JPH08227680A - ビ−ム装置 - Google Patents

ビ−ム装置

Info

Publication number
JPH08227680A
JPH08227680A JP3094295A JP3094295A JPH08227680A JP H08227680 A JPH08227680 A JP H08227680A JP 3094295 A JP3094295 A JP 3094295A JP 3094295 A JP3094295 A JP 3094295A JP H08227680 A JPH08227680 A JP H08227680A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
inclination
stage
tilt
axis
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3094295A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyasu Kaga
広靖 加賀
Hiroshi Hirose
博 広瀬
Koji Iwata
浩二 岩田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP3094295A priority Critical patent/JPH08227680A/ja
Publication of JPH08227680A publication Critical patent/JPH08227680A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明の目的は試料の傾斜にともなう試料のず
れを精度よく簡単に補正するのに適したビ−ム装置を提
供することにある。 【構成】ステ−ジ3の上面(z=15mm)にビ−ム1
のフォ−カスを合わせステ−ジ傾斜補正する。このとき
の傾斜中心軸P0(x0,y0)を求め傾斜補正用デ−タ
生成器10に格納する。試料高さが変わった場合、ステ
−ジの高さ(Z軸駆動系7)を調整して試料の上面高さ
をz=15mmにする。このときステ−ジZ軸駆動系7
の移動量をtとすると、ステ−ジが任意傾斜角θ傾いた
とき、観察点P2をビ−ム直下(z軸上)に位置付ける
ためのX,Y軸駆動系6の補正量lは次式から求まる。 l=l0+(α(cosθ−1)−βsinθ)t/c
osθ ただし、l0は傾斜補正時のXステ−ジの補正量(P0
ら求まる)。α、βは装置固有の定数。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はビ−ム装置、特に半導体
分野において超微細加工により高密度に集積されたLS
Iのプロセス評価のために、試料の目的の場所を加工
し、その加工断面を、試料を傾斜して観察するときに起
こる観察点(着目点)の位置シフトの補正を行なうビ−
ム装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】FIB(Focused Ion Beam)加工装置に
おいては、試料加工とその加工断面の観察を1つのイオ
ン源からのイオンビ−ムで行なっている。このため、加
工後はイオンビ−ムに対して観察面が見えるように、ス
テ−ジしたがって試料を傾斜させる必要がある。このと
き、傾斜像が、ステ−ジの傾斜による断面観察時に視野
から外れてしまい、再度視野に像が入るように、ステ−
ジの調整あるいは走査ビ−ムのシフトを行う必要があ
る。
【0003】この問題を解決するために従来は、ステ−
ジの上に固定された試料上の観察点(着目点)にイオン
ビ−ムが照射されているとき、この観察点が試料の傾斜
軸上にあるようにステ−ジが傾斜するユ−セントリック
な機械機構を備えている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この従来方法は数10
μmの領域の断面観察には十分な性能を発揮する。とこ
ろが最近では、サブミクロンの寸法を有する素子の加工
及び断面観察には、0.1 μm 以下の高精度が要求さ
れる。
【0005】しかし、5軸ステ−ジなどレ−ザ測長を備
えない場合、ステ−ジの現在値(位置)を正しくビ−ム
照射系にフィ−ドバックできないため、機構系の誤差が
そのまま測長誤差になる。また、ステ−ジ自体の製作誤
差や設置誤差等により数μmの誤差が生じるため、ステ
−ジ移動に伴う補正を必要とする。しかし、従来補正法
では、ステ−ジ位置精度が8”全面で±10μmであ
り、最近の要求には不十分である。
【0006】傾斜補正に関しては、試料高さが変わると
精度がでないため、試料が変わるごとに補正をやり直さ
ないと正しく補正できないという問題があった。
【0007】本発明の目的は試料の傾斜にともなう試料
のずれを精度よく簡単に補正するのに適したビ−ム装置
を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の課題解決手段は
次のとおりである。
【0009】1. ビ−ム装置であって、これは、ビ−
ムを放射するビ−ム源と、そのビ−ムを試料が配置され
る予め定められた位置に収束する手段と、前記試料を3
次元方向に移動すると共に前記ビ−ムに対して傾斜する
手段とを備えたビ−ム装置であって、前記試料の傾斜に
ともなって生じる前記予め定められた位置に対する前記
試料のずれを補正する手段を備え、該補正手段は前記試
料を予め定められた位置に位置付けるように前記ビ−ム
軸方向に移動させたときのその試料の移動量に比例する
試料高さ及び前記試料を傾斜させたときのその試料の傾
斜角を関数として前記ずれを補正することを特徴とする
(請求項1)。
【0010】2. 課題解決手段1のビ−ム装置であっ
て、これは前記収束手段のビ−ム収束条件を記憶する手
段を備えていることを特徴とする(請求項2)。
【0011】3. 課題解決手段1又は2のビ−ム装置
であって、前記関数は前記試料高さに乗じられるべき高
さ係数を含むことを特徴とする(請求項3)。
【0012】4. 課題解決手段3のビ−ム装置であっ
て、前記高さ係数は前記試料の傾斜中心軸位置の前記試
料高さ依存性に関する定数であることを特徴とする(請
求項4)。
【0013】5. 課題解決手段4のビ−ム装置であっ
て、前記高さ係数は前記試料を前記ビ−ム軸方向の第1
及び第2の位置に選択的に位置付けたときの前記試料の
傾斜中心軸の位置にもとづいて定められたものであるこ
とを特徴とする(請求項5)。
【0014】6. 課題解決手段2〜5のいずれかのビ
−ム装置であって、前記関数は前記試料を第1、第2及
び第3の傾斜角に設定したときの前記試料の傾斜中心の
位置を一定値として含むことを特徴とする(請求項
6)。
【0015】7 課題解決手段6のビ−ム装置であっ
て、これは前記高さ係数及び傾斜中心の位置を表す一定
値を記憶する手段を含むことを特徴とする(請求項
7)。
【0016】
【作用】本発明においては、試料の傾斜にともなって生
じる予め定められた位置に対する試料のずれを補正する
手段を備え、この補正手段は試料を予め定められた位置
に位置付けるようにビ−ム軸方向に移動させたときのそ
の試料の移動量に比例する試料高さ及び試料を傾斜させ
たときのその傾斜角を関数として試料のずれを補正する
ようにしている。これによれば、試料の傾斜にともなう
試料のずれを精度よく簡単に補正するのに適したビ−ム
装置が提供される。
【0017】
【実施例】図2は本発明の基本原理を説明する図であ
る。これは、ステ−ジに固定された試料にビ−ムが照射
されている状態で、試料の厚さtを無視したときに観察
点(着目点)P1が傾斜中心軸P0を中心として傾斜角θ
だけ傾斜されることによりP2点にシフトすることを表
している。
【0018】本発明の補正原理を説明するにあたり、ス
テ−ジの傾斜回転軸はY軸に平行と仮定する。その仮定
の下で図3中の3つの点P0,P1,P2の関係式をX−
Z平面(Z軸はビ−ム軸と一致する)上で考える。今、
傾斜角θ=0におけるステ−ジ上での試料の厚さtが0
のとき、観察点P1の(x1,z1)座標を(0,0)と
し、更に傾斜中心軸P0の座標を(−x0,−z0)、傾
斜角θ時の観察点P2の座標を(x2,z2)とする。こ
こで、傾斜中心はP0であるから、数1が成り立つ。
【0019】
【数1】
【0020】これは、整理すると数2及び数3のように
なる。
【0021】
【数2】
【0022】
【数3】
【0023】そこで、観察点P2をビ−ム直下(Z軸
上)にするには、一般にはZ軸駆動系に可動範囲の制限
があるので、X軸駆動系を、数2を用いて
【0024】
【数4】
【0025】だけ移動すれば良い。
【0026】一方、試料厚さt≠0の場合、観察点P1
が(0,t)になるのでステ−ジの傾斜中心を(−
0,−z0−t)とすると、数4と同様に考えることが
できる。したがってステ−ジ傾斜による像シフトをビ−
ム直下(Z軸上)にするには、ステ−ジをX方向に
【0027】
【数5】
【0028】移動すればよい。
【0029】しかし、数5を実際に用いるには、tを何
らかの方法で測定する必要がある。また、tの意味する
ところは観察試料そのものの厚さではなく、傾斜補正に
用いた標準マ−クの高さと観察試料の上面高さの相対値
である。そのため、上記シフト方法を用いるには試料ご
とに補正をやり直す必要がある。
【0030】そこで、これを補うことで任意の厚さの試
料に対しても傾斜補正をやり直すことなく、かつ精度良
く傾斜に伴う観察像のシフトを補正し、断面観察を可能
ならしめることができる。以下、その傾斜補正法につい
て述べる。
【0031】本発明の傾斜点のシフトの補正のために
は、予めステ−ジ(Z軸)が動いた場合の傾斜中心軸の
座標(x0,z0)及び後述のα,βを傾斜補正用デ−タ
として求める必要がある。その方法について、以下説明
する。
【0032】2つの傾斜角θ(=45°),θ’(=5
5°)に対する標準マ−クの実測座標を(x45
45),(x55,z55)、原点を傾斜角0度の標準マ−
ク位置(x00,z00)に決めると、X軸座標については
数2は以下のように表される。
【0033】
【数6】
【0034】
【数7】
【0035】よって、P0座標(x0,z0)は数2、3
から次式のように求まる。
【0036】
【数8】
【0037】
【数9】
【0038】次に、ステ−ジZ軸駆動系が動いた場合、
0点の座標依存性(高さ依存性)を調べる。そこで、
実験的に求めた結果を図3に示す。たとえば、ステ−ジ
高さz1=15mmの場合の傾斜中心軸を(x0,z0)、
同様に、z2=16mmの場合の傾斜中心軸を(x0',
0')とすると、1次式近似によりステ−ジの高さがz
1からt変化したときの傾斜中心(xt0,zt0)を次式
から求めることができる。
【0039】
【数10】
【0040】
【数11】
【0041】ここで、図3の実験結果の場合、α、βを
求めると、α=−0.1,β=0.9となる。
【0042】数10、11から得られる傾斜中心(x
t0,zt0)を数2の(x0,z0)に代入し、数4を用い
て整理すると、観察点P2をビ−ム直下(Z軸上)に位
置づけるようにするには、X軸駆動系をステ−ジ面に沿
って
【0043】
【数12】
【0044】だけ移動すればよい。
【0045】また、実験でα、βはステ−ジX−Y位置
によらないことが分かった。そのため、α、βは装置の
固有値であり、一度求めレジスタに格納すれば再度求め
る必要がない値である。
【0046】図1は本発明の一実施例を説明する図であ
る。以下、ステ−ジ傾斜に伴う操作手順の一実施例を説
明する。まず、予め、上記方法でα、βを求め、そして
これは傾斜補正用デ−タ生成器10に格納されているも
のとする。フォ−カス調整用にステ−ジ3に設置されて
いる試料2(標準マ−クまたはメッシュ)位置にステ−
ジ3を移動する。このとき、ステ−ジ3のZ軸駆動系7
をイオン源11側に最も高くした状態(例えばz1=1
5mm)である。また、イオン源11からのイオンビ−ム
1はイオン引出レンズ、コンデンサレンズ等からなる照
射レンズ系13で収束され、更に偏向電源15によって
駆動される偏向器16により偏向走査される。それによ
って試料2(標準マ−ク)から発生される2次粒子は検
出器17によって検出され、この検出された信号は表示
装置18に導かれ、これによって表示装置18の操作画
面には試料の像が表示される。
【0047】試料2(標準マ−ク)の観察点P1が走査
画面の視野中央に位置するように、制御計算機4からの
命令にもとずいてX,Y軸駆動系6を介してステ−ジ3
を調整する。ステ−ジ3の試料2(z=15)に照射レ
ンズ系13を用いてビ−ム1のフォ−カスを合わせ、傾
斜補正時のフォ−カス条件として照射レンズ系13のレ
ンズレジスタ12に格納する。試料2(標準マ−ク)の
観察点P1の座標(x0 0,z00)をステ−ジの位置検出
器9を介して傾斜補正用デ−タ生成器10により実測す
る。次に特定の2つの傾斜角(例えば45度と55度)
に対して、制御計算機4からの命令に基ずいて傾斜軸駆
動系5を介して傾斜させ、そのつど試料2(標準マ−
ク)の観察点P1が走査画面の視野の中央に入るよう
に、制御計算機4からの指令にもとずきX,Y駆動系6
を介してステ−ジ3を調整し、2つの傾斜角に対する標
準マ−ク座標すなわち観察点P1の座標(x45
45),(x5 5,z55)を、ステ−ジの位置検出器9を
介して傾斜補正用デ−タ生成器10により実測する。こ
の傾斜補正用デ−タ生成器10のデ−タをもとに、制御
計算機4で数8、9を用いて傾斜中心軸P0(x0
0)を求める。この点P0を傾斜補正用デ−タ生成器1
0に格納する。以上が傾斜補正である。また、このとき
の照射レンズ系13の収束条件はレンズレジスタ12に
登録(記憶)される。
【0048】次に、試料交換などで試料高さが変わった
場合、照射レンズ系13のレンズレジスタ12を参照
し、傾斜補正時のフォ−カス条件に戻す。この後、フォ
−カスが合うように制御計算機4からの指令にもとづ
き、Z駆動系7を介してステ−ジ3を調整(ステ−ジ高
さZ軸駆動系7を微調)する。このときのZ軸駆動系7
の移動量t(試料高さはこれに比例する)をステ−ジの
位置検出器9を介して傾斜補正用デ−タ生成器10によ
り実測する。ステ−ジ3を任意傾斜角θ傾けたとき、制
御計算機4で傾斜補正用デ−タ生成器10のデ−タα、
β、点P0(x0,z0)、tを参照し、数12を用い
て、観察点P2をビ−ム直下(z軸上)に位置させるた
めのX,Y軸駆動系6の補正量l(数12)を算出す
る。この値にもとづいて、傾斜補正器8を介してX,Y
軸駆動系6を制御し、ステ−ジの補正移動を実施する。
【0049】この傾斜中心軸の座標を取得する一実施例
のフロ−処理について図4と図5にまとめる。図4のフ
ロ−100〜900は、一度実施しレジスタ−に格納す
れば再度求める必要はない。
【0050】図4及び5を参照するに、傾斜補正用マ−
クにステ−ジを移動(100)し、マ−ク像を表示装置
18に表示する(200)。次に、マ−ク位置のステ−
ジ座標を測定する(400)。ステ−ジの傾斜角を45
°にし(500)、傾斜する(600)。このとき、P
1が視野からずれるが、視野に入るようにステ−ジを移
動する(100)。マ−ク位置のステ−ジ座標を測定す
る(400)。同様にして、ステ−ジ傾斜角度を55°
にし(500)、P1 マ−ク位置のステ−ジ座標位置
を測定する(400)。測定結果から、傾斜中心P0
算出する(700)。ステ−ジの高さ方向の位置を変え
(たとえばz=16)、同様の測定を行ない(80
0)、ステ−ジ高さz=16の場合の傾斜中心P0を求
める(700)。数10、数11からα,βを求める
(900)。加工、観察を必要とする試料に交換する
(1000)。ステ−ジの傾斜角度θを入力する(11
00)。対物レンズ等の値すなわち収束条件をステ−ジ
傾斜補正時のそれに戻す(1200)。フォ−カスが試
料面上に合ったら(1300)、ステ−ジの傾斜を実行
する(1000)。自動的にステ−ジの移動量tを取り
込み(1500)、θ,t,P0,α,βからX方向の
ステ−ジ移動量lを数12を用いて算出し(170
0)、ステ−ジ傾斜開始後Xステ−ジをlだけ移動する
(1800)。
【0051】実施例において、傾斜中心軸の座標算出の
ため実測デ−タを、傾斜角45度及び55度に対して求
めたが、本発明では、上記数値に限定されるものではな
く適宜、設定可能である。また、z1,z2に対しても同
様である。更に、Z軸駆動系照射レンズ制御系に上記実
施例から得られる補正を加えることも可能である。
【0052】
【発明の効果】本発明によれば、試料の傾斜にともなう
試料のずれを精度よく簡単に補正するのに適したビ−ム
装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にもとづく一実施例を示すビ−ム装置の
概念構成図。
【図2】試料傾斜にもとづく試料のずれの補正を説明す
るための説明図。
【図3】傾斜中心軸を実験によって求めた例を示す図。
【図4】本発明の動作を説明するためのフロ−チャ−ト
を示す図。
【図5】本発明の動作を説明するための、図4とつなが
るフロ−チャ−トを示す図。
【符号の説明】
1:イオンビ−ム、2:試料、3:ステ−ジ、4:制御
計算機、5:傾斜軸駆動系、6:X,Y軸駆動系、7:
Z軸駆動系、8:傾斜補正器、9:位置検出器、10:
傾斜補正用デ−タ生成器、11:イオン源、12:レン
ズレジスタ、13:照射レンズ系、15:偏向電源、1
6:偏向器、17:検出器、18:表示装置。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ビ−ムを放射するビ−ム源と、そのビ−ム
    を試料が配置される予め定められた位置に収束する手段
    と、前記試料を3次元方向に移動すると共に前記ビ−ム
    に対して傾斜する手段とを備えたビ−ム装置であって、
    前記試料の傾斜にともなって生じる前記予め定められた
    位置に対する前記試料のずれを補正する手段を備え、該
    補正手段は前記試料を予め定められた位置に位置付ける
    ように前記ビ−ム軸方向に移動させたときのその試料の
    移動量に比例する試料高さ及び前記試料を傾斜させたと
    きのその試料の傾斜角を関数として前記ずれを補正する
    ことを特徴とするビ−ム装置。
  2. 【請求項2】請求項1に記載されたビ−ム装置であっ
    て、前記収束手段のビ−ム収束条件を記憶する手段を備
    えていることを特徴とするビ−ム装置。
  3. 【請求項3】請求項1又は2に記載されたビ−ム装置で
    あって、前記関数は前記試料高さに乗じられるべき高さ
    係数を含むことを特徴とするビ−ム装置。
  4. 【請求項4】請求項3に記載されたビ−ム装置であっ
    て、前記高さ係数は前記試料の傾斜中心軸位置の前記試
    料高さ依存性に関する定数であることを特徴とするビ−
    ム装置。
  5. 【請求項5】請求項4に記載されたビ−ム装置であっ
    て、前記高さ係数は前記試料を前記ビ−ム軸方向の第1
    及び第2の位置に選択的に位置付けたときの前記試料の
    傾斜中心軸の位置にもとづいて定められたものであるこ
    とを特徴とするビ−ム装置。
  6. 【請求項6】請求項2〜5のいずれかに記載されたビ−
    ム装置であって、前記関数は前記試料を第1、第2及び
    第3の傾斜角に設定したときの前記試料の傾斜中心の位
    置を一定値として含むことを特徴とするビ−ム装置。
  7. 【請求項7】請求項6に記載されたビ−ム装置であっ
    て、前記高さ係数及び傾斜中心の位置を表す一定値を記
    憶する手段を含むことを特徴とするビ−ム装置。
JP3094295A 1995-02-20 1995-02-20 ビ−ム装置 Pending JPH08227680A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3094295A JPH08227680A (ja) 1995-02-20 1995-02-20 ビ−ム装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3094295A JPH08227680A (ja) 1995-02-20 1995-02-20 ビ−ム装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08227680A true JPH08227680A (ja) 1996-09-03

Family

ID=12317742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3094295A Pending JPH08227680A (ja) 1995-02-20 1995-02-20 ビ−ム装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08227680A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5081353A (en) Combined scanning electron and scanning tunnelling microscope apparatus and method
US6838667B2 (en) Method and apparatus for charged particle beam microscopy
US7329867B2 (en) Electron beam system and electron beam measuring and observing methods
US7863564B2 (en) Electric charged particle beam microscope and microscopy
JP4474337B2 (ja) 試料作製・観察方法及び荷電粒子ビーム装置
JP5164598B2 (ja) レビュー方法、およびレビュー装置
EP2003526A1 (en) Method and device for controlling and monitoring a position of a holding element
US10186398B2 (en) Sample positioning method and charged particle beam apparatus
JP4413746B2 (ja) 荷電粒子ビーム装置
US6515296B1 (en) Pattern dimension measuring system and pattern dimension measuring method
KR101455944B1 (ko) 주사 전자 현미경
WO2017033591A1 (ja) 荷電粒子線装置および試料ステージのアライメント調整方法
JP3970656B2 (ja) 透過電子顕微鏡による試料観察方法
JP2005005125A (ja) 荷電粒子線装置
KR20210031602A (ko) 패턴 높이 정보 보정 시스템 및 패턴 높이 정보의 보정 방법
JPH08227680A (ja) ビ−ム装置
KR102632277B1 (ko) 스테이지 이동 제어 장치 및 하전 입자선 시스템
JPH0375507A (ja) パターン検査方法およびその装置
JPH09283073A (ja) イオンビーム照射装置
JP4677109B2 (ja) 基準テンプレートの製造方法及び当該方法によって製造された基準テンプレート
JP3488075B2 (ja) 薄膜試料作製方法及びシステム
JPH09147778A (ja) 荷電粒子線装置
JP2521964B2 (ja) 電子顕微鏡の測長方法
JPH09147777A (ja) 測長方法及びその装置
JPH07262952A (ja) 透過電子顕微鏡及び透過電子顕微鏡用非点補正装置