JP2012184367A - 生成ガス中のｃｏｓ処理装置及びｃｏｓ処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】生成ガス中のＣＯＳ濃度の状況をリアルタイムで検知し、迅速な対応措置をとることができる生成ガス中のＣＯＳ処理装置及びＣＯＳ処理方法を提供する。
【解決手段】ＣＯＳを含む生成ガス１２を処理するＣＯＳ触媒を有する第１のＣＯＳ変換器１３Ａと、該第１のＣＯＳ変換器１３Ａの前流側に設けられ、生成ガス中のＣＯＳ濃度を計測するレーザ分析装置１５Ａと、前記レーザ分析装置１５Ａの計測の結果、ＣＯＳ濃度が閾値を超えている際、生成ガスの流路を主流路Ｌ₁からバイパス流路Ｌ₂へ切り替える流路切替手段１９と、バイパス流路Ｌ₂に介装され、ＣＯＳを含む生成ガス１２を処理するＣＯＳ触媒を有する第２のＣＯＳ変換器１３Ｂと、前記求めたＣＯＳ濃度が、閾値濃度を超える場合には、流路切替手段１９をバイパス流路Ｌ₂側へ切替え、第２のＣＯＳ変換器１３Ｂで未変換のＣＯＳを処理する制御を行う制御装置２０と、を具備する。
【選択図】図１

Description

本発明は、生成ガス中のＣＯＳ処理装置及びＣＯＳ処理方法に関する。

近年では、良質な化石燃料だけではなく、低質な化石燃料をも積極的に用いるという多様化の観点から、石炭や重質油といった低質な燃料の有効利用が求められている。また、火力発電の分野では発電効率向上の観点から、ガス燃料を用いるガスタービンとスチームタービンを併用した複合発電や、炭化水素ガスを燃料電池に導入する発電も普及しつつある。そこで、低質な燃料をガス化してこれらの発電に利用する研究開発が行われている。

ところで、低質な燃料には一般に硫黄化合物が多く含まれており、これをガス化したガスをそのまま燃焼すると硫黄化合物が硫黄酸化物として煙突から大気に排出されて酸性雨等の環境破壊源となる。そこで、通常の火力発電においてはボイラの後流に排煙脱硫装置を設置して、硫黄化合物をたとえば石膏として除去することが実用化されている。ところが、複合発電においてはガスタービンの入口温度が通常の火力発電におけるボイラの温度よりも高いために材料の腐食が顕著である。そこで、硫黄化合物をはじめとする各種の不純物を、ガスタービンの後流ではなく前流において除去し、材料を保護する必要があり、前記排煙脱硫装置は適用できない。燃料電池発電においても、材料の保護による発電効率及び耐久性の確保は必須であり、各種の不純物は同様に燃料電池の前流において除去する必要がある。

前記不純物の除去方法として、水溶性の成分は水スクラバで除去し、Ｈ₂Ｓ（硫化水素）についてはアミン類の水溶液で除去する、いわゆる湿式ガス精製プロセスが実用化されている。ところが、アミン類の水溶液ではＨ₂Ｓは除去できるが、硫化カルボニル（ＣＯＳ）は除去できない。そこで、ＣＯＳ転換触媒を用いて（１）式に示す加水分解反応を行って、アミン類の水溶液で除去できるＨ₂Ｓの形に変換する反応を促進している。
ＣＯＳ＋Ｈ₂Ｏ→Ｈ₂Ｓ＋ＣＯ₂ …（１）

ここに、ＣＯＳ転換触媒としては、例えばチタニアを含む触媒やアルミナとＩＶ族金属とバリウムを含む触媒や、アルカリ金属と酸化クロムとアルミナを含む触媒が知られている（特許文献１）。

特開２００４−７５７１２号公報

ところで、ガス化ガスの運転に応じて、ＣＯＳの含有量が増減する場合や、触媒機能が低下した際に、所望のＣＯＳ転換率に達しない場合には、後流側の配管やガスタービン等の機器類が腐食する、という問題がある。

また、ＣＯＳが分解されない場合、脱硫装置では分解されず、例えばガスタービン等で燃焼される際にＳＯ₂となって、排出される。これにより環境中に硫黄酸化物が高濃度の排出されるおそれがある。
ここで、未分分解ＣＯＳが発生した場合、その原因が生成ガス中のＣＯＳの過渡的な濃度増大であるか、ＣＯＳ変換装置自身の変換能力が不十分なのかが、把握できないという問題がある。

従来においては、ガスを採取し、その後ガスクロマトグラフ分析を行うことで分析しているが、分析に数分程度を要し、応答性が低いので、秒単位の測定ができないという問題がある。

そこで、ガス化ガス中のＣＯＳの過渡的な濃度の増大やＣＯＳ変換器における変換不十分な際に、その状況を秒単位で迅速且つ連続してルタイムで検知し、迅速な対応措置をとることが切望されている。

本発明は、前記問題に鑑み、生成ガス中のＣＯＳの濃度の増大やＣＯＳ変換器における変換不十分な際に、その状況をリアルタイムで検知し、迅速な対応措置をとることができる生成ガス中のＣＯＳ処理装置及びＣＯＳ処理方法を提供することを課題とする。

上述した課題を解決するための本発明の第１の発明は、硫化カルボニル（ＣＯＳ）を含む生成ガスを処理するＣＯＳ触媒を有する第１のＣＯＳ変換器と、該第１のＣＯＳ変換器の前流側に設けられ、生成ガス中のＣＯＳ濃度を計測するレーザ分析装置と、前記レーザ分析装置の計測の結果、ＣＯＳ濃度が閾値を超えている際、生成ガスの流路を主流路からバイパス流路へ切り替える流路切替手段と、バイパス流路に介装され、硫化カルボニル（ＣＯＳ）を含む生成ガスを処理するＣＯＳ触媒を有する第２のＣＯＳ変換器と、前記求めたＣＯＳ濃度が、閾値濃度を超える場合には、流路切替手段をバイパス流路側へ切替え、第２のＣＯＳ変換器で未変換のＣＯＳ（硫化カルボニル）を処理する制御を行う制御装置と、を具備することを特徴とする生成ガス中のＣＯＳ処理装置にある。

第２の発明は、第１の発明において、前記第１のＣＯＳ変換器の後流側に設けられ、ＣＯＳ変換処理された生成ガス中のＣＯＳ濃度を計測するレーザ分析装置を具備することを特徴とする生成ガス中のＣＯＳ処理装置にある。

第３の発明は、第１の発明において、前記第１のＣＯＳ変換器の内部ガスの温度を、生成ガス成分の吸光度の相対強度より計測することを特徴とする生成ガス中のＣＯＳ処理装置にある。

第４の発明は、第３の発明において、温度計測の結果、前記第１のＣＯＳ変換器の内部ガスが低い場合には増熱する制御を行うことを特徴とする生成ガス中のＣＯＳ処理装置にある。

第５の発明は、第１の発明において、レーザ分析装置が、生成ガス中にレーザ光を導入する第１の計測部と、第１の計測部に半導体レーザ装置から半導体レーザ光を照射し、レーザ吸収分光法により燃料ガス中のＣＯＳ濃度を計測する第１の検出器と、を具備することを特徴とする生成ガス中のＣＯＳ処理装置にある。

第６の発明は、第２の発明の生成ガス中のＣＯＳ処理装置を、２系統（第１系統、第２系統）並列に設け、この２系統のＣＯＳ処理装置を交互に用いて、生成ガス中のＣＯＳを処理するに際し、第１系統の第１のＣＯＳ変換器でＣＯＳ変換処理しつつ、第１のＣＯＳ変換器の後流側のＣＯＳ濃度を計測し、ＣＯＳ変換漏れが発生した場合、第１系統の第１のＣＯＳ変換器の後流側から第２系統の第１のＣＯＳ変換器の上流側に戻す戻しラインを介して、未処理のＣＯＳを含むＣＯＳ変換処理された生成ガスを第２系統の第１のＣＯＳ変換器に導入し、該第１のＣＯＳ変換器でＣＯＳ変換処理することを特徴とするＣＯＳ処理方法にある。

本発明によれば、生成ガス中のＣＯＳの濃度の増大やＣＯＳ変換器における変換不十分な際に、その状況をリアルタイムで検知し、迅速な対応措置をとることができる。

図１は、実施例１に係る生成ガス中のＣＯＳ処理装置の概略図である。 図２は、実施例２に係る生成ガス中のＣＯＳ処理装置の概略図である。 図３は、実施例２に係る他の生成ガス中のＣＯＳ処理装置の概略図である。 図４−１は、実施例３に係る生成ガス中のＣＯＳ処理装置の概略図である。 図４−２は、実施例３に係る他の生成ガス中のＣＯＳ処理装置の概略図である。 図５は、実施例３に係る他の生成ガス中のＣＯＳ処理装置の概略図である。 図６は、ＣＯガスの吸光度の信号強度と、回転量指数（Ｊ）との関係図である。 図７は、温度３００Ｋと４００Ｋにおける振動遷移におけるＲ枝におけるポンプ光のエネルギーの吸収スペクトル強度図である。

以下、この発明につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施例によりこの発明が限定されるものではない。また、下記実施例における構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、あるいは実質的に同一のものが含まれる。

本発明による実施例に係る生成ガス中のＣＯＳ処理装置について、図面を参照して説明する。図１は、実施例１に係る生成ガス中のＣＯＳ処理装置の概略図である。
図１に示すように、本実施例に係る生成ガス中のＣＯＳ処理装置１０Ａは、硫化カルボニル（ＣＯＳ）を含む生成ガス１２を処理するＣＯＳ触媒を有する第１のＣＯＳ変換器１３Ａと、該第１のＣＯＳ変換器１３Ａの前流側に設けられ、生成ガス１２中のＣＯＳ濃度を計測するレーザ分析装置１５Ａと、前記レーザ分析装置１５Ａの計測の結果、ＣＯＳ濃度が閾値を超えている際、生成ガスの流路を主流路Ｌ₁からバイパス流路Ｌ₂へ切り替える流路切替手段１９と、バイパス流路Ｌ₂に介装され、硫化カルボニル（ＣＯＳ）を含む生成ガス１２を処理するＣＯＳ触媒を有する第２のＣＯＳ変換器１３Ｂと、前記求めたＣＯＳ濃度（Ｘ）が、閾値濃度（Ｙ）を超える場合には、流路切替手段１９をバイパス流路Ｌ₂側へ切替え、第２のＣＯＳ変換器１３Ｂで未変換のＣＯＳ（硫化カルボニル）を処理する制御を行う制御装置２０と、生成ガス１２中の硫黄酸化物を除去する脱硫装置２１とを具備するものである。

ガス化炉１１は公知のものであり、例えば石炭や重質油などの低質燃料と、ガス化剤である酸素、空気、または酸素富化された空気が投入され、ガス化ガスである生成ガス１２が取り出される。
この取り出された生成ガス１２は、公知の集塵装置を用いて煤塵を除去することが望ましい。この煤塵が除去された生成ガス１２に含まれるＣＯＳを第１のＣＯＳ変換器１３Ａを用いてＣＯＳ変換処理している。
本実施例では、第１のＣＯＳ変換器１３Ａの前流側に、生成ガス１２中のＣＯＳ濃度を計測するレーザ分析装置１５Ａが設けられている。

ここで、レーザ分析装置１５Ａは、生成ガス１２中に半導体レーザ光（以下「レーザ光」という）１４を導入する第１の計測部１７Ａと、第１の計測部１７Ａに半導体レーザ装置１６からレーザ光１４を照射し、レーザ吸収分光法により燃料ガス中のＣＯＳ濃度を計測する第１の検出器１８Ａと、を具備するものである。
なお、参照レーザ吸収光（Ｉ₀）は、第２の検出器１８Ｂで検出し、半導体レーザの波長のずれによる生じる計測誤差を校正している。
半導体レーザの波長は、例えば１．０〜６．０μｍとし、より好適には計測波長は１．６５μｍとしている。

第１の検出器１８Ａでは、生成ガス１２中に含有されるＣＯＳ濃度をオンラインで計測し、第１のＣＯＳ変換器１３ＡでＣＯＳ変換できる許容範囲か否かを確認している。
そして、所定の閾値を設定し、許容範囲でないと判断した際には、制御装置２０により流路切替手段１９を操作して、生成ガス１２の流路を第１のＣＯＳ変換器１３Ａが介装されている主流路Ｌ₁からバイパス流路Ｌ₂へ切り替え、バイパス流路Ｌ₂に介装された第２のＣＯＳ変換器１３Ｂにより、未処理であった硫化カルボニル（ＣＯＳ）を触媒処理するようにしている。

すなわち、通常は所定のＣＯＳ処理能力範囲内のＣＯＳが含有（数１０ｐｐｍ〜数１０００ｐｐｍ）された生成ガス１２が流れてくるが、燃料やガス化炉１１等の上流側の不具合により、ＣＯＳ含有量が過渡的に増大するような場合、ＣＯＳ触媒の処理能力を超えることとなり、そのままでは後流側にＣＯＳが流れていくので、バイパス流路Ｌ₂に介装した第２のＣＯＳ変換器１３Ｂにおいて、ＣＯＳ処理することで、未処理のＣＯＳが後流側へ漏れることが解消される。
また、ＣＯＳの濃度が多量である場合には、ガス化炉１１の運転操作の対応により、ＣＯＳ濃度を低減する対策を講じることもできる。

半導体レーザを用いたレーザ分析により、生成ガス１２中のガス組成を確認することができる。

本実施例の生成ガス中のＣＯＳ処理装置によれば、ガス化炉１１からの生成ガス１２中のＣＯＳの過渡的な濃度の増大やＣＯＳ変換器における変換不十分な際に、その状況を秒単位で迅速且つ連続してルタイムで検知し、迅速な対応措置をとることが可能となる。

本発明による実施例に係る生成ガス中のＣＯＳ処理装置について、図面を参照して説明する。図２は、実施例２に係る生成ガス中のＣＯＳ処理装置の概略図である。
図２に示すように、本実施例に係る生成ガス中のＣＯＳ処理装置１０Ｂは、実施例１の生成ガス中のＣＯＳ処理装置１０Ａにおいて、第１のＣＯＳ変換器１３Ａの後流側に設けられ、ＣＯＳ変換処理ガス１２中のＣＯＳ濃度を計測するレーザ分析装置１５Ｂを具備するものである。
レーザ分析装置１５Ｂは、第１のＣＯＳ変換器１３Ａの後流側において、第２の計測部１７Ｂに半導体レーザ装置１６から半導体レーザ光１４を照射し、レーザ吸収分光法により燃料ガス中のＣＯＳ濃度を計測する第２の検出器１８Ｂと、を具備して、ＣＯＳ変換後の生成ガス１２中のＣＯＳ濃度を計測するようにしている。
この後流側でＣＯＳ濃度を計測することで、ＣＯＳ触媒の処理能力が正常であるか否かを判断することができる。

すなわち、第１のＣＯＳ変換器１３Ａの上流側で計測したＣＯＳの量が所定値以下の場合において、後流側でＣＯＳ濃度を計測することは、ＣＯＳ触媒の劣化が要因であると判断することができる。

また、本発明を適用することで、単一の装置で複数点の同時迅速測定が可能となるので、ＣＯＳ処理装置のＣＯＳ変換能力の状況を精度良く把握することができる。

このような場合においても、制御装置２０により流路切替手段１９を操作して、生成ガス１２の流路を第１のＣＯＳ変換器１３Ａが介装されている主流路Ｌ₁からバイパス流路Ｌ₂へ切り替え、バイパス流路Ｌ₂に介装された第２のＣＯＳ変換器１３Ｂにより、未処理であった硫化カルボニル（ＣＯＳ）を触媒処理するようにしている。

図３は、実施例２に係る他の生成ガス中のＣＯＳ処理装置の概略図である。図３に示すように、本実施例のＣＯＳ変換装置を２系統（第１系統、第２系統）１３Ａ−１、１３Ａ−２並列に設け、この２系統のＣＯＳ処理装置１３Ａ−１、１３Ａ−２を交互に用いて、ＣＯＳ変換処理を行う。
そして、生成ガス１２中のＣＯＳを連続して処理するに際し、第１系統の第１のＣＯＳ変換器１３Ａ−１でＣＯＳ変換処理しつつ、第１のＣＯＳ変換器１３Ａ−１の後流側のＣＯＳ濃度をレーザ分析装置１５Ｂ−１で計測し、ＣＯＳ変換漏れが発生した場合、第１系統の第１のＣＯＳ変換器１３Ａ−１の後流側から第２系統の第１のＣＯＳ変換器１３Ａ−２の上流側に戻す戻しラインＬ₁₁を介して、未処理のＣＯＳを含むＣＯＳ変換処理された生成ガス１２を第２系統の第１のＣＯＳ変換器１３Ａ−２に導入し、該第１のＣＯＳ変換器１３Ａ−２でＣＯＳ変換処理するようにしている。
図３中、符号Ｌ_1-1、Ｌ_1-2は主流路、Ｌ_2-2はバイパス流路、Ｌ₁₂は戻しライン、１９−１、１９−２は流路切替手段、１５Ｂ−２はレーザ分析装置を各々図示する。

これにより、連続稼動する際に、２系統のＣＯＳ処理装置を設けている場合、通常のメンテナンスのときに、休止していた別の系統のＣＯＳ処理装置を用いてＣＯＳを処理することができる。
これにより、第２のＣＯＳ変換器１３Ｂ−１に何等かの不具合等が生じた場合でも、後流側へのＣＯＳの漏れを解消することができる。

本発明による実施例に係る生成ガス中のＣＯＳ処理装置について、図面を参照して説明する。図４−１は、実施例３に係る生成ガス中のＣＯＳ処理装置の概略図である。図４−２は、実施例３に係る他の生成ガス中のＣＯＳ処理装置の概略図である。
図５は、実施例３に係る他の生成ガス中のＣＯＳ処理装置の概略図である。
図４−１に示すように、本実施例に係る生成ガス中のＣＯＳ処理装置１０Ｃ−１は、実施例２のＣＯＳ処理装置１０Ｂにおいて、さらに第１のＣＯＳ変換器１３Ａの内部の温度を計測するレーザ分析装置１５Ｃを具備するものである。

本実施例においては、第１のＣＯＳ変換器１３Ａ内部のガス温度を、生成ガス１２に含有する成分（ＣＯ、ＣＨ₄、ＣＯ₂等）の吸光度の相対強度より計測するものである。

本実施例では、生成ガス成分中に含有する成分の吸光度を計測し、予め測定しておいた温度曲線に照らして、ガス中の温度計測を行うようにしている。

ここで、レーザ分析装置１５Ｃでは、生成ガス１２中に半導体レーザ光１４を導入して、ＣＯＳ濃度を計測すると共に、生成ガス１２のガス組成（例えばＣＯ）の吸光度を計測する第４の検出器１８Ｄを具備するものである。
半導体レーザ光１４は半導体レーザ装置１６からのレーザ光を共用している。

これにより、第１のＣＯＳ変換器１３Ａ内部のガス中の温度を計測することが可能となる。この結果、第１のＣＯＳ変換器１３Ａ内部が触媒反応温度に適正に保持されているかを確認することができる。
よって、後流側のＣＯＳ濃度の増加があった場合、触媒の劣化によるものか、または触媒反応温度が低いかを確認することができる。
触媒反応温度が低い場合には図示しない加熱手段により適切な触媒反応温度（例えば２００〜３００℃）となるように増熱する制御を図示しない制御手段により行うことができる。

図６は、ＣＯガスの蛍光の信号強度と、回転量子数（Ｊ）との関係図である。図６中、黒丸印は３００Ｋにおける測定値であり、四角印は４００Ｋにおける測定値である。これらのプロットを結ぶ線は下記数式（１）を用いたフィッティングである。
このチャートは電子状態における基底状態から第一振動励起状態の振動−回転スペクトルである。

また、図７は温度３００Ｋと４００Ｋにおける振動遷移におけるＲ枝におけるポンプ光のエネルギーの吸収スペクトル強度の図である。

このスペクトル線の回転量子数（Ｊ）に対応する相対強度を測定し、その測定結果から、下記数式（１）を温度の関数としてあてはめることにより、測定場の温度を算出することができる。
Ｎ_j／Ｎ_j=0＝（２Ｊ＋１）ｅｘｐ(−［（ｋｃＢＪ）・（Ｊ＋１）］／（ｋＴ）)…（１）
ここで、
Ｎ_j：回転量子数Ｊにおける分子数（数密度）
Ｎ_j=0：全分子数
Ｊ：回転量子数
ｋ：ボルツマン定数
ｃ：光速度
Ｂ：回転定数
Ｔ：温度（回転温度）
である。

よって、例えば図６の３００ＫのＲ（５）とＲ（２０）とのピークを選択し、ＣＯ由来の吸収により信号強度を求め、既知のＣＯのボルツマン分布のあてはめを行うことで、生成ガスの濃度と温度を予測することができる。
この結果、従来においては、例えば熱電対等における内部の温度計測は、スポット的な温度計測であったものが、計測場全体（レーザ光の光路長全体）の平均温度を非接触で求めることができる。これにより、ＣＯＳ触媒全体の温度が把握できる。

なお、本実施例では、半導体レーザ１６からのレーザ光１４を共用していたが、図４−２に示す生成ガス中のＣＯＳ処理装置１０Ｃ−２のように、ＣＯＳ濃度計測用の第１の半導体レーザ装置１６Ａと、温度計測用の第２の半導体レーザ装置１６Ｂとを設け、別々のレーザ源により各々の計測をするようにしてもよい。
これは、生成ガス１２中のＣＯＳ濃度は、その計測値が数百ｐｐｍＶ程度の存在であるのに対し、ＣＯ濃度は、その計測値が１００００ｐｐｍＶ以上と高濃度であるので、測定信号の取得が容易となるからである。

なお、本実施例では、石炭ガス中に高濃度で存在するＣＯの吸光度を適用した例を例示しているが、他の石炭ガス成分（ＣＨ₄、ＣＯ₂等）を指標として温度計測することも適用可能である。

図５に示す生成ガス中のＣＯＳ処理装置１０Ｄでは、ＣＯＳ触媒を有する第１のＣＯＳ変換器１３Ａの内部の中央とその前後の部分においても温度を計測している。
そして、第１のＣＯＳ変換器１３Ａの内部の入口温度側と出口温度側とを計測して、平均の触媒温度を求めるようにしてもよい。なお、この際中央の温度計測は除くようにしてもよい。
これにより、第１のＣＯＳ変換器１３Ａの触媒内部の温度を監視することができるので、適切な触媒温度条件に保持することができ、ＣＯＳ触媒変換を適切に行うことができる。

なお、図４−２の生成ガス中のＣＯＳ処理装置１０Ｃ−２のように、温度計測用の第２の半導体レーザ１６Ｂを別途設置して、温度計測のみを別途行うようにしてもよい。

以上述べたように、本発明によれば、生成ガス中のＣＯＳの濃度の増大やＣＯＳ変換器における変換不十分な際に、その状況をリアルタイムで検知し、迅速な対応措置をとることができ、硫黄酸化物の排出管理を適切に実施することが可能となる。

１０Ａ〜１０Ｄ 生成ガス中のＣＯＳ処理装置
１２ 生成ガス
１３Ａ 第１のＣＯＳ変換器
１３Ｂ 第２のＣＯＳ変換器
１５Ａ〜１５Ｃ レーザ分析装置
１９ 流路切替手段
２０ 制御装置

Claims (6)

1. 硫化カルボニル（ＣＯＳ）を含む生成ガスを処理するＣＯＳ触媒を有する第１のＣＯＳ変換器と、
   該第１のＣＯＳ変換器の前流側に設けられ、生成ガス中のＣＯＳ濃度を計測するレーザ分析装置と、
   前記レーザ分析装置の計測の結果、ＣＯＳ濃度が閾値を超えている際、生成ガスの流路を主流路からバイパス流路へ切り替える流路切替手段と、
   バイパス流路に介装され、硫化カルボニル（ＣＯＳ）を含む生成ガスを処理するＣＯＳ触媒を有する第２のＣＯＳ変換器と、
   前記求めたＣＯＳ濃度が、閾値濃度を超える場合には、流路切替手段をバイパス流路側へ切替え、第２のＣＯＳ変換器で未変換のＣＯＳ（硫化カルボニル）を処理する制御を行う制御装置と、を具備することを特徴とする生成ガス中のＣＯＳ処理装置。
2. 請求項１において、
   前記第１のＣＯＳ変換器の後流側に設けられ、ＣＯＳ変換処理された生成ガス中のＣＯＳ濃度を計測するレーザ分析装置を具備することを特徴とする生成ガス中のＣＯＳ処理装置。
3. 請求項１において、
   前記第１のＣＯＳ変換器の内部ガスの温度を、生成ガス成分の吸光度の相対強度より計測することを特徴とする生成ガス中のＣＯＳ処理装置。
4. 請求項３において、
   温度計測の結果、前記第１のＣＯＳ変換器の内部ガスが低い場合には増熱する制御を行うことを特徴とする生成ガス中のＣＯＳ処理装置。
5. 請求項１において、
   レーザ分析装置が、
   生成ガス中にレーザ光を導入する第１の計測部と、
   第１の計測部に半導体レーザ装置から半導体レーザ光を照射し、レーザ吸収分光法により燃料ガス中のＣＯＳ濃度を計測する第１の検出器と、を具備することを特徴とする生成ガス中のＣＯＳ処理装置。
6. 請求項２の生成ガス中のＣＯＳ処理装置を、２系統（第１系統、第２系統）並列に設け、
   この２系統のＣＯＳ処理装置を交互に用いて、生成ガス中のＣＯＳを処理するに際し、
   第１系統の第１のＣＯＳ変換器でＣＯＳ変換処理しつつ、第１のＣＯＳ変換器の後流側のＣＯＳ濃度を計測し、ＣＯＳ変換漏れが発生した場合、
   第１系統の第１のＣＯＳ変換器の後流側から第２系統の第１のＣＯＳ変換器の上流側に戻す戻しラインを介して、未処理のＣＯＳを含むＣＯＳ変換処理された生成ガスを第２系統の第１のＣＯＳ変換器に導入し、該第１のＣＯＳ変換器でＣＯＳ変換処理することを特徴とするＣＯＳ処理方法。
   
   

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