JP4878135B2 - 荷電粒子ビーム装置及び試料加工方法 - Google Patents
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Description
現在広く用いられているアルゴンイオンミリング装置は、単機能の専用装置であるために試料とイオンビームの位置関係はシンプルであり、イオンビームの照射角度も試料ステージの傾きを設定することで簡単に設定でき、また直感的に理解しやすい配置となっている。しかし、実際の薄片化試料がステージに対して傾いたり曲がったりしている場合は認識することができないので精度良く照射角度を制御することが難しいという問題点があった。入射角度は、エッチングレートなどに影響を与える重要なパラメータであるため正確な入射角度制御が望まれていた。
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1に係る荷電粒子ビーム装置の概略を示す概略図である。
本実施形態では、集束イオンビーム装置などによりある程度薄片化された試料(以下、薄片化試料と称する)としてステージに固定された状態を前提として説明する。図1では省略されているが、前記薄片化試料はTEM観察時に使用されるメッシュと呼ばれる試料台に固定され、前記メッシュを介して試料ステージ6に固定されている。また、ここで言うある程度の薄片化とは試料やその観察目的などにより大きく異なるが、この試料の厚さは本発明の本質には関係しない。一例を挙げれば100乃至200ナノメートル程度の厚さまで薄片化された試料である。
(他の実施形態)
上述した実施形態1では、集束イオンビーム装置3と走査型電子顕微鏡4が両方とも実装されているが、どちらか片方と気体イオンビーム照射装置の組合わせでも試料姿勢認識手段は同様に実行することが可能で、結果として薄片化試料の配置状況に応じて、正確かつ簡単に気体イオンビームの照射角度を制御することが可能な荷電粒子ビーム装置を提供することが可能となる。
2 薄片化試料
3 集束イオンビーム装置
4 走査型電子顕微鏡
5 気体イオンビーム照射装置
6 試料ステージ
7 試料姿勢認識手段
8 試料ステージ制御手段
9 チルトステージ
10 XYZステージ
11 ローテーションステージ
12 気体イオンビーム
13 気体イオンビーム照射角度
14 ステージ回転角度
Claims (5)
- 試料を加工し、薄片化試料を作製する集束イオンビーム装置と、
前記薄片化試料を観察する走査型電子顕微鏡と、
前記集束イオンビーム装置と前記走査型電子顕微鏡の軸と直交するチルト軸に沿って傾斜可能な試料ステージと、
前記チルト軸に対し傾斜して配置され、前記薄片化試料の表面または裏面に気体イオンビームを照射し、仕上げ加工をする気体イオンビーム照射装置と、
前記試料ステージの回転を制御する試料ステージ制御手段と、
前記薄片化試料の表面または裏面に対する前記気体イオンビームの入射角度を入力する入力手段と、を備え、
前記試料ステージに載置された前記薄片化試料の表面または裏面と前記気体イオンビーム照射装置の照射軸とのなす角度が前記入射角度になるように、前記試料ステージの位置情報と前記気体イオンビーム照射装置の鏡筒の取り付け角度から前記試料ステージの回転量を算出し、前記試料ステージ制御手段により前記試料ステージを回転させる荷電粒子ビーム装置。 - 前記気体イオンビームは、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、窒素のうちいずれか1つまたは複数からなる請求項1に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記試料ステージは、前記集束イオンビーム装置及び前記走査型電子顕微鏡の鏡筒軸と直交するチルト軸と、前記チルト軸の回転に伴って回転する三軸の直交ステージと、前記三軸の直交ステージに載置された回転軸を有する請求項1または2に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記集束イオンビーム装置及び前記走査型電子顕微鏡の軸と前記気体イオンビーム照射装置の軸は、実質的に一点で交わり、
前記気体イオンビーム照射装置の軸は、前記チルト軸と前記集束イオンビーム装置または前記走査型電子顕微鏡の軸を含む平面内で且つ前記チルト軸と直交あるいは平行以外の角度を有する請求項3に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 薄片化試料の仕上げ加工を行うための気体イオンビームの入射角度を設定する工程と、
試料ステージに固定された前記薄片化試料に集束イオンビームまたは電子ビームを照射し、前記薄片化試料の観察像を取得する工程と、
前記観察像を取得した際の前記試料ステージの位置情報と、前記気体イオンビームの鏡筒の取り付け角度に基づき前記試料ステージの回転量を算出し、前記入射角度で前記気体イオンビームを前記薄片化試料に照射するために前記回転量に基づき前記試料ステージを回転させる工程と、
前記入射角度で前記気体イオンビームを前記薄片化試料に照射し、前記薄片化試料の仕上げ加工を行う工程と、からなる試料加工方法。
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