JP2005005125A - 荷電粒子線装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】荷電粒子線の焦点位置を変化した時または互いの荷電粒子線の焦点位置が試料上で一致しない場合、高精度にて且つ短時間で同一ターゲットを加工、観察できるようにする。
【解決手段】試料を少なくとも3軸方向に移動させるためのステージ装置と、上記試料の表面に対して傾斜した光軸を有し上記試料に荷電粒子線を照射するための少なくとも2つの荷電粒子線光学系と、該荷電粒子線光学系による画像を表示するための表示装置と、を有する荷電粒子線装置において、上記荷電粒子線光学系の各々における焦点位置及び光学条件と上記試料の位置の関係を示す補正テーブルと上記試料の位置を演算する演算部を設け、該演算部は、上記荷電粒子線の焦点位置が変化したとき、上記試料上のターゲットの位置が上記表示装置の画面の視野中心に配置されるように、上記試料の位置の補正量を演算する。
【選択図】 図1
【解決手段】試料を少なくとも3軸方向に移動させるためのステージ装置と、上記試料の表面に対して傾斜した光軸を有し上記試料に荷電粒子線を照射するための少なくとも2つの荷電粒子線光学系と、該荷電粒子線光学系による画像を表示するための表示装置と、を有する荷電粒子線装置において、上記荷電粒子線光学系の各々における焦点位置及び光学条件と上記試料の位置の関係を示す補正テーブルと上記試料の位置を演算する演算部を設け、該演算部は、上記荷電粒子線の焦点位置が変化したとき、上記試料上のターゲットの位置が上記表示装置の画面の視野中心に配置されるように、上記試料の位置の補正量を演算する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体の加工に使用して好適な荷電粒子線装置に関し、特に、荷電粒子線装置における試料移動機構に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの高集積化、微細化に伴い、半導体デバイスの製造において、不良プロセスの撲滅による歩留まり向上は、市場命題となっている。ウェーハを用いた半導体デバイスの製造工程では、早期の不良原因の発見及び解析のために、検査工程として、走査型電子顕微鏡によって回路パターン画像を比較検査する検査走査型電子顕微鏡、走査型電子顕微鏡による回路パターン幅寸法等を測長する測長走査型電子顕微鏡、さらに高分解能な透過型電子顕微鏡による不良解析が一般的に用いられる。
【0003】
また透過型電子顕微鏡で回路パターンの欠陥箇所を観察、分析するために、このサンプル試料を作製する手段として集束イオン粒子線を用いるイオン粒子線加工装置が使用される。例えば特開平05−52721号公報には、ウェーハから試料を分離する方法が開示されている。
【0004】
これら一連の検査工程は、不良箇所の早期発見とプロセスへの迅速なフィードバックが要求されることから、装置間のウェーハまたはサンプル試料の受渡し時間や稼働率の違いによる時間のロスを無くし、装置間を集約、インライン化するために、複数の荷電粒子線を用いた装置が求められている。
【0005】
この事例として、例えば、特開平11−213935号公報には、イオン粒子線加工装置と走査型電子顕微鏡の荷電粒子を用いたデュアルビーム装置が開示されている。この装置では、図6に示すように、イオン粒子線加工装置カラム601と走査型電子顕微鏡カラム602がある角度をもって配置され、イオン源603及び電子銃609から引き出される荷電粒子線は、ステージ618上の試料607の加工、観察点に照射される。ステージ618は、水平2次元移動、回転、傾斜の4軸構成ユーセントリックステージで、ステージ制御部619はホストコンピュータ614によってコントロールされる。
【0006】
この場合、イオン粒子線加工装置及び走査型電子顕微鏡の観察点が一致した場合のみユーセントリック機能は有効であり、たとえイオン粒子線加工装置と走査型電子顕微鏡カラムの機械的な軸合わせが一致していたとしても、各々のイオン粒子線加工装置、走査型電子顕微鏡の光学的な条件を変えてしまうと、観察点はずれてしまう。
【0007】
また、ユーセントリック機能に試料高さ方向のステージ(Zステージ)を持たない場合、例えば試料がφ300mmの半導体ウェーハでは、試料高さ方向に形状変化(そり)が200μm存在するケースもあり、この試料面を電気的に光学系を制御し焦点合わせをしても、一般的に制御範囲と光学的な分解能(倍率)が反比例するため、実用的に不利となる。
【0008】
また、これらイオン粒子線加工装置、走査型電子顕微鏡の焦点位置と光学的な条件すなわち焦点位置の制御方法について、これまでに多種の公知例が開示されている。例えば、特開平7−176285号公報に走査型電子顕微鏡の自動焦点合わせ機構が開示されている。
【0009】
これは、図7、図8に示すように、図示していない電子銃から発生される電子線701が対物レンズ703によって集束され、試料704に照射される。試料を載置するステージ715は、測定すべき点の座標が登録されているウェーハ情報ファイル716より、測定点の座標データを受け取り、然るべき測定点にウェーハを移動する。Xの偏向コイル702X、702Yは、前記電子線701を試料上で走査するための偏向コイルである。試料704から発生した二次電子714は検出器705によって検出され、増幅器706を介して合焦点検出装置710へ送られる。前記合焦点検出装置710は、対物レンズ703の励磁電流を順次、段階的に変化させる焦点制御装置、信号強度微分装置、微分値のピークを判定するピーク検出装置で構成されている。これらの構成によって、焦点位置すなわち図8の電子ビームの焦点高さを前記二次電子信号強度の微分値を判定し、対物レンズを制御し自動焦点を可能としている。
【0010】
しかし、前記公知例(特開平11−213935号公報)の如く、試料面と荷電粒子線が垂直に照射されていない場合、焦点位置を変化した場合、合焦点位置は、試料面と水平方向にも変化するため、対物レンズの他に偏向コイル等の光学条件を補正するためシステムが複雑化してしまう。
【0011】
また、試料と荷電粒子線の位置関係で、試料(試料ステージ)を傾斜し、焦点位置を変化した場合に生じるずれ量をイメージシフト機能によって補正した方法が考案され、特開2000−251823号公報が開示されている。この方法では、図9、図10に示すように、特に試料観察位置とユーセントリック軸に誤差がある場合に、傾斜軸を変化した時に生じるX方向とZ方向またはY方向とZ方向の補正方法について記載されおり、光学条件すなわち電気的なイメージシフト機能または機械的なステージのモータ駆動によって補正を行っている。
【0012】
しかし、この方法は、ずれ量を換算する基準となるXとZの関係を何らかの計測方法であらかじめ各傾斜角度に対して記憶しておく必要がある。しかしながら、この関係は、機械的な固有パラメータであるため、試料交換等で、試料とステージ傾斜中心軸の関係が変わった場合には、再度パラメータを計測する必要がある。
【0013】
【特許文献1】
特開平05−52721号公報
【特許文献2】
特開平11−213935号公報
【特許文献3】
特開平7−176285号公報
【特許文献4】
特開2000−251823号公報
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の第1の目的は、荷電粒子線と試料が垂直に照射されない場合、荷電粒子線の焦点位置が変化した時に、表示画面上のターゲットとなる試料観察点が常に一致する(同一ターゲットが表示画面中心にある)、荷電粒子線装置を提供するものである。
【0015】
本発明の第2の目的は、複数の荷電粒子線を搭載する場合、互いの荷電粒子線の焦点位置が試料上で一致しない時に、使用する荷電粒子線を切り替えても、各々表示画面上のターゲットとなる試料観察点が常に一致する(同一ターゲットが表示画面中心にある)、荷電粒子線装置を提供するものである。
【0016】
本発明の第3の目的は、複数の荷電粒子線を搭載する場合、互いの荷電粒子線の焦点位置を変えている時すなわち各荷電粒子線のワークディスタンスを変えている時、使用する荷電粒子線を切り替えても、各々表示画面上のターゲットとなる試料観察点が常に一致する(同一ターゲットが表示画面中心にある)、荷電粒子線装置を提供するものである。
【0017】
【課題を解決するための手段】
本発明によると、試料を少なくとも3軸方向に移動させるためのステージ装置と、上記試料の表面に対して傾斜した光軸を有し上記試料に荷電粒子線を照射するための少なくとも2つの荷電粒子線光学系と、該荷電粒子線光学系による画像を表示するための表示装置と、を有する荷電粒子線装置において、
上記荷電粒子線光学系の各々における焦点位置及び光学条件と上記試料の位置の関係を示す補正テーブルと上記試料の位置を演算する演算部を設け、該演算部は、上記荷電粒子線の焦点位置が変化したとき、上記試料上のターゲットの位置が上記表示装置の画面の視野中心に配置されるように、上記試料の位置の補正量を演算する。
【0018】
【発明の実施の形態】
図1を参照して本発明による荷電粒子線装置の例を説明する。本例の荷電粒子線装置は、イオン粒子線加工装置の機能を有するイオン粒子線加工光学系100と、走査型電子顕微鏡の機能を有する走査型電子顕微鏡光学系200と、試料(ウェーハ)10を3次方向に移動させ且つZ軸周りに回転移動させるステージ装置300と、これらの装置を制御する制御装置22と、イオン粒子線加工光学系及び走査型電子顕微鏡光学系によって得られた画像を表示するための表示装置23と、各種の演算及び画像処理を行うための計算機24と、を有し、半導体ウェーハを加工するために使用される。イオン粒子線加工光学系は、半導体ウェーハ内の所定の回路パターンを加工し、任意の大きさに切り出して試料を摘出する機能を有し、走査型電子顕微鏡光学系は、半導体ウェーハ内の所定の回路パターン形状を観察し、またパターン寸法を測長する機能を有する。
【0019】
本例の荷電粒子線装置による加工の対象は、φ300mmの半導体ウェーハであり、ステージ装置300の目標値に対する機械的な停止精度は、1μm以下である。
【0020】
イオン粒子線加工光学系100は、イオン源101と、イオン源からのイオン粒子線102を集束するためのイオン粒子線コンデンサレンズ103及びイオン粒子線対物レンズ104と、集束したイオン粒子線102を走査するためのイオン粒子線偏向器105と、試料(ウェーハ)10より発生した二次粒子線を検出するためのイオン粒子線検出器106と、を有し、これらは、イオン粒子線鏡体107に装着されている。イオン粒子線加工光学系は、イオン粒子線レンズ電源108より電源が供給される。
【0021】
走査型電子顕微鏡光学系200は、電子銃201と、電子銃からの電子線202を集束するための走査型電子顕微鏡コンデンサレンズ203及び走査型電子顕微鏡対物レンズ204と、集束した電子線202を走査するための走査型電子顕微鏡偏向器205と、試料(ウェーハ)10より発生した二次粒子線を検出するための走査型電子顕微鏡検出器206と、を有し、これらは、走査型電子顕微鏡鏡体207に装着されている。走査型電子顕微鏡光学系は、走査型電子顕微鏡レンズ電源208より電源が供給される。
【0022】
ステージ装置300は、試料(ウェーハ)10を支持する試料ステージ301と、試料ステージ301をZ軸周りに回転移動させるためのRステージ302dと、試料ステージ301を水平移動させるためのXステージ302a及びYステージ302bと、試料ステージ301を垂直移動させるためのZステージ302cと、を有し、これらは、真空試料室303内に設けられている。
【0023】
ステージ装置300は、更に、試料ステージ301の水平方向の移動量を測定するためのレーザー測長器311及びミラー312と、試料(ウェーハ)10の垂直方向の変化量を測定するためのZセンサ313と、レーザー測長器311及びZセンサ313の出力を入力し、Rステージ302d、Xステージ302a及びYステージ302b、Zステージ302cの移動を制御するためのステージ制御装置315とを有する。
【0024】
イオン源101からのイオン粒子線102は、イオン粒子線コンデンサレンズ103及びイオン粒子線対物レンズ104によって集束され、イオン粒子線偏向器105によって走査され、試料(ウェーハ)10上のターゲットに照射される。試料(ウェーハ)10より発生した二次粒子線はイオン粒子線検出器106によって検出され、その出力信号は制御装置22を介して計算機24に送信される。計算機24は、画像処理によって画像信号を生成し、それを表示装置23に送信する。表示装置23は、イオン粒子線加工光学系によって生成された画像を表示する。
【0025】
同様に、電子銃201からの電子線202は、走査型電子顕微鏡コンデンサレンズ203及び走査型電子顕微鏡対物レンズ204によって集束され、走査型電子顕微鏡偏向器205によって走査され、試料(ウェーハ)10上のターゲットに照射される。試料(ウェーハ)10より発生した二次粒子線は走査型電子顕微鏡検出器206によって検出され、その出力信号は制御装置22を介して計算機24に送信される。計算機24は、画像処理によって画像信号を生成し、それを表示装置23に送信する。表示装置23は、走査型電子顕微鏡光学系によって生成された画像を表示する。
【0026】
計算機24は、後に説明するように補正テーブルを有し、イオン粒子線加工光学系100又は走査型電子顕微鏡光学系200において、焦点位置を変化した時に、試料上のターゲット位置、即ち、加工又は観察点が常に表示装置23の画面の視野中心に配置されるように、試料ステージの移動量を演算する。またイオン粒子線加工光学系100の焦点位置と走査型電子顕微鏡光学系200の焦点位置が試料上で一致しない場合に、イオン粒子線加工光学系100と走査型電子顕微鏡光学系200を切り替えた場合に、試料上のターゲット位置、即ち、加工又は観察点が常に表示装置23の画面の視野中心に配置されるように、試料ステージの移動量を演算する。
【0027】
図4Aに示すように、イオン粒子線102と電子線202は、水平面内にて互いに90°の角度にて配置されており、図4Bに示すように、イオン粒子線102及び電子線202は試料(ウェーハ)10に対して45°の角度にて傾斜している。
【0028】
イオン粒子線102の試料(ウェーハ)10に対する焦点合わせは、制御装置22によってイオン粒子線レンズ電源108を制御し、イオン粒子線対物レンズ104のレンズ強度を調整することによって行う。電子線202の試料(ウェーハ)10に対する焦点合わせは、制御装置22によって走査型電子顕微鏡レンズ電源208を制御し、走査型電子顕微鏡対物レンズ204のレンズ強度を調整することによって行う。
【0029】
イオン粒子線102、電子線202及びZセンサ313からの粒子線又は光線は理論上、試料(ウェーハ)10の同一点を照射することになる。イオン粒子線102及び電子線202の焦点ずれ量は、Rステージ302cを移動させることによって補正する。
【0030】
本例では、Rステージ302dを備えているが、Rステージ302dを使用した試料作製方法が特開2002−148159号公報に開示されている。この公報に開示された資料作成方法では、イオン粒子線鏡体207を試料(ウェーハ)10に対して傾斜させ、Rステージ302dを回転させることによって、試料片を摘出する。
【0031】
次に図2を参照して、イオン粒子線加工光学系100の補正テーブルの算出方法について説明する。図示のように、試料(ウェーハ)10の表面上にターゲットマーク30を形成する。本例のターゲットマーク30は、縦及び横の寸法が10μmの十字形の図形である。図2は、光学倍率が約2500倍の場合のターゲットマーク30の像を模式的に示す。
【0032】
先ず、ターゲットマーク30を表示装置23の画面にて観察することができるように、試料10を、Xステージ302a及びYステージ302bによって水平方向に移動させ、Zステージ302cによって任意の高さに移動させる。それによって、試料10は初期位置に配置される。Zセンサ313によってターゲットマーク30のZ方向の位置を計測する。その値をZ(0)とする。
【0033】
次に、表示装置23の画面にてターゲットマーク30を観察しながら、イオン粒子線102の焦点をターゲットマーク30に合わせる。この時のイオン粒子線加工光学系100の光学系条件をFP(0)とする。ここで、光学系条件とは、対物レンズ、偏向器、コンデンサレンズ、印加電圧等のレンズ強度や荷電粒子線を制御するために必要なパラメータである。次に制御装置22及び計算機24による画像処理の結果に基づいて、ステージ制御装置315によってXステージ302a及びYステージ302bを微調整し、ターゲットマーク30の中心を、画面の視野中心に一致させる。このとき、試料ステージのX方向及びY方向の位置をレーザー測長器311によって計測し、その値をFX(0)、FY(0)とする。
【0034】
次にZステージ302cを所定の規定量31だけ移動し、Zセンサ313によってターゲットマーク30のZ方向の位置を計測する。その値をZ(1)とする。Zステージ302cを所定の規定量31だけ移動させることによって、イオン粒子線102の焦点はターゲットマーク30よりずれ、ターゲットマーク30は表示装置23の画面の視野中心よりずれる。破線の十字形30’は、表示装置23の画面にて、移動したターゲットマーク30を示す。
【0035】
従って、イオン粒子線102の焦点をターゲットマーク30に一致させる。この時のイオン粒子線加工光学系の光学系条件をFP(1)とする。ずれたターゲットマーク30の中心が、表示装置23の画面の視野中心に一致するように、Xステージ302a及びYステージ302bを微調整する。この時、試料ステージのX方向及びY方向の位置をレーザー測長器311によって計測し、その値をFX(1)、FY(1)とする。
【0036】
これをn回繰り返すことによって、試料ステージのX方向及びY方向の位置FX(0)、FY(0)、FX(1)、FY(1)…FX(n)、FY(n)、ターゲットマーク30のZ方向の位置Z(0)、Z(1)…Z(n)及びイオン粒子線加工光学系の光学系条件FP(0)、FP(1)…FP(n)からなるn+1組のデータが得られる。
【0037】
ターゲットマーク30のZ方向の位置[Z]は、試料ステージのX方向の位置[FX]、Y方向の位置[FY]及びイオン粒子線加工光学系の光学系条件[FP]の1次の線形式によって表されると仮定する。
【0038】
【数1】
[Z]=cF・[FX]+dF …(51)
[Z]=eF・[FY]+fF …(53)
[Z]=cO・[FP]+dO …(55)
【0039】
cF、dF、eF、fF、cO、dOは係数である。この係数cF、dF、eF、fF、cO、dOは、上述のn+1組のデータを用いて、計算機24によって算出される。算出された係数cF、dF、eF、fF、cO、dOを式(51)(53)(55)に代入することによって、ターゲットマーク30のZ方向の位置[Z]と試料ステージのX方向の位置[FX]の関係、ターゲットマーク30のZ方向の位置[Z]と試料ステージのY方向の位置[FY]の関係、及び、ターゲットマーク30のZ方向の位置[Z]とイオン粒子線加工光学系の光学系条件[FP]の関係が得られる。
【0040】
図5は、イオン粒子線加工光学系の補正テーブル51、53、55を示す。イオン粒子線加工光学系の補正テーブル51、53、55は、式(51)(53)(55)をグラフに表現したものである。
【0041】
図3を参照して、走査型電子顕微鏡光学系200の補正テーブルの算出方法について説明する。これは、イオン粒子線加工光学系の補正テーブルの算出方法と同様であるが、逆方向に進む。先ず、ターゲットマーク30を表示装置23の画面にて観察することができるように、試料10を移動させる。次に、Zステージ302cを用いて試料10を任意の位置に移動させ、Zセンサ313によってターゲットマーク30のZ方向の位置を計測する。その値をZ(n)とする。表示装置23の画面にてターゲットマーク30を観察しながら、電子線202の焦点を合わせる。この時の走査型電子顕微鏡光学系200の光学系条件をSP(n)とする。
【0042】
次に、ターゲットマーク30の中心を、画面の視野中心に一致させる。このとき、試料ステージのX方向及びY方向の位置をSX(n)、SY(n)とする。次に、Zステージ302cを所定の規定量31だけ戻す、即ち、反対方向に移動させる。このとき、ターゲットマーク30のZ方向の位置をZ(n−1)とする。再び、電子線202の焦点をターゲットマーク30に一致させる。この時の走査型電子顕微鏡光学系200の光学系条件をFP(n−1)とする。ずれたターゲットマーク30の中心が、表示装置23の画面の視野中心に一致するように、Xステージ302a及びYステージ302bを微調整する。この時、試料ステージのX方向及びY方向の位置をFX(n−1)、FY(n−1)とする。
【0043】
これをn回繰り返すことによって、試料ステージのX方向及びY方向の位置SX(n)、SY(n)、SX(n−1)、SY(n−1)、…SX(0)、SY(0)、ターゲットマーク30のZ方向の位置Z(n)、Z(n−1)…Z(0)及び走査型電子顕微鏡光学系の光学系条件SP(n)、SP(n−1)…SP(0)からなるn+1組のデータが得られる。
【0044】
ターゲットマーク30のZ方向の位置[Z]は、試料ステージのX方向の位置[SX]、Y方向の位置[SY]及び走査型電子顕微鏡光学系の光学系条件[SP]の1次の線形式によって表されると仮定する。
【0045】
【数2】
[Z]=cS・[SX]+dS …(52)
[Z]=eS・[SY]+fS …(54)
[Z]=aO・[SP]+bO …(56)
【0046】
ここに、cS、dS、eS、fS、aO、bOは係数である。この係数cS、dS、eS、fS、aO、bOは、上述のn+1組のデータを用いて、計算機24によって算出される。算出された係数cS、dS、eS、fS、aO、bOを式(52)(54)(56)に代入することによって、ターゲットマーク30のZ方向の位置[Z]と試料ステージのX方向の位置[SX]の関係、ターゲットマーク30のZ方向の位置[Z]と試料ステージのY方向の位置[SY]の関係、及び、ターゲットマーク30のZ方向の位置[Z]と走査型電子顕微鏡光学系の光学系条件[SP]の関係が得られる。
【0047】
図5は、走査型電子顕微鏡光学系200の補正テーブル52、54、56を示す。走査型電子顕微鏡光学系200の補正テーブル52、54、56は、式(52)(54)(56)をグラフに表現したものである。
【0048】
尚、本例では、補正テーブルを算出する前提として、イオン粒子線加工光学系及び走査型電子顕微鏡光学系はあらかじめ単体で調整が行われているものとする。また、本例は、補正テーブルを1次の線形としたが、多項式で補正してもよい。さらに、補正テーブルをRステージ302dについて同様に算出し、X、R、ZステージまたはY、R、Zステージによって補正テーブルを作製してもよい。
【0049】
また、イオン粒子線加工光学系100の補正テーブルを表す式(51)(53)(55)の少なくとも2つを加減算することによって、ターゲットマーク30のZ方向の位置[Z]と3つの変数[FX]、[FY]、[FP]の少なくとも2つの変数の間の線形1次式の関係が得られる。走査型電子顕微鏡光学系200の補正テーブルを表す式(52)(54)(55)の少なくとも2つを加減算することによって、ターゲットマーク30のZ方向の位置[Z]と3つの変数[SX]、[SY]、[SP]の少なくとも2つの変数の間の線形1次式の関係が得られる。こうして得られた線形1次式をグラフ化することによって補正テーブルを作成してもよい。
【0050】
更に、イオン粒子線加工光学系100の補正テーブルを表す式(51)(53)(55)と走査型電子顕微鏡光学系200の補正テーブルを表す式(52)(54)(55)を加減算することによって、ターゲットマーク30のZ方向の位置[Z]と6つの変数[FX]、[FY]、[FP]、[SX]、[SY]、[SP]の間の線形1次式の関係が得られる。それによって、イオン粒子線加工光学系・走査型電子顕微鏡光学系の補正テーブルが生成される。
【0051】
図4を参照して説明する。図4Aは、イオン粒子線加工光学系100からのイオン粒子線102と走査型電子顕微鏡系200からの電子線202をxy平面上に投影した線図を示し、図4Bは、イオン粒子線加工光学系100からのイオン粒子線102と走査型電子顕微鏡系200からの電子線202をxz平面上に投影した線図を示す。図4に示すように、イオン粒子線加工光学系100と走査型電子顕微鏡光学系400の機械的な光学軸は、点49にて交差している。
【0052】
最初は、イオン粒子線102の焦点と電子線202の焦点は、点49にて一致していると仮定する。先ず、イオン粒子線加工光学系100によって、試料(ウェーハ)10上のターゲットを観察するために水平方向及び垂直方向に移動させ、初期位置に配置する。初期位置におけるZ方向の位置をZ(0)、X方向及びY方向の位置をFX(0)、FY(0)とする。次に、イオン粒子線102の焦点を点49から試料10上の点47へ変化させる。それによって、イオン粒子線102の焦点は、試料上のターゲットに一致する。
【0053】
次に、試料10の高さを変化させないで、走査型電子顕微鏡光学系400によって試料上の同一ターゲットを観察する場合を考える。この場合、試料をX方向及びY方向に移動させ且つ電子線202の焦点を点49から点48に変化させればよい。試料のX方向及びY方向への移動量は、次の(61)(62)式の差分量(dX、dY)によって表される。
【0054】
【数3】
dX=SX(1)−FX(1) …(61)
dY=SY(1)−FY(1) …(62)
【0055】
次に各補正テーブルを適用する手順を説明する。イオン粒子線加工光学系の補正テーブルは、イオン粒子線加工光学系光学系100において、粒子線102の焦点位置を移動させた場合に適用する。計算機24によって、焦点の移動に対応したX、Y方向の位置の補正量及びZ方向の位置の補正量を算出し、それを、ステージ制御装置315に出力し試料ステージを移動させる。これによって、粒子線102の焦点位置が変化した場合でも、試料上のターゲット、即ち、加工、観察点が常に表示装置23の画面の視野中心になる。
【0056】
走査型電子顕微鏡補正テーブルは、走査型電子顕微鏡光学系200において、試料上の電子線202の焦点位置を移動させた場合に適用する。計算機24によって、焦点の移動量に対応したX、Y方向の位置の補正量及びZ方向の位置の補正量を算出し、それを、ステージ制御装置315に出力し試料ステージを移動させる。これによって、電子線202の焦点位置が変化した場合でも、試料上のターゲット、即ち、加工、観察点が常に表示装置23の画面の視野中心になる。
【0057】
イオン粒子線加工光学系・走査型電子顕微鏡光学系の補正テーブルは、使用する光学系を、イオン粒子線加工光学系100と走査型電子顕微鏡光学系200の間で切り替えた場合に適用する。計算機24によって、切り替えた時の試料の高さに相当するX、Y方向の補正量を算出し、ステージ制御装置315に出力し試料ステージを移動する。
【0058】
また、計算機24によって、切り替えるイオン粒子線加工光学系または走査型電子顕微鏡光学系の光学条件による補正量を算出し、これによって、光学系を切り替えた時も、試料上の加工、観察点が常に表示装置23の画面の視野中心にあり、かつ焦点が合った状態となる。
【0059】
また、イオン粒子線加工光学系または走査型電子顕微鏡光学系の光学条件の設定によっては、イオン粒子線加工光学系の焦点位置と走査型電子顕微鏡光学系の焦点位置を同一高さとせず、ワークディスタンスを変えて、イオン粒子線加工光学系と走査型電子顕微鏡光学系の加工、観察作業を切り替えても、上述のように、視野中心と焦点を一致させることが可能である。
【0060】
以上、本発明の例を説明したが本発明は上述の例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲にて様々な変更が可能であることは当業者に理解されよう。
【0061】
【発明の効果】
本発明によれば、試料に対して傾斜した単数または複数の荷電粒子線を有する荷電粒子線装置において、使用中の荷電粒子線の焦点位置を変化させた場合でも、ターゲットである加工又は観察点を、確実に表示画面の視野中心に配置させることができる効果がある。
【0062】
本発明によれば、試料に対して傾斜した単数または複数の荷電粒子線を有する荷電粒子線装置において、使用する荷電粒子線を切り替えた場合でも、ターゲットである加工又は観察点を、確実に表示画面の視野中心に配置させることができる効果がある。
【0063】
本発明によれば、試料に対して傾斜した単数または複数の荷電粒子線を有する荷電粒子線装置において、使用中の荷電粒子線の焦点位置を変化させた場合でも、試料ステージを所定の位置に短時間で移動させることができる効果がある。
【0064】
本発明によれば、試料に対して傾斜した単数または複数の荷電粒子線を有する荷電粒子線装置において、使用する荷電粒子線を切り替えた場合でも、試料ステージを所定の位置に短時間で移動させることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る荷電粒子線装置の主要部を示す模式鳥瞰図である。
【図2】本発明に係る荷電粒子線装置のイオン粒子線加工光学系の補正テーブルの算出方法を示す平面図。
【図3】本発明に係る荷電粒子線装置の走査型電子顕微鏡光学系の補正テーブルの算出方法を示す平面図。
【図4】本発明に係る荷電粒子線装置のイオン粒子線加工光学系の焦点位置と走査型電子顕微鏡光学系の焦点位置とX、Y、Zステージ位置の関係を示す図である。
【図5】イオン粒子線加工光学系と走査型電子顕微鏡光学系の補正式に基づいて作製された補正テーブルを示す図である。
【図6】従来の荷電粒子を用いたデュアルビーム装置(イオン粒子線加工装置−走査型電子顕微鏡)を示す構成図である。
【図7】従来の走査型電子顕微鏡自動焦点合わせ機構を示す構成図である。
【図8】従来の走査型電子顕微鏡自動焦点合わせの判定を行うための分布図である。
【図9】従来のユーセントリックステージを搭載しイメージシフトによる焦点補正を行う試料傾斜観察方法を示す構成図である。
【図10】従来のユーセントリックステージの焦点補正量を表わす平面図である。
【符号の説明】
10…試料(ウェーハ)、22…制御装置、23…表示装置、24…計算機、
30…ターゲットマーク、31…規定量、51…[FX]補正テーブル、52…[SX]補正テーブル、53…[FY]補正テーブル、54…[SY]補正テーブル、55…[FP]補正テーブル、56…[SP]補正テーブル、100…イオン粒子線加工光学系、101…イオン源、102…イオン粒子線、103…イオン粒子線コンデンサレンズ、104…イオン粒子線対物レンズ、105…イオン粒子線偏向器、106…イオン粒子線検出器、107…イオン粒子線加工光学系鏡体、108…イオン粒子線レンズ電源、200…走査型電子顕微鏡光学系、201…電子銃、202…電子線、203…走査型電子顕微鏡コンデンサレンズ、204…走査型電子顕微鏡対物レンズ、205…走査型電子顕微鏡偏向器、206…走査型電子顕微鏡検出器、207…走査型電子顕微鏡鏡体、208…走査型電子顕微鏡レンズ電源、300…ステージ装置、301…試料ステージ、302a…Xステージ、302b…Yステージ、302c…Zステージ、302d…Rステージ、303…真空試料室、311…レーザー測長器、312…ミラー、313…Zセンサ、315…ステージ制御装置、601…イオン粒子線加工光学系カラム、602…走査型電子顕微鏡カラム、603…イオン銃、604…集束レンズ、605…対物レンズ、606…偏向器、607…試料、608…イオン粒子線加工光学系制御部、609…電子銃、610…集束レンズ、611…対物レンズ、612…偏向器、613…走査型電子顕微鏡カラム制御部、614…ホストコンピュータ、615…2次電子検出器、616…増幅器、617…陰極線管、618…ステージ、619…ステージ制御部、701…電子線、703…対物レンズ(電磁レンズ)、704…試料、705…検出器、706…増幅器、710…合焦点検出装置、711…焦点補正値設定装置、712…焦点補正値登録装置、713…操作者、714…二次電子、715…ステージ、716…ウェーハ情報ファイル、910…対物レンズ、911…試料、912…2次電子検出器、913…増幅器、914…陰極線管、915…DA変換器、916…CPU、917…イメージシフトコイル、918…駆動回路、919…フォーカス制御回路、920…ステージ、921…モータ駆動回路、922…メモリー
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体の加工に使用して好適な荷電粒子線装置に関し、特に、荷電粒子線装置における試料移動機構に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの高集積化、微細化に伴い、半導体デバイスの製造において、不良プロセスの撲滅による歩留まり向上は、市場命題となっている。ウェーハを用いた半導体デバイスの製造工程では、早期の不良原因の発見及び解析のために、検査工程として、走査型電子顕微鏡によって回路パターン画像を比較検査する検査走査型電子顕微鏡、走査型電子顕微鏡による回路パターン幅寸法等を測長する測長走査型電子顕微鏡、さらに高分解能な透過型電子顕微鏡による不良解析が一般的に用いられる。
【0003】
また透過型電子顕微鏡で回路パターンの欠陥箇所を観察、分析するために、このサンプル試料を作製する手段として集束イオン粒子線を用いるイオン粒子線加工装置が使用される。例えば特開平05−52721号公報には、ウェーハから試料を分離する方法が開示されている。
【0004】
これら一連の検査工程は、不良箇所の早期発見とプロセスへの迅速なフィードバックが要求されることから、装置間のウェーハまたはサンプル試料の受渡し時間や稼働率の違いによる時間のロスを無くし、装置間を集約、インライン化するために、複数の荷電粒子線を用いた装置が求められている。
【0005】
この事例として、例えば、特開平11−213935号公報には、イオン粒子線加工装置と走査型電子顕微鏡の荷電粒子を用いたデュアルビーム装置が開示されている。この装置では、図6に示すように、イオン粒子線加工装置カラム601と走査型電子顕微鏡カラム602がある角度をもって配置され、イオン源603及び電子銃609から引き出される荷電粒子線は、ステージ618上の試料607の加工、観察点に照射される。ステージ618は、水平2次元移動、回転、傾斜の4軸構成ユーセントリックステージで、ステージ制御部619はホストコンピュータ614によってコントロールされる。
【0006】
この場合、イオン粒子線加工装置及び走査型電子顕微鏡の観察点が一致した場合のみユーセントリック機能は有効であり、たとえイオン粒子線加工装置と走査型電子顕微鏡カラムの機械的な軸合わせが一致していたとしても、各々のイオン粒子線加工装置、走査型電子顕微鏡の光学的な条件を変えてしまうと、観察点はずれてしまう。
【0007】
また、ユーセントリック機能に試料高さ方向のステージ(Zステージ)を持たない場合、例えば試料がφ300mmの半導体ウェーハでは、試料高さ方向に形状変化(そり)が200μm存在するケースもあり、この試料面を電気的に光学系を制御し焦点合わせをしても、一般的に制御範囲と光学的な分解能(倍率)が反比例するため、実用的に不利となる。
【0008】
また、これらイオン粒子線加工装置、走査型電子顕微鏡の焦点位置と光学的な条件すなわち焦点位置の制御方法について、これまでに多種の公知例が開示されている。例えば、特開平7−176285号公報に走査型電子顕微鏡の自動焦点合わせ機構が開示されている。
【0009】
これは、図7、図8に示すように、図示していない電子銃から発生される電子線701が対物レンズ703によって集束され、試料704に照射される。試料を載置するステージ715は、測定すべき点の座標が登録されているウェーハ情報ファイル716より、測定点の座標データを受け取り、然るべき測定点にウェーハを移動する。Xの偏向コイル702X、702Yは、前記電子線701を試料上で走査するための偏向コイルである。試料704から発生した二次電子714は検出器705によって検出され、増幅器706を介して合焦点検出装置710へ送られる。前記合焦点検出装置710は、対物レンズ703の励磁電流を順次、段階的に変化させる焦点制御装置、信号強度微分装置、微分値のピークを判定するピーク検出装置で構成されている。これらの構成によって、焦点位置すなわち図8の電子ビームの焦点高さを前記二次電子信号強度の微分値を判定し、対物レンズを制御し自動焦点を可能としている。
【0010】
しかし、前記公知例(特開平11−213935号公報)の如く、試料面と荷電粒子線が垂直に照射されていない場合、焦点位置を変化した場合、合焦点位置は、試料面と水平方向にも変化するため、対物レンズの他に偏向コイル等の光学条件を補正するためシステムが複雑化してしまう。
【0011】
また、試料と荷電粒子線の位置関係で、試料(試料ステージ)を傾斜し、焦点位置を変化した場合に生じるずれ量をイメージシフト機能によって補正した方法が考案され、特開2000−251823号公報が開示されている。この方法では、図9、図10に示すように、特に試料観察位置とユーセントリック軸に誤差がある場合に、傾斜軸を変化した時に生じるX方向とZ方向またはY方向とZ方向の補正方法について記載されおり、光学条件すなわち電気的なイメージシフト機能または機械的なステージのモータ駆動によって補正を行っている。
【0012】
しかし、この方法は、ずれ量を換算する基準となるXとZの関係を何らかの計測方法であらかじめ各傾斜角度に対して記憶しておく必要がある。しかしながら、この関係は、機械的な固有パラメータであるため、試料交換等で、試料とステージ傾斜中心軸の関係が変わった場合には、再度パラメータを計測する必要がある。
【0013】
【特許文献1】
特開平05−52721号公報
【特許文献2】
特開平11−213935号公報
【特許文献3】
特開平7−176285号公報
【特許文献4】
特開2000−251823号公報
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の第1の目的は、荷電粒子線と試料が垂直に照射されない場合、荷電粒子線の焦点位置が変化した時に、表示画面上のターゲットとなる試料観察点が常に一致する(同一ターゲットが表示画面中心にある)、荷電粒子線装置を提供するものである。
【0015】
本発明の第2の目的は、複数の荷電粒子線を搭載する場合、互いの荷電粒子線の焦点位置が試料上で一致しない時に、使用する荷電粒子線を切り替えても、各々表示画面上のターゲットとなる試料観察点が常に一致する(同一ターゲットが表示画面中心にある)、荷電粒子線装置を提供するものである。
【0016】
本発明の第3の目的は、複数の荷電粒子線を搭載する場合、互いの荷電粒子線の焦点位置を変えている時すなわち各荷電粒子線のワークディスタンスを変えている時、使用する荷電粒子線を切り替えても、各々表示画面上のターゲットとなる試料観察点が常に一致する(同一ターゲットが表示画面中心にある)、荷電粒子線装置を提供するものである。
【0017】
【課題を解決するための手段】
本発明によると、試料を少なくとも3軸方向に移動させるためのステージ装置と、上記試料の表面に対して傾斜した光軸を有し上記試料に荷電粒子線を照射するための少なくとも2つの荷電粒子線光学系と、該荷電粒子線光学系による画像を表示するための表示装置と、を有する荷電粒子線装置において、
上記荷電粒子線光学系の各々における焦点位置及び光学条件と上記試料の位置の関係を示す補正テーブルと上記試料の位置を演算する演算部を設け、該演算部は、上記荷電粒子線の焦点位置が変化したとき、上記試料上のターゲットの位置が上記表示装置の画面の視野中心に配置されるように、上記試料の位置の補正量を演算する。
【0018】
【発明の実施の形態】
図1を参照して本発明による荷電粒子線装置の例を説明する。本例の荷電粒子線装置は、イオン粒子線加工装置の機能を有するイオン粒子線加工光学系100と、走査型電子顕微鏡の機能を有する走査型電子顕微鏡光学系200と、試料(ウェーハ)10を3次方向に移動させ且つZ軸周りに回転移動させるステージ装置300と、これらの装置を制御する制御装置22と、イオン粒子線加工光学系及び走査型電子顕微鏡光学系によって得られた画像を表示するための表示装置23と、各種の演算及び画像処理を行うための計算機24と、を有し、半導体ウェーハを加工するために使用される。イオン粒子線加工光学系は、半導体ウェーハ内の所定の回路パターンを加工し、任意の大きさに切り出して試料を摘出する機能を有し、走査型電子顕微鏡光学系は、半導体ウェーハ内の所定の回路パターン形状を観察し、またパターン寸法を測長する機能を有する。
【0019】
本例の荷電粒子線装置による加工の対象は、φ300mmの半導体ウェーハであり、ステージ装置300の目標値に対する機械的な停止精度は、1μm以下である。
【0020】
イオン粒子線加工光学系100は、イオン源101と、イオン源からのイオン粒子線102を集束するためのイオン粒子線コンデンサレンズ103及びイオン粒子線対物レンズ104と、集束したイオン粒子線102を走査するためのイオン粒子線偏向器105と、試料(ウェーハ)10より発生した二次粒子線を検出するためのイオン粒子線検出器106と、を有し、これらは、イオン粒子線鏡体107に装着されている。イオン粒子線加工光学系は、イオン粒子線レンズ電源108より電源が供給される。
【0021】
走査型電子顕微鏡光学系200は、電子銃201と、電子銃からの電子線202を集束するための走査型電子顕微鏡コンデンサレンズ203及び走査型電子顕微鏡対物レンズ204と、集束した電子線202を走査するための走査型電子顕微鏡偏向器205と、試料(ウェーハ)10より発生した二次粒子線を検出するための走査型電子顕微鏡検出器206と、を有し、これらは、走査型電子顕微鏡鏡体207に装着されている。走査型電子顕微鏡光学系は、走査型電子顕微鏡レンズ電源208より電源が供給される。
【0022】
ステージ装置300は、試料(ウェーハ)10を支持する試料ステージ301と、試料ステージ301をZ軸周りに回転移動させるためのRステージ302dと、試料ステージ301を水平移動させるためのXステージ302a及びYステージ302bと、試料ステージ301を垂直移動させるためのZステージ302cと、を有し、これらは、真空試料室303内に設けられている。
【0023】
ステージ装置300は、更に、試料ステージ301の水平方向の移動量を測定するためのレーザー測長器311及びミラー312と、試料(ウェーハ)10の垂直方向の変化量を測定するためのZセンサ313と、レーザー測長器311及びZセンサ313の出力を入力し、Rステージ302d、Xステージ302a及びYステージ302b、Zステージ302cの移動を制御するためのステージ制御装置315とを有する。
【0024】
イオン源101からのイオン粒子線102は、イオン粒子線コンデンサレンズ103及びイオン粒子線対物レンズ104によって集束され、イオン粒子線偏向器105によって走査され、試料(ウェーハ)10上のターゲットに照射される。試料(ウェーハ)10より発生した二次粒子線はイオン粒子線検出器106によって検出され、その出力信号は制御装置22を介して計算機24に送信される。計算機24は、画像処理によって画像信号を生成し、それを表示装置23に送信する。表示装置23は、イオン粒子線加工光学系によって生成された画像を表示する。
【0025】
同様に、電子銃201からの電子線202は、走査型電子顕微鏡コンデンサレンズ203及び走査型電子顕微鏡対物レンズ204によって集束され、走査型電子顕微鏡偏向器205によって走査され、試料(ウェーハ)10上のターゲットに照射される。試料(ウェーハ)10より発生した二次粒子線は走査型電子顕微鏡検出器206によって検出され、その出力信号は制御装置22を介して計算機24に送信される。計算機24は、画像処理によって画像信号を生成し、それを表示装置23に送信する。表示装置23は、走査型電子顕微鏡光学系によって生成された画像を表示する。
【0026】
計算機24は、後に説明するように補正テーブルを有し、イオン粒子線加工光学系100又は走査型電子顕微鏡光学系200において、焦点位置を変化した時に、試料上のターゲット位置、即ち、加工又は観察点が常に表示装置23の画面の視野中心に配置されるように、試料ステージの移動量を演算する。またイオン粒子線加工光学系100の焦点位置と走査型電子顕微鏡光学系200の焦点位置が試料上で一致しない場合に、イオン粒子線加工光学系100と走査型電子顕微鏡光学系200を切り替えた場合に、試料上のターゲット位置、即ち、加工又は観察点が常に表示装置23の画面の視野中心に配置されるように、試料ステージの移動量を演算する。
【0027】
図4Aに示すように、イオン粒子線102と電子線202は、水平面内にて互いに90°の角度にて配置されており、図4Bに示すように、イオン粒子線102及び電子線202は試料(ウェーハ)10に対して45°の角度にて傾斜している。
【0028】
イオン粒子線102の試料(ウェーハ)10に対する焦点合わせは、制御装置22によってイオン粒子線レンズ電源108を制御し、イオン粒子線対物レンズ104のレンズ強度を調整することによって行う。電子線202の試料(ウェーハ)10に対する焦点合わせは、制御装置22によって走査型電子顕微鏡レンズ電源208を制御し、走査型電子顕微鏡対物レンズ204のレンズ強度を調整することによって行う。
【0029】
イオン粒子線102、電子線202及びZセンサ313からの粒子線又は光線は理論上、試料(ウェーハ)10の同一点を照射することになる。イオン粒子線102及び電子線202の焦点ずれ量は、Rステージ302cを移動させることによって補正する。
【0030】
本例では、Rステージ302dを備えているが、Rステージ302dを使用した試料作製方法が特開2002−148159号公報に開示されている。この公報に開示された資料作成方法では、イオン粒子線鏡体207を試料(ウェーハ)10に対して傾斜させ、Rステージ302dを回転させることによって、試料片を摘出する。
【0031】
次に図2を参照して、イオン粒子線加工光学系100の補正テーブルの算出方法について説明する。図示のように、試料(ウェーハ)10の表面上にターゲットマーク30を形成する。本例のターゲットマーク30は、縦及び横の寸法が10μmの十字形の図形である。図2は、光学倍率が約2500倍の場合のターゲットマーク30の像を模式的に示す。
【0032】
先ず、ターゲットマーク30を表示装置23の画面にて観察することができるように、試料10を、Xステージ302a及びYステージ302bによって水平方向に移動させ、Zステージ302cによって任意の高さに移動させる。それによって、試料10は初期位置に配置される。Zセンサ313によってターゲットマーク30のZ方向の位置を計測する。その値をZ(0)とする。
【0033】
次に、表示装置23の画面にてターゲットマーク30を観察しながら、イオン粒子線102の焦点をターゲットマーク30に合わせる。この時のイオン粒子線加工光学系100の光学系条件をFP(0)とする。ここで、光学系条件とは、対物レンズ、偏向器、コンデンサレンズ、印加電圧等のレンズ強度や荷電粒子線を制御するために必要なパラメータである。次に制御装置22及び計算機24による画像処理の結果に基づいて、ステージ制御装置315によってXステージ302a及びYステージ302bを微調整し、ターゲットマーク30の中心を、画面の視野中心に一致させる。このとき、試料ステージのX方向及びY方向の位置をレーザー測長器311によって計測し、その値をFX(0)、FY(0)とする。
【0034】
次にZステージ302cを所定の規定量31だけ移動し、Zセンサ313によってターゲットマーク30のZ方向の位置を計測する。その値をZ(1)とする。Zステージ302cを所定の規定量31だけ移動させることによって、イオン粒子線102の焦点はターゲットマーク30よりずれ、ターゲットマーク30は表示装置23の画面の視野中心よりずれる。破線の十字形30’は、表示装置23の画面にて、移動したターゲットマーク30を示す。
【0035】
従って、イオン粒子線102の焦点をターゲットマーク30に一致させる。この時のイオン粒子線加工光学系の光学系条件をFP(1)とする。ずれたターゲットマーク30の中心が、表示装置23の画面の視野中心に一致するように、Xステージ302a及びYステージ302bを微調整する。この時、試料ステージのX方向及びY方向の位置をレーザー測長器311によって計測し、その値をFX(1)、FY(1)とする。
【0036】
これをn回繰り返すことによって、試料ステージのX方向及びY方向の位置FX(0)、FY(0)、FX(1)、FY(1)…FX(n)、FY(n)、ターゲットマーク30のZ方向の位置Z(0)、Z(1)…Z(n)及びイオン粒子線加工光学系の光学系条件FP(0)、FP(1)…FP(n)からなるn+1組のデータが得られる。
【0037】
ターゲットマーク30のZ方向の位置[Z]は、試料ステージのX方向の位置[FX]、Y方向の位置[FY]及びイオン粒子線加工光学系の光学系条件[FP]の1次の線形式によって表されると仮定する。
【0038】
【数1】
[Z]=cF・[FX]+dF …(51)
[Z]=eF・[FY]+fF …(53)
[Z]=cO・[FP]+dO …(55)
【0039】
cF、dF、eF、fF、cO、dOは係数である。この係数cF、dF、eF、fF、cO、dOは、上述のn+1組のデータを用いて、計算機24によって算出される。算出された係数cF、dF、eF、fF、cO、dOを式(51)(53)(55)に代入することによって、ターゲットマーク30のZ方向の位置[Z]と試料ステージのX方向の位置[FX]の関係、ターゲットマーク30のZ方向の位置[Z]と試料ステージのY方向の位置[FY]の関係、及び、ターゲットマーク30のZ方向の位置[Z]とイオン粒子線加工光学系の光学系条件[FP]の関係が得られる。
【0040】
図5は、イオン粒子線加工光学系の補正テーブル51、53、55を示す。イオン粒子線加工光学系の補正テーブル51、53、55は、式(51)(53)(55)をグラフに表現したものである。
【0041】
図3を参照して、走査型電子顕微鏡光学系200の補正テーブルの算出方法について説明する。これは、イオン粒子線加工光学系の補正テーブルの算出方法と同様であるが、逆方向に進む。先ず、ターゲットマーク30を表示装置23の画面にて観察することができるように、試料10を移動させる。次に、Zステージ302cを用いて試料10を任意の位置に移動させ、Zセンサ313によってターゲットマーク30のZ方向の位置を計測する。その値をZ(n)とする。表示装置23の画面にてターゲットマーク30を観察しながら、電子線202の焦点を合わせる。この時の走査型電子顕微鏡光学系200の光学系条件をSP(n)とする。
【0042】
次に、ターゲットマーク30の中心を、画面の視野中心に一致させる。このとき、試料ステージのX方向及びY方向の位置をSX(n)、SY(n)とする。次に、Zステージ302cを所定の規定量31だけ戻す、即ち、反対方向に移動させる。このとき、ターゲットマーク30のZ方向の位置をZ(n−1)とする。再び、電子線202の焦点をターゲットマーク30に一致させる。この時の走査型電子顕微鏡光学系200の光学系条件をFP(n−1)とする。ずれたターゲットマーク30の中心が、表示装置23の画面の視野中心に一致するように、Xステージ302a及びYステージ302bを微調整する。この時、試料ステージのX方向及びY方向の位置をFX(n−1)、FY(n−1)とする。
【0043】
これをn回繰り返すことによって、試料ステージのX方向及びY方向の位置SX(n)、SY(n)、SX(n−1)、SY(n−1)、…SX(0)、SY(0)、ターゲットマーク30のZ方向の位置Z(n)、Z(n−1)…Z(0)及び走査型電子顕微鏡光学系の光学系条件SP(n)、SP(n−1)…SP(0)からなるn+1組のデータが得られる。
【0044】
ターゲットマーク30のZ方向の位置[Z]は、試料ステージのX方向の位置[SX]、Y方向の位置[SY]及び走査型電子顕微鏡光学系の光学系条件[SP]の1次の線形式によって表されると仮定する。
【0045】
【数2】
[Z]=cS・[SX]+dS …(52)
[Z]=eS・[SY]+fS …(54)
[Z]=aO・[SP]+bO …(56)
【0046】
ここに、cS、dS、eS、fS、aO、bOは係数である。この係数cS、dS、eS、fS、aO、bOは、上述のn+1組のデータを用いて、計算機24によって算出される。算出された係数cS、dS、eS、fS、aO、bOを式(52)(54)(56)に代入することによって、ターゲットマーク30のZ方向の位置[Z]と試料ステージのX方向の位置[SX]の関係、ターゲットマーク30のZ方向の位置[Z]と試料ステージのY方向の位置[SY]の関係、及び、ターゲットマーク30のZ方向の位置[Z]と走査型電子顕微鏡光学系の光学系条件[SP]の関係が得られる。
【0047】
図5は、走査型電子顕微鏡光学系200の補正テーブル52、54、56を示す。走査型電子顕微鏡光学系200の補正テーブル52、54、56は、式(52)(54)(56)をグラフに表現したものである。
【0048】
尚、本例では、補正テーブルを算出する前提として、イオン粒子線加工光学系及び走査型電子顕微鏡光学系はあらかじめ単体で調整が行われているものとする。また、本例は、補正テーブルを1次の線形としたが、多項式で補正してもよい。さらに、補正テーブルをRステージ302dについて同様に算出し、X、R、ZステージまたはY、R、Zステージによって補正テーブルを作製してもよい。
【0049】
また、イオン粒子線加工光学系100の補正テーブルを表す式(51)(53)(55)の少なくとも2つを加減算することによって、ターゲットマーク30のZ方向の位置[Z]と3つの変数[FX]、[FY]、[FP]の少なくとも2つの変数の間の線形1次式の関係が得られる。走査型電子顕微鏡光学系200の補正テーブルを表す式(52)(54)(55)の少なくとも2つを加減算することによって、ターゲットマーク30のZ方向の位置[Z]と3つの変数[SX]、[SY]、[SP]の少なくとも2つの変数の間の線形1次式の関係が得られる。こうして得られた線形1次式をグラフ化することによって補正テーブルを作成してもよい。
【0050】
更に、イオン粒子線加工光学系100の補正テーブルを表す式(51)(53)(55)と走査型電子顕微鏡光学系200の補正テーブルを表す式(52)(54)(55)を加減算することによって、ターゲットマーク30のZ方向の位置[Z]と6つの変数[FX]、[FY]、[FP]、[SX]、[SY]、[SP]の間の線形1次式の関係が得られる。それによって、イオン粒子線加工光学系・走査型電子顕微鏡光学系の補正テーブルが生成される。
【0051】
図4を参照して説明する。図4Aは、イオン粒子線加工光学系100からのイオン粒子線102と走査型電子顕微鏡系200からの電子線202をxy平面上に投影した線図を示し、図4Bは、イオン粒子線加工光学系100からのイオン粒子線102と走査型電子顕微鏡系200からの電子線202をxz平面上に投影した線図を示す。図4に示すように、イオン粒子線加工光学系100と走査型電子顕微鏡光学系400の機械的な光学軸は、点49にて交差している。
【0052】
最初は、イオン粒子線102の焦点と電子線202の焦点は、点49にて一致していると仮定する。先ず、イオン粒子線加工光学系100によって、試料(ウェーハ)10上のターゲットを観察するために水平方向及び垂直方向に移動させ、初期位置に配置する。初期位置におけるZ方向の位置をZ(0)、X方向及びY方向の位置をFX(0)、FY(0)とする。次に、イオン粒子線102の焦点を点49から試料10上の点47へ変化させる。それによって、イオン粒子線102の焦点は、試料上のターゲットに一致する。
【0053】
次に、試料10の高さを変化させないで、走査型電子顕微鏡光学系400によって試料上の同一ターゲットを観察する場合を考える。この場合、試料をX方向及びY方向に移動させ且つ電子線202の焦点を点49から点48に変化させればよい。試料のX方向及びY方向への移動量は、次の(61)(62)式の差分量(dX、dY)によって表される。
【0054】
【数3】
dX=SX(1)−FX(1) …(61)
dY=SY(1)−FY(1) …(62)
【0055】
次に各補正テーブルを適用する手順を説明する。イオン粒子線加工光学系の補正テーブルは、イオン粒子線加工光学系光学系100において、粒子線102の焦点位置を移動させた場合に適用する。計算機24によって、焦点の移動に対応したX、Y方向の位置の補正量及びZ方向の位置の補正量を算出し、それを、ステージ制御装置315に出力し試料ステージを移動させる。これによって、粒子線102の焦点位置が変化した場合でも、試料上のターゲット、即ち、加工、観察点が常に表示装置23の画面の視野中心になる。
【0056】
走査型電子顕微鏡補正テーブルは、走査型電子顕微鏡光学系200において、試料上の電子線202の焦点位置を移動させた場合に適用する。計算機24によって、焦点の移動量に対応したX、Y方向の位置の補正量及びZ方向の位置の補正量を算出し、それを、ステージ制御装置315に出力し試料ステージを移動させる。これによって、電子線202の焦点位置が変化した場合でも、試料上のターゲット、即ち、加工、観察点が常に表示装置23の画面の視野中心になる。
【0057】
イオン粒子線加工光学系・走査型電子顕微鏡光学系の補正テーブルは、使用する光学系を、イオン粒子線加工光学系100と走査型電子顕微鏡光学系200の間で切り替えた場合に適用する。計算機24によって、切り替えた時の試料の高さに相当するX、Y方向の補正量を算出し、ステージ制御装置315に出力し試料ステージを移動する。
【0058】
また、計算機24によって、切り替えるイオン粒子線加工光学系または走査型電子顕微鏡光学系の光学条件による補正量を算出し、これによって、光学系を切り替えた時も、試料上の加工、観察点が常に表示装置23の画面の視野中心にあり、かつ焦点が合った状態となる。
【0059】
また、イオン粒子線加工光学系または走査型電子顕微鏡光学系の光学条件の設定によっては、イオン粒子線加工光学系の焦点位置と走査型電子顕微鏡光学系の焦点位置を同一高さとせず、ワークディスタンスを変えて、イオン粒子線加工光学系と走査型電子顕微鏡光学系の加工、観察作業を切り替えても、上述のように、視野中心と焦点を一致させることが可能である。
【0060】
以上、本発明の例を説明したが本発明は上述の例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲にて様々な変更が可能であることは当業者に理解されよう。
【0061】
【発明の効果】
本発明によれば、試料に対して傾斜した単数または複数の荷電粒子線を有する荷電粒子線装置において、使用中の荷電粒子線の焦点位置を変化させた場合でも、ターゲットである加工又は観察点を、確実に表示画面の視野中心に配置させることができる効果がある。
【0062】
本発明によれば、試料に対して傾斜した単数または複数の荷電粒子線を有する荷電粒子線装置において、使用する荷電粒子線を切り替えた場合でも、ターゲットである加工又は観察点を、確実に表示画面の視野中心に配置させることができる効果がある。
【0063】
本発明によれば、試料に対して傾斜した単数または複数の荷電粒子線を有する荷電粒子線装置において、使用中の荷電粒子線の焦点位置を変化させた場合でも、試料ステージを所定の位置に短時間で移動させることができる効果がある。
【0064】
本発明によれば、試料に対して傾斜した単数または複数の荷電粒子線を有する荷電粒子線装置において、使用する荷電粒子線を切り替えた場合でも、試料ステージを所定の位置に短時間で移動させることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る荷電粒子線装置の主要部を示す模式鳥瞰図である。
【図2】本発明に係る荷電粒子線装置のイオン粒子線加工光学系の補正テーブルの算出方法を示す平面図。
【図3】本発明に係る荷電粒子線装置の走査型電子顕微鏡光学系の補正テーブルの算出方法を示す平面図。
【図4】本発明に係る荷電粒子線装置のイオン粒子線加工光学系の焦点位置と走査型電子顕微鏡光学系の焦点位置とX、Y、Zステージ位置の関係を示す図である。
【図5】イオン粒子線加工光学系と走査型電子顕微鏡光学系の補正式に基づいて作製された補正テーブルを示す図である。
【図6】従来の荷電粒子を用いたデュアルビーム装置(イオン粒子線加工装置−走査型電子顕微鏡)を示す構成図である。
【図7】従来の走査型電子顕微鏡自動焦点合わせ機構を示す構成図である。
【図8】従来の走査型電子顕微鏡自動焦点合わせの判定を行うための分布図である。
【図9】従来のユーセントリックステージを搭載しイメージシフトによる焦点補正を行う試料傾斜観察方法を示す構成図である。
【図10】従来のユーセントリックステージの焦点補正量を表わす平面図である。
【符号の説明】
10…試料(ウェーハ)、22…制御装置、23…表示装置、24…計算機、
30…ターゲットマーク、31…規定量、51…[FX]補正テーブル、52…[SX]補正テーブル、53…[FY]補正テーブル、54…[SY]補正テーブル、55…[FP]補正テーブル、56…[SP]補正テーブル、100…イオン粒子線加工光学系、101…イオン源、102…イオン粒子線、103…イオン粒子線コンデンサレンズ、104…イオン粒子線対物レンズ、105…イオン粒子線偏向器、106…イオン粒子線検出器、107…イオン粒子線加工光学系鏡体、108…イオン粒子線レンズ電源、200…走査型電子顕微鏡光学系、201…電子銃、202…電子線、203…走査型電子顕微鏡コンデンサレンズ、204…走査型電子顕微鏡対物レンズ、205…走査型電子顕微鏡偏向器、206…走査型電子顕微鏡検出器、207…走査型電子顕微鏡鏡体、208…走査型電子顕微鏡レンズ電源、300…ステージ装置、301…試料ステージ、302a…Xステージ、302b…Yステージ、302c…Zステージ、302d…Rステージ、303…真空試料室、311…レーザー測長器、312…ミラー、313…Zセンサ、315…ステージ制御装置、601…イオン粒子線加工光学系カラム、602…走査型電子顕微鏡カラム、603…イオン銃、604…集束レンズ、605…対物レンズ、606…偏向器、607…試料、608…イオン粒子線加工光学系制御部、609…電子銃、610…集束レンズ、611…対物レンズ、612…偏向器、613…走査型電子顕微鏡カラム制御部、614…ホストコンピュータ、615…2次電子検出器、616…増幅器、617…陰極線管、618…ステージ、619…ステージ制御部、701…電子線、703…対物レンズ(電磁レンズ)、704…試料、705…検出器、706…増幅器、710…合焦点検出装置、711…焦点補正値設定装置、712…焦点補正値登録装置、713…操作者、714…二次電子、715…ステージ、716…ウェーハ情報ファイル、910…対物レンズ、911…試料、912…2次電子検出器、913…増幅器、914…陰極線管、915…DA変換器、916…CPU、917…イメージシフトコイル、918…駆動回路、919…フォーカス制御回路、920…ステージ、921…モータ駆動回路、922…メモリー
Claims (4)
- 試料を少なくとも3軸方向に移動させるためのステージ装置と、上記試料の表面に対して傾斜した光軸を有し上記試料に荷電粒子線を照射するための荷電粒子線光学系と、該荷電粒子線光学系による画像を表示するための表示装置と、を有する荷電粒子線装置において、
上記荷電粒子線光学系における焦点位置及び光学条件と上記試料の位置の関係を示す補正テーブルと上記試料の位置を演算する演算部を設け、該演算部は、上記荷電粒子線の焦点位置が変化したとき、上記試料上のターゲットの位置が上記表示装置の画面の視野中心に配置されるように、上記試料の位置の補正量を演算することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1記載の荷電粒子線装置において、上記補正テーブルは、上記試料のZ方向の位置[Z]が上記試料のX方向の位置[X]、Y方向の位置[Y]及び粒子線光学系の光学系条件[P]の1次の線形式によって表されると仮定して作製されていることを特徴とする荷電粒子線装置。
- 請求項1記載の荷電粒子線装置において、上記荷電粒子線光学系は複数の荷電粒子線光学系を含み、上記荷電粒子線光学系を切り替えても、上記試料上のターゲットの位置は、上記表示装置の画面の視野中心に配置されることを特徴とする荷電粒子線装置。
- 請求項3記載の荷電粒子線装置において、上記荷電粒子線光学系を切り替えても、上記試料の高さを変化させないで、上記試料上の同一ターゲットを観察する場合、上記荷電粒子線光学系の焦点位置を変化させ且つ上記試料を次の差分量(dX、dY)だけX方向及びY方向に移動させるように構成されていることを特徴とする荷電粒子線装置。
dX=SX(1)−FX(1)
dY=SY(1)−FY(1)
但し、FX(1)、FY(1)は、切り替える前の荷電粒子線光学系における試料の位置、SX(1)、SY(1)は、切り替え後の荷電粒子線光学系における試料の位置である。
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