-
HINTERGRUND
DER ERFINDUNG
-
Die
Erfindung bezieht sich auf eine Ladungsträgerstrahlenvorrichtung, um
eine Probenscheibe durch ein Transmissions-Elektronenmikroskop (TEM)
beobachten zu lassen.
-
Da
in den jüngsten
Jahren die Miniaturisierung eines Leiterbilds einer Halbleitervorrichtung
fortschreitet, nimmt die Bedeutung der Technologie zur Bebachtung
und Auswertung eines bestimmten kleinsten Abschnitts der Halbleitervorrichtung
unter Verwendung eines Transmissions-Elektronenmikroskops (TEM)
immer mehr zu. Um eine Probenscheibe, bei der es sich um solch einen
bestimmten kleinsten Abschnitt handeln soll, herzustellen, wird
weitverbreitet eine Vorrichtung verwendet, die sich eines fokussierten
Ionenstrahls bedient. Allerdings tritt hier das Problem einer Beschädigung durch
den fokussierten Ionenstrahl auf, weil die erforderliche Dicke der
Probe geringer wird, und deshalb wird ein Verfahren benötigt, um
eine Beschädigung
zu verhindern.
-
Als
Lösung
für den
vorstehenden Zustand wird beispielsweise ein Verfahren vorgeschlagen,
bei dem ein Gasionenstrahl unter Verwendung eines Elements, dessen
chemische Aktivität
gering ist, wie etwa Argon als Ionenart abgestrahlt wird (siehe
Patentschrift 1). Da es sich bei einer Argonionenstrahl-Ätzvorrichtung,
die gegenwärtig
weitverbreitet eingesetzt wird, um eine zweckbestimmte Vorrichtung
mit einer Einzelfunktion handelt, ist das Lageverhältnis zwischen
der Probe und dem Ionenstrahl eine einfache, und der Abstrahlwinkel
des Ionenstrahls kann mühelos
eingestellt werden, indem eine Neigung des Probenhalters eingestellt
wird und die Anordnung instinktiv erfasst werden kann. Wird jedoch
die eigentliche, in Scheiben zerschnittene Probe im Hinblick auf
den Halter geneigt oder gebogen, kann die Probe nicht erkannt werden.
Deshalb stellte sich insofern ein Problem, als es schwierig war,
den Bestrahlungswinkel genau zu steuern. Ein Einfallswinkel ist
ein wichtiger Parameter, der sich auf eine Ätzrate und dergleichen auswirkt.
Deshalb wurde eine genaue Einfallswinkelsteuerung erforderlich.
-
Andererseits
wird auch eine Vorrichtung vorgeschlagen, die einen Mechanismus
eingebaut hat, um einen Gasionenstrahl wie Argon mit der fokussierten
Ionenstrahlenvorrichtung abzustrahlen (siehe beispielsweise Patentschrift
2). In einer solchen Verbundvorrichtung ist der Abstrahlwinkel des
Argonionenstrahls in einer Parallelbewegung oder in einer Drehrichtung
im Hinblick auf eine Achse des fokussierten Ionenstrahls oder eines
Rasterelektronenmikroskops der einfacheren Bearbeitung, Beobachtung,
usw. halber feststehend. Entsprechend muss es sich bei einem Einbauwinkel
des Mechanismus zum Abstrahlen des Argonionenstrahls um einen Winkel
handeln, der weder parallel noch orthogonal zur Drehachse des Halters
ist. In diesem Fall, wofür ein
Beispiel in 2 gezeigt
ist, ist ein Drehwinkel 14 des Probenhalters nicht gleich
einem Einfallswinkel 13 des Strahls 12 auf eine
Probenoberfläche.
Deshalb ist es schwierig, den Einfallswinkel des Argonionenstrahls im
Hinblick auf die Oberfläche
der Probe 2 instinktiv zu erfassen. Deshalb ist es notwendig,
eine Betätigung des
Halters vorzunehmen, indem ein erforderlicher Bewegungsbetrag des
Halters zur Bestrahlung im gewünschten
Winkel berechnet wird. Das Problem muss von den Gesichtspunkten
des Funktionswirkungsgrads und des Auftretens von durch Menschen
verursachte Fehler her gelöst
werden.
- [Patentschrift 1] JP-A-10-221227
- [Patentschrift 2] JP-A-6-2601129
-
Angesichts
des Vorstehenden besteht eine Aufgabe der Erfindung darin, eine
Ladungsträgerstrahlenvorrichtung
bereitzustellen, die in der Lage ist, einen Abstrahlwinkel eines
Gasionenstrahls genau und problemlos je nach einem Anordnungszustand
einer Probenscheibe zu steuern.
-
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
-
In
einem ersten Aspekt der Erfindung wird zur Lösung der Probleme, wenn eine
Endbearbeitung einer Probenscheibe durch eine Ladungsträgerstrahlenvorrichtung durchgeführt wird,
die eine fokussierte Ionenstrahlvorrichtung, welche die Probenscheibe
durch Bearbeiten einer Probe herstellt, sowie die Probenscheibe beobachtet,
ein Rasterelektronenmikroskop, das die Probenscheibe beobachtet,
eine Gasionenstrahlbestrahlungsvorrichtung, welche die Endbearbeitung
durch Abstrahlen eines Gasionenstrahls auf eine Fläche der
Probenscheibe durchführt,
und einen Probenhalter umfasst, auf dem die Probenscheibe befestigt
ist, und der mindestens eine oder mehrere Drehachsen hat, das Lageverhältnis der
Probenscheibe im Hinblick auf den Probenhalter unter Verwendung
einer Probenstellungserkennungseinrichtung erkannt. Um zu ermöglichen,
dass ein Einfallswinkel des Gasionenstrahls im Hinblick auf die
Oberfläche
der Probenscheibe einen Sollwert hat, wird eine Probenhaltersteuereinrichtung
verwendet, bei der auf Grundlage der durch die Stellungserkennungseinrichtung
erkannten Probenstellung der Betrag, um den der Probenhalter aus
einer momentanen Stellung bewegt werden sollte, und ein Aufstellwinkel
der Gasionenstrahlbestrahlungsvorrichtung berechnet wird, und der
Probenhalter entsprechend dem Berechnungsergebnis bewegt wird. Im
Ergebnis kann der Gasionenstrahl genau und problemlos mit dem gewünschten
Einfallswinkel auf die Oberfläche
der Probenscheibe abgestrahlt werden. In diesem Aspekt kann ein
Aufbau denselben Vorteil erzielen, bei dem entweder nur die fokussierte Ionenstrahlvorrichtung
oder das Rasterelektronenmikroskop enthalten ist. Es ist auch möglich, denselben
Vorteil zu erzielen, indem dasselbe Verfahren nicht nur auf die
Vorderseite der Probenscheibe, sondern auch auf die Rückseite
angewandt wird.
-
In
einem zweiten Aspekt der Erfindung werden wie bei der Probenstellungserkennungseinrichtung
im ersten Aspekt, ein Lageverhältnis
der Probenscheibe im Hinblick auf den Probenhalter auf Grundlage
eines durch die fokussierte Ionenstrahlvorrichtung aufgenommenen
Beobachtungsbilds der Probenscheibe und Koordinaten des Probenhalters
zum Beobachtungszeitpunkt erkannt, wodurch der Gasionenstrahl genau
und problemlos mit dem gewünschten
Einfallswinkel auf die Oberfläche
der Probenscheibe abgestrahlt werden kann. Es ist in diesem Aspekt
auch möglich,
denselben Vorteil zu erzielen, indem ein durch das Rastelektronenmikroskop
aufgenommenes Beobachtungsbild anstatt des durch die fokussierten
Ionenstrahlvorrichtung aufgenommenen Beobachtungsbilds der Probenscheibe
verwendet wird.
-
In
einem dritten Aspekt der Erfindung wird/werden nach dem ersten oder
zweiten Aspekt ein und/oder mehrere Gasionenstrahl/en aus Neon,
Argon, Krypton, Xenon oder Stickstoff als Gasionenstrahl angewendet. Dementsprechend
kann der Gasionenstrahl ge nau und problemlos mit dem gewünschten
Einfallswinkel auf die Oberfläche
der Probenscheibe abgestrahlt werden.
-
In
einem vierten Aspekt der Erfindung ist nach dem ersten bis dritten
Aspekt der Probenhalter als fünfachsiger
Halter ausgelegt, mit einer zu den Achsen der fokussierten Ionenstrahlvorrichtung
und des Rasterelektronenmikroskops orthogonalen Neigungsachse, einem
dreiachsigen orthogonalen Halter, der sich mit der Drehung der Neigungsachse
dreht, und einer Drehachse, welche auf dem dreiachsigen orthogonalen
Halter angeordnet ist. Bei den fünf
Achsen des fünfachsigen
Halters handelt es sich um die Neigungsachse, die Drehachse, die
Y-Achse, die Y-Achse und die Z-Achse. Dementsprechend kann der Gasionenstrahl
genau und problemlos mit dem gewünschten
Winkel auf die Oberfläche
der Probenscheibe abgestrahlt werden.
-
In
einem fünften
Aspekt der Erfindung schneiden sich nach einem vierten Aspekt die
Achse der fokussierten Ionenstrahlvorrichtung, die Achse des Rasterelektronenmikroskops
und eine Achse der Gasionenstrahlbestrahlungsvorrichtung im Wesentlichen
an einem Punkt, darüber
hinaus ist die Achse der Gasionenstrahlbestrahlungsvorrichtung so
ausgelegt, dass sie auf einer die Neigungsachse und die Achse entweder
der fokussierten Ionenstrahlvorrichtung oder des Rasterelektronenmikroskops
enthaltenden Ebene liegt sowie einen Winkel aufweist, der orthogonal
und nicht parallel zur Neigungsachse ist. Dementsprechend kann der
Gasionenstrahl genau und problemlos mit dem gewünschten Winkel auf die Oberfläche der
Probenscheibe abgestrahlt werden.
-
[Vorteil der Erfindung]
-
Entsprechend
der wie vorstehend beschriebenen Erfindung wird es möglich, eine
Ladungsträgerstrahlenvorrichtung
bereitzustellen, die in der Lage ist, einen Bestrahlungswinkel eines
Gasionenstrahls genau und problemlos je nach dem Anordnungszustand
der Probenscheibe zu steuern.
-
KURZE BESCHREIBUNG DER
ZEICHNUNGEN
-
1 ist
eine Ansicht, die einen schematischen Aufbau einer Ladungsträgerstrahlenvorrichtung
nach einer Ausführungsform
1 der Erfindung zeigt.
-
2 ist
eine Ansicht, die ein Beispiel einer Probenstellungserkennungseinrichtung
nach Ausführungsform
1 der Erfindung zeigt.
-
Die 3A bis 3C sind
Ansichten, welche die Verhältnisse
zwischen Drehwinkeln eines Halters und Einfallswinkeln auf eine
Probe zeigen.
-
- 1
- Probenkammer
- 2
- Probenscheibe
- 3
- Fokussierte
Ionenstrahlvorrichtung
- 4
- Rasterelektronenmikroskop
- 5
- Gasionenstrahlbestrahlungsvorrichtung
- 6
- Probenhalter
- 7
- Probenstellungserkennungseinrichtung
- 8
- Probenhaltersteuereinrichtung
- 9
- Kipphalter
- 10
- YYZ-Halter
- 11
- Drehhalter
- 12
- Gasionenstrahl
- 13
- Gasionenstrahl-Bestrahlungswinkel
- 14
- Halterdrehwinkel
-
AUSFÜHRLICHE
BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
-
Nachstehend
wird die beste Art und Weise zur Umsetzung der Erfindung mit Bezug
auf die Zeichnungen beschrieben. Die Beschreibung der Ausführungsformen
ist beispielhaft und der Aufbau der Erfindung ist nicht auf die
folgende Beschreibung beschränkt.
-
(Ausführungsform 1)
-
1 ist
eine schematische Ansicht, die eine Darstellung einer Ladungsträgerstrahlenvorrichtung nach
einer Ausführungsform
1 der Erfindung zeigt. In der Ausführungsform geht die Erläuterung
davon aus, dass eine Probe auf einem Halter befestigt wird, wenn
die Probe (im Nachstehenden auch als Probenscheibe bezeichnet) in
gewissem Maße
unter Verwendung einer fokussierten Ionenstrahlvorrichtung und dergleichen zugeschnitten
wurde. Obwohl in 1 weggelassen, wird die Probenscheibe
auf einem „Gitter" genannten Probenhalter,
das bei der Beobachtung durch TEM verwendet wird, und durch das
Gitter hindurch an einem Probenhalter 6 befestigt. Die
Bedeutung von „in
gewissem Maße
zugeschnitten" unterscheidet
sich je nach Probe, einem Beobachtungsgegenstand von dieser o. dgl.
stark, die Dicke der Probe ist aber für die Erfindung nicht wesentlich.
Um ein Beispiel zu nennen, wird eine Probe verwendet, die auf eine
Dicke von ca. 100 bis 200 Nanometer abgetragen ist.
-
Wie
in 1 gezeigt ist, umfasst die Ladungsträgerstrahlenvorrichtung
nach der Ausführungsform
in einer Probenkammer 1, deren Inneres durch eine nicht
gezeigte Vakuumpumpe in einem luftleeren Zustand gehalten wird,
eine fokussierte Ionenstrahlvorrichtung 3, die eine Probenscheibe 2 herstellt,
wobei eine Oberfläche
der Probe bearbeitet und die Probenscheibe 2 beobachtet
wird, ein Rasterelektronenmikroskop 4, das die Probenscheibe 2 beobachtet,
eine Gasionenstrahlbestrahlungsvorrichtung 5, welche die
Endbearbeitung vornimmt, indem ein Gasionenstrahl 12 auf
die Probenscheibe 2 abgestrahlt wird, und einen Probenhalter 6, auf
dem die Probenscheibe befestigt ist und der mindestens eine oder
mehrere Drehachse/n aufweist. Als Gasionenstrahlbestrahlungsvorrichtung 5 wird
eine Argonionenstrahlbestrahlungsvorrichtung verwendet, in der Argongas
ionisiert und mit einer niedrigen Beschleunigungsspannung von ca.
1 kV abgestrahlt wird. Die fokussierte Ionenstrahlvorrichtung 3 ist
vertikal angeordnet, das Rasterelektronenmikroskop 4 und
die Gasionenstrahlbestrahlungsvorrichtung 5 sind schräg angeordnet,
und die Achsen dieser drei Strahlen sind so angeordnet, dass sie
sich im Wesentlichen an einem Punkt schneiden. Darüber hinaus
handelt es sich beim Probenhalter 6 um einen fünfachsigen
euzentrischen Halter, der einen Kipphalter 9 besitzt, der
sich entlang einer Achse dreht, die einen Kreuzungspunkt von Objektivtubusachsen
der fokussierten Ionenstrahlvorrichtung 3 und des Rasterelektronenmikroskops 4 enthält, sowie,
orthogonal zu deren jeweiligen Achsen, einen XYZ-Halter 10 mit
drei orthogonalen Achsen, der auf dem Kipphalter angeordnet ist,
und einen Drehhalter 11, der auf dem XYZ-Halter 10 angeordnet
ist und sich um die Mittelachse in einer vertikalen Richtung (Z-Richtung)
dreht.
-
Ein
relatives Lageverhältnis
einer am Probenhalter 6 befestigten Probenscheibe 2 im
Hinblick auf den Probenhalter 6 lässt sich durch eine Probenstellungserkennungseinrichtung 7 erfassen.
Die Stellungserkennung der Probenscheibe 2 durch die Probenstellungserkennungseinrichtung 7 erfolgt
beispielsweise unter Verwendung eines wie folgt zu erklärenden Verfahrens.
Zuerst wird die Probenscheibe 2 an einer euzentrischen Stelle
angebracht. Für
diesen Vorgang wird weitestgehend ein Verfahren eingesetzt, bei
dem eine Stelle ausfindig gemacht wird, an der sich ein Bild nicht
bewegt, wenn eine Neigungsachse des Kipphalters 9 bewegt wird.
Zweitens wird durch die fokussierte Ionenstrahlvorrichtung 3 ein
Beobachtungsbild von der Probenscheibe 2 gemacht. Bei dem
Beobachtungsbild handelt es sich zum Beispiel um eines, das in 3A gezeigt
ist. Um eine Beschädigung
der Probe durch das Ätzen
zu vermeiden, muss dabei beim elektrischen Stromwert oder der Abtastzeit
des Strahls zur Beobachtung ausreichend sorgfältig vorgegangen werden. Beim
Beobachtungsbild wird der Drehhalter 11 um die Mittelachse
in der Z-Richtung so gedreht, dass wie in 3B gezeigt, eine
Oberkante der Probenscheibe 2 der Richtung der Neigungsachse
des Kipphalters 9 entspricht. Der Vorgang lässt sich
mühelos
ausführen,
indem vorab eine Einstellung so erfolgt, dass die Richtung der Neigungsachse
des Kipphalters 9 einem auf einem Raster erfassbaren Winkel
entspricht, wie etwa einem horizontalen oder vertikalen Winkel.
Im Falle, dass sich die Probenscheibe 2 nicht auf dem Drehzentrum
des Drehhalters 11 befindet, muss auch der XYZ-Halter 10 beim
Drehen betätigt
werden, eine ausführliche
Erläuterung
hiervon unterbleibt aber, da dies im Allgemeinen ohnehin durchgeführt wird.
Drittens wird der Kipphalter 9 so betätigt, dass die Probenscheibe 2 nur
von oben zu sehen ist. Im Speziellen erfolgt die Einstellung so,
dass nur die Oberkante der Probenscheibe 2 zu sehen ist
und ihre Wandflächen
kaum zu sehen sind, wie in 3C gezeigt ist.
Der einfacheren anschließenden
Erläuterung
halber wird eine Seite als Oberfläche bezeichnet, die dabei dem
Rasterelektronenmikroskop 4 zugewandt ist. Viertens werden
zu diesem Zeitpunkt ein Neigungs- und ein Drehwinkel des Probenhalters 6 aufgezeichnet.
Der Winkel ist der Winkel der Probenscheibe 2 im Hinblick
auf den Probenhalter 6, und es wird davon ausgegangen,
dass die Stellung erkannt werden kann. Die Probenstellungserkennungseinrichtung
wurde in diesem Fall auf Grundlage des Beobachtungsbilds der fokussierten
Ionenstrahlvorrichtung 3 betätigt, jedoch kann, da es sich
bei dem Lageverhältnis
zwischen dem Rasterelektronenmikroskop 4 und der fokussierten
Ionenstrahlvorrichtung 3 um ein konstantes handelt, das
durch jeweilige Aufstellwinkel bestimmt ist, die Stellung der Probenscheibe 2 im
Hinblick auf den Probenhalter 6 genauso erkannt werden,
wenn derselbe Vorgang auf Grundlage eines Beobachtungsbilds des
Rasterelektronenmikroskops 4 erfolgt. Die fokussierte Ionenstrahlvorrichtung 3 wird
für gewöhnlich in
vielen Fällen
mit einer Beschleunigungsspannung von ca. 30 kV verwendet, deshalb
verursacht die Beobachtung durch das Rasterelektronenmikroskop 4 in
vielen Fällen
wenig Schaden an der Probenscheibe 2. Dementsprechend gibt
es im Falle eines zusätzlichen
Prozesses eines Endbearbeitungs vorgangs den Fall, dass das Beobachtungsbild
des Rasterelektronenmikroskops 4 verwendet wird.
-
Wie
vorstehend beschrieben, kann die Stellung der Probenscheibe 2 durch
die Stellungserkennungseinrichtung 7 erkannt werden. Ein
Bewegungsbetrag des Halters zum Erzielen eines gewünschten
Einfallswinkels wird auf Grundlage der Information berechnet. Wenn
es um einen Halter mit einer Drehachse geht, die orthogonal zur
Objektivtubusachse der Gasionenstrahlbestrahlungsvorrichtung 5 ist,
ist die Winkelberechnung einfach genug, um vom Gefühl her durchgeführt werden
zu können,
wenn es jedoch keine Drehachse gibt, die wie in der dargestellten
Ausführungsform
orthogonal zur Gasionenstrahlbestrahlungsvorrichtung 5 ist,
wird folgende Berechnung durchgeführt.
-
Ein
Normalenvektor auf einer Oberfläche
der Probenscheibe 2, der in einem auf einer Oberfläche des Probenhalters 6 festgelegten
Koordinatensystem ausgedrückt
ist, ist als „ns" dargestellt. Die
Komponenten des Normalenvektors „ns" lassen sich durch die vorstehende Probenstellungserkennungseinrichtung
ermitteln. Der Vektor „ns" kann in einen Normalenvektor „nt" der Probenscheibe 2 transformiert
werden, der im Koordinatensystem ausgedrückt ist, das auf dem Kipphalter
festgelegt ist, und zwar durch eine Matrix „R", die eine Drehung des Drehhalters ausdrückt. Darüber hinaus
kann er in einen Normalenvektor „nc" der Probenscheibe 2 transformiert
werden, der im Koordinatensystem ausgedrückt ist, das in der Probenkammer 1 festgelegt
ist, und zwar durch eine Matrix „T", die genauso eine Drehung des Kipphalters
ausdrückt
(mathematischer Ausdruck 1). nc = T·R·ns mathematischer Ausdruck 1
-
Hingegen
kann ein Vektor, der eine Verlaufsrichtung eines aus der Gasionenstrahlbestrahlungsvorrichtung
5 abgestrahlten
Gasionenstrahls ausdrückt,
sofort in dem Koordinatensystem, das in der Probenkammer
1 festgelegt
ist, ausgehend von dessen Aufstellwinkel ausgedrückt werden. Wenn der Vektor,
der die Verlaufsrichtung des Gasionenstrahls ausdrückt, als „bc" ausgedrückt wird,
wird der Einfallswinkel α zur
Probenscheibe
2 dadurch berechnet, dass ein Winkel zwischen
dem Normalenvektor der Probenscheibe
2 und dem Vektor der
Gasionenstrahlverlaufsrichtung von 90° abgezogen werden, und deshalb
wird der Winkel durch die Definition eines Vektorskalarprodukts
wie nachstehend ausgedrückt:
-
Der
Vektor „nc" enthält einen
Drehwinkel „t" des Kipphalters 9,
einen Drehwinkel „r" des Drehhalters 11 und
eine Neigung „τ", einen Drehwinkel „p" der Probenscheibe 2 im
Hinblick auf den Probenhalter 6. Der Vektor „bc" ist eine Konstante,
die durch den Aufstellwinkel der Gasionenstrahlbestrahlungsvorrichtung 5 bestimmt
ist, und deshalb wird davon ausgegangen, dass die rechte Seite des
mathematischen Ausdrucks 2 eine Funktion des Drehwinkels „t" des Kipphalters 9,
des Drehwinkels „r" des Drehhalters
und der Neigung „τ", des Drehwinkels „p" der Probenscheibe 2 im
Hinblick auf den Probenhalter 6 ist. Der Bewegungsbetrag
des Probenhalters 6 im Hinblick auf den gewünschten
Einfallswinkel lässt
sich dadurch berechnen, dass der Wert, der durch die vorstehende
Probenstellungserkennungseinrichtung 7 ermittelt wurde, „τ", „p" zugeteilt und nach „r" in dem Zustand,
in dem „t" feststeht, aufgelöst wird.
In diesem Fall gibt es manchmal zwei Lösungen. Allerdings lässt sich
die Lösung
auswählen,
indem eine Bedingung angefügt
wird, dass der Bewegungsbetrag des Probenhalters 6 minimiert
wird, oder eine Bedingung, dass die bearbeitete Oberfläche durch
das Rasterelektronenmikroskop 4 beobachtet werden kann.
Was die rückseitige
Fläche
betrifft, lässt
sich ein erforderlicher Bewegungsbetrag für den Probenhalter 6 dadurch
berechnen, dass ein Vorzeichen für
den Einfallswinkel α negativ
ausgelegt wird, um den Ausdruck zu lösen. Der Probenhalter 6 wird
auf Grundlage des berechneten Ergebnisses bewegt. Vorstehendes ist
die Erklärung
einer Probenhaltersteuereinrichtung 8. In dem Beispiel
wird der Ausdruck nach „r" in dem Zustand aufgelöst, in dem „t" feststeht, was darstellt,
dass der Bestrahlungswinkel nur durch die Drehung des Drehhalters 11 bestimmt
wird, jedoch kann er auch nach „t" in dem Zustand aufgelöst werden,
in dem „r" feststeht, was die
Erfindung keineswegs einschränkt.
-
Vorstehendes
ist die Erklärung
für die
Steuerung des Gasionenstrahlbestrahlungswinkels durch die erfindungsgemäße Ladungsträgerstrahlenvorrichtung.
-
Aus
dem Betätigungsgesichtspunkt
einer Bedienperson auf die bislang erfolgte Erklärung rückblickend wird zuerst der
Probenhalter so betätigt,
dass die Probenscheibe 2 nur von oben zu sehen ist. Als
Nächstes werden
der Einfallswinkel und derjenige, mit dem der Gasionenstrahl auf
entweder die Vorder- oder Rückseite abgestrahlt
wird, bestimmt. Bei der Bestimmung des Einfallswinkels muss der
Bediener nicht unbedingt den Aufstellwinkel der Gasionenstrahlbestrahlungsvorrichtung 5 u.
dgl. kennen, und deshalb lässt
sich dieser Vorgang extrem einfach durchführen.
-
Wie
vorstehend beschrieben, ist es erfindungsgemäß möglich, die Ladungsträgerstrahlenvorrichtung bereitzustellen,
die in der Lage ist, den Bestrahlungswinkel des Gasionenstrahls
je nach dem Anordnungszustand der Probenscheibe genau und problemlos
zu steuern.
-
(Eine andere Ausführungsform)
-
In
der vorstehenden Ausführungsform
1 sind sowohl die fokussierte Ionenstrahlvorrichtung 3 als
auch das Rasterelektronenmikroskop 4 angebracht, die Probenstellungserkennungseinrichtung
kann aber genauso auch durch Kombination von einem davon mit der
Gasionenstrahlbestrahlungsvorrichtung ausgeführt sein. Im Ergebnis ist es
möglich,
eine Ladungsträgerstrahlenvorrichtung
bereitzustellen, die in der Lage ist, den Bestrahlungswinkel des
Gasionenstrahls je nach dem Anordnungszustand der Probenscheibe
genau und problemlos zu steuern.
-
Die
Probenstellungserkennungseinrichtung kann durch die Bedienperson
so betätigt
werden, dass die Probenscheibe 2 auf eine bestimmte Weise
zu sehen ist. Es ist aber auch möglich,
die Einrichtung automatisch auszuführen, indem eine Bilderkennungstechnologie
verwendet wird, die in die Offenbarung der Erfindung mit aufgenommen
wird. Wenn es in der Erklärung
der Ausführungsform
1 nicht notwendig ist, die Halterbetätigung in den Prozess der Probenstellungserkennung
einzubinden, im Falle, dass der Kipphalter 9 oder der Drehhalter 11 nicht
angebracht wird, kann die Erfindung trotzdem umgesetzt werden.
