JP2012178347A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2012178347A5
JP2012178347A5 JP2012031773A JP2012031773A JP2012178347A5 JP 2012178347 A5 JP2012178347 A5 JP 2012178347A5 JP 2012031773 A JP2012031773 A JP 2012031773A JP 2012031773 A JP2012031773 A JP 2012031773A JP 2012178347 A5 JP2012178347 A5 JP 2012178347A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion
current
ion beam
aperture
onto
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012031773A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6219019B2 (ja
JP2012178347A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of JP2012178347A publication Critical patent/JP2012178347A/ja
Publication of JP2012178347A5 publication Critical patent/JP2012178347A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6219019B2 publication Critical patent/JP6219019B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (26)

  1. イオン・カラムおよび複数のビーム画定絞りを備える集束イオン・ビーム・システムを使用して、1つまたは複数の基準マークを関心領域の近くに含むターゲット内の構造をミリングする方法であって、
    第1の電流を有するイオン・ビームを生成するための第1のビーム画定絞りを選択するステップと、
    前記第1の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ集束させるように、前記イオン・カラム内の電極電圧を設定するステップと、
    前記第1の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ導くステップと、
    前記イオン・カラムの軸に対する前記基準マークの位置を決定するために、前記第1の電流を有する前記イオン・ビームを前記基準マークに亘って走査するステップと、
    前記第1の電流よりも大きい第2の電流を有するイオン・ビームを生成するための第2のビーム画定絞りを選択するステップと、
    前記イオン・カラム内の前記電極電圧を再設定せずに、前記第2の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ導くステップと、
    前記第2の電流を有する前記イオン・ビームを所定のパターンに従って偏向させて、前記関心領域においてミリング工程を実行するステップであり、このビーム偏向が、前記第1の電流を有する前記イオン・ビームによって決定した前記イオン・カラムの軸に対する前記基準マークの位置を考慮して行われるステップと
    を含む方法。
  2. 前記第1の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ集束させるように、前記イオン・カラム内の電極電圧を設定するステップが、銃レンズおよび主レンズ上の電圧を設定することを含み、
    前記イオン・カラム内の前記電極電圧を再設定せずに、前記第2の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ導くステップが、前記銃レンズおよび前記主レンズ上の電圧を再設定せずに、前記第2の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ導くことを含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記第1の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ集束させるように、前記イオン・カラム内の電極電圧を設定するステップが、前記第1の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ集束させるように、前記電極電圧を最適化することを含む、請求項1または2に記載の方法。
  4. 前記第1の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ集束させるように、前記イオン・カラム内の電極電圧を設定するステップが、前記第2の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ集束させるように、前記電極電圧を最適化することを含む、請求項1または2に記載の方法。
  5. 前記第1の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ集束させるように、前記イオン・カラム内の電極電圧を設定するステップが、前記第1のビーム確定絞りと前記第2のビーム確定絞りとの中間のサイズを有する絞りに対して、前記電極電圧を最適化することを含む、請求項1または2に記載の方法。
  6. 前記第1の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ集束させるように、前記イオン・カラム内の電極電圧を設定するステップが、前記第1のビーム確定絞りまたは前記第2のビーム確定絞りに対して前記ビームを最適化しないように、前記電極電圧を設定することを含む、請求項1または2に記載の方法。
  7. 前記第2の電流を有する前記イオン・ビームを所定のパターンに従って偏向させて前記関心領域においてミリング工程を実行した後に、前記第1の電流を有する前記イオン・ビームを生成するための前記第1のビーム画定絞りを再び選択して、前記ターゲットを画像化するステップをさらに含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
  8. 前記第1のビーム電流よりも小さい第3の電流を有するイオン・ビームを生成するための第3のビーム画定絞りを選択するステップと、
    前記第3の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ集束させるように、前記イオン・カラム内の前記電極電圧を設定するステップと、
    前記第3の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ導くステップと、
    前記イオン・カラムの軸に対する前記基準マークの位置を決定するために、前記第3の電流を有する前記イオン・ビームを前記基準マークに亘って走査するステップであり、前記第3の電流を有する前記イオン・ビームの前記位置決定が、前記第1の電流を有する前記イオン・ビームの前記位置決定よりも正確なステップと、
    前記第3の電流よりも大きく、前記第1の電流よりも小さい第4の電流を有するイオン・ビームを生成するための第4のビーム画定絞りを選択するステップと、
    前記イオン・カラム内の前記電極電圧を再設定せずに、前記第4の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ導くステップと、
    前記第4の電流を有する前記イオン・ビームを所定のパターンに従って偏向させて、前記関心領域において微細ミリング工程を実行するステップであり、このビーム偏向が、前記第3の電流を有する前記イオン・ビームによって決定した前記イオン・カラムの軸に対する前記基準マークの位置を考慮して行われるステップと
    をさらに含む、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
  9. 前記第4の電流を有する前記イオン・ビームを所定のパターンに従って偏向させて前記関心領域において前記微細ミリング工程を実行した後に、前記第3の電流を有する前記イオン・ビームを生成するための前記第3のビーム画定絞りを再び選択して、前記ターゲットを画像化するステップをさらに含む、請求項に記載の方法。
  10. 第1のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、前記複数の絞りのうちの第1の絞りを前記イオン・カラムの軸上に機械的に移動させるステップを含み、
    第2のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、前記複数の絞りのうちの第2の絞りを前記イオン・カラムの軸上に機械的に移動させるステップを含む、
    請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
  11. 第1のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、前記複数の絞りのうちの第1の絞りを前記イオン・カラムの軸上に機械的に移動させるステップを含み、
    第2のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、前記複数の絞りのうちの第2の絞りを前記イオン・カラムの軸上に機械的に移動させるステップを含み、
    第3のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、前記複数の絞りのうちの第3の絞りを前記イオン・カラムの軸上に機械的に移動させるステップを含み、
    第4のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、前記複数の絞りのうちの第4の絞りを前記イオン・カラムの軸上に機械的に移動させるステップを含む、
    請求項に記載の方法。
  12. 前記複数のビーム画定絞りの上方に第1の偏向器を配置するステップと、
    前記複数のビーム画定絞りの下方に第2の偏向器を配置するステップと
    をさらに含む、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
  13. 第1のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、
    前記イオン・ビームを、前記複数のビーム画定絞りのうちの第1の絞り上へ偏向させるように、前記第1の偏向器を作動させるステップと、
    前記イオン・ビームを、前記イオン・カラムの軸上へ、かつ、前記イオン・カラムの軸に対して平行に偏向させるように、前記第2の偏向器を作動させるステップと
    を含み、
    第2のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、
    前記イオン・ビームを、前記複数のビーム画定絞りのうちの第2の絞り上へ偏向させるように、前記第1の偏向器を作動させるステップと、
    前記イオン・ビームを、前記イオン・カラムの軸上へ、かつ、前記イオン・カラムの軸に対して平行に偏向させるように、前記第2の偏向器を作動させるステップと
    を含む、請求項12に記載の方法。
  14. 前記複数のビーム画定絞りの上方に第1の偏向器を配置するステップと、
    前記複数のビーム画定絞りの下方に第2の偏向器を配置するステップと
    をさらに含む、請求項に記載の方法。
  15. 第1のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、
    前記イオン・ビームを、前記複数のビーム画定絞りのうちの第1の絞り上へ偏向させるように、前記第1の偏向器を作動させるステップと、
    前記イオン・ビームを、前記イオン・カラムの軸上へ、かつ、前記イオン・カラムの軸に対して平行に偏向させるように、前記第2の偏向器を作動させるステップと
    を含み、
    第2のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、
    前記イオン・ビームを、前記複数のビーム画定絞りのうちの第2の絞り上へ偏向させるように、前記第1の偏向器を作動させるステップと、
    前記イオン・ビームを、前記イオン・カラムの軸上へ、かつ、前記イオン・カラムの軸に対して平行に偏向させるように、前記第2の偏向器を作動させるステップと
    を含み、
    第3のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、
    前記イオン・ビームを、前記複数のビーム画定絞りのうちの第3の絞り上へ偏向させるように、前記第1の偏向器を作動させるステップと、
    前記イオン・ビームを、前記イオン・カラムの軸上へ、かつ、前記イオン・カラムの軸に対して平行に偏向させるように、前記第2の偏向器を作動させるステップと
    を含み、
    第4のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、
    前記イオン・ビームを、前記複数のビーム画定絞りのうちの第4の絞り上へ偏向させるように、前記第1の偏向器を作動させるステップと、
    前記イオン・ビームを、前記イオン・カラムの軸上へ、かつ、前記イオン・カラムの軸に対して平行に偏向させるように、前記第2の偏向器を作動させるステップと
    を含む、請求項14に記載の方法。
  16. 前記ミリング工程の後に実行されるイオン・ビーム研磨工程をさらに含む、請求項1から15のいずれか一項に記載の方法。
  17. 前記微細ミリング工程の後に実行されるイオン・ビーム研磨工程をさらに含む、請求項に記載の方法。
  18. イオン・カラムおよび複数のビーム画定絞りを備える集束イオン・ビーム・システムを使用して、1つまたは複数の基準マークを関心領域の近くに含むターゲット内の構造をバルク・ミリングし、微細ミリングする方法であって、
    第1の電流を有するイオン・ビームを生成するための第1のビーム画定絞りを選択するステップと、
    前記第1の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ集束させるように、前記イオン・カラム内の電極電圧を設定するステップと、
    前記第1の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ導くステップと、
    前記イオン・カラムの軸に対する前記基準マークの位置を決定するために、前記第1の電流を有する前記イオン・ビームを前記基準マークに亘って走査するステップと、
    前記第1の電流よりも大きい第2の電流を有するイオン・ビームを生成するための第2のビーム画定絞りを選択するステップと、
    前記イオン・カラム内の前記電極電圧を再設定せずに、前記第2の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ導くステップと、
    前記第2の電流を有する前記イオン・ビームを所定のパターンに従って偏向させて、前記関心領域においてバルク・ミリング工程を実行するステップであり、このビーム偏向が、前記第1の電流を有する前記イオン・ビームによって決定した前記イオン・カラムの軸に対する前記基準マークの位置を考慮して行われるステップと、
    前記バルク・ミリング工程が完了したかどうかを判断し、前記バルク・ミリング工程が完了していない場合に、第1のビーム画定絞りを選択する前記ステップに戻るステップと、
    前記第1のビーム電流よりも小さい第3の電流を有するイオン・ビームを生成するための第3のビーム画定絞りを選択するステップと、
    前記第3の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ集束させるように、前記イオン・カラム内の前記電極電圧を設定するステップと、
    前記第3の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ導くステップと、
    前記イオン・カラムの軸に対する前記基準マークの位置を決定するために、前記第3の電流を有する前記イオン・ビームを前記基準マークに亘って走査するステップであり、前記第3の電流を有する前記イオン・ビームの前記位置決定が、前記第1の電流を有する前記イオン・ビームの前記位置決定よりも正確なステップと、
    前記第3の電流よりも大きく、前記第1の電流よりも小さい第4の電流を有するイオン ・ビームを生成するための第4のビーム画定絞りを選択するステップと、
    前記イオン・カラム内の前記電極電圧を再設定せずに、前記第4の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ導くステップと、
    前記第4の電流を有する前記イオン・ビームを所定のパターンに従って偏向させて、前記関心領域において微細ミリング工程を実行するステップであり、このビーム偏向が、前記第3の電流を有する前記イオン・ビームによって決定した前記イオン・カラムの軸に対する前記基準マークの位置を考慮して行われるステップと、
    前記微細ミリング工程が完了したかどうかを判断し、前記微細ミリング工程が完了していない場合に、前記第3のビーム画定絞りを選択する前記ステップに戻るステップと
    を含む方法。
  19. 第1のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、前記複数の絞りのうちの第1の絞りを前記イオン・カラムの軸上に機械的に移動させるステップを含み、
    第2のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、前記複数の絞りのうちの第2の絞りを前記イオン・カラムの軸上に機械的に移動させるステップを含み、
    第3のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、前記複数の絞りのうちの第3の絞りを前記イオン・カラムの軸上に機械的に移動させるステップを含み、
    第4のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、前記複数の絞りのうちの第4の絞りを前記イオン・カラムの軸上に機械的に移動させるステップを含む、
    請求項18に記載の方法。
  20. 前記複数のビーム画定絞りの上方に第1の偏向器を配置するステップと、
    前記複数のビーム画定絞りの下方に第2の偏向器を配置するステップと
    をさらに含む、請求項18に記載の方法。
  21. 第1のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、
    前記イオン・ビームを、前記複数のビーム画定絞りのうちの第1の絞り上へ偏向させるように、前記第1の偏向器を作動させるステップと、
    前記イオン・ビームを、前記イオン・カラムの軸上へ、かつ、前記イオン・カラムの軸に対して平行に偏向させるように、前記第2の偏向器を作動させるステップと
    を含み、
    第2のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、
    前記イオン・ビームを、前記複数のビーム画定絞りのうちの第2の絞り上へ偏向させるように、前記第1の偏向器を作動させるステップと、
    前記イオン・ビームを、前記イオン・カラムの軸上へ、かつ、前記イオン・カラムの軸に対して平行に偏向させるように、前記第2の偏向器を作動させるステップと
    を含み、
    第3のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、
    前記イオン・ビームを、前記複数のビーム画定絞りのうちの第3の絞り上へ偏向させるように、前記第1の偏向器を作動させるステップと、
    前記イオン・ビームを、前記イオン・カラムの軸上へ、かつ、前記イオン・カラムの軸に対して平行に偏向させるように、前記第2の偏向器を作動させるステップと
    を含み、
    第4のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、
    前記イオン・ビームを、前記複数のビーム画定絞りのうちの第4の絞り上へ偏向させるように、前記第1の偏向器を作動させるステップと、
    前記イオン・ビームを、前記イオン・カラムの軸上へ、かつ、前記イオン・カラムの軸に対して平行に偏向させるように、前記第2の偏向器を作動させるステップと
    を含む、請求項20に記載の方法。
  22. 前記微細ミリング工程の後に実行されるイオン・ビーム研磨工程をさらに含む、請求項18から20のいずれか一項に記載の方法。
  23. 保護層の付着ステップをさらに含み、前記付着ステップが前記ミリング工程の前に実行される、請求項1から22のいずれか一項に記載の方法。
  24. 保護層の付着ステップをさらに含み、前記付着ステップが前記バルク・ミリング工程の前に実行される、請求項18に記載の方法。
  25. 粒子源と、複数のビーム画定絞りと、少なくとも1つの集束レンズとを有する荷電粒子ビーム・システムを動作させる方法であって、
    前記荷電粒子源から荷電粒子を引き出すステップと、
    前記荷電粒子をビームに形成するステップと、
    第1の直径を有する第1のビーム画定絞りを通過するように前記荷電粒子ビームを導くステップであり、前記第1のビーム画定絞りを出た前記荷電粒子ビームが第1の電流を有するステップと、
    ターゲット表面のスポットに前記荷電粒子を収束させるように、前記集束レンズを調整するステップと、
    前記第1の直径とは異なる第2の直径を有する第2のビーム画定絞りを通過するように前記荷電粒子ビームを導くステップであり、前記第2のビーム画定絞りを出た前記荷電粒子ビームが第2の電流を有するステップと、
    前記集束レンズの集束強度を変更せずに、前記荷電粒子を、前記集束レンズを通過するように導くステップと
    を含む方法。
  26. 前記集束レンズの集束強度を変更せずに、前記荷電粒子を、前記集束レンズを通過するように導くステップが、前記ビームを再整列させることなく、前記荷電粒子を、前記集束レンズを通過するように導くステップを含む、請求項25に記載の方法。
JP2012031773A 2011-02-25 2012-02-16 荷電粒子ビーム・システムにおいて大電流モードと小電流モードとを高速に切り替える方法 Active JP6219019B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161446804P 2011-02-25 2011-02-25
US61/446,804 2011-02-25

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012178347A JP2012178347A (ja) 2012-09-13
JP2012178347A5 true JP2012178347A5 (ja) 2015-06-11
JP6219019B2 JP6219019B2 (ja) 2017-10-25

Family

ID=45655899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012031773A Active JP6219019B2 (ja) 2011-02-25 2012-02-16 荷電粒子ビーム・システムにおいて大電流モードと小電流モードとを高速に切り替える方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9257261B2 (ja)
EP (1) EP2492950B1 (ja)
JP (1) JP6219019B2 (ja)
CN (1) CN102651299B (ja)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9633819B2 (en) * 2011-05-13 2017-04-25 Fibics Incorporated Microscopy imaging method and system
US9275823B2 (en) 2012-03-21 2016-03-01 Fei Company Multiple gas injection system
JP5952048B2 (ja) * 2012-03-23 2016-07-13 株式会社日立ハイテクサイエンス イオンビーム装置
JP5743950B2 (ja) * 2012-04-27 2015-07-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
US9105438B2 (en) 2012-05-31 2015-08-11 Fei Company Imaging and processing for plasma ion source
US8502172B1 (en) 2012-06-26 2013-08-06 Fei Company Three dimensional fiducial
EP2867915B1 (en) 2012-06-29 2016-07-13 FEI Company Multi species ion source
US8859982B2 (en) 2012-09-14 2014-10-14 Kla-Tencor Corporation Dual-lens-gun electron beam apparatus and methods for high-resolution imaging with both high and low beam currents
US8884247B2 (en) 2012-09-25 2014-11-11 Fei Company System and method for ex situ analysis of a substrate
US10196850B2 (en) 2013-01-07 2019-02-05 WexEnergy LLC Frameless supplemental window for fenestration
US9230339B2 (en) 2013-01-07 2016-01-05 Wexenergy Innovations Llc System and method of measuring distances related to an object
US10883303B2 (en) 2013-01-07 2021-01-05 WexEnergy LLC Frameless supplemental window for fenestration
US8923650B2 (en) 2013-01-07 2014-12-30 Wexenergy Innovations Llc System and method of measuring distances related to an object
US9691163B2 (en) 2013-01-07 2017-06-27 Wexenergy Innovations Llc System and method of measuring distances related to an object utilizing ancillary objects
US9845636B2 (en) 2013-01-07 2017-12-19 WexEnergy LLC Frameless supplemental window for fenestration
KR20150089393A (ko) 2014-01-27 2015-08-05 삼성전자주식회사 배터리 충전 제어 방법 및 그 전자 장치
US9378927B2 (en) * 2014-09-11 2016-06-28 Fei Company AutoSlice and view undercut method
US9619728B2 (en) * 2015-05-31 2017-04-11 Fei Company Dynamic creation of backup fiducials
JP2017020106A (ja) 2015-07-02 2017-01-26 エフ・イ−・アイ・カンパニー 高スループット・パターン形成のための適応ビーム電流
US9679742B2 (en) * 2015-10-30 2017-06-13 Fei Company Method for optimizing charged particle beams formed by shaped apertures
US9881764B2 (en) * 2016-01-09 2018-01-30 Kla-Tencor Corporation Heat-spreading blanking system for high throughput electron beam apparatus
US9899181B1 (en) 2017-01-12 2018-02-20 Fei Company Collision ionization ion source
US9941094B1 (en) 2017-02-01 2018-04-10 Fei Company Innovative source assembly for ion beam production
JP2018152183A (ja) * 2017-03-10 2018-09-27 株式会社日立製作所 微細構造体の製造方法および製造装置
AU2018278119B2 (en) 2017-05-30 2023-04-27 WexEnergy LLC Frameless supplemental window for fenestration
US10096447B1 (en) * 2017-08-02 2018-10-09 Kla-Tencor Corporation Electron beam apparatus with high resolutions
US11315754B2 (en) * 2020-04-27 2022-04-26 Applied Materials Israel Ltd. Adaptive geometry for optimal focused ion beam etching
CN112041671B (zh) * 2020-07-24 2023-10-20 长江存储科技有限责任公司 制备和分析薄膜的方法
WO2024134744A1 (ja) * 2022-12-20 2024-06-27 株式会社日立ハイテク ビーム装置、ラメラ抽出装置、ラメラ観察システムおよびラメラ作製方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6180744A (ja) * 1984-09-27 1986-04-24 Hitachi Ltd イオンマイクロビ−ム装置
JP2765829B2 (ja) * 1986-09-29 1998-06-18 株式会社日立製作所 集束イオンビーム加工装置
US5149976A (en) * 1990-08-31 1992-09-22 Hughes Aircraft Company Charged particle beam pattern generation apparatus and method
JP3060613B2 (ja) * 1991-07-12 2000-07-10 株式会社日立製作所 集束イオンビーム装置、及び集束イオンビームを用いた断面加工方法
JPH1177333A (ja) * 1997-09-09 1999-03-23 Hitachi Ltd 集束イオンビーム加工装置及びその方法
EP2498271B1 (en) * 2003-10-20 2021-03-31 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device with aperture
US7241361B2 (en) 2004-02-20 2007-07-10 Fei Company Magnetically enhanced, inductively coupled plasma source for a focused ion beam system
JP4338593B2 (ja) * 2004-06-15 2009-10-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ 集束イオンビーム装置
ATE532203T1 (de) 2004-08-27 2011-11-15 Fei Co Lokalisierte plasmabehandlung
JP5033314B2 (ja) * 2004-09-29 2012-09-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ イオンビーム加工装置及び加工方法
JP4878135B2 (ja) 2005-08-31 2012-02-15 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 荷電粒子ビーム装置及び試料加工方法
JP4571053B2 (ja) 2005-09-29 2010-10-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビーム装置
WO2008094297A2 (en) 2006-07-14 2008-08-07 Fei Company A multi-source plasma focused ion beam system
US8303833B2 (en) 2007-06-21 2012-11-06 Fei Company High resolution plasma etch
WO2009089499A2 (en) 2008-01-09 2009-07-16 Fei Company Multibeam system
EP2233907A1 (en) 2009-03-27 2010-09-29 FEI Company Forming an image while milling a work piece
JP5702552B2 (ja) 2009-05-28 2015-04-15 エフ イー アイ カンパニFei Company デュアルビームシステムの制御方法
EP2471086B1 (en) 2009-08-28 2013-12-11 FEI Company Pattern modification schemes for improved fib patterning
US8253118B2 (en) * 2009-10-14 2012-08-28 Fei Company Charged particle beam system having multiple user-selectable operating modes

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012178347A5 (ja)
KR102520386B1 (ko) 하전 입자 빔 시스템 및 방법
TWI809046B (zh) 帶電粒子束系統及方法
JP6689602B2 (ja) 荷電粒子ビームシステム及び方法
TWI650550B (zh) 用於高產量電子束檢測(ebi)的多射束裝置
JP6955325B2 (ja) 適応2次荷電粒子光学系を用いて2次荷電粒子ビームを画像化するシステムおよび方法
TWI539482B (zh) 粒子光學系統及裝置與此系統及裝置用的粒子光學元件
KR101428620B1 (ko) 전자빔 묘화 장치 및 전자빔 묘화 방법
US8455838B2 (en) Multiple-column electron beam apparatus and methods
JP2019536250A5 (ja)
TW202029264A (zh) 在借助多射束粒子顯微鏡將物體成像時調節檢測器的方法
KR101476389B1 (ko) 전자빔 묘화 장치 및 전자빔 묘화 방법
US8957392B2 (en) Mass spectrometer
JP6722114B2 (ja) 電子ビームシステムを使用した関心領域の検査
JP2013196951A5 (ja)
WO2012112284A3 (en) Multiple-pole electrostatic deflector for improving throughput of focused electron beam instruments
JP6134145B2 (ja) 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置における軌道修正方法
JP6666627B2 (ja) 荷電粒子線装置、及び荷電粒子線装置の調整方法
JP2017504175A5 (ja)
JP2014026834A (ja) 荷電粒子線応用装置
JP2014165174A5 (ja)
IL237738A (en) Install a bi-lens electron beam device and high resolution imaging methods with high and low beam currents
US9558911B2 (en) Method for analyzing and/or processing an object as well as a particle beam device for carrying out the method
JP2004134380A (ja) 荷電粒子ビームによって動作する装置
JP6075306B2 (ja) 荷電粒子ビーム照射装置及び荷電粒子ビーム軸調整方法