JP6075306B2 - 荷電粒子ビーム照射装置及び荷電粒子ビーム軸調整方法 - Google Patents

荷電粒子ビーム照射装置及び荷電粒子ビーム軸調整方法 Download PDF

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Description

本発明は、走査電子顕微鏡、電子線微小部分析装置等の分析装置・観察装置や、電子ビーム描画装置、電子ビーム加工機、イオンビーム微細加工装置等の加工装置など、電子ビームやイオンビームなどの荷電粒子を利用する各種装置において荷電粒子ビームを試料等の対象物に照射する荷電粒子ビーム照射装置、及び、そうした荷電粒子ビーム照射装置において荷電粒子ビームの光軸を調整する軸調整方法に関する。
特許文献1には、このような荷電粒子ビーム照射装置とその軸調整方法が開示されている。図4に、従来の荷電粒子ビーム照射装置の概略構成図を示す。図4に示す荷電粒子ビーム照射装置400は、荷電粒子ビームとして電子ビームを試料に照射する装置であり、電子ビームEを射出する電子銃で成るビーム源401と電子ビームが照射される試料ステージ409上に設置された試料408との間に、それらビーム源401と試料408とを結ぶ軸Cに沿って、第1アパーチャ板414、第1集束レンズ419、X方向、Y方向偏向器421、422から成るビーム偏向部402、第2集束レンズ403、第2アパーチャ板405、走査コイル406、及び対物レンズ407を備えている。また、これら各部を制御するための、制御部410、レンズ電源部411、偏向電源部412、ビーム走査電源部413、二次電子計測部415、画像処理部416、操作部417、及び表示部418を備えている。ビーム源401から射出され、第1アパーチャ板414を通過した電子ビームは、第1集束レンズ419で集束され、ビーム偏向部402により第2集束レンズ403のアパーチャ板(コンデンサ用アパーチャ板)403aの第1開口部430を通過するように調整される。第2集束レンズ403を通過した集束電子ビームは第2アパーチャ板405を通過した後、走査コイル406により試料408上を走査するように偏向される。その後、対物レンズ407により試料408の表面上に集束される。
特開2011-054426号公報
このような荷電粒子ビーム照射装置において、ビーム源401の電子ビームが射出される位置、第2集束レンズ403の電子ビームの通過領域を制限するコンデンサ用アパーチャ板403aの第1開口部430の中心位置、第2アパーチャ板405の第2開口部450の中心位置、及び対物レンズ407の中心位置がいずれも一直線上にあって、これらの位置が動かないものであれば理想的である。しかし、実際には、各位置のずれが全くないように各構成要素を配置することは困難であり、また、理想的な配置をしたとしても、装置に加わる衝撃や振動などによって各位置のずれが生じてしまう。このような荷電粒子ビーム照射装置において、微小径の荷電粒子ビームを試料や加工物上の所定位置に正確に照射するためには、荷電粒子ビームがビーム源401から試料408に進む際に通過する軌道を軸Cと合わせる調整(以下、軸調整と呼ぶ)を高精度に行っておく必要がある。
従来の荷電粒子ビーム照射装置400における荷電粒子ビームの軸調整は、次のように行われていた。まず、軸調整用試料408aを試料ステージ409上に載置する。軸調整用試料408aは、荷電粒子ビームが照射された際に二次電子を放出する試料であり、例えば、酸化ジルコニウムが用いられる。
次に、ビーム源401から電子ビームを射出し、第1集束レンズ419を調整して該電子ビームをコンデンサ用アパーチャ板403aの第1開口部430に集束させる。制御部410は、偏向電源部412に走査信号を与え、ビーム偏向部402のX方向、Y方向偏向器421、422を用いて電子ビームをコンデンサ用アパーチャ板403a上で走査する。電子ビームが第1開口部430を通過した場合には、電子ビームが軸調整用試料408aに入射し、そこから二次電子が放出されるが、電子ビームがコンデンサ用アパーチャ板403aで遮蔽された場合には軸調整用試料408aから二次電子が放出されない。
二次電子計測部415は電子ビームの各走査位置において、軸調整用試料408aから放出される二次電子を検出する。画像処理部416は、制御部410が有する電子ビームの走査位置の情報と二次電子計測部415が検出した二次電子の情報からアパーチャ像を作成し、表示部418に該アパーチャ像を表示する。
アパーチャ像の一例を図5に示す。図5において、枠線57は電子ビームをコンデンサ用アパーチャ板403a上で走査させた範囲を示す。十字で示された走査中心位置56はビーム偏向部402が電子ビームをコンデンサ用アパーチャ板403a上で走査させた範囲の中心に相当し、アパーチャ像の円形パターン55は、電子ビームが軸調整用試料408aに入射する範囲、つまり、第1開口部430を通過した領域に相当する。走査中心位置56と円形パターン55の中心位置のずれは、電子ビームが軸Cからずれていることを反映している。
ユーザは表示部418の画面に表示されたアパーチャ像を見ながら、図6のようにアパーチャ像の円形パターン55の中心が、十字で表示された走査中心位置56に来るように、操作部417を用いてアパーチャ像を移動させる。制御部410は、このような画像上の操作による移動量のデータから走査中心位置56に対応する電子ビームの偏向方向を決定すると共に、該偏向方向が走査範囲の中心と対応するようにX方向、Y方向偏向器421、422への供給電流等の制御パラメータを調整する。
このような手順で行われる従来の荷電粒子ビーム照射装置における荷電粒子ビームの軸調整は、軸調整用試料408aを試料ステージ409上に載置したり、制御パラメータを調整するためにユーザが表示部418の画面を見ながら手動で画像を操作したりする必要があるなど、操作性が悪い。また、軸調整用試料408aおよびユーザ依存の調整であるため、荷電粒子ビームの軸調整の精度は調整毎にばらついてしまう。
本発明は上記の点に鑑みて成されたものであり、その目的とするところは、荷電粒子ビーム照射装置における荷電粒子ビームの軸調整の操作性を向上し、また、その精度を向上させることにある。
上記課題を解決するために成された本発明に係る荷電粒子ビーム照射装置は、
a)荷電粒子ビームを射出するビーム源と、
b)開口部を有するアパーチャ板と、
c)前記荷電粒子ビームを偏向させる偏向部と、
d)前記アパーチャ板上で前記開口部よりも広い範囲である走査範囲において前記荷電粒子ビームを前記偏向部に走査させる制御部と、
e)前記ビーム源と前記開口部の中心を通る軸上に挿入可能に設けられ、且つ、偏向された前記荷電粒子ビームの前記開口部の通過を検出する検出部と、
f)前記走査範囲における、前記開口部を通過した荷電粒子の領域の重心位置を求めるビーム位置抽出部と、
g)前記重心位置が前記走査範囲の中心となる、前記偏向部に供給する電流量を決定する補正部と、
を備える。
また、上記課題を解決するために成された本発明に係る荷電粒子ビーム軸調整方法は、
a)ビーム源から荷電粒子ビームを射出する射出ステップと、
b)アパーチャ板上で該アパーチャ板が有する開口部よりも広い範囲である走査範囲において前記荷電粒子ビームを走査させるように偏向部に前記荷電粒子ビームを偏向させる偏向ステップと、
c)前記ビーム源と前記開口部の中心を通る軸上に検出部を挿入し、偏向された前記荷電粒子ビームの前記開口部の通過を検出する検出ステップと、
d)前記走査範囲における、前記開口部を通過した荷電粒子の領域の重心位置を求めるビーム位置抽出ステップと、
e)前記重心位置が前記走査範囲の中心となる、前記偏向部に供給する電流量を決定する決定ステップと、
を備える。
前記重心位置は、前記開口部を通過した荷電粒子の領域における前記検出部による測定値を重みとした、前記走査範囲の中心を原点とする前記走査範囲の走査位置の加重平均(重み付き平均)を計算して求める構成にしてもよい。ここで、前記検出部がファラデーカップを備え、該ファラデーカップで検出されたビーム電流量(荷電粒子ビームの絶対強度)を測定値として用いてもよいし、該ファラデーカップで検出されたビーム電流量の所定の電流との差(荷電粒子ビームの相対強度)を測定値として用いてもよい。
本発明に係る荷電粒子ビーム照射装置及び荷電粒子ビーム軸調整方法によれば、試料やユーザに依らず荷電粒子ビームの軸調整を行うことができるため、荷電粒子ビームの軸調整の操作性を向上し、またその精度を向上させることができる。
実施例に係る荷電粒子ビーム照射装置の概略構成図。 実施例に係る荷電粒子ビーム照射装置における荷電粒子ビームの軸調整の手順を示すフローチャート。 実施例に係る荷電粒子ビーム照射装置における(a)微調整の場合、(b)粗調整の場合の軸調整を説明する図。 従来の荷電粒子ビーム照射装置の概略構成図。 従来の荷電粒子ビーム照射装置における荷電粒子ビームの軸調整を説明する図。 従来の荷電粒子ビーム照射装置における荷電粒子ビームの軸調整を説明する図。
以下、本発明を実施するための形態を図1〜図3を参照しつつ実施例を用いて説明する。
本実施例の荷電粒子ビーム照射装置100の概略構成図を図1に示す。図1に示す荷電粒子ビーム照射装置100は、荷電粒子ビームとして電子ビームを試料に照射する装置であり、電子ビームEを射出する電子銃で成るビーム源101と電子ビームが照射される試料ステージ109上に設置された試料108との間に、それらビーム源101と試料108とを結ぶ軸Cに沿って、第1アパーチャ板114、第1集束レンズ119、X方向、Y方向偏向器121、122から成るビーム偏向部102、第2集束レンズ103、検出部140、第2アパーチャ板105、走査コイル106、及び対物レンズ107を備えている。また、これら各部を制御するための、制御部110、レンズ電源部111、偏向電源部112、ビーム走査電源部113、操作部117、ビーム位置抽出部141、及び補正部142を備えている。
本実施例の荷電粒子ビーム照射装置100は、検出部140、ビーム位置抽出部141、及び補正部142を用いて、荷電粒子ビームの軸調整を行う構成であることに特徴を有している。検出部140がファラデーカップを備え、このファラデーカップが、コンデンサ用アパーチャ板103aを有する第2集束レンズ103と第2アパーチャ板105の間に、ビーム源101と試料108とを結ぶ軸Cから外れた位置140aから軸C上に挿入可能に設けられている場合を説明する。
ここで、「軸C」は、ビーム源101から電子ビームが射出される位置と、ビーム源101の直下であって、電子ビームが何ら外乱を受けなかった場合に試料108上に到達する位置とを結ぶものである。また、「ファラデーカップ」は金属製のカップであって、その金属の部分に荷電粒子ビームが当たると、金属には電荷が蓄積される。ファラデーカップに電流計を接続すると、金属の部分に当たった荷電粒子の数に応じた電流が流れるため、ファラデーカップを備える検出部140は、電流値として荷電粒子ビームの強度を検出することができる。
荷電粒子ビームの軸調整は、試料の測定前に予め行っておくものであり、以下、この軸調整の手順を図2を参照して説明する。
まず、ユーザが操作部117を構成するマウスやキーボード等を操作して軸調整を荷電粒子ビーム照射装置100に指示する。荷電粒子ビーム照射装置100の制御部110が、この指示を受け取ると、制御部110は、図示しないモータ等の動力源を制御して、ファラデーカップで成る検出部140をコンデンサ用アパーチャ板103aの下であって、ビーム源101とコンデンサ用アパーチャ板103aの第1開口部130の中心を通る軸(軸C)上に移動させる。また、ビーム源101は、電子ビームEを射出する(ステップS21)。
次に、制御部110は第1集束レンズ119を調整する信号をレンズ電源部111に送り、レンズ電源部111は第1集束レンズ119に制御電流を供給する。第1集束レンズ119は、制御電流に従って、電子ビームEを第1開口部130近傍に集束させる。
制御部110は、X方向、Y方向偏向器121、122による電子ビームEの偏向方向を変える走査信号を偏向電源部112に与える。偏向電源部112は走査信号に従って所定の電流をX方向、Y方向偏向器121、122に供給する。供給された制御電流の量に応じて、偏向器121は電子ビームEをX方向に偏向し、偏向器122は電子ビームEをY方向に偏向する(ステップS22)。ここで、X方向及びY方向は、軸Cと直交する面(X−Y面)内の方向である。走査信号は、このように電子ビームEをX方向及びY方向に偏向させ、電子ビームEをX−Y面内で第1開口部130よりも広い走査範囲に亘って走査させるものである。一例として、第1開口部130が直径25μmの円である場合、X方向に80μm、Y方向に80μmの正方形の範囲を走査範囲にすることができる。
電子ビームEを第1開口部130近傍に集束させた場合における、該第1開口部130近傍の拡大図を図3(a)及び図3(b)に示す。電子ビームEを図3(a)のように、第1開口部130が形成されたX−Y面内に集束させると、電子ビームEで照射されるX−Y面の範囲Rは、電子ビームEをコンデンサ用アパーチャ板103a上で走査させた範囲Sと同じ範囲になるため、軸調整の微調整ができる。一方、電子ビームEを集束させる位置を、図3(b)のように、X−Y面から軸Cに沿った電子ビームの進行方向である+Z方向に数μm程度ずらした位置にすると、電子ビームEで照射されるX−Y面の範囲R’は、電子ビームEをコンデンサ用アパーチャ板103a上で走査させた範囲Sより広い範囲になるため、軸調整の粗調整ができる。
上述の走査範囲の中心を原点とした座標で上述の走査範囲を表すと、走査範囲はX方向に±40μm、Y方向に±40μmの正方形の範囲となる。この範囲において、電子ビームEが第1開口部130を通過する領域が全くないか一部の領域だけとなる場合は軸ずれが大きい。この場合、例えば、走査範囲をX方向に±120μm、Y方向に±120μmの正方形の範囲に拡げて粗調整を行い、第1開口部130の全領域が走査範囲内に収まるような電子ビームEの偏向方向を把握する。該偏向方向を次に行う走査範囲の中心に対応させた後、X方向、Y方向偏向器121、122への供給電流等の制御パラメータを調整する微調整を行う。以下では、微調整を行う場合を説明する。
コンデンサ用アパーチャ板103aの下であって軸C上に移動されたファラデーカップを備える検出部140は、X方向、Y方向偏向器121、122によって偏向された電子ビームEの強度に応じた電流値を出力する。これにより、走査範囲内の各偏向方向について、電子ビームEの第1開口部130の通過を検出する(ステップS23)。電子ビームEがコンデンサ用アパーチャ板103aによって遮蔽されると電流値は小さくなるが、電子ビームEが第1開口部130を通過すると電流値は大きくなる。
次に、ビーム位置抽出部141は、検出部140による測定値の情報と、制御部110が把握する走査位置の情報を取得し、検出部140による測定値を重みとした、走査範囲の中心を原点とする走査位置の加重平均(重み付き平均)を計算して、第1開口部130を通過した荷電粒子の領域の重心位置を求める(ステップS24)。すなわち、iを測定値が得られた全ての走査位置に割り当てられた変数、走査範囲の中心を原点として、測定値が得られた走査位置をx座標についてTxi[μm]、y座標についてTyi[μm]、測定値をIiとすると、重心位置のx座標の位置Tcxおよびy座標の位置Tcyは、それぞれ、Tcx=Σ(Ii×Txi)/ΣIi、Tcy=Σ(Ii×Tyi)/ΣIiを計算して求める。ここで、ファラデーカップで検出されたビーム電流量(荷電粒子ビームの絶対強度)を測定値として用いてもよいし、ファラデーカップで検出されたビーム電流量の所定の電流との差(荷電粒子ビームの相対強度)を測定値として用いてもよい。
補正部142は、ステップS24で求めた重心位置が走査範囲の中心となる、偏向部102が備えるX方向、Y方向偏向器121、122に供給する電流量を決定する(ステップS25)。これにより、第1開口部130を通過した荷電粒子の領域の重心位置が、走査範囲の中心(原点)になり、荷電粒子ビームの軸調整が終了する。
このように、本実施例の荷電粒子ビーム照射装置及び荷電粒子ビーム軸調整方法によれば、荷電粒子ビームの軸調整が、試料やユーザに依らず調整毎にばらつくことなく行えるため、荷電粒子ビームの軸調整の精度を向上させることができる。また、ビーム位置抽出部が強度の二次元空間分布の重心位置を定量的に求めるため、定量的な調整も可能である。さらに、本実施例の荷電粒子ビーム照射装置が、従来はユーザが手動で行っていた操作を行うため、操作性が向上する。
本実施例では、荷電粒子ビームとして電子ビームを用いる場合を説明したが、本発明はこれに限られず、イオンビームなど、電荷を有し、その偏向方向を偏向器によって変えることができるものであれば、どのような荷電粒子ビームを用いてもよい。
55…円形パターン
56…走査中心位置
57…枠線
100、400…荷電粒子ビーム照射装置
101、401…ビーム源
102、402…ビーム偏向部
103、403…集束レンズ
103a、403a…コンデンサ用アパーチャ板
105、405…第2アパーチャ板
106、406…走査コイル
107、407…対物レンズ
108、408…試料
109、409…試料ステージ
110、410…制御部
111、411…レンズ電源部
112、412…偏向電源部
113、413…ビーム走査電源部
114、414…第1アパーチャ板
117、417…操作部
119、419…集束レンズ
121、122、421、422…偏向器
130、430…第1開口部
140…検出部
141…ビーム位置抽出部
142…補正部
150、450…第2開口部
415…二次電子計測部
416…画像処理部
418…表示部

Claims (6)

  1. a)荷電粒子ビームを射出するビーム源と、
    b)開口部を有するアパーチャ板と、
    c)前記荷電粒子ビームを偏向させる偏向部と、
    d)前記アパーチャ板上で前記開口部よりも広い範囲である走査範囲において前記荷電粒子ビームを前記偏向部に走査させる制御部と、
    e)前記ビーム源と前記開口部の中心を通る軸上に挿入可能に設けられ、且つ、偏向された前記荷電粒子ビームの前記開口部の通過を検出する検出部と、
    f)前記走査範囲における、前記開口部を通過した荷電粒子の領域の重心位置を求めるビーム位置抽出部と、
    g)前記重心位置が前記走査範囲の中心となる、前記偏向部に供給する電流量を決定する補正部と、
    を備える、荷電粒子ビーム照射装置。
  2. 前記重心位置は、前記開口部を通過した荷電粒子の領域における前記検出部による測定値を重みとした、前記走査範囲の中心を原点とする前記走査範囲の走査位置の加重平均を計算して求める、請求項1に記載の荷電粒子ビーム照射装置。
  3. 前記検出部はファラデーカップを備え、該ファラデーカップで検出されたビーム電流量を前記測定値とする、請求項2に記載の荷電粒子ビーム照射装置。
  4. a)ビーム源から荷電粒子ビームを射出する射出ステップと、
    b)アパーチャ板上で該アパーチャ板が有する開口部よりも広い範囲である走査範囲において前記荷電粒子ビームを走査させるように偏向部に前記荷電粒子ビームを偏向させる偏向ステップと、
    c)前記ビーム源と前記開口部の中心を通る軸上に検出部を挿入し、偏向された前記荷電粒子ビームの前記開口部の通過を検出する検出ステップと、
    d)前記走査範囲における、前記開口部を通過した荷電粒子の領域の重心位置を求めるビーム位置抽出ステップと、
    e)前記重心位置が前記走査範囲の中心となる、前記偏向部に供給する電流量を決定する決定ステップと、
    を備える、荷電粒子ビーム軸調整方法。
  5. 前記重心位置は、前記開口部を通過した荷電粒子の領域における前記検出部による測定値を重みとした、前記走査範囲の中心を原点とする前記走査範囲の走査位置の加重平均を計算して求める、請求項4に記載の荷電粒子ビーム軸調整方法。
  6. ファラデーカップで検出されたビーム電流量を前記測定値とする、請求項5に記載の荷電粒子ビーム軸調整方法。
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