼此之佈局對稱化，可減低色之變動。
圖6係表示圖4之固態攝像裝置之畫素陣列部之佈局 構成之平面圖。
於圖6，固態攝像裝置之格UC1之佈局構成係和圖3之佈局構成同樣。但是，第N+1列之格UC1之重置電晶體Tc、浮置擴散部FD及放大電晶體Tb，相對於第N列之格UC1之重置電晶體Tc、浮置擴散部FD及放大電晶體Tb，係於縱向被偏移2畫素分而配置。
如此則，即使將格UC1實施交錯配置時，亦可使格UC1之重置電晶體Tc之汲極擴散層和上側之鄰接格之重置電晶體Tc之汲極擴散層共有，可使格UC1之放大電晶體Tb之汲極擴散層和下側之鄰接格之放大電晶體Tb之汲極擴散層共有，可於橫向及縱向分別將畫素以等間隔配置之同時，可削減佈局面積。
又，於圖6之例雖說明背面照射型CMOS感測器之配線佈局例，但亦適用表面照射型CMOS感測器。
(第3實施形態)
圖7係表示第3實施形態之固態攝像裝置之概略構成之方塊圖。
於圖7，於該固態攝像裝置，格UC2係於行方向及列方向以矩陣狀配置。於此，各格UC2係設有4個光二極體PD1~PD4、4個讀出電晶體Td1~Td4、1個重置電晶體Tc、1個浮置擴散部FD及1個放大電晶體Tb。
於此，各光二極體PD1~PD4可依畫素單位將來自攝像對象之光轉換為電氣信號。讀出電晶體Td1~Td4可以 分別讀出經由光二極體PD1~PD4光電轉換後的信號。重置電晶體Tc，係被光二極體PD1~PD4共有，可將由光二極體PD1~PD4讀出的信號予以重置。浮置擴散部FD，係被光二極體PD1~PD4共有，可對由光二極體PD1~PD4讀出的信號進行檢測。放大電晶體Tb，係被光二極體PD1~PD4共有，可對由光二極體PD1~PD4讀出的信號進行放大。
光二極體PD1~PD4，係並列配置於縱向，可將光二極體PD1配置於第M行，將光二極體PD2配置於第M+1行，將光二極體PD3配置於第M+2行，將光二極體PD4配置於第M+3行。另外，浮置擴散部FD，係被讀出電晶體Td1、Td2之汲極共有。另外，讀出電晶體Td1~Td4之源極分別連接於光二極體PD1~PD4。重置電晶體Tc之源極係連接於浮置擴散部FD。
另外，第N列之格UC2，係以對第N+1列之格UC2'呈點對稱的方式被配置。第N列之格UC2之重置電晶體Tc之汲極，係和第N+1列之格UC2'之重置電晶體Tc之汲極被共有。另外，第N列之格UC2之放大電晶體Tb之汲極，係和第N+1列之格UC2'縱向鄰接格之放大電晶體Tb之汲極被共有。
於該固態攝像裝置，係對應於每一行設置對畫素進行掃描的行掃描電路3之同時，設置將由各畫素讀出的信號傳送至各列的垂直信號線VL。行掃描電路3，係連接於汲極電源線HD、重置控制線HS1、HS2及讀出控制線HR1 ~HR4。於此，讀出控制線HR1~HR4係對應於每一行設置，分別被連接於讀出電晶體Td1~Td4之閘極。重置控制線HS1、HS2，係對應於4行設置1條，重置控制線HS1，係連接於第N列之格UC2之重置電晶體Tc之閘極，重置控制線HS2，係連接於第N+1列之格UC2'之重置電晶體Tc之閘極。汲極電源線HD，係對應於4行設置1條，被連接於重置電晶體Tc之閘極。於此，行掃描電路3，係針對重置電晶體Tc之汲極可於不同行間進行個別驅動。另外，行掃描電路3可對重置電晶體Tc之汲極與放大電晶體Tb之汲極進行個別驅動。例如重置電晶體Tc之汲極於縱向之4個鄰接畫素間被共有時，可對應於每4行來驅動重置電晶體Tc之汲極。另外，行掃描電路3，可以第N列之格UC2之重置控制線HS1和第N+1列之格UC2'之重置控制線HS2為一組進行驅動。
放大電晶體Tb之閘極係連接於浮置擴散部FD，放大電晶體Tb之源極係連接於垂直信號線VL，放大電晶體Tb之汲極係連接於汲極電源AVDD。
又，汲極電源AVDD，可以共通連接於該固態攝像裝置之全部格UC2之放大電晶體Tb之汲極。另外，汲極電源AVDD之電壓可設定於固定值。
圖8係表示圖7之固態攝像裝置之讀出動作時序圖。
於圖8，設為例如由第M+2行之畫素讀出信號者，則藉由對重置控制線HS1、HS2分別供給重置信號RESET1、RESET2，以使格UC2、UC2'之重置電晶體Tc 分別被設為ON，而將格UC2、UC2'之浮置擴散部FD之電荷分別重置。之後，格UC2之浮置擴散部FD之重置位準所對應的電壓會被施加於格UC2之放大電晶體Tb之閘極，藉由第N列之垂直信號線VL之電壓之從動於格UC2之放大電晶體Tb之閘極所施加的電壓，而將重置位準之畫素信號VSig1輸出至第N列之垂直信號線VL。
接著，藉由對讀出控制線HR3供給讀出信號READ3，係被讀出電晶體Td3被設為ON，光二極體PD3所檢測出的電荷被傳送至浮置擴散部FD。之後，浮置擴散部FD之信號位準所對應的電壓會被施加於放大電晶體Tb之閘極，藉由第N列之垂直信號線VL之電壓之從動於放大電晶體Tb之閘極所施加的電壓，而將信號位準之畫素信號VSig1輸出至第N列之垂直信號線VL。
接著，藉由對重置控制線HS1、HS2分別供給重置信號RESET1、RESET2，係被格UC2、UC2'之重置電晶體Tc分別被設為ON。此時，藉由對汲極電源線HD供給汲極脈衝DRAIN1，係被浮置擴散部FD之電位被設為L位準。
以下，由次一行讀出信號時亦同樣動作。
於此，藉由不同行間個別驅動汲極電源線HD，即使於4畫素共有構造，亦可減低重置電晶體Tc之汲極電源之負荷。
另外，第N列之格UC2，係以對第N+1列之格UC2'呈點對稱的方式被配置，如此則，可確保縱向及橫向之浮 置擴散部FD之配置之對稱性之同時，可使格UC1之重置電晶體Tc之汲極及放大電晶體Tb之汲極於不同鄰接格間被共有。因此，可以浮置擴散部FD間之寄生容量成為互相相等而進行佈局設定，可防止格UC2間之段差狀之雜訊之發生。
圖9係表示圖7之固態攝像裝置之畫素陣列部之佈局構成之平面圖。
於圖9，於半導體基板，4個光二極體PD1~PD4係依格UC2單位以縱向被並列配置。以和光二極體PD1、PD2呈鄰接的方式配置雜質擴散層F3，以和光二極體PD3、PD4呈鄰接的方式配置浮置擴散部FD。
之後，於光二極體PD1與雜質擴散層F3之間配置閘極電極G11，於光二極體PD2與雜質擴散層F3之間配置閘極電極G12，於光二極體PD3與浮置擴散部FD之間配置閘極電極G13，於光二極體PD4與浮置擴散部FD之間配置閘極電極G14。又，閘極電極G11~G14，係分別構成讀出電晶體Td1~Td4。
另外，在和橫向鄰接格UC2'之間之境界配置雜質擴散層F1，在浮置擴散部FD與雜質擴散層F1之間配置閘極電極G10。又，閘極電極G10係構成重置電晶體Tc。
於縱向以和浮置擴散部FD呈鄰接的方式配置雜質擴散層F2，在格UC2'與於縱向呈鄰接的格UC2"之間之境界配置雜質擴散層F4。於雜質擴散層F2、F4間配置閘極電極G15。又，閘極電極G15係構成放大電晶體Tb。於此 ，格UC2之浮置擴散部FD與格UC2'之浮置擴散部FD，相對於雜質擴散層F1係以呈點對稱的方式被配置。另外，格UC2之浮置擴散部FD與格UC2"之浮置擴散部FD，相對於雜質擴散層F4係以呈點對稱的方式被配置。
另外，格UC2、UC2'、UC2"之重置電晶體Tc及放大電晶體Tb，係配置於第N列之光二極體PD1~PD4與第N+1列之光二極體PD1~PD4之間。
之後，浮置擴散部FD係經由配線H11連接於雜質擴散層F3。另外，浮置擴散部FD係經由配線H12連接於閘極電極G15。雜質擴散層F2係經由配線H13連接於垂直信號線VL。汲極電源線HD係連接於雜質擴散層F1。
重置控制線HS1係連接於格UC2之閘極電極G10，重置控制線HS2係連接於格UC2'之閘極電極G10。讀出控制線HR1~HR4係分別連接於閘極電極G11~G14。電源線VD係連接於雜質擴散層F4。該電源線VD可供給汲極電源AVDD。
又，讀出電晶體Td1~Td4，重置電晶體Tc，浮置擴散部FD及放大電晶體Tb可配置於半導體基板之表面側，光二極體PD1~PD4可配置於半導體基板之背面側。此種背面照射型時，可使重置控制線HS1、HS2，讀出控制線HR1~HR4及電源線VD等配線和光二極體PD1~PD4呈重疊配置，可提升配線之佈局之自由度。
又，將讀出電晶體Td1~Td4、電晶體Tc、浮置擴散部FD及放大電晶體Tb連同光二極體PD1~PD4配置於半 導體基板之表面側亦可。此種表面照射型時，為不妨礙光之射入光二極體PD1~PD4，而以迴避光二極體PD1~PD4的方式，將重置控制線HS1、HS2，讀出控制線HR1~HR4及電源線VD等配線予以配置。
於此，於橫向呈鄰接之格UC2、UC2'間將重置控制線HS1、HS2予以分開，如此則，格UC1之重置電晶體Tc之汲極擴散層及放大電晶體Tb之汲極擴散層即使於不同鄰接格間被共有時，亦可使浮置擴散部FD間之寄生容量成為互相相等而進行佈局設定。
(第4實施形態)
圖10係表示第4實施形態之固態攝像裝置之概略構成之方塊圖。
於圖10，於該固態攝像裝置，格UC2係於行方向及列方向以矩陣狀配置。又，圖10之格UC2之構成係和圖7之格UC2之構成同樣。但是，圖10之第N+1列之格UC2'，相對於第N列之格UC2，係於縱向上側偏移2畫素分而配置，圖10之第N+1列之格UC2"，相對於第N列之格UC2，係於縱向下側偏移2畫素分而配置。
於圖7之固態攝像裝置，重置電晶體Tc與放大電晶體Tb之縱向之配置關係，係於第N列之格UC2與第N+1列之格UC2'互相相反，相對於此，於圖10之固態攝像裝置，重置電晶體Tc與放大電晶體Tb之縱向之配置關係，係於第N列之格UC2與第N+1列之格UC2'互相相等 。
另外，於該固態攝像裝置，係取代圖7之行掃描電路3改設行掃描電路4。於該行掃描電路4，係連接著汲極電源線HD1、HD2，重置控制線HS1、HS2及讀出控制線HR1~HR4。於此，行掃描電路4，可於不同行間個別驅動重置電晶體Tc之汲極。另外，行掃描電路3，係可以針對重置電晶體Tc之汲極以及放大電晶體Tb之汲極進行個別驅動。例如重置電晶體Tc之汲極於縱向之4個鄰接畫素間被共有時，可依每4行來驅動重置電晶體Tc之汲極。另外，行掃描電路4，可將第N列之格UC2之重置控制線HS1與第N+1列之格UC2"之重置控制線HS2設為一組進行驅動。
圖11係表示圖10之固態攝像裝置之讀出動作時序圖。
於圖11，例如設為由第N列、且第M+2行之畫素讀出信號時，藉由對重置控制線HS1供給重置信號RESET2，而使格UC2之重置電晶體Tc被設為ON，格UC2之浮置擴散部FD之電荷被重置。之後，格UC2之浮置擴散部FD之重置位準所對應的電壓被施加於格UC2之放大電晶體Tb之閘極，藉由第N列之垂直信號線VL之電壓之從動於格UC2之放大電晶體Tb之閘極所施加的電壓，而使重置位準之畫素信號VSig1輸出至第N列之垂直信號線VL。
此時，藉由對重置控制線HS2供給重置信號RESET3 ，而使格UC2"之重置電晶體Tc被設為ON，使格UC2"之浮置擴散部FD之電荷被重置。之後，格UC2"之浮置擴散部FD之重置位準所對應的電壓會被施加於格UC2"之放大電晶體Tb之閘極，藉由第N+1列之垂直信號線VL之電壓之從動於格UC2"之放大電晶體Tb之閘極所施加的電壓，而使重置位準之畫素信號VSig2輸出至第N+1列之垂直信號線VL。
接著，藉由對讀出控制線HR3供給讀出信號READ3，而使格UC2之讀出電晶體Td3被設為ON，格UC2之光二極體PD3所檢測出的電荷被傳送至格UC2之浮置擴散部FD。之後，格UC2之浮置擴散部FD之信號位準所對應的電壓會被施加於格UC2之放大電晶體Tb之閘極，藉由第N列之垂直信號線VL之電壓之從動於格UC2之放大電晶體Tb之閘極所施加的電壓，而使信號位準之畫素信號VSig1被輸出至第N列之垂直信號線VL。
另外，藉由對讀出控制線HR3供給讀出信號READ3，而使格UC2"之讀出電晶體Td1被設為ON，格UC2"之光二極體PD1所檢測出的電荷被傳送至格UC2"之浮置擴散部FD。之後，格UC2"之浮置擴散部FD之信號位準所對應的電壓被施加於格UC2"之放大電晶體Tb之閘極，藉由第N+1列之垂直信號線VL之電壓之從動於格UC2"之放大電晶體Tb之閘極所施加的電壓，而使信號位準之畫素信號VSig2輸出至第N+1列之垂直信號線VL。
接著，藉由對重置控制線HS1供給重置信號RESET2 ，而使格UC2之重置電晶體Tc被設為ON。此時，藉由對汲極電源線HD1供給汲極脈衝DRAIN1，而使格UC2之浮置擴散部FD之電位被設為L位準。
另外，藉由對重置控制線HS2供給重置信號RESET3，而使格UC2"之重置電晶體Tc被設為ON。此時，藉由對汲極電源線HD2供給汲極脈衝DRAIN2，而使格UC2"之浮置擴散部FD之電位被設為L位準。
以下，由次一行讀出信號時亦同樣動作。
圖12係表示圖10之固態攝像裝置之畫素陣列部之佈局構成之平面圖。
於圖12，固態攝像裝置之格UC2之佈局構成係和圖9之佈局構成同樣。但是，用於連接第N列之格UC2之雜質擴散層F3與浮置擴散部FD的配線H11，於第N+1列係僅於縱向偏移2行分，而使格UC2、UC2'、UC2"成為交錯配置。
如此則，格UC2、UC2'、UC2"即使設為交錯配置時，亦可確保縱向及橫向之浮置擴散部FD之配置之對稱性之同時，可使格UC2之重置電晶體Tc之汲極擴散層及放大電晶體Tb之汲極擴散層於不同鄰接格間被共有。
又，於圖12之例雖說明背面照射型CMOS感測器之配線佈局例，但亦適用於表面照射型CMOS感測器。
以上說明本發明之幾個實施形態，但是彼等實施形態僅為一例，並非用來限定發明之範圍。彼等新規之實施形態可以其他各種形態實施，在不脫離發明要旨之範圍內可 進行各種省略、取代或變更。彼等實施形態或其變形亦包含於發明之範圍或要旨之同時，亦包含於申請專利範圍記載之發明及其之等效範圍。
UC1‧‧‧格
PD1、PD2‧‧‧光二極體
Td1、Td2‧‧‧讀出電晶體
Tc‧‧‧重置電晶體
FD‧‧‧浮置擴散部
Tb‧‧‧放大電晶體
1‧‧‧行掃描電路
VL‧‧‧垂直信號線
HD‧‧‧汲極電源線
HS‧‧‧重置控制線
HR1、HR2‧‧‧讀出控制線
AVDD‧‧‧汲極電源
READ1~READ8‧‧‧讀出信號
VSig1~VSig3‧‧‧畫素信號
RESET1~RESET4‧‧‧重置信號
DRAIN1、DRAIN2‧‧‧汲極脈衝
圖1係表示第1實施形態之固態攝像裝置之概略構成之方塊圖。
圖2係表示圖1之固態攝像裝置之讀出動作時序圖。
圖3係表示圖1之固態攝像裝置之畫素陣列部之佈局構成之平面圖。
圖4係表示第2實施形態之固態攝像裝置之概略構成之方塊圖。
圖5係表示圖4之固態攝像裝置之讀出動作時序圖。
圖6係表示圖4之固態攝像裝置之畫素陣列部之佈局構成之平面圖。
圖7係表示第3實施形態之固態攝像裝置之概略構成之方塊圖。
圖8係表示圖7之固態攝像裝置之讀出動作時序圖。
圖9係表示圖7之固態攝像裝置之畫素陣列部之佈局構成之平面圖。
圖10係表示第4實施形態之固態攝像裝置之概略構成之方塊圖。
圖11係表示圖10之固態攝像裝置之讀出動作時序圖。
圖12係表示圖10之固態攝像裝置之畫素陣列部之佈局構成之平面圖。
UC1‧‧‧格
PD1、PD2‧‧‧光二極體
Td1、Td2‧‧‧讀出電晶體
Tc‧‧‧重置電晶體
FD‧‧‧浮置擴散部
Tb‧‧‧放大電晶體
1‧‧‧行掃描電路
VL‧‧‧垂直信號線
HD‧‧‧汲極電源線
HS‧‧‧重置控制線
HR1、HR2‧‧‧讀出控制線
AVDD‧‧‧汲極電源
READ1~READ8‧‧‧讀出信號
VSig1~VSig3‧‧‧畫素信號
RESET1~RESET4‧‧‧重置信號
DRAIN1、DRAIN2‧‧‧汲極脈衝

Claims (19)

  1. 一種固態攝像裝置，其特徵為具備：設有K(K為2以上之整數)個畫素的格；放大電晶體，係於上述格被上述K個畫素共有，用於放大由上述畫素被讀出的信號；重置電晶體，係於上述格被上述K個畫素共有，用於重置由上述畫素被讀出的信號；及行掃描電路，係將重置電晶體之汲極電源及放大電晶體之汲極電源設為個別電源之同時，針對上述重置電晶體之汲極於不同行間進行個別驅動；上述重置電晶體之汲極擴散層及上述放大電晶體之汲極擴散層，係於縱向之不同鄰接格間被共有。
  2. 如申請專利範圍第1項之固態攝像裝置，其中於上述格設置縱向配列的2個畫素，上述格係於縱向之鄰接格間以成為鏡像關係的方式被配置。
  3. 如申請專利範圍第2項之固態攝像裝置，其中相對於偶數列之格，奇數列之格之上述放大電晶體及上述重置電晶體係被偏移2畫素分。
  4. 如申請專利範圍第1項之固態攝像裝置，其中於上述格設有縱向配列的4個畫素，奇數列之格相對於偶數列之格係以成為點對稱的方式被配置。
  5. 如申請專利範圍第4項之固態攝像裝置，其中於上述格設有縱向配列的4個畫素，奇數列之第1格之重置電晶體之汲極擴散層，係和橫向鄰接的偶數列之第 2格之重置電晶體之汲極擴散層被共有，上述第1格之放大電晶體之汲極擴散層，係和縱向鄰接於上述第2格的偶數列之第3格之放大電晶體之汲極擴散層被共有。
  6. 如申請專利範圍第2項之固態攝像裝置，其中上述第1格係相對於上述第2格在縱向被偏移2畫素分。
  7. 如申請專利範圍第1項之固態攝像裝置，其中具備：和上述重置電晶體對應而設的浮置擴散部。
  8. 如申請專利範圍第7項之固態攝像裝置，其中具備：以畫素單位對來自攝像對象之光進行光電轉換的光二極體；及以畫素單位將經由上述光二極體實施光電轉換後的信號予以讀出的讀出電晶體。
  9. 如申請專利範圍第8項之固態攝像裝置，其中，上述光二極體，於上述格內係於列方向呈鄰接並列配置。
  10. 如申請專利範圍第1項之固態攝像裝置，其中第1格、第2格及第3格呈鄰接依序配置於同一列，上述第2格之放大電晶體，係和上述第1格之放大電晶體呈鄰接配置，上述第2格之重置電晶體，係和上述第3格之重置電晶體呈鄰接配置。
  11. 如申請專利範圍第1項之固態攝像裝置，其中第N(N為正整數)列之第1格之放大電晶體及第N+1列之第2格之放大電晶體，係配置於第M(M為正整 數)行，第N列之上述第1格之重置電晶體及第N+1列之上述第2格之重置電晶體係配置於第M+1行。
  12. 如申請專利範圍第1項之固態攝像裝置，其中第N(N為正整數)列之第1格之放大電晶體及第N+1列之第2格之重置電晶體係配置於第M(M為正整數)行，第N列之上述第1格之重置電晶體及第N+1列之上述第2格之放大電晶體係配置於第M+1行。
  13. 如申請專利範圍第1項之固態攝像裝置，其中和第1格呈鄰接而將第2格配置於同一行，和上述第2格呈鄰接而將第3格配置於同一列，上述第1格之重置電晶體，係和上述第2格之重置電晶體呈鄰接而配置，上述第1格之放大電晶體，係和上述第3格之放大電晶體呈鄰接配置。
  14. 如申請專利範圍第1項之固態攝像裝置，其中，第N(N為正整數)列之第1格之放大電晶體係配置於第M(M為正整數)+3行，第N列之上述第1格之重置電晶體係配置於第M+2行，第N+1列之第2格之放大電晶體係配置於第M行，第N+1列之上述第2格之重置電晶體係配置於第M+1行。
  15. 如申請專利範圍第1項之固態攝像裝置，其中上述格係設有分別配置於第M(M為正整數)行及第M+1行的2個畫素，第N(N為正整數)列之格之重置電晶體及第N+1列之格之重置電晶體係設於上述第M行，第N列之格之放大電晶體及第N+1列之格之放大電 晶體係設於上述第M+1行。
  16. 如申請專利範圍第1項之固態攝像裝置，其中上述格係設有分別配置於第M(M為正整數)行及第M+1行的2個畫素，第N(N為正整數)列之格之重置電晶體及第N+1列之格之放大電晶體係設於上述第M行，第N列之格之放大電晶體及第N+1列之格之重置電晶體係設於上述第M+1行。
  17. 如申請專利範圍第1項之固態攝像裝置，其中上述格係設有分別配置於第M(M為正整數)行、第M+1行、第M+2行及第M+3行的4個畫素，第N(N為正整數)列之第1格之重置電晶體係設於上述第M+2行，上述第N列之上述第1格之放大電晶體係設於上述第M+3行，上述第N+1列之第2格之重置電晶體係設於上述第M+1行，上述第N+1列之上述第2格之放大電晶體係設於上述第M行。
  18. 如申請專利範圍第17項之固態攝像裝置，其中上述第1格之重置電晶體，係配置於上述第1格之第M+2行之畫素與上述第2格之第M+2行之畫素之間，上述第1格之放大電晶體，係配置於上述第1格之第M+3行之畫素與上述第2格之第M+3行之畫素之間，上述第2格之重置電晶體，係配置於上述第1格之第M+1行之畫素與上述第2格之第M+1行之畫素之間，上述第2格之放大電晶體，係配置於上述第1格之第M行之畫素與上述第2格之第M行之畫素之間。
  19. 如申請專利範圍第17項之固態攝像裝置，其中和上述第2格呈鄰接而設有配置於上述第N+1列的第3格，上述第1格之重置電晶體，係配置於上述第1格之第M+2行之畫素與上述第3格之第M+2行之畫素之間，上述第1格之放大電晶體，係配置於上述第1格之第M+3行之畫素與上述第3格之第M+3行之畫素之間，上述第2格之重置電晶體，係配置於上述第1格之第M+1行之畫素與上述第2格之第M+1行之畫素之間，上述第2格之放大電晶體，係配置於上述第1格之第M行之畫素與上述第2格之第M行之畫素之間。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5911767B2 (ja) 2012-07-13 2016-04-27 株式会社東芝 固体撮像装置
US9165959B2 (en) * 2013-02-25 2015-10-20 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with pixel units having mirrored transistor layout
TWI696278B (zh) * 2015-03-31 2020-06-11 日商新力股份有限公司 影像感測器、攝像裝置及電子機器
US20230269503A1 (en) * 2020-06-09 2023-08-24 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060028569A1 (en) * 2004-08-05 2006-02-09 Kabushiki Kaisha Toshiba CMOS image sensor
US20060208163A1 (en) * 2004-02-04 2006-09-21 Omnivision Technologies, Inc. CMOS image sensor using shared transistors between pixels having mirror symmetry
US7429722B2 (en) * 2005-04-15 2008-09-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Pattern layout of CMOS image sensor
TW200950507A (en) * 2008-05-30 2009-12-01 Himax Imaging Inc Method and circuit for driving active pixels in a CMOS imager device
US20100097508A1 (en) * 2008-10-22 2010-04-22 Sony Corporation Solid state image sensor, method for driving a solid state image sensor, imaging apparatus, and electronic device
TW201103321A (en) * 2009-01-28 2011-01-16 Sony Corp Solid-state image capturing device, method of driving solid-state image capturing device, and image capturing apparatus

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6350663B1 (en) * 2000-03-03 2002-02-26 Agilent Technologies, Inc. Method for reducing leakage currents of active area diodes and source/drain diffusions
US20040113151A1 (en) * 2002-10-11 2004-06-17 Kabushiki Kaisha Toshiba CMOS image sensor
EP1594312A4 (en) * 2003-02-13 2006-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd SOLID STATE VIEWING DEVICE, ASSOCIATED CONTROL METHOD, AND CAMERA USING THE DEVICE
JP4075773B2 (ja) 2003-11-05 2008-04-16 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP4539176B2 (ja) * 2004-05-31 2010-09-08 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
KR100630704B1 (ko) * 2004-10-20 2006-10-02 삼성전자주식회사 비평면 구조의 트랜지스터를 구비한 ｃｍｏｓ 이미지 센서및 그 제조 방법
US8120077B2 (en) * 2004-12-16 2012-02-21 Panasonic Corporation Solid-state imaging device comprising doped channel stop at isolation regions to suppress noise
US7342213B2 (en) * 2005-06-01 2008-03-11 Eastman Kodak Company CMOS APS shared amplifier pixel with symmetrical field effect transistor placement
JP2007202035A (ja) * 2006-01-30 2007-08-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置
US7764315B2 (en) * 2006-08-24 2010-07-27 Dalsa Corporation CMOS imaging facility and a modular array for use in such a facility
JP2008124237A (ja) 2006-11-13 2008-05-29 Sony Corp 撮像装置およびカメラ
US7915702B2 (en) * 2007-03-15 2011-03-29 Eastman Kodak Company Reduced pixel area image sensor
JP2008244021A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびそれを用いたカメラ
JP2009026984A (ja) * 2007-07-20 2009-02-05 Nikon Corp 固体撮像素子
JP5111140B2 (ja) * 2008-02-06 2012-12-26 キヤノン株式会社 固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置、及び撮像システム
JP2010016056A (ja) * 2008-07-01 2010-01-21 Canon Inc 光電変換装置
JP4735702B2 (ja) * 2008-10-22 2011-07-27 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置
JP5012782B2 (ja) * 2008-12-12 2012-08-29 ソニー株式会社 撮像装置
JP5029624B2 (ja) * 2009-01-15 2012-09-19 ソニー株式会社 固体撮像装置及び電子機器
JP5126291B2 (ja) * 2010-06-07 2013-01-23 株式会社ニコン 固体撮像素子
JP5458043B2 (ja) * 2011-03-08 2014-04-02 株式会社東芝 固体撮像装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060208163A1 (en) * 2004-02-04 2006-09-21 Omnivision Technologies, Inc. CMOS image sensor using shared transistors between pixels having mirror symmetry
US20060028569A1 (en) * 2004-08-05 2006-02-09 Kabushiki Kaisha Toshiba CMOS image sensor
US7429722B2 (en) * 2005-04-15 2008-09-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Pattern layout of CMOS image sensor
TW200950507A (en) * 2008-05-30 2009-12-01 Himax Imaging Inc Method and circuit for driving active pixels in a CMOS imager device
US20100097508A1 (en) * 2008-10-22 2010-04-22 Sony Corporation Solid state image sensor, method for driving a solid state image sensor, imaging apparatus, and electronic device
TW201103321A (en) * 2009-01-28 2011-01-16 Sony Corp Solid-state image capturing device, method of driving solid-state image capturing device, and image capturing apparatus

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